UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Pre informe Laboratorio 5

TAYPE ROMAN ANDRE WUEYDER
REYNA CORDOVA MARCO ANTONIO
MAHR CALLE RENZO ARTURO FERNANDO

[PRE INFORME - LABORATORIO 5]

Pre informe-Laboratorio 5

Transistores de Efecto de Campo (FET)

Introduccin
Los transistores de efecto campo (FET) son dispositivos que,
al igual que los BJT, se utilizan como amplificadores e
interruptores lgicos.
Existen dos grandes grupos de FET: los de unin (JFET) y el
metal-xido semiconductor (MOSFET). Dentro de los MOSFET
est el de acumulacin, el cual ha propiciado los rpidos
avances de los dispositivos digitales.

Diferencias entre BJT y FET:

El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente.
El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa
y saturacin.
Los FET son la siguiente generacin de transistores
despus de los BJT.
El flujo de corriente del FET depende solo de los
portadores mayoritarios (Unipolares).
La corriente de salida es controlada por un campo
elctrico (fuente de tensin).
El apagado y encendido por tensin es ms fcil que por
corriente.

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Clasificacin de los FET:

Transistor JFET
La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin)
consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo
de JFET, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo,
llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos
regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal,
conectados entre s, formando el terminal de PUERTA.
En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra
polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna
corriente a travs del terminal de la puerta.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n;
siendo por tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin
inversa respecto al de canal n.

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Los JFET se utilizan
preferiblemente a los
MOSFET en circuitos
discretos.
En el smbolo del
dispositivo, la flecha
indica el sentido de
polarizacin directa de
la unin pn.

JFET de Canal N
En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una
capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no
conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o
deplexin.
Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la
zona de deplexin; cuando la zona no conductora ocupa toda la
anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensin
necesaria para que la zona de deplexin ocupe todo el canal se
le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff Vto). Esta
tensin es negativa en los JFET de canal n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo
respecto a S.
La corriente va de D a S a travs del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la
corriente del drenador se controla por dicha tensin.

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Curvas Caractersticas del JFET N

Para obtener las curvas caractersticas del JFET de canal n, se
hace uso del circuito mostrado. Haciendo Vgs = 0 y variando
Vds:
A medida que aumenta Vds, Id aumentar. El canal es una
barra de material conductor con contactos hmicos en los
extremos, exactamente igual al tipo de construccin
utilizada en las resistencias. As, para valores de Vds
pequeos, Id es proporcional a Vds (zona hmica).
A valores mayores de Vds, la corriente aumenta cada vez
ms lentamente, debido a que el extremo del canal prximo
D se halla polarizado en inversa. Al aumentar Vds, la zona de
deplexin se hace ms ancha, y la resistencia del canal se
incrementa, haciendo que Id sea casi constante para
siguientes incrementos de Vds (zona saturacin).
El paso entre las dos zonas se produce en el valor de tensin
de estrangulamiento Vp, para Vgs=0

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Ahora lo que hacemos variar es Vgs. Si Vgs<0, la unin puerta canal

est polarizada en inversa, incluso con Vds = 0. As, la resistencia del
canal es elevada. Esta es evidente para valores de Vgs prximos a
VGSoff. Si (tensin de corte), la resistencia se convierte en un circuito
abierto y el dispositivo est en CORTE.
La zona donde Id depende de Vds se llama REGIN LINEAL U HMICA,
y el dispositivo funciona como una resistencia. El valor de esta
resistencia (pendiente de recta) vara con Vgs.
La zona donde Id se hace constante (fte de Intensidad cte) es la
REGIN DE SATURACIN. Id es mxima para Vgs = Idss. Id es mxima
para Vgs = 0 (Idss), y es menor cuanto ms negativa es Vgs. Para Vgs=0
la regin comienza a partir de Vp.
Siempre se cumple que Vgsoff= -Vp. Idss y Vp ( Vgsoff) son datos
dados por el fabricante.
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RUPTURA DEL JFET

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