INSTITUTO TECNOLGICO DE TUXTLA GUTIRREZ, CHIAPAS.

PRACTICA No. 1 AMPLIFICADOES BSICOS BJT

(EMISOR COMUN, EMISOR SEGUIDOR Y BASE COMUN)
DISEO CON TRANSISTORES
(ETF-1013)
EQUIPO No.4
INTEGRANTES DE EQUIPO:
AGUILAR TIPACAM OSCAR MANUEL
ARREOLA CORZO LUIS FRANCISCO
MEGCHN PREZ EMILIO
MORALES PALACIOS MARIO ALBERTO
CATEDRATICO:
ING. JOS NGEL ZEPEDA HERNNDEZ
CARRERA:
INGENIERIA EN ELECTRONICA
GRUPO:
A6A
AULA:
J5
TUXTLA GUTIERREZ, CHIAPAS A 16 DE MARZO DEL 2014

Contenido
Introduccin........................................................................................................... 3
Objetivo de la Prctica............................................................................................ 3
Marco Terico........................................................................................................ 3
Material y Equipo utilizado en la realizacin de la prctica............................................9
Clculos Realizados............................................................................................. 10
Diagramas Esquemticos...................................................................................... 17
Simulaciones en multisim...................................................................................... 18
Tabla de resumen de datos.................................................................................... 20
Conclusiones y comentarios.................................................................................. 21
Referencias......................................................................................................... 21

Introduccin.
En esta prctica veremos las tres principales polarizaciones que tiene un transistor
BJT as como las caractersticas de cada una de ellas. Esperamos que los
resultados sean similares en nuestros clculos y simulaciones tanto en anlisis de
corriente directa como en corriente alterna, para poder as darnos una idea de la
importancia de tomar en cuenta las tres formas de analizar un transistor BJT y la
importancia de cada una de ellas.
Objetivo de la Prctica.
Efectuar las mediciones de los diferentes parmetros de pequea seal de las tres
configuraciones bsicas del BJT para comprobar lo realizado en los clculos
tericos y simulados.
Marco Terico.
En el circuito de figura 1.1 se muestra un circuito tpico de un amplificador de
tensin con un transistor BJT en emisor comn polarizado en la zona activa.
Con l se trata de amplificar una tensin cualquiera vi y aplicarla, una vez
amplificada, a una carga que simbolizamos por la resistencia RL. La zona
sombreada resalta el amplificador, que en este caso, lo constituye un transistor
BJT en la configuracin emisor comn. El cual, convenientemente polarizado en la
zona activa, es capaz de comportarse como un amplificador de tensin.

Figura 1.1

Principio de superposicin.
Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de
acoplo y sirven para bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para
3

acoplar la tensin que queremos amplificar al amplificador propiamente dicho,

eliminando la posible componente continua que esta tensin pudiera tener. Si no
bloquesemos esta continua se sumara a las corrientes de polarizacin del
transistor modificando el punto de funcionamiento del mismo. Por otra parte, el
condensador C2 nos permite acoplar la seal amplificada a la carga, eliminando la
componente continua (la correspondiente al punto de polarizacin del transistor)
de forma que a la carga llegue nicamente la componente alterna.

El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misin es la de

proporcionar un camino a tierra a la componente alterna. Veremos cmo desde el
punto de vista de la amplificacin, esta resistencia hace disminuir la ganancia del
amplificador. Al aadir el condensador de desacoplo conseguimos que la continua
pase por RE mientras que la alterna pasara por el condensador C3 consiguiendo
que no afecte a la amplificacin. Vamos a abordar el anlisis de este tipo de
circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos el principio de superposicin. En
cada punto o rama calcularemos las tensiones y corrientes de continua y de
alterna por separado, de forma que al final las tensiones y corrientes finales sern
la suma de las calculadas en cada parte.
Para ello vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores,
as como la frecuencia de las seales que tenemos es tal que la impedancia que
presentan los condensadores es lo suficientemente pequea para considerarla
nula. Mientras que en continua, estos condensadores presentarn una impedancia
infinita. Es decir, consideraremos que en continua los condensadores se
comportan como circuitos abiertos (impedancia ) mientras que en alterna
equivaldrn a cortocircuitos (impedancia 0).

|X c|= C = 2 f C

Figura 1.2

Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y

en AC que tendremos que resolver separadamente.
Si en el circuito amplificador de la figura 1.1 aplicamos la condicin de que los
condensadores se comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito
equivalente en continua (figura 1.3). Podemos ver como este circuito es,
precisamente, el circuito de polarizacin del transistor cuyo estudio ya se abord
en el tema anterior y de cuya resolucin obtendramos las tensiones y corrientes
de continua presentes en el circuito.

