PRACTICAS

DE DISPOSITIVOS

ELECTRONICOS
Y FOTONICOS.

INGENIERIA ELECTRONICA
Juan Antonio Jimenez Tejada
Manual de practicas

Indice

1. DETERMINACION
DE LA VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS
1

2. ESTUDIO DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL DE UNA UNION

PN.
5
3. MODELOS DE UN DIODO.

DE PARAMETROS

4. EXTRACCION
DE SPICE. DIODO.

DE PARAMETROS

5. EXTRACCION
EN UN
TRANSISTOR BIPOLAR

6. ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR A ALTA FRECUENCIA

10

7. ANALISIS
DE PARAMETROS
DE UN MOSFET

16

8. CARACTER
ISTICA C-V EN ALTA FRECUENCIA DE LA ESTRUCTURA MOS
19

9. METODO
C-V EN ALTA FRECUENCIA PARA EL ESTUDIO DE
21
LOS ESTADOS SUPERFICIALES DE LA INTERFACE SiO2 -Si

Transparencias

1.

DETERMINACION
DE LA VIDA MEDIA DE
PORTADORES MINORITARIOS

OBJETIVO Determinacion de la vida media de los portadores minoritarios en una

union p+ -n analizando un transitorio de corte. Analisis de modelos que calculan el tiempo
de almacenamiento en relacion con la vida media.

+ VD

Vi

VF
Vi

RC

-VR

Figura 1: Aplicacion de un escalon de tension de directa a inversa a un diodo.

FUNDAMENTO TEORICO
Si un diodo esta polarizado en directa mediante una
fuente de alimentacion de valor VF y una resistencia en serie R, y de forma brusca se
cambia el valor y el sentido de esta fuente de tension a VR , el diodo evoluciona hacia
inversa, hacia el estado estacionario. Para estudiar dicha evoluci
on debemos jarnos en la
carga almacenada en exceso en las zonas neutras de la union. Consideraremos una union
p+ -n y por tanto nos jaremos solo en el almacenamiento de huecos en la zona neutra n
(Fig 2a).

p n

t=0
0<t<ta
t=ta

(A)

p n

t=0
0<t<ta
t=ta

t64

t64

(B)

Figura 2: Evolucion del exceso de huecos en la zona neutra n. (a) Caso real (pn (0, ta ) = 0)
(b) Aproximacion (Qp (ta ) = 0)
Antes de aplicar el escalon de tension, para t < 0 la corriente que circula por el diodo
vale:
VF
VF VD

(1)
IF =
R
R
inmediatamente despues de la aplicacion de este escalon cambia a :
IR =

VR
VR VD

R
R

(2)

I
IF
0.1IR
IR

t
ta td

VD

t
-VR

Figura 3: Transitorios de corriente que circula por el circuito y tension que cae en los
extremos del diodo
La razon por la que aparece esta corriente elevada en inversa es que la carga almacenada (y por lo tanto la tension en los extremos del diodo) no pueden cambiar bruscamente
(Fig. 2a). La relacion entre la carga almacenada y tension en los extremos del diodo viene
dada por:


pn (0, t)
KT
VD (t) =
ln
(3)
q
pn 0
Mientras se cumpla la relacion pn (0, t) > pn0 , VD (t) es del orden de KT /q y la corriente
es constante (con valor IR ). Cuando la carga existente en la zona neutra sea inferior a
la de equilibrio, pn0 , en los extremos de la union aparece una tension negativa, con lo
que la corriente que circula por el diodo tiende a cero. Mientras la tension y la carga
almacenada en la zona neutra no pueden cambiar bruscamente, la corriente s puede
hacerlo con un simple cambio de pendiente de la distribucion de huecos en la zona neutra,
pn (x, t), en x = 0. Esta evolucion temporal viene representada por un tiempo caracterstico
denominado tiempo de recuperacion, tr , y se dene como el tiempo en el que la corriente
alcanza el 10 % de su valor inicial IR . Dicho tiempo se descompone, como acabamos
de ver, en otros dos: el tiempo de almacenamiento, ta , que corresponde con la fase de
corriente constante, y el tiempo de cada, td , que corresponde con la fase donde la corriente
decrece a cero. Ambos tiempos dependen tanto del tiempo de vida media de los portadores
minoritarios en las dos regiones de la union, n y p, como de los niveles de tension VF y VR .
El objeto de esta practica es calcular dicha relacion. Seguimos admitiendo que se trata de
nicamente con el tiempo de vida media de los
una union p+ -n, y por tanto trabajaremos u
huecos. Para ello vamos a hacer un analisis aproximado utilizando la expresion del modelo
de control de carga. Dicha expresion se obtiene integrando la ecuacion de continuidad para
los huecos en la zona neutra n:
pn (x, t) pn (x, t)
dJp (x, t)
=

+
dx
p
t
y deniendo la variable:
Qp (t) = qA


0

pn (x, t)dx

(4)

(5)

El resultado es:

dQp Qp
+
= i(t)
dt
p

(6)

Los terminos que aparecen en la ecuacion anterior tienen el siguiente signicado. En estado
estacionario la corriente que circula por la union debe mantener la neutralidad y suplir la
recombinacion:
Qp
Ip =
(7)
p
Cuando vara la tension aplicada hay dos terminos de corriente:


neutralidad
Qp /p
modif icar carga dQp /dt

Ip =

P + Difusin - +

Qp dQp
+
p
dt

huecos

Recombinacin

Np

Nn

)V

Figura 4:
La ecuacion diferencial (6) se resuelve imponiendo como condicion inicial:
Qp (0) = IF p

(8)

la solucion a dicha ecuacion resulta ser:

t

Qp = (IF IR )p e

+ Ir p

(9)

