Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
2. Sensores Resistivos
TEMA2
z 2.1 Potencimetros
z 2.2 Galgas Extensiomtricas
z 2.3 Detectores de temperatura resistivos (RTD)
z 2.4 Termistores
NTC (con compensacin negativa)
PTC (con compensacin positiva)
z 2.5 Magnetoresistencias
z 2.6 Fotoresistencias (LDR)
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
2.1 Potencimetros
z Los sensores resistivos son los ms abundantes
existen muchas magnitudes fsicas que afectan al valor de la
resistencia de un material
R ( ) =
TEMA 2
= resistividad
A =seccin transversal
l = longitud
x = distancia recorrida
= fraccin de longitud
l (1 ) =
(l x )
x
Rn
R
Intrumentacin Electrnica
Smbolo
2.1 Potencimetros
z Es un sistema de orden cero. Puede formar parte de uno ms
complejo como una masa con resorte
z Modelo real introduce limitaciones
z Potencimetro no lineal
RCM =
(l x )(l x) tan
A
2D
M
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
2.1 Potencimetros
z Para determinar la posicin de un punto en el plano (joysticks)
un potencimetro para cada eje
en el punto central las tensiones de las dos ramas deben ser nulas
Vx = E (1 2 )
VY = E (1 2)
Intrumentacin Electrnica
2.1 Potencimetros
z Potencimetros lquidos. Se emplean principalmente para medir inclinaciones
Tubo de vidrio relleno de un fluido conductor al que se le aplica una tensin AC en
los electrodos.
La posicin de la burbuja de aire marca el valor de la resistencia
Potencimetro de bola
RS =
Rn Rn (1 )
= Rn (1 )
Rn + Rn (1 )
VS =
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
V
Rn (1 ) = V (1 )
Rn
2.1 Potencimetros
z Medidas de desplazamientos
muy precisos
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
A +A
dR d dl dA
=
+
R
l
A
l +l
Coeficiente de Poisson
dt / t
=
dl / l
TEMA 2
0 0. 4
Intrumentacin Electrnica
F
dl
= E = E
A
l
D
2
A =
dA =
DdD D = t
Hilo conductor de seccin de dimetro D
4
4
2
dA 2dD
dl
=
= 2
A
D
l
dV
=C
V = volmen
D2
D2
2 D
l dV =
V =
dl +
ldD
4
4
4
dV dl
dD dl
= +2
= (1 2 )
V
l
D
l
C = Constante de Bridgman
1,13 C 1,15
dR dl
dl
= [1 + 2 + C (1 2 )] = k
R
l
l
R = Ro (1 + k ) = Ro (1 + x )
Intrumentacin Electrnica
Silicio
Galga
Tipo p: dR = 119.5 + 4 2
Ro
dR
= 100 + 10 2
Ro
Galga de Silicio
TEMA 2
PADs de conexin
Intrumentacin Electrnica
10
Fy
Seccin y
Silicio
Galga
Fx
PADs de conexin
R = k
Ry F y
E Ay
+k
Ry F y
Rx F x
k
E Ax
EAy
Rx << R y
y >> y
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
11
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
12
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
13
+T
e-
+T
R = Ro 1 + 1T + 2 T 2 + ... + n T n
Ro al T de referencia
T = (T-To)
z La R es causada por:
Cambio de resistividad ()
Cambio de dimensiones
R = Ro [1 + 1 (T To )]
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
14
z Ventajas
Intrumentacin Electrnica
15
S=
dR
dT
z Sensibilidad
RTD
Ro o
o
S dR dT
=
=
=
= T
R
R
Ro [1 + o (T To )] 1 + o (T To )
Fluido
z Tipos
Bobinadas y de rejilla
Pelcula metlica
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
16
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
17
Metalizacin
Contacto
Semiconducto
r
EPOXY
1 1
RNTC (T ) = Ro exp B
T To
+T
-T
Ro a la T de referencia
