3.3.

1 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Todo circuito electrnico est fabricado con materiales semiconductores,
conductores y aislantes.
Antes de entender cmo funcionan los semiconductores electrnicamente,
primero entenderemos cmo funcionan fsicamente. Los metales y muchas
materiales semiconductores son de naturaleza cristalina sus tomos son muy
ordenados y estn unidos mediante enlace covalente.
Ejemplo de enlace covalente en el material semiconductor.

Materiales de uso comn en la electrnica:

La principal caracterstica de un material semiconductor es su conductividad:

La conductividad est relacionada con la densidad de los portadores de carga,
es decir entre ms portadores de carga halla por unidad de volumen mayor
ser su conductividad.
La densidad de los portadores de un semiconductor depende de:

Naturaleza del material.

Temperatura en relacin con el cero absoluto.
Electrones de la ltima orbita de cada tomo.

Los electrones unidos mediante un enlace covalente no son capaces de

conducir electricidad, pero en un cambio de temperatura los electrones se

carga de energa trmica y vibran saliendo de su enlace quedando libre

permitiendo el paso de corriente.
HUECOS
Se genera cuando el electrn excitado trmicamente rompe su enlace
covalente y deja ese lugar cargado positivamente, ese espacio libre cargado
positivamente se le denomina, hueco.
El hueco ayuda a la conduccin de la corriente. El hueco cargado positivamente
se dirige en direccin del campo elctrico en cambio el electrn libre se dirige
en contra del campo elctrico.
El campo elctrico es producido por un voltaje.

DONADORES Y RECEPTORES
Un semiconductor con igual nmero de huecos y electrones se le denomina
intrnseco. La concentracin de huecos y electrones libres pueden alterarse
mediante pequeas cantidades de elementos llamados dopantes.
Un semiconductor con un nmero significativo de impurezas agregadas, se
conoce como extrnseco. Se pueden crear huecos agregando dopantes
llamados receptores. Un receptor crea un hueco mvil sin liberar algn
electrn.
Un semiconductor dopado de un nmero elevados de huecos se le denomina
como semiconductor de tipo p.

Ejemplo de funcionamiento de los receptores.

En un semiconductor se pueden crear electrones libres con dopantes

donadores.
Los electrones libres sirven para la conduccin de electricidad, estos dopantes
donadores liberan electrones pero no producen huecos ya que estos dopantes
llevan consigo en su ltima orbita dos electrones haciendo un enlace covalente
dejando un electrn libre.
Un semiconductor con un nmero
elevados de electrones libres se le de nmina del tipo n

Cualquier semiconductor despus que este en una temperatura diferente al

cero absoluto las concentraciones de hueco y electrones quedan afectadas por
los procesos de generacin y recombinacin.

3.3.2 CARACTERSTICAS FSICAS DEL DIODO DE UNIN

PN 2

La unin PN est formada por la aleacin metlica de un semiconductor del

tipo p y uno del tipo n.
La unin por lo general se fabrica desde un mismo cristal, en el cual cada lado
de la unin ha sido dopado o impurificado de esta forma puede ser tratado
como un semiconductor continuo. La unin PN se convierte en un diodo,
agregando contactos hmicos permitiendo que la corriente fluya por todo el
circuito.

Estructura de un diodo PN

La estructura del diodo crea discontinuidades ya que en el lado izquierdo

quedan todos los huecos mediantes en el lado derecho los electrones libres.
Esto favorece ya que hacen que los huecos se difundan hacia la derecha los
electrones hacia la izquierda.
La parte p queda cargada negativamente ya que fue un dopante recesivo en
cambio en la parte n utilizaron un dopante donador quedando positivamente.
Este produce un campo interconstruido este rechaza los huecos hacia la
derecha y los electrones hacia la izquierda impidiendo la difusin de los
portadores.
La unin cercana a la interfaz de unin en cual los ncleos del receptor y
donador quedan atrs se le denomina regin de agotamiento.

La cada de voltaje asociado con el campo de la regin de agotamiento

constituye el potencial de contacto fsico entre los materiales diferentes de los
semiconductores p y n.
La diferencia de potencial de los enlaces electroqumicos es lo que da el voltaje
al espacio interconstruido
Dado que los voltajes depende de los contactos de los materiales, la suma
algebraica de los tres potenciales se convierten en cero por tal motivo el
voltaje externo medido en un diodo es cero.

CONDICIONES DE POLARIZACIN DIRECTA

Cuando un voltaje es aplicado al lado p del diodo a lado n se dice que el diodo
tiene polarizacin directa. Mediante esta condicin el voltaje aplicado
externamente este genera un campo elctrico que se genera en la regin de
agotamiento , este campo es de una polaridad tal que disminuye el efecto del
campo interconstruido, se reduce el campo de la regin de agotamiento y
algunos portadores ya no se restringen de su difusin a lados opuestos de la
unin algunos cuantos huecos se derraman del lado p al lado n y se convierten
en portadores del lado n, en forma similar algunos electrones se derraman del
lado n hacia el lado p volvindose portadores del lado p. Este proceso de
derramamiento se le llama inyeccin de portadores.

CONDICIONES DE POLARIZACION INVERSA

Si el voltaje aplicado al diodo VD es negativo reforzara el campo elctrico

interconstruido de la regin de agotamiento, como resultado la difusin de
portadores a travs de la unin se deprimir y no ocurrir ninguna inyeccin
de portadores bajo estas condiciones de polarizacin inversa la ecuacin de
boltzmann sigue describiendo la concentracin en las fronteras de la unin.
El argumento del exponente es negativo