El tiempo de almacenamiento se ha denido como el tiempo transcurrido hasta que la

tension en los extremos del diodo se hace cero (o la densidad de huecos en x = 0 es cero).
Para obtener una expresion analtica del tiempo de almacenamiento se suele emplear la
aproximacion de estado cuasi estacionario. Dicha aproximacion considera que la densidad
de huecos no cambia su pendiente en x = 0 durante toda su evolucion temporal, como se
observa en la Figura 2b. Con esa dependencia temporal en t = ta la diferencia de potencial
ltima condicion nos
en los extremos del diodo es cero, pn (0, ta ) = 0 y Qp (ta ) = 0. Esta u
permite calcular el tiempo de almacenamiento haciendo t = ta en la u
ltima ecuacion,
obteniendose denitivamente:


IF
(10)
ta = p ln 1
IR
Valores mas realistas, tanto para el tiempo de almacenamiento como para el tiempo
de cada, se obtienen resolviendo la ecuacion de continuidad. Las soluciones las propuso

Kingston1 y vienen dadas por las siguientes expresiones:

erf

erf

ta
1
=
p
1 IIRF

td

(11)


td
e p
+
t
p
dp

IR
= 1 0.1
IF

(12)

PRACTICA

REALIZACION
1. Calcular el tiempo de vida media de los huecos en una union p+ -n probando con
diferentes niveles de tension. Se debera comprobar a su vez que el tiempo de almacenamiento vara con los valores de estas tensiones.
2. Comparar el metodo expuesto, que utiliza el modelo de control de carga, con el que
resuelve directamente la ecuacion de difusion dependiente del tiempo1 ,2 .
3. El resultado que se obtendra no sera satisfactorio. Leer la nota tecnica que se adjunta sobre medidas de vidas medias de minoritarios en diodos PIN y extraer las
conclusiones que considereis pertinentes sobre esta practica.
MATERIAL NECESARIO
Osciloscopio
Generador de funciones.

1
2

S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices2nd Edition, Wiley Interscience, 1981.

B.G. Streetman, S, Banerjee, Solid State Electronic Devices, 5a Edici
on Prentice Hall, 2000

2.

ESTUDIO DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL

PN.
DE UNA UNION

OBJETIVO Medida de la capacidad en alta frecuencia en funcion de la polarizacion

inversa aplicada a una union p+ -n y determinacion de los perles de concentracion de
impurezas basicas en dicha union. Dependencia de la anchura de la zona de carga espacial
con la tension aplicada.

FUNDAMENTO TEORICO.
El metodo mas general para calcular la concentracion
de impurezas poco profundas es mediante la medida del cuadrado de la inversa de la
capacidad a alta frecuencia en funcion de la tension inversa aplicada V . En este metodo
se utiliza la aproximacion de vaciamiento. Para el caso de una union abrupta asimetrica
la representacion de 1/C 2 en funcion de V sera una lnea recta donde el corte con el eje
de abcisas proporcionara el potencial barrera de la union y la pendiente de la misma el
valor de la concentracion de impurezas en el lado menos dopado:
C 2 =

2(Vbi V )
s A2 qND

(13)

N
ax
x

Figura 5: Union pn con perl de impurezas lineal

Para una union con un perl de impurezas lineal (Fig. 5), N(x) = a x, a ambos lados
de la union metal
urgica (x=0), la representacion 1/C 3 respecto a V es la que se comporta
linealmente:
12(Vbi V )
C 3 =
(14)
2s A3 qa
Y en general la concentracion de impurezas en el extremo de la zona de carga espacial
de la region N de una union p+ -n lo conoceremos mediante la evaluacion de la derivada
de 1/C 2 respecto a la tension inversa aplicada:
N(xn ) =

2
s A2 q dVd

1
C2

(15)

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL. La capacidad en alta frecuencia de la

muestra se mide con un capacmetro. La tension de polarizacion de la muestra la suministra una rampa de tension variable entre 0 y 40 V.

Capacmetro
Fuente de
alimentacin

Sistema
de medida

Figura 6: Medida de la capacidad en alta frecuencia

Una vez obtenida la curva C-V representar 1/C 2 vs. V y 1/C 3 vs V para comprobar si
se trata de una union abrupta asimetrica de perl constante o bien de una gradual lineal.
En cualquier caso representar la concentracion de impurezas en funcion del ancho de la
zona de carga espacial. Para ello derivar numericamente 1/C 2 con respecto a V, donde C
es la capacidad medida experimentalmente. Para estimar el area hay que tener en cuenta
las dimensiones de la capsula del diodo que se muestran en la hoja caracterstica. Elegir
un area de modo que se obtengan valores tpicos de dopado y de anchura de zona de carga
espacial.
NOTA: Comprobar antes de medir que el diodo va a quedar polarizado en inverso.
MATERIAL NECESARIO
Capacmetro.
Fuente de tension variable.
Sistema de medida.

3.

MODELOS DE UN DIODO.

OBJETIVO Obtencion de la curva caracterstica intensidad-tension (I-V) para un diodo. Determinacion de los parametros correspondientes al modelo lineal y a la caracterstica
real.

FUNDAMENTO TEORICO
La caracterstica I-V de un diodo:
qV

I = I0 (e KT 1)

(16)

se puede aproximar mediante un modelo lineal correspondiente a una fuente de tension

Vd en serie con una resistencia rd (Fig. 7).

rd

Vd

^
Figura 7: Modelo del diodo en directa

PRACTICA
REALIZACION
1. Encontrar los valores del modelo lineal del diodo (Vd , rd ) a partir de la curva I-V
experimental.
2. Encontrar tambien los valores de los parametros I0 y a partir de la caracterstica
I-V experimental. Observar como se modican estos parametros en las regiones de
inyeccion alta, baja y moderada.
3. Encontrar el valor de la resistencia serie Rss asociada a las zonas neutras de la
union. Para ello utilizar la curva I-V de alta inyeccion y considerar que la corriente
se puede expresar:


I = ID0 e
qV

q(V IRss )
KT

ln(Ie KT ) = lnID0

qIRss
KT

(17)
(18)

ID0 es una constante asociada solo a los mecanismos de difusion

MATERIAL NECESARIO
Trazador de curvas 571 (Atender a las indicaciones del manual sobre las medidas en
un diodo pag. 3-14)

4.

