CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS

FACULTAD DE INGENIERA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO JFET

HECTOR ANGULO, BRAYAN FONTALVO, ANDY JARAMILLO, ERNESTO MORALES
Profesor: Bernardo Vsquez Lpez Grupo BD Mesa 1. 07-03-2014

Laboratorio de corriente continua, Universitaria de la Costa (cuc), Barranquilla

Resumen
1. Introduccin

Durante el transcurso de este informe

se
observara
y
analizara
el
comportamiento del transistores de
efecto de campo jfet sus voltajes sus
corrientes y su polarizacin y la curva
caracterstica de este semi conductor.

El JFET (Junction
Field-Effect
Transistor, en espaol transistor de
efecto de campo de juntura o unin) es
un dispositivo electrnico, esto es, un
circuito que, segn unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando
unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de efecto
de campo elctrico, estos valores de
entrada son las tensiones elctricas, en
concreto la tensin entre los terminales
S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este
valor, la salida del transistor presentar
una curva caracterstica que se
simplifica definiendo en ella tres zonas
con ecuaciones definidas: corte,
hmica y saturacin.

En esta prctica de transistores de

efecto de campo jfet
se varia el
potencimetro y se toman los valores
de los diferentes voltajes y la corriente
ID, se realizan las diferentes tablas con
los diferentes datos se analizan los
resultados y se comprueba la prctica.

Palabras claves
Semiconductor, transistores, efecto de
campo.

Abstract

2. Fundamentos Tericos

During the course of this report observe

and analyze the behavior of the field
effect transistor jfet their voltages and
current and its polarization and the
characteristic of this semi-conductor.

Antes
del
desarrollo
de
esta
experiencia fue necesario el previo
conocimiento del diodo elemento a
analizar en esta prctica, del cual
obtuvimos la siguiente informacin:

In practice this field effect transistor jfet

potentiometer is varied and the values
of the different voltages and current ID
are taken, different tables are
performed With Different results are
Analyzed data and the practice hasbeen found.

Transistor JFET

Key words
Semiconductor, transistors, field
effect .......

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drenador y la fuente VDS. A la grfica o

ecuacin que relaciona ests dos
variables se le denomina ecuacin de
salida, y en ella es donde se distinguen
las dos zonas de funcionamiento de
activa: hmica y saturacin.
Esquema de JFET

Fsicamente,
un
JFET
de
los
denominados "canal P" est formado
por una pastilla de semiconductor tipo
P en cuyos extremos se sitan dos
patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada
por
dos
regiones
con dopaje de tipo N en las que se
conectan dos terminales conectados
entre s (puerta). Al aplicar una tensin
positiva VGS entre puerta y fuente, las
zonas N crean a su alrededor sendas
zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas
zonas de exclusin. Cuando esta
VGS sobrepasa un valor determinado,
las zonas de exclusin se extienden
hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador
queda completamente cortado. A ese
valor de VGS se le denomina Vp. Para
un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas,
cortndose la corriente para tensiones
menores que Vp.

Tienen tres terminales, denominadas

puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT. El
transistor de efecto de campo se
comporta
como
un
interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
As como los transistores bipolares se
dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos:
canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la
puerta pone al transistor en estado de
conduccin
o
no
conduccin,
respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de
campo, es decir, su funcionamiento se
basa en las zonas de deplexin que
rodean a cada zona P al ser
polarizadas inversamente.

As, segn el valor de VGS se definen

dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que
Vp (puesto que Vp es tambin negativa)
y una zona de corte para tensiones
menores que Vp. Los distintos valores
de la ID en funcin de la VGS vienen
dados por una grfica o ecuacin
denominada ecuacin de entrada.

Polarizacin y curvas caractersticas

En la zona activa, al permitirse el paso

de corriente, el transistor dar una
salida en el circuito que viene definida
por la propia ID y la tensin entre el

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en base a los modelos contenidos en

sus bibliotecas de componentes.