Figura 1.3

Si por el contrario, al circuito de la figura 1.1 le aplicamos las condiciones para

obtener el circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los
condensadores se comportan como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos
las fuentes de tensin de continua, el circuito que obtendramos es el mostrado en
la figura 1.4.

Figura 1.4

Nomenclatura

Al aplicar el principio de superposicin, es conveniente ser cuidadoso con la

nomenclatura de las distintas variables elctricas para no confundir ni mezclar las
variables de alterna con las de continua. En la figura 1.5 se muestra la
nomenclatura que vamos a seguir:

Figura 1.5

Circuitos Equivalentes de Pequea seal en Modelo Hibrido .

Circuito Emisor Comn.

Figura 1.6a. En DC

Figura 1.6b. En pequea seal

Figura 1.7. Recta de carga

Circuito Emisor Seguidor o Colector Comn.

Figura 1.8a. En DC

Figura 1.8b. En pequea seal

Figura 1.9. Recta de carga

Circuito Base Comn

Figura 1.10a. En CD

Figura 1.10b. En pequea seal

Tabla de comparaciones entre las tres polarizaciones.

Material y Equipo utilizado en la realizacin de la prctica.

Materiales.
2 capacitores de 10F
1 capacitor de 100F
1 capacitor de 22F
1 transistor 2N2222a
1 transistor 2N2907
Resistencias:
1 80 k
62 k
2.2 k
4.7 k
57 k
39 k
(2) 1k
270 k
100 k

Equipo Utilizado

Generador de funciones
Multmetro
Osciloscopio
Fuente de CD
1 punta para generador de funciones
2 puntas para osciloscopio
4 puntas banana-caimn
Protoboard
Alambres para conexin
Calculadora

Clculos Realizados.

10

11

12

13

14

15

16

17

Diagramas Esquemticos.
Emisor comn

Emisor seguidor Colector comn

18

Base comn

Simulaciones en multisim.
Emisor Comn

19

Emisor seguidor Colector comn

Base comn

20

Tabla de resumen de datos.

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Conclusiones y comentarios.
Como ltimo punto podemos declarar que durante el proceso de la prctica
logramos obtener y observar resultados no esperados ya que antes de trabajar los
transistores de forma prctica tuvimos que hacerlo de forma analtica con datos
que especificaban los datasheets, as pues luego de realizar los anlisis en la
libreta y compararlos con las de las lecturas en la prctica observamos que
arrojaban diferentes valores de los ya obtenidos, de este modo el equipo logro
deducir que el factor de la beta utilizada en los clculos analticos, con la beta que
tiene el transistor hace que algunos datos nos coincidan; adems de que en el
transistor base-comn tuvimos el mayor nmero de variaciones provocados por lo
antes ya mencionado. Despus de realizar la practica en el laboratorio y observar
los datos obtenidos logramos concluir que la practica ayudo con tal vitalidad
debido a que en ella logramos darnos cuenta que cambian en una gran parte
trabajar en este momento con los transistores de manera real a la simulada; por lo
tanto podemos decir que lo aprendido en la prctica nos ayud de tal manera que
permiti ver el funcionamiento de los transistores en los aparatos electrnicos de
la vida cotidiana.
Referencias.
Lpez Ferre S. (2002). Amplificadores BJT bsico. Espaa. S/E. Disponible
en la web:
http://www.elai.upm.es/webantigua/spain/Asignaturas/ElecAnalogica2002/se
guro/transparencias/Amplificador%20BJT.pdf

Hernando Briongos Fernando. S/N. (16/11/10). Amplificadores con BJT.

Espaa. Universidad del Pas Vasco Disponible en la web:
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/t
ema-5-teoria.pdf

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