OBJETIVO: Caracterizar el Fototransistor infrarrojo utilizando como Fotoemisor un LED

infrarrojo. Conocer y analizar su comportamiento en dos aplicaciones prcticas.

INTRODUCCION TEORICA:
Al igual que los transistores normales se crean agregando a un diodo un material
tipo n para formar un transistor npn o bien agregando un material p para formar un
transistor pnp, de la misma forma si agregamos por ejemplo, un material n a un fotodiodo,
entonces se crea un Fototransistor npn:

Lente

p
n
n

Ib

C
E
Ic
Ie

Smbolo del fototransistor

de Base Abierta
(sin conexin de base al exterior)
Fig1. Construccin y smbolo del fototransistor

El lente ayuda a concentrar la luz incidente en la unin base-colector, y puede ser un lente
colocado por separado o bien el mismo encapsulado transparente formando un lente. El
fototransistor puede tener o no la conexin de base hacia el exterior, de tal forma que la
corriente de colector, Ic, puede fluir en respuesta a la corriente de base Ib y a la luz
incidente Li en la unin base-colector, para el caso del fototransistor sin conexin de base.
La unin base-colector opera en polarizacin inversa y funciona como un fotodiodo que
responde a la luz incidente. La unin base-emisor esta polarizada directamente,
permitiendo que el dispositivo funcione como un transistor normal, amplificando la
corriente.
La corriente de colector, Ic, del fototransistor con conexin de base ser:

Ic= I LI + F I B

I =Fotoconductncia
F =Ganancia de corriente de cd
Ic =Corriente de colector
I B =Corriente de base
F =Intensidad luminosa incidente
El fototransistor tiene la conexin de la base, pero no se conecta o bien si se trata de un
fototransistor sin conexin de base. La corriente de colector, Ic, ser:

Ic= I LI

Esta forma de visualizar al fototransistor es la de un fotodiodo (unin base-colector)

seguido de un transistor (unin base-emisor) que acta como un amplificador que de la
ganancia al fotodiodo aumentando la sensibilidad del fotodetector. Usando la base, si
tiene conexin al exterior, para modificar la sensibilidad del dispositivo.
Las aplicaciones pueden ser muy variadas y al igual que la fotorresistencia se utilizan
como elementos de control sensibles a la luz para alarmas, dispositivos de deteccin
visibles o infrarrojos, contadores de objetos, procesos industriales, arrancadores, etc. El
objetivo principal es detectar la presencia o ausencia de luz, para indicar la ausencia o
presencia de algn objeto o viceversa. Se utilizan junto con fotoemisores, que pueden ser
semiconductores como el LED (Diodo Emisor de Luz) o el IRLED (LED Infrarrojo), o
lmparas incandescentes o fluorescentes. El fototransistor posee tiempos de respuesta
que determinan su respuesta en frecuencia y que se definen en funcin a la respuesta del
dispositivo a la aplicacin de un pulso cuadrado de entrada, observando el tiempo de
respuesta, tr, generado a partir de los tiempos de retardo, tR, de subida, ts, y de bajada, tb.
Este tiempo de respuesta limita la aplicacin del fototransistor en circuito de altas
frecuencias o en circuitos digitales con tiempos de conmutacin muy pequeos o altas
velocidades de conmutacin.
El comportamiento de los fototransistores tambin depende de la superficie fotosensible,
la geometra con la que est fabricado, la disipacin de potencia, la relacin seal a ruido.
Un fototransistor es de ms lenta respuesta para conmutar de apagado a encendido
(OFF-ON) comparado con un fotodiodo, el cual es menos sensible pero mucho ms
rpido en su respuesta.
Otro factor importante en el comportamiento de los fototransistores es la Corriente de
Oscuridad, tambin llamada de Fuga o de Ruido, y que es debida a la temperatura, la cual
genera portadores de carga an en ausencia de luz incidente. Sin embargo dadas las
aplicaciones y los niveles de seal que se manejan en los fototransistores esta corriente
nos es de gran importancia, al menos que el dispositivo tenga demasiada corriente de
fuga por envejecimiento o algn defecto en su fabricacin. El Si posee corrientes de
oscuridad del orden de los pico amperes, pA y de los nano amperes, nA, mientras que las
del Ge es del orden de los micro amperes, mA.
LISTA DE MATERIAL:

1 fototransistor IR PT1302B/C2 (oscuro)

1 fototransistor IR PT33IC (transparente)
1 fototransistor MRD310 o equivalente (transparente)
1 LED infrarrojo IR383 (azul claro)
1 LED (cualquier color visible)
1 transistor NPNBC548C equivalente
2 resistencias de 100k
1 resistencia de 180
1 resistencia de 680

1 control remoto

LISTA DE EQUIPO:

2 Multmetros digitales
2 fuentes de voltaje variables
1 osciloscopio
1 generador de seales
3 cables de seal
2 juegos de cables de multimetro
1 juego de cables caimn-banana
Juego de cables caimn-caimn
2 protoboards

PASOS A SEGUIR
A) PRIMER EXPERIMENTO. CARACTERIZACION DE LOS FOTOTRANSISTORES
a)Armar el circuito 1 usando el LED infrarrojo IR383 (azul claro) y el fototransistor PT331C
(transparente) ponindolos frente a frente en el protoboard (doblndolos a 90 con mucho
cuidado para evitar romper las terminales);