DE PARAMETROS

EXTRACCION
DE SPICE.
DIODO.

OBJETIVO Reproduccion mediante SPICE de un transitorio de corte en un diodo;

ajuste con uno obtenido experimentalmente.
PRACTICA

REALIZACION
Para realizar esta practica es necesario haber hecho
las practicas 1, 2 y 3. De ellas se extraeran parametros para utilizarlos dentro del modelo
de diodo que utiliza SPICE.
De la practica 3 se debe extraer la corriente inversa de saturacion IS I0 y el factor de
idealidad N . De las curvas I-V a alto nivel de inyeccion se puede extraer la resistencia
serie RS.
Para una union abrupta o gradual lineal la capacidad de una union viene modelada
por
Cj0
C(V ) =
(19)
(1 V )m
donde m es el coeciente de gradualidad de la union (m = 1/2, abrupta; m = 1/3, lineal;
1/3 < m < 1/2 el resto), Cjo = C(V = 0), y es el potencial barrera.
Obtener estos tres parametros mediante ajuste con la curva C(V) obtenida en la
practica 2.
En directa la expresion anterior tiende a innito. Para corregirlo se introduce un factor
FC por el que se hace una extrapolacion lineal partiendo de V = 0. Con esta correccion se
soluciona el problema y se hace que domine la capacidad de difusion, como es de esperar.
En directa domina la capacidad de difusion. en el modelo, esta capacidad depende de
otro parametro conocido como tiempo de transito TT:
Cdif = T T

V
IS NV
e t
NVt

(20)

El tiempo de transito se relaciona a su vez con un parametro experimental, el tiempo de

recuperacion del diodo tr :
tr
TT =
(21)
IF IR
ln( IR )
(tr es el tiempo transcurrido desde la conmutacion de la entrada hasta que la corriente
vale 0.1 IR )

5.

DE PARAMETROS

EXTRACCION
EN UN
TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVO Medida de curvas caractersticas de un transistor bipolar (Determinacion

de los parametros H del dispositivo).

hie

b
ib

c
ic
1/hoe

+
hrevce

hfeib

e
Figura 8: Modelo de parametros h del transistor bipolar

FUNDAMENTO TEORICO
ic = hf e ib + hoe vce


hf e =


hoe =

ic
ib

ic
vce

=
vce =0

=
ib =0

IC
IB

(22)

IC
VCE

(23)
VCE =cte

(24)
IB =cte

PRACTICA Obtencion de los parametros hF E , hf e y hoe del tranREALIZACION

sistor a partir de curvas IC -VCE . El metodo se encuentra detallado en el manual del
trazador 571 (pag. 3-2). Las curvas hF E , hf e y hoe se deben representar en funcion de IC
con VCE como parametro. De forma voluntaria se puede visualizar cualquier otro fenomeno
que resulte de interes.
MATERIAL NECESARIO
Trazador de curvas 571

6.

ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR A ALTA FRECUENCIA

OBJETIVO Estudio de la respuesta en frecuencia del transistor bipolar. Efectos que

sobre ella tienen diferentes parametros de SPICE que caracterizan a este dispositivo.
Dise
no de un transistor npn para que pueda operar a frecuencias elevadas.

FUNDAMENTO TEORICO
Con objeto de estudiar la respuesta en frecuencia, en
el rango de frecuencias elevadas, de un transistor bipolar vamos a hacer uso del modelo de parametros (Fig. 9). Todos sus elementos se pueden relacionar facilmente con
los parametros del dispositivo, as como podemos establecer su equivalencia con algunos
parametros de SPICE. En todo el analisis siguiente consideraremos un transistor npn y
que no opera en inversa.
gbc
B

rbb

B
+

rbe

CC
Ce

vbe
-

gmvbe

gce

Figura 9: Modelo de parametros del transistor bipolar

Transconductancia gm : Se relaciona con la resistencia dinamica re de la union BE

en directo:
Ic
Ie

Ic
gm =
=

(25)
Vb e
Vb e
re
Vt
Vt
KT
(26)
re
Vt =
Ie
q
Resistencia rb e : Se relaciona tambien con re . Suponiendo rce grande
ic gm vb e

(27)

a bajas frecuencias el efecto de Cc es despreciable, con lo que

vb e = ib rb e
rb e

ic
hf e
gm
ib
gm

(28)
(29)

Capacidad de emisor Ce : Se puede estimar como la suma de las capacidades de

difusion y transicion de la union BE
Ce = Cedif + Cedep
10

(30)

La capacidad de difusion se puede expresar como3

dQb
(31)
dVb e
La carga de minoritarios inyectados a la base se puede estimar con el modelo de
control de carga y admitiendo que la recombinacion en la base es despreciable (la
distribucion de minoritarios se puede considerar lineal)
Cedif =

nb
S
(32)
x
W x + xe
nb nb (xe )
(33)
W
(34)
nb (xe ) = nbo evb e /Vt
2
Qb
W
Ie
; F =
(35)
F
2Dn
F es el tiempo de difusion caracterstico de los minoritarios a traves de la base.
SPICE utiliza este parametro con el nombre TF. Se puede relacionar tambien con
la capacidad de difusion, obtenida a partir de las ecuaciones anteriores:
Ie In = qDn

Cedif

W2
2Dn re

F = Cedif re

(36)
(37)

Expresado de esta manera, se puede interpretar como el tiempo de carga de la base.

