Circuito de autopolarizacin o

Polarizacin por Resistencia de Emisor

Circuito de polarizacin por resistencia de emisor

En este circuito, si la corriente IC aumenta, ocurre lo mismo con la

corriente RE y con la tensin VE.
El aumento de VE, tiende a polarizar en inversa la juntura emisora, lo que hace
disminuir la corriente IB, no permitiendo por ello el aumento de la corriente IC. La
variacin de la temperatura, tambin afecta la VBE y el de los transistores.
Llamaremos a:
Rb = R1 / R2
Se logra buena estabilidad si se hace que la relacin Rb/RE sea pequea, en lo
posible no mayor a 10. Lograr esto implica contratiempos pues Rbdebe ser
pequea, lo que significa que la fuente VCC deba entregar un alto valor de ID o
que RE sea tan grande como sea posible, lo que implica gran cada de tensin en
RE. Se debe buscar, una solucin de compromiso.

Se calcularn los valores de las resistencias necesarias para polarizar el

transistor en el mismo punto de trabajo. Dado que las incgnitas son cuatro,
utilizando las leyes de Kirchoff, podran plantearse cuatro ecuaciones de malla y por
cualquier mtodo conocido, hallar sus valores. Se pretende simplificar el desarrollo
por lo que la solucin aqu planteada se aparta de este mtodo y supone ciertos
datos tomados de la prctica.
Se acepta que VE= 10% VCC, que IE = IC por lo que se puede calcular RE:
RE=VE / IE = VE/IC = 1,5 V / 40 mA = 40 Ohms
Planteando Kirchoff y continuando con el supuesto que IC = IE:
VCC = IC . (RC + RE) + VCE
Reemplazando valores y despejando RC, se obtiene:
RC = 160 Ohms
De la malla inferior:
ID . R2 = VBE + VE
Segn lo dicho de Rb, se toma como dato prctico ID = 30 * IB, por lo que en
la ecuacin anterior, despejando R2 y reemplazando valores se obtiene:
R2 = 730 Ohms
Planteando Kirchoff en la entrada:
VCC = ID . (R1 + R2)
Donde se ha despreciado IB frente a ID. Despejando R1 y reemplazando
valores:
R1 = 4270 Ohms
Verificando se obtiene que Rb / RE = 15,5 siendo un valor aceptable. Si la
relacin Rb / RE hubiese sido mayor, sera necesario repetir los clculos con valores
mayores de VE o ID.

Ganancias de Corriente en Emisor Comn

Se definen tres parmetros para la configuracin emisor comn:

1.

Ganancia de corriente de gran seal en emisor comn

= (IC - ICBO) / (IB - (-ICBO))
Donde ICBO es la corriente real de colector cuando la corriente de emisor

es cero (emisor abierto). Esta corriente es del orden del nA y est dada por el
fabricante.

2.

Ganancia de corriente para pequea seal en emisor comn:

hfe = &ic / &ib

3.

Ganancia de corriente contnua en emisor comn:

cc = hFE = IC / IB

Para el ejemplo, se supone que el transistor es del tipo 2A238 de Texas,

obtenendose del manual ICBO = 100nA. As puede calcularse:
cc= hFE = IC / IB = 40 mA / 100 microA = 400
= (IC - ICBO) / ((IB - ( - IVBO))
= (40 mA - 100 nA) / ( 100 microA - (-100 nA)) = 400,03

Ganancia de Corriente de Gran seal en Base Comn

Se define la ganancia de corriente de gran seal de un transistor en la
configuracin de base comn como:
= (IC - ICO) / IE