R1
180

OSC
CH1

GENERADOR

IR383
IRLED

CIRCUITO 1

b) Aplicar una seal de onda cuadrada de 8 Vpp con el generador y hacer un barrido en
frecuencia con los siguientes valores: 1k, 10k, 100k, 500k y 1 Mhz, dibujando las seales
de entrada (canal 1 del osciloscopio) y de salida (canal 2 del osciloscopio) para cada
frecuencia, determinar y dibujar la respuesta en frecuencia.
c) fijar la frecuencia a 1khz y variar la amplitud en tres valores diferentes: 3Vpp, 4Vpp y 5
Vpp. Observar las seales de entrada y de salida en el osciloscopio y dibujarlas para cada
caso. Comentar lo que sucede.

d) repetir los incisos a, b y c con el fototransistor PT1302B/C2 (oscuro) y el MRD300

(encapsulado metlico).
e) Comparar con el comportamiento obtenido en la prctica anterior con el fotodiodo.
Que diferencias hay entre el fotodiodo y el fototransistor y entre los distintos
fototransistores?
SEGUNDO EXPERIMENTO. SEGUNDO EXPERIMENTO APLICACIONES
1. PROBADOR DE CONTROL REMOTO INFRARROJO
Armar el circuito 2, en un protoboard, usando el fototransistor infrarrojo PT1302/C2
(oscuro) y un LED visible; hacer incidir sobre el fototransistor infrarrojo la luz del control
remoto infrarrojo proporcionado por el maestro, el LED visible debe prender. Observar con
el osciloscopio la seal que recibe el fototransistor y dibujarla, indicando de manera
aproximada la amplitud y el periodo de los pulsos. Ahora, cambiar el fototransistor por el
PT331C (transparente) y observar los pulsos generados, dibujarlos y compararlos con el
generado por el PT1302/C2 hay diferencias? Por qu?

2. REPETIDOR INFRARROJO
Utilizando el mismo circuito 2 con el fototransistor PT331C, armar el circuito 3, en el otro
protoboard. Usando el fototransistor PT1302/C2 y el LED infrarrojo IR383; al incidir luz del
control remoto sobre el fototransistor del repetidor, el LED infrarrojo deber encender al
fototransistor infrarrojo del probador y el LED visible prender. Con esto se asegura el
funcionamiento del repetidor infrarrojo. Observar con el osciloscopio la seal que emite el
repetidor infrarrojo (en las terminales del LED infrarrojo), dibujarla indicando de manera
aproximada la amplitud y el periodo. Despus, separar poco a poco, el protoboard donde
Se encuentra el probador hasta que este deje de captar la seal que enva el repetidor y
determinar su alcance.

CIRCUITO 3 REPETIDOR INFRARROJO

Mientras tenamos una seal de entrada de 8Vpp en el fototransistor PT331C vimos

como la seal no pareca distorsionada, sin embargo mientras aumentbamos la
frecuencia, esta distorsin se haca ms notoria. Al hacer el barrido en una seal de
voltaje menor, 3,4 y 5 V; la seal era la misma y pero con mas distorsin en cada
frecuencia ya que esta influye en el comportamiento de una seal al momento de verificar
las seales de salida del fototransistor.

Fig.3.1 Barrido del fototransistor PT331C a diferentes frecuencias

El barrido en el fototransistor PT1302/C2 fue muy diferente ya que la seal no se notaba

tan distorsionada al menos en los primeros 3 barridos de frecuencia, pero a partir de la

cuarta frecuencia notamos un cambio drstico y esto fue debido a la frecuencia utilizada.
Obteniendo las sig. Formas de onda en el osciloscopio:

Fig. 3.2. Barrido del fototransistor PT1302/C2 a diferentes frecuencias

Para el fototransistor MRD300 fue muy difcil encontrar su regin de corte en cualquier
frecuencia y amplitud, incluso a un valor Vpp. de 8 V, sin embargo la medicin mas
aproximada fue que veramos la frecuencia de corte cuando obtuviramos 1.05 mV de
entrada. Cosa que fue muy difcil muestrear

Fig. 3.3 obtencin de la frecuencia de corte del fototransistor MRD300

PROBADOR DE CONTROL REMOTO INFRARROJO. Para el circuito repetidor

obtuvimos una seal que distorsiona la seal del fototransistor que tena la siguiente

forma todo esto lo obtuvimos a una frecuencia de 2.5 khz con el transistor PT1302/C2
(oscuro), con una amplitud de 4 Vpp. y un periodo de 0.4 ms, obteniendo la sig. figura:

Fig. 3.4. Captura de seal de un fototransistor PT1302/C2

Mientras que con el transistor PT331C transparente, obtuvimos los pulsos ms tenues,
esto con una frecuencia de 1.25 Khz a un voltaje 2Vpp y una periodo de 0.8ms,
obteniendo como resultado la sig. figura:

Fig. 3.5. Captura de seal con un fototransistor PT331C

Repetidor infrarrojo. Al utilizar el tercer circuito y comprobar que nuestro probador

funcionaba correctamente, observamos que la seal que emita el repetidor fue que la
seal disminua mientras el probador se alejaba cada vez ms, por lo tanto cuando el
probador estaba mas all de los 63 mm de distancia, la seal desapareca totalmente.
Todo esto medido a travs de un periodo de repeticin de 22ms con una amplitud variable
que captaba la seal del osciloscopio, no mayor a los 0.4Vpp

Fig.3.6. Mxima seal de captura del repetidor infrarrojo