Este tiempo no puede ser inferior a un tiempo de transito mnimo impuesto por la
velocidad de saturacion de los minoritarios vsn :
W
Fmin =
(38)
vsn
La capacidad de deplexion se puede estimar como

Cedep S

qNAB s
2(Vbibe vbe )

(39)

donde Vbibe es el potencial barrera de la union BE y NAB es el dopado de la base. En

SPICE la capacidad de transicion queda modelada por los mismos tres parametros
que en una union pn: CJE, VJE, MJE.
Resistencia rb c : Es la resistencia dinamica de la union BC (polarizada en inverso su
valor es normalmente muy elevado)
Capacidad Cc : es la capacidad de transicion de la union BC polarizada en inverso.
En SPICE viene modelada, al igual que la union pn, por los parametros: CJC,
VJC, MJC
Resistencia rce : describe el efecto Early (En SPICE la tension Early se introduce en
el parametro VAF).
Resistencia rbb : es la resistencia distribuida de base. (SPICE introduce una resistencia RB igual a rbb en serie con la resistencia que presentan los contactos)
3

M. Shur, Physics of semiconductor devices, Prentice Hall, 1990

11

rbb

B
+

i1

rbe

Ce

CC

vbe
-

iL

gmvbe
E

Figura 10: Transistor bipolar con la salida cortocircuitada

Operaci
on del transistor bipolar a altas frecuencias. Para ver como opera
el transistor bipolar a distintas frecuencias vamos a evaluar la ganancia en corriente en
la conguracion de emisor com
un. Haremos uso del modelo anterior con la salida CE
cortocircuitada (Fig. 10). Si despreciamos la resistencia rb c el circuito queda como se ve
en la gura 10. La ganancia en corriente w sera por tanto:
w

iL
gm
=
i1
gb e + jw(Ce + Cc )

w =

1 + j ww

w = 2f =

= hf e

gb e
gm
=
Ce + Cc
hf e (Ce + Cc )

(40)
(41)
(42)

Una magnitud que nos da idea de la respuesta en frecuencia del transistor es la frecuencia
a la cual la ganancia es la unidad ( | w (2fT ) |= 1). A la frecuencia fT se le denomina
frecuencia de corte y su valor se despeja de la igualdad anterior:
fT =

gm
hf e
=
2rb e (Ce + Cc )
2(Ce + Cc )

(43)

Se puede obtener una expresion mas exacta para fT si se incluyen retrasos adicionales
asociados con el tiempo de transito por la region de transicion de colector, cT , el tiempo
de carga del colector, c , y con capacidades parasitas, Cp .
El tiempo de transito de colector se puede estimar como
cT =

xdc
vsn

(44)

donde xdc es la anchura de la zona de carga espacial de la union BC y vsn es la

velocidad de saturacion de los electrones (se esta considerando un transistor npn).
El tiempo de carga del colector viene dado por
tc = rcs Cc

(45)

donde rcs es una resistencia que modela la zona neutra del colector y los contactos
de este terminal.
12

Con estos nuevos efectos se puede escribir la frecuencia de corte como

fT =
ef f = e + c + cT =

1
2ef f

(46)

Ce + Cc + Cp
+ c + cT
gm

(47)

Normalmente, el parametro que domina es el e , y podemos disminuir su valor si aumentamos la corriente de colector. Sin embargo, a corrientes elevadas puede tener lugar el efecto
Kirk, observandose un aumento efectivo de la anchura de la base, y en consecuencia, una
reduccion en el valor de fT .
Efecto Kirk: A altos niveles de corriente la ganancia en corriente en emisor com
un
puede disminuir. Ello es debido a un desplazamiento de la regi
on de campo electrico de la
union BC hacia el colector, producida por una fuerte inyecci
on de portadores hacia esta
regi
on. Tiene lugar cuando la densidad de corriente de colector supera a la densidad de
corriente de saturacion, jcs (Ic /S > jcs ), donde la densidad de corriente de saturaci
on se
define como la corriente m
axima que puede soportar una determinada regi
on sin que se
le inyecten portadores. Para la regi
on de colector toma el valor:
jcs = qNDC vsn

(48)

De acuerdo con Kirk (1962), la distribuci

on de portadores y campo electrico resultante
de la inyecci
on de portadores se interpreta como un aumento efectivo de la anchura de
la base. En SPICE, este efecto se modela por el parametro IKF: nos indica un valor de
corriente de colector a partir del cual la ganancia en corriente en emisor com
un empieza
a disminuir.
Podemos resumir diciendo que para elevar el valor de la frecuencia de corte fT es
necesario areas peque
nas, corrientes grandes de emisor, regiones de base delgadas, dopados
de base elevados y capacidades parasitas peque
nas.
PRACTICA

REALIZACION
1. Considerar el circuito de la gura 11. Buscar en la bibliografa4 un transistor bipolar
tpico del que se dispongan sus parametros de SPICE, crear un modelo para el
transistor elegido y asignarle valores a los siguientes parametros de SPICE:
BF
CJE: capacidad de la union base emisor bajo polarizacion nula
CJC: capacidad de la union colector-base bajo polarizacion nula
TF: tiempo de transito directo
VAF: tension Early en directa
CJS=0: capacidad de la union colector-sustrato bajo polarizacion nula
El resto se dejan los valores por defecto. Con esta base calcular mediante SPICE
el diagrama de Bode en modulo de la funcion de transferencia, VO /Vi , y el valor de
4

P.R.Gray, R.G. Meyer: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 3a Ed., John Wiley &
sons, 1993

13

Vcc
R1

RC
CC
+

CB

Vi

+
-

R
R2

RE

Vo

CE
-

Figura 11: R1 = 50.9k, R2 = 15.4k, RE = 1.665k, R = 2.18k, CB = 9.4F, CE =

125F, CC = 9.4F
fT . Evaluar teoricamente la expresion de fT y comprobar si coincide con la de SPICE. Proporcionarle al parametro CJS un valor no nulo. Calcular mediante SPICE
y teoricamente el nuevo valor de fT . Compararlo con respecto al caso CJS=0. Mediante un analisis teorico exclusivamente Que valor deben tomar estos parametros
para aumentar la frecuencia superior de corte?

