Memorias

Objetivos

Definir las caractersticas bsicas de las

memorias.
Explicar como almacena una memoria los
datos binarios.
Describir la operacin de escritura.
Describir la operacin de lectura
Describir la operacin de direccionamiento
Explicar que son las memorias RAM y ROM.

Memoria

La memoria es la parte de un sistema que

almacena datos binarios en grandes
cantidades.

Las memorias semiconductoras estn

formadas por matrices de elementos de
almacenamiento que pueden ser latches o
condensadores.

Unidades de datos

Normalmente las memorias almacenan datos

en unidades que tienen de uno a ocho bits.
Algunas unidades son:

Bit
Nibbles
Bytes
Palabras

Caractersticas

Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede

almacenar un 1 o un 0 y se denomina Celda.
La memorias estn formadas por matrices de celdas.
Celda
1

Celda

2
3
4
5
6
7
8
1

Matriz 8x8

Matrices
1
2
3
4

11

59

12

60

13

61

14

62

15

63

16

64

5
6
7
8
1

Matriz 8x8

Matriz 16x4

Matriz 16x1

Direccin y capacidad
La posicin de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina direccin.
La capacidad de una memoria es el nmero total de unidades de datos que puede
almacenar.

8
1

La direccin del bit resaltada en oscuro

corresponde a la fila 5, columna 4

La direccin del byte resaltada en oscuro

corresponde a la fila 3

Operaciones bsicas

Puesto que una memoria almacena datos binarios,

los datos deben introducirse en la memoria y deben
recuperarse cuando se necesiten.
La operacin de escritura coloca los datos en una
posicin de memoria especfica de la memoria.
La operacin de lectura extrae los datos de una
direccin especfica de la memoria.

Diagrama en bloques de una

memoria

Bus de direcciones

Decodificador
de
direcciones

Matriz de
Memoria

Lectura

Escritura

Bus de datos

Operacin de escritura
Registro de
direcciones

Registro de
datos

101

10001101

Bus de
direcciones

Decodificador de
direcciones

Matriz de memoria organizada en bytes

3
Escritura

Bus de datos

Operacin de lectura
Registro de
direcciones

Registro de
datos

011

11000001

Decodificador de
direcciones

Matriz de memoria organizada en bytes

Bus de datos

2
Lectura

Clasificacin

Las memorias pueden clasificarse

atendiendo a diversos parmetros:

Por el modo de acceso

Por el modo de almacenamiento
Por el tipo de soporte
Por su funcin o jerarqua

Clasificacin

Por el modo de acceso :

Memorias de Acceso Aleatorio.

Memoria de acceso secuencial o serie.

Memoria asociativa.

Clasificacin

Por el modo de almacenamiento:

Voltiles

No Voltiles

Clasificacin

Por el tipo de soporte:

Semiconductoras

Magnticas

De papel

Clasificacin

Por su funcin o jerarqua:

Tampn o borrador (LIFO, FIFO)

Central o principal

De masas

Memorias RAM

RAM

SRAM

DRAM

Esttica

Dinmica

Memorias SRAM
SRAM

SRAM
asncrona

Celdas de
almacenamiento
mediante flip-flop

SRAM
sncrona
por rfagas

Clula tpica de SRAM

Seleccin de bit

+VCC

Datos

Datos

Matriz tpica de RAM

Seleccin fila 0

Seleccin fila 1

Seleccin fila 2

Seleccin fila n

Buffers de entrada/salida de datos y control

E/S datos
Bit 0

E/S datos
Bit 1

E/S datos
Bit 2

E/S datos
Bit 3

Memorias DRAM
DRAM

Celdas de
almacenamiento
mediante
condensador.
Debe refrescarse.

FPM DRAM

SDRAM

Modo pgina
rpido
Asncrona

sncrona

EDO DRAM
Salida de datos
extendida
Asncrona
BEDO DRAM
EDO de rfagas
Asncrona

Clula tpica de DRAM

Columna (lnea de bit)
Fila

Escritura de un 1
Columna

Refresco

BAJO

Fila

ALTO

ON
+
1
-

Buffer de
salida/
amplificador
DOUT
R/W BAJO

ALTO

DIN ALTO
Buffer de
entrada

Lneas de bit

Escritura de un 0
Columna

Refresco

BAJO

Fila

ALTO

ON
Buffer de
salida/
amplificador

DOUT
R/W BAJO
DIN

BAJO

BAJO
Buffer de
entrada

Lneas de bit

Lectura de un 1
Columna

Refresco
Buffer

Refresco

BAJO

Fila

ALTO

ON
+
1
-

Buffer de
salida/
amplificador
DOUT ALTO
R/W ALTO

ALTO

DIN
Buffer de
entrada

Lneas de bit

Refresco de un 1 almacenado
Columna

Refresco
Buffer

Refresco

ALTO

Fila

ALTO

ON
+
1
-

Buffer de
salida/
amplificador
DOUT ALTO
R/W ALTO

ALTO

DIN
Buffer de
entrada

Lneas de bit

Memorias ROM

ROM

ROM
mscara

ROM

PROM

programable

borrable

(PROM)

(EPROM)

Tambin son
memorias de
acceso aleatorio

EPROM
mediante
ultravioleta

(UV
EPROM)

PROM
borrable
electricamente

(EEPROM)

Almacenamiento magntico
Disco
magntico

Disco
Duro

Disco Jazz
extrable

Disquete
1,44 MB

Acceso aleatorio

Cinta

QIC
(Travan)

DAT

8 mm

DLT

Acceso serie

Disco ZIP
extrable

Almacenamiento ptico
Disco
magnticoptico

CD-RW

CD-ROM

CD-R

WORM

DVDROM

Expansin de memoria

12 K

4K

2 bits

8 bits

Codigo binario
aplicado a las
lneas de entradas
de direcciones
B1

B2

B3

Decodificador de
direcciones

G3
G2

B0

Salidas Cdigo
GRAY
G1
G0