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Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

UNA-PUNO

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO-PUNO


ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA

TRANSISTORES BIPOLARES
Ing. Fernando C. Salcedo H.
fercarsalcedo@yahoo.es

EXPERIENCIA 03
I. INTRODUCCION
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas
de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n.
El primero se denomina transistor NPN, en tanto que el ltimo recibe el nombre de
transistor PNP. Por ello en esta experiencia reconoceremos ambos tipos de transistores as
como las caractersticas de polarizacin de los transistores bipolares.
II. MATERIALES Y EQUIPOS
A. 01 generador de funciones
B. 01 osciloscopio
C. 01 multimetro
D. 02 resistencias: 1.5 kohm, 7kohm, 4kohm, 3kohm, 220ohm, 1kohm (todas 1/4 w)
E. 01 potenciometro: 100kohm
F. 03 condensador: 47 uf (electroltico).
G. 01 transistor: tip47
III.EXPERIMENTO 01
A. PROPOSITO: Implementar y analizar en la practica la polarizacin del transistor
2N2222, verificando el punto Q.

B. PASO 01: Implemente el siguiente circuito con el transistor TIP47.

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C. PASO 02: Haciendo uso del Multmetro tome las siguientes mediciones, Ibq, Ieq,
Icq, Vceq. en que zona esta trabajando?
D. PASO 03: Genere una seal sinusoidal de Vp =100mV, 60Hz.
E. PASO 04: Ajuste la fuente de alimentacin continua en 10V.
F. PASO 05: Haciendo uso del osciloscopio, tome la seal en la salida del circuito.
Cmo es la seal de salida respecto a la entrada?
G. PASO 07: Vari la amplitud del generador de seales a 150mV Cul es el efecto?
H. PASO 08: Si retira el condensador de 47uF del emisor del transistor Cul es el efecto
en la salida?
IV. EXPERIMENTO 02
A. PROPOSITO: Implementar y analizar en la prctica la saturacin del transistor.
B. PASO 01: Implemente el siguiente circuito:

C. PASO 02: Alimente el circuito con 2 fuentes DC de 10V.


D. PASO 03: ajuste el potencimetro en 1Kohm
E. PASO 04: Haciendo uso del multimetro tome nota del voltaje Vce del transistor.
F. PASO 05: incremente el valor del potencimetro hasta conseguir aprox. Vce=0V. se
cumple la condicin de saturacin?
V. INFORME FINAL
A. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS CON PALABRAS SENCILLAS.
1.

Qu es un transistor BJT?

2.

Cmo trabaja el transistor PNP?

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3.

Cules son las tres zonas de funcionamiento del transistor?

4.

Qu es el punto de saturacin del transistor? Cul es la condicin para la


saturacin?

5.

Qu es el punto de corte del transistor? Cul es la condicin para el corte?

6.

Qu es el punto Q o punto de operacin del transistor

7.

Mencione los tipos de configuracin del transistor?

B. CONCEPTUALIZE LO SIGUIENTE:
1.

Polarizacin por divisor de tensin

2.

Polarizacin de cd con retroalimentacin de voltaje.

3.

El alfa y Beta de los transistores

4.

relacin entre el alfa y el beta

C. GRAFIQUE LO SIGUIENTE:
1.

Grafique las curvas Ic vs Vce recta de carga para el transistor 2N2222


(remtase a la hoja de caractersticas datasheet del transistor 2N2222 )

2.

Simbologa del transistor NPN, PNP.

BIBLIOGRAFIA: PRINCIPIOS DE ELECTRONICA MALVINO


TEORIA DE CIRCUITOS ROBERT BOYLESTAD.
D. PRESENTE RESULTADOS OBTENIDOS EN LA PRCTICA REALIZADA.
1.

(todas las medidas posibles)

E. GRAFIQUE
1.

Todas las

seales tomadas

en la realizacin de esta experiencia, esto es

indispensable para la validacin de la realizacin de esta experiencia.


F. EXPLIQUE LO SIGUIENTE
1.

Analice matemticamente el primer y segundo circuito de esta experiencia,


obtenga Ibq, Ieq, Icq, Vceq. los valores coinciden con los valores prcticos
obtenidos en el laboratorio?

G. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Presente 3 sugerencias y 3 conclusiones respecto a esta experiencia.

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