NDE

NAB

NDC

xe

WB

xc

Figura 12: Parametros de dise

no del transistor bipolar
2. En este apartado se propone dise
nar un transistor bipolar como el de la gura 12. Los
parametros de dise
no son los dopados (constantes en cada zona) y las dimensiones
de las tres regiones. Una vez elegidos esos parametros de dise
no se debe obtener:
La en directa.
El nuevo punto de operacion si el transistor se introduce en el circuito de la
gura 11.
Las capacidades de transicion de las uniones.
La capacidad de difusion de la union BE.
La anchura efectiva de la base en funcion de la polarizacion de colector.
La tension Early.
14

Los parametros de SPICE: BF, CJE, CJC, TF, VAF.

El nuevo valor de fT , tanto teorico como mediante SPICE.
El nuevo valor de la ganancia VO /Vi a frecuencias intermedias (teoricamente y
con SPICE)
Comparar los resultados obtenidos con vuestro transistor con los que se obtienen a partir del transistor real del apartado a). Cual es mejor y por que?
(Datos: tiempo de vida media de electrones y huecos n = p = 10ns)
3. MUY IMPORTANTE: Durante el proceso de dise
no de dispositivos y de circuitos
electronicos en que etapas es imprescindible hacer un estudio teorico? y en que etapas es imprescindible hacer uso de herramientas de simulacion como SPICE?
MATERIAL NECESARIO
SPICE

15

7.

ANALISIS
DE PARAMETROS
DE UN MOSFET

OBJETIVO Medida de curvas caractersticas ID VDS , obtencion de la curva ID VGS

en la zona lineal y determinacion de los parametros VT , IT , y .

FUNDAMENTO TEORICO
Los modelos clasicos tension-corriente de MOSFET en
inversion parten de simplicaciones que restringen su aplicabilidad pero aportan expresiones facilmente manejables y de las que se pueden extraer parametros caractersticos. Si se
analiza el modelo de lamina de carga, consideramos que los extremos de fuente y drenador
estan fuertemente invertidos (es decir podemos utilizar el modelo aproximado de fuerte
inversion), y nos situamos en la region lineal del transistor, la corriente de drenador viene
dada por:


1
(49)
ID = VGS VT VDS VDS
2
donde VT es la tension umbral del MOSFET y se relaciona con parametros geometricos:
= Cox

W
L

(50)

Para valores bajos de la tension de drenador VDS y manteniendo esta ja, la representacion
ID en funcion de VGS proporciona una curva donde el punto de maxima pendiente guarda
informacion de la tension umbral VT y de la corriente umbral IT (gura 13).

ID

VDS=cte
(zona lineal)

IT
VT

VGS

Figura 13: Curva ID VGS del MOSFET

El modelo del transistor en la zona de saturacion se obtiene a partir del utilizado en
la zona lineal calculando el valor de VDS que hace maxima la corriente de drenador ID :
VDsat = VGS VT

(51)

y corrigiendo el valor constante:

IDsat = IDS

(VDS = VDsat )

(52)

por un parametro emprico, , que incluye la modulacion de la longitud del canal en

saturacion:
(53)
IDsat = ID (VDsat )(1 + (VDS VDsat ))

16

ID

80
8=0

IDsat

VDsat

VDS

Figura 14: Curva ID VDS del MOSFET

PRACTICA

REALIZACION
1. Para valores bajos de la tension de drenador VDS representar experimentalmente
ID VDS tomando la tension de puerta como parametro. A partir de estas gracas
obtener una representacion ID VGS manteniendo ja la tension de drenador VDS .
Extraer de esa curva los parametros VT , IT y .
Para valores altos de VDS (region de saturacion) extraer el parametro de modulacion
de la longitud del canal, .
2. Normalmente este modelo tan simple no reproduce correctamente las medidas experimentales. Para ello es necesario introducir un parametro adicional, , en la
caracterstica I-V tal y como mostramos a continuacion. La forma mas simplicada
de calcular la corriente ID = ID (VDS , VGS )es considerar la carga en inversion como:
QI (y) = Cox (VGS V (y) VT )

(54)

donde se admite que un potencial V (y) en un punto y del canal solo afecta a la
carga en inversion, procedimiento que se siguio en teora. Una forma mas correcta
de calcular dicha corriente es considerar que la carga de deplexion tambien se ve
afectada por ese potencial V(y):
VT =

ms Qss + Qox
Qb

+ 2F
= VF B + 2F + 2F + V (y)
q
Cox
Cox

ms Qss + Qox

q
Cox
de esta forma la carga en inversion se puede escribir como:
VF B =

(55)
(56)

QI (y) = Cox (VGS VF B 2F V (y) 2F + V (y))

(57)

Para calcular la corriente se procede como se hizo en teora sin mas que considerar
ahora la nueva QI (y)
dR =
 L
0

ID dy =

dy

 VDS
0

n W Co x[VGS VF B 2F V (y) 2F + V (y)]

(58)

n Cox W [VGS VF B 2F V (y) 2F + V (y)]dV

17

(59)

ID = n Cox

VDS
2
W
[(VGS VF B 2F )
]VDS [(2F + VDS )3/2 (2F )3/2 ]
L
2
3

Si se desarrolla en serie el siguiente termino:

3
3
1
1
3
3
(2F + VDS ) 2 = (2F ) 2 + (2F ) 2 VDS + (2F ) 2 VDS 2 +
2
8

(60)

y admitimos que trabajamos a tensiones tales que VDS < 2F podemos quedarnos
con los dos primeros terminos del desarrollo, con lo quedara una corriente igual a
la que se conoce de teora:

K W 
2
2(VGS VT )VDS VDS
VDS < VDSsat
2 L
K W
(VGS VT )2
=
VDS > VDSsat
2 L
ox
K  = n Cox = n
VDSsat = VGS VT
tox

ID =

(61)

ID

(62)
(63)

Para tensiones VDS mas elevadas deberemos incluir el tercer termino del desarrollo
en serie con lo que la corriente tomara la forma:
ID
ID


K W 
2
=
2(VGS VT )VDS (1 + )VDS
2 L
K  W (VGS VT )2
=
2 L
1+

VDS < VDSsat

(64)

VDS > VDSsat

(65)

2qs ND
(VGS VT )
=
VDSsat =
(66)
=
(1 + )
Cox
2 2F
Observar como al aumentar la precision en la representacion de ID , la complejidad
tambien se incrementa introduciendo un nuevo parametro .
Si se tiene en cuenta el efecto de la modulacion del canal y el efecto Body, la expresion
(65) quedara de la forma:
IDS

(VGS VT )2
(1 + (VDS VDsat ))
=
2
1+

=
2 2F + VSB

VDS > VDsat

(67)
(68)

De acuerdo con este fundamento teorico la forma de calcular es la siguiente.