B o es la T caracterstica del material
B(T1 , T2 ) =
TEMA 2
ln(R1 R2 )
1 1
T1 T2
Intrumentacin Electrnica
18
RNTC (T ) = exp A + + 2 + 3
T T
T
dR (T ) dT
B
= NTC
= 2
RNTC (T )
T
B C
RNTC (T ) = exp A + + 2
T T
1
2
= a + b ln RNTC + c (ln RNTC )
T
1/ 3
1/ 3
2
3 1/ 2
2
3 1/ 2
n
m m
n
m m
+ +
+
RNTC (a, b, c) = exp +
2 4 27
2 4 27
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
m=
a 1 T
c
n=b c
19
P = VT I T = (T Ta )
V(volt)
to
P inflexin
V = f (I )
P =V I = I2 R
Imax
dT
dt
En rgimen estacionario dT/T = 0 la
solucin la ecuacin diferencial
P = I 2 R = (T Ta ) + Cp
t
t
P
P
Cp
T = Ta + 1 e
= Ta + 1 e
TEMA 2
I(mA)
P = VT I T = (T Ta )
Intrumentacin Electrnica
20
Capacidad calorfica
Cp
= te
=
C de disipacin termica
T
T2
63,2%
T (t ) T2 = (T1 T2 ) e
T1
TEMA 2
Cp
t(ms)
Intrumentacin Electrnica
21
1 1
RNTC (T ) = (Ro Ro ) exp (B B )
T To
RNTC (T ) Ro
1 1 B
=
+ B
RNTC (T )
Ro
T To B
Datos del
fabricante
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
22
dR p
Mediante R en paralelo
Rp =
dT
R RNTC (T )
(R
+ RNTC (T ))
dRNTC (T )
dT
RNTC
R + RNTC (T )
S=
dR p dT
Rp
R
B
T 2 1 + RNTC (T ) R
60000
50000
40000
30000
20000
10000
-20000
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
-1
-10000
-30000
RT ideal
TEMA 2
RT real
RT linealizada
Intrumentacin Electrnica
23
R()
T1 T2 = T2 T3 RP1 RP 2 = RP 2 RP 3
RT1
RT2
R RT (T )
RP =
R + RT (T )
R (R + RT 3 ) 2 RT 1 RT 3
R = T 2 T1
RT 1 + RT 3 2 RT 2
2. Linealizacin con
Pto
RP2
Rp1
RP
RP3
T3
T2
T1
RNTC
RT3
de inflexin
T(C)
dRp
d
dT
=0
dT Pto inflexin
TEMA 2
R = RTC
B 2TC
B + 2TC
Intrumentacin Electrnica
24
VS = V
RNTC
VS
R
Vs
R
V
=
R + RNTC 1 + RNTC R
RNTC RO
=
f (T ) = s f (T )
R
R
s=
RO
R
Vs =
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
V
= V F (T )
1 + s f (T )
25
RP =
R RT (T )
1
= R [1 F (T )]
= R 1
+
R + RT (T )
1
R
(
T
)
R
T
F (T ) =
RNTC
1
1 1
1 + s exp B
T To
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
26
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
27
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
28
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
29
R()
Segn la composicin
Segn el dopado
RT
R()
RT
Rmin
T(C)
T(C)
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
30
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
31
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
32
Transistor Protection
Motor and Transformer Protection
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
33
2.5 Magnetoresistencias
Nube de
electrones
eI
eI
z Ventajas
Sistema de orden cero
Mayor sensibilidad y margen de Ts y frecuencias
Campo H
z Aplicaciones
Medidas de campos H
Medidas de magnitudes
relacionadas con H
velocidades
posicin
TEMA 2
R/R
Zona Lineal
-90
Intrumentacin Electrnica
90
34
2.6 Fotorresitencias
Banda de
Conduccin
z Fundamento
L
RL = Ro o
L
0.7<<1.5
RL y Ro resistencia a los
niveles de luz L y Lo
Ro
Lo
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
35
2.6 Fotorresitencias
z Caracterizacin con multmetro
Oscuridad: mxima R aprox.1M
Alta luminosidad: mnima R aprox. 100
z Aplicaciones
Medida de luz (fotometra)
Deteccin de cambios de luz.
VO =
L
R + Ro o
L
Tiristor
R
220AC
C
R(L)
Lmpara
TEMA 2
Intrumentacin Electrnica
36