Conocido el valor de y VT , calculado en el apartado 1, se puede calcular de la
pendiente de la representacion ID /VDS en funcion de VDS en la zona lineal. El nuevo
valor de se obtiene de la representacion ID VDS en la region de saturacion.
3. Comparar una curva ID VDS completa experimental con curvas teoricas obtenidas
a partir de los resultados de los apartados 1 y 2.
MATERIAL NECESARIO
Trazador de curvas 571. (Atender a las indicaciones del manual sobre las medidas
en un FET pag. 3-12)

18

8.

CARACTERISTICA C-V EN ALTA FRECUENCIA DE LA ESTRUCTURA MOS

OBJETIVO Determinacion de la tension de banda plana, la concentracion de impurezas en el sustrato y el espesor de oxido de una estructura MOS.
FUNDAMENTO TE
oRICO A partir de la caracterstica CV en alta frecuencia de
un MOS se pueden obtener las tres magnitudes mencionadas anteriormente.
El grosor del oxido se puede extraer del maximo de la capacidad (region de acumulacion)
Cmax = Coxido
(69)
Del mnimo de la capacidad se extrae la concentracion de impurezas en el sustrato
(region de fuerte inversion).
1. Calculo de la capacidad de deplexion en fuerte inversion, Cdep :
1
1
1
=

Cdep
Cmin Cmax

(70)

2. Calculo de la anchura de la region de deplexion, W :

W =

s A
Cdep

(71)

3. Calculo de la concentracion de impurezas, N:

W 

2s B
qN

KT
N
B =
ln
q
ni

(72)

La tension de banda plana se obtiene calculando la capacidad de banda plana, es

decir, cuando el potencial de supercie es cero. La capacidad del semiconductor en
condiciones de banda plana es:
s A
;
Cso =
LDp

LDp =

s KT
q2N

(73)

La capacidad medida sera por tanto

CF B = Coxido //Cso

(74)

PRACTICA.

REALIZACION
Determinacion de estos tres parametros para un transistor MOS 14007.
Dejar al aire los terminales de drenador y fuente.
Variar la tension de manera que se lleve a la estructura desde acumulacion a fuerte
inversion. No superar 1 V en acumulacion ni 5 V en fuerte inversion.
El area de la puerta es de 103 cm2 .
Eliminar los efectos de los diodos de proteccion que se superpondran a la caracterstica
propia del dispositivo.
19

C(pF)
99
99
97.8
95.2
91.4
86.4
80.3
73.6
66.6
59.9
53.8
48.6
40.3
36.8
33.5
30.3

V(V)
1.16
1.09
1.02
0.95
0.88
0.81
0.74
0.67
0.6
0.53
0.46
0.4
0.25
0.18
0.11
0.04

C(pF)
22.1
19.53
18.22
16.88
15.56
14.22
13.02
11.77
8.5
7.92
7.64
7.8
7.87
7.89
7.8
7.7

V(V)
-0.03
-0.17
-0.24
-0.31
-0.38
-0.45
-0.52
-0.59
-0.66
-0.73
-0.94
-1.57
-2.27
-3.39
-4.58
-5.0

Tabla 1: Medidas de capacidad en alta frecuencia en una estructura MOS

MATERIAL NECESARIO
Capacmetro.
Fuente de tension variable.
Sistema de medida.

20

9.

METODO
C-V EN ALTA FRECUENCIA PARA
EL ESTUDIO DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES DE LA INTERFACE SiO2-Si

OBJETIVO Determinacion de la densidad de estados superciales en la interface SiO2 Si de una estructura MOS. Obtencion de la relacion tension aplicada-potencial de supercie (V-s )

Cdep
Csc

Cox

Css
Figura 15: Modelo de circuito de la capcidad MIS

FUNDAMENTO La presencia de estados superciales en la interface SiO2 -Si modica las propiedades de los dispositivos electronicos que presentan esta interface. La mejor
forma de estudiarlos es a traves de una estructura MIS. En concreto, para esta estructura,
se observa la modicacion de las curvas capacidad-tension. En el modelo de circuito de la
estructura MIS, los estados superciales se pueden representar por su capacidad equivalente, Css . Esta capacidad se combina con la capacidad del oxido, Cox , la de la region de
deplexion, Cdep , y la del canal de inversion, Csc (Fig. 15). Para determinar la capacidad
de los estados superciales vamos a utilizar un metodo propuesto por Terman en 1962.
Este metodo no es el mas apropiado para el calculo de la densidad de estados superciales. Existen otros efectos, como el de la no uniformidad de impurezas en el sustrato,
que pueden dar lugar a mayores modicaciones de la curva CV que las producidas por
los estados superciales. Sin embargo, puede ser interesante como practica de laboratorio
de cara a introducirnos en este campo. Este metodo se basa en medidas de capacidad en
alta frecuencia. A altas frecuencias los estados superciales no son capaces de seguir las
oscilaciones de la se
nal alterna. Sin embargo, si responden a cambios de la tension DC de
puerta cuando esta vara desde inversion a acumulacion, originandose una distorsion de
la curva CV. Tampoco responden los portadores del canal de inversion. De acuerdo con
esto el circuito equivalente queda reducido a la capacidad del oxido y a la de la region de
deplexion:
Cox Cdep
CHF =
(75)
Cox + Cdep
De esta expresion, y conocido Cox podemos despejar Cdep (V ). Comparandolo con valores
teoricos de Cdep (s ), calculados a partir de

Cdep

pno s
| (1 es ) + N
(e
1) |
s qND
D

=A
pno s
2
(es s 1) + N
(e
+ s 1)
D

21

(76)

con = q/KT , se debe obtener una relacion V = V (s ) (La expresion anterior, aunque
tenga el subndice dep, incluye los efectos de la zona de transicion y del canal de inversion. Es por tanto valida para alta frecuencia mientras no se penetre en fuerte inversion.
Se analiza un sustrato N).
Conocida esta relacion se puede obtener la densidad de estados superciales en funcion
del potencial de supercie s , Nss (s ). En efecto, seg
un el teorema de Gauss:
Qox = Qdep Qss

(77)

donde Qox es la carga almacenada en el oxido, Qdep la de la zona de carga espacial y Qss
la de los estados superciales. Expresando estas cargas como el producto de la capacidad
por la tension que cae en el oxido o en el semiconductor queda:
Cox (V s ) = Cdep s + Css s

(78)

Cox V = (Cox + Cdep + Css )s

(79)

donde V es la tension aplicada a la estructura y se supone nula la tension de banda plana.

A un peque
no cambio innitesimal dV le corresponde un cambio en la curvatura de
bandas ds dado por
(80)
Cox dV = (Cox + Cdep + Css )ds
entonces:

Css (s ) = Cox
Nss =

Css
qA

1
ds
dV

1 Cdep (s )

(cm2 eV 1 )

(81)
(82)

Este metodo de la capacidad en alta frecuencia es quiza el mas sencillo y directo para
obtener la relacion s V . Sin embargo, para hallar la Nss no es muy preciso debido a la
dicultad de determinar la pendiente en cada punto.
PRACTICA

REALIZACION
Con los resultados de la practica anterior (Tabla 1)
calcular teoricamente la capacidad Cdep (s ), anulando los terminos que dependen de
pno /ND , pues no aparece capa de inversion a alta frecuencia. Compararla con la obtenida
de forma experimental y determinar la relacion tension aplicada - potencial supercial
(V s ). Estimar posteriormente la densidad de estados superciales como funcion del
potencial supercial.Medida experimental de la capacidad en alta frecuencia (2MHz) para
una capacidad MOS de sustrato tipo N entre inversion y acumulacion.

22

1. VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS

Estado estacionario: corriente
necesaria para mantener neutralidad y
suplir recombinacin
qp
Ip=
p

P + Difusin - +
huecos

Recombinacin

Variacin de la tensin aplicada:

2 trminos de corriente

N
n

)V

qp

mantener neutralidad
modificar carga en la unin

p
dq p

2 p n (x, t) p n (x, t) p n (x, t)

=
+
Dp
t
x2
p

dt

Ip=

qp
p

dq p
dt

difusin= recombinacin + modificacin de huecos en zona neutra

Conmutacin del diodo. Transitorio de corte

+
Vi

+ VD

Vi

VF
t

IRc

RC

-VR
IRc

pn
t<0
x

ta: tiempo almacenamiento

p'n(0,ta)=0
tr: tiempo recuperacin
tr=ta+td

0.1IR

-VR-VD
IR= RC

t=ta
t

VF-VD
IF=
RC

ta
VD

tr

t
-VR

t <0 IF = I p=
t >0 IR=

qp

; qp = I F p

p
dq p
dt

+
-

qp
p

pn

t<0

t=ta

q p (t) = ( I F - I R ) e p + I R p
IF )
(
)
=
0
=
ln
(1

q p ta
ta p
IR

IF IR ta
Cte

td p

t64

1 medida completa para reproducir por

SPICE (prctica 4)
ta
V -VR IF IR Rc tr
F

Cte
Cte

2. Determinacin del perfil de impurezas en unin P+N

-xp 0 xn
- +
P+

Carga fija

Carga mvil
(huecos)

Clculo de la capacidad de
transicin CT (Unin P+N con
perfil arbitrario en zona N)
xn
xn
dQ
C=
; Q = (x)dx = qA N(x)dx
d |V |
0
0

d
)
2
dx = x d + d
2
dx
dx
dx

d(x

V
xp<<xn
modificacin tensin
modificacin carga en z.c.e.
y zona neutra
efectos capacitivos
CT (inversa)
CD (directa)

xn

d
)
xn
xn
2

d
d
dx dx = x
dx
+
dx

2
dx
dx
dx
0
0

d(x

xn

0= - x
0

C=

(x)
dx + ( V b - V)

dQ
dx
= qAN( x n ) n
d |V |
d |V |
A
C=
qN( x n )
d |V |
Xn
= xn

dx n

dC
A dx n 2 A
= - 2
=
N( x n )
3
dV
x n dV q x n
N( x n ) =

dC
A q
dV

d(
q A2

Casos particulares:

1
2

C = cte
dV
1
d 3
N( x n ) = a x n C = cte
dV
N( x n ) = cte

xn

N(xn)

1/C2

1/C3

1
2

C
dV

-Precaucin: se mide en inversa.

(En directa circula corriente por el
capacmetro puede daarlo!)
-Estimar A segn dimensiones
cpsula
- Derivada numrica
1/C

3. Modelos de un diodo
I

Alta
inyeccin

rd

=1

qV
KT

I = Io( e

Recombinacin
en z.c.e.

Vd

- 1)

1
1

Recombinacin en z.c.e.:
Aportar ms corriente

I-V

Imax(mA) Io,,Vd,rd
0.05
10
200
6

4. Extraccin de parmetros del diodo

- parmetros de 3 prcticas anteriores
- crear modelo de SPICE con dichos parmetros
- reproducir con SPICE el transitorio de corte de la primera prctica
- presentacin: BREVE Y CLARA
NO LISTADOS DE SPICE!!

5. Extraccin de parmetros en BJT

Ecuaciones de Ebers-Moll
VBE=VBE(IB,VCE)
IC=IC(IB,VCE)

+
IB
VBE

+
IC
VCE

Desarrollo en serie de Taylor respecto al punto de operacin:

vbeVBE-VBE(0)
ic IC-IC(0)
+ Rgimen pequea seal vbe<<VBE(0)
aproximacin de primer orden

IC
IC

ic =
ib +
vce
I B V CE=cte
V CE I B=cte
i c = h fe ib + hoe vce
8

Obtencin experimental de hfe y

hfe

VCE=cte

IC
VCE=cte

IC
Ici
Icj

IBj
IBj

I C IB

VCE=cte VCE
IC
hfe=(ICi-ICj)/(IBi-IBj), IC=(ICi+ICj)/2
9

Obtencin experimental de hoe

IC
VCEi VCEj hoe
Ici Icj

Ici
Icj
VCEj

VCEi VCE

VCE=cte

IC

hoe-1=(VCEi-VCEj)/(ICi-Icj),
IC=(ICi+ICj)/2,
VCE=cte=(VCEi+VCEj)/2
10

6. BJT en alta frecuencia

a) Eleccin de un transistor real y calcular Bode de circuito autopolarizado, tericamente y
mediante SPICE.
b) Efecto de los parmetros del transistor en la ganancia y la frecuencia mxima.
c) Diseo de un transistor
- dopado
- dimensiones
- rea

evaluar parmetros: , capacidades, VA,Wef

(BF, CJE, CJC, TF, VAF)

=>

Calcular Bode y obtener ganancia y frecuencia de corte

Importante:
- Realizar comentarios sobre la calidad del transistor diseado, sus posibles mejoras y las
limitaciones, proponer cualitativamente otros diseos.
- Comentar las ventajas e inconvenientes de las herramientas de simulacin y de las tcnicas
analticas. Dnde se debe emplear cada una?
11

7. Extraccin de parmetros de MOSFET

Objetivo: Clculo de VT, IT, , ,
VT, IT,
ID

VDS=cte
(zona lineal)

ID

Medida ID(VGS)

IT
VT

VGS

1
I D = ( V GS - V T - V DS )V DS
2
Si V DS V GS - V T

VDS

VDS=cte

(triodo)

= n C ox

W
L

I D ( V GS - V T )V DS
12


Modelar una curva en saturacin:

I Dsat = I D ( V Dsat )(1+ ( V DS - V Dsat ))

V Dsat = V GS - V T

Tomar una curva entera

experimental y compararla con
las dos tericas.
Se consigue una mejor
aproximacin con el parmetro
?

ID
IDj
IDi

VGS
VDSi

VDSj
VDS

ID
VGS
Medir ID(VDS)

VDS
13

Q I (y) = - C ox ( V GS - V(y) - V t )

Vt =

ms Q ss + Q ox
Q
+ 2 f - b = V FB + 2 F + 2 F + V(y)
q
C ox
C ox
ms Q ss + Q ox
V FB =
q
C ox

Q I (y) = - C ox ( V GS - V FB - 2 F - V(y) - 2 F + V(y) )

dR =

dy
n W C ox [ V GS - V FB - 2 F - V(y) - 2 F + V(y) ]
V DS

I D dy

I D = n C ox

n C ox W[ V GS - V FB - 2 F - V(y) - 2 F + V(y) ]dV

3
3
W
2
V DS
] V DS - [(2 F - V DS ) 2 - (2 F ) 2 ]
[( V GS - V FB - 2 F ) L
2
3

3
3
1
1
3
3
(2 F + V DS ) 2 = (2 F ) 2 + (2 F ) 2 V DS + (2 F )- 2 V DS 2 + ..
2
8

ID=

K W
2( V GS - V t ) V DS - (1 + ) V 2DS V DS < V DSsat
2 L
2
K W ( V GS - V t )

V DS > V DSsat
ID=
2 L (1 + )
=

2 2 F

V DSsat =

( V GS - V t )
(1 + )

14

8. C-V de alta frecuencia en MOS

M
+++++++
O
--------S e-

M- - - - - - - - -

+++++++

hhhhhhh
+++++++

S
n

n
Acumulacin

e-

O
V

Deplexin

qV

M- - - - - - - - O

S
n

Inversin

s
qV

s
qV

15

V Q efectos capacitivos

Cox
Csem

Modelo C-1=Cox-1+Csem-1
La carga en inversin no responde
en alta frecuencia.
Slo hay capacidad en la zona de
deplexin.
Aumento de la capacidad de
inversin a acumulacin:
1 disminuye grosor zona deplexin.
2 aumenta concentracin de
portadores (e-) en acumulacin.

Cox Cdep

Acumulacin
Inversin

-V

En acumulacin C-1=Cox-1+Csem-1 Cox-1

16

anchura deplexin en inversin:

W=

2 s s
qN

s = 2 B
qV

conocido Cdep=sA/W => obtengo N

(A=10-3cm2)

W
s=0

Tensin de banda plana

qV

V aplicada?
Se conoce capacidad del
semiconductor en esta
condicin:

EF

C so =

EF

s A
L Dp

L Dp =

s KT
q2 N
17

9. Estados superficiales en interface SiO2-Si

Estados superficiales => nuevos efectos capacitivos: Cs

Cdep
Cox

Csc
Css

Mtodo de Terman:
- Altas frecuencias: no responden estados superficiales
- S responden si se vara la polarizacin de inversa a acumulacin.
- Tampoco responden los portadores en el canal de inversin.
C ox C dep
C HF =
C ox + C dep
18

C ox C dep
C HF =
C ox + C dep

Conocido Cox => conocemos Cdep(V)

Comparar Cdep(V) con Cdep(s) terica:

C

Te.
Exp.

relacin V=V(s)

s, V
Obtencin densidad de estados superficiales Nss(s)

(
)
=
- 1 - C dep ( s )

C ss s
C ox
d s

dV

C ss ( s )
( cm- 2 eV -1 )
N ss =
qA

Nss

s, EC-EF

19