Este tipo de transistor se polariza de

manera diferente al transistor bipolar.
La terminal de drenaje se polariza
positivamente con respecto al terminal
de fuente (Vdd) y la compuerta se
polariza negativamente con respecto a
la fuente (-Vgg).

El transistor JFET, al igual que los BJT,

se pueden polarizar de diversas
maneras (ms adelante se ver) para
dar lugar a configuraciones de
amplificadores de seal, sin embargo
no son las nicas aplicaciones, por
ejemplificar algunas otras se tienen la
configuracin para formar osciladores,
interruptores controlados, resistores
controlados, etc.

A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es

el canal y ms difcil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al
terminal fuente o source. La tensin
-Vgg para la que el canal queda
cerrado
se
llama punch-off y
es
diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un
dispositivo operado por corriente y
requieren que halla cambios en la
corriente de base para producir
cambios en la corriente de colector. El
JFET es controlado por tensin y los
cambios en tensin de la compuerta a
fuente modifican la regin de
rarefaccin (deplexin) y causan que
vare el ancho del canal.

3. Desarrollo experimental
Para llevar a cabo el cumplimiento y
desarrollo exitoso de esta experiencia
se tuvieron en cuenta el cumplimiento
de los siguientes pasos:
Se Arme el circuito mostrado en la
figura 1.
Teniendo en cuenta los
numeracin y designacin de los
terminales del Jfet 2N5457.

Al hacer un barrido en corriente directa,

se obtienen las curvas caractersticas
del transistor JFET. Las curvas
caractersticas tpicas para estos
transistores se encuentran en la
imagen, ntese que se distinguen tres
zonas importantes: la zona hmica, la
zona de corte y la zona de saturacin.

Una vez armado el circuito de la figura

1 en la protoboard
realice 10
mediciones diferentes variando para
tal efecto el potencimetro RS y en
cada una de stas vaya tomando
medidas de voltajes en cada uno de los
terminales del JFET (Vd, Vs, Vg, Vgs,
Vds y Vgd ) correspondientes y a la vez
la corriente de drenaje Id del circuito.
Con base al circuito mostrado en la
figura 1 correspondiente a un JFET en

Existen otros tipos de curvas, como las

de temperatura, capacitancia, etc.
Todas ellas normalmente las especifica
el fabricante de cada transistor.
Algunos programas de simulacin
(como SPICE) permiten hacen barridos
de CD bsicos para obtener las curvas,

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auto polarizacin. Se le ha quitado la

resistencia RG y sta se ha
remplazado
por
un
cortocircuito
conectado a tierra entre ese terminal,
adems se ha hecho lo mismo con el
potencimetro de 50 K, como se
puede apreciar en la figura 2.

Circuito 1

Medi VD
cin
1
11.
79
V

VS

VG
11.
01
V

VG
S
0.9
73
V

VD
S
1.7
56
V

10.
03
V

11.
36
V

9.5
7V

10.
56
V

0.9
74
V

1.7
86
V

11.
58
V

9.5
6V

10.
76
V

0.9
92
V

1.8
21
V

11.
47
V

9.6
2V

10.
62
V

0.9
93
V

1.8
39
V

11.
35
V

9.4
8V

10.
48
V

0.9
92
V

1.8
54
V

10.
82
V

8.9
1V

9.8
8V

0.9
85
V

1.9
07
V

9.5
6V

7.5
6V

8.5
3V

0.9
69
V

1.9
89
V

8.4
V

6.2
6V

7.2
3V

0.9
49
V

2.0
46
V

4.0
5V

1.7
96
V

2.6
57
V

0.8
70
V

2.1
89
V

2.1
84
V

0.0
14
V

0.7
97
V

0.7
82
4V

2.1
69
V

10

VG ID
D
0.7 21
82 4.
V
4
U
A
0.8 31
06 6
V
U
A
0.8 40
27 0
V
U
A
0.8 50
45 0
V
U
A
0.8 60
62 0
V
U
A
0.9 1.
22 1
V
M
a
1.0 2.
2V 4
m
A
1.0 3.
97 6
V
m
A
1.3 7.
22 8
V
m
A
1.3 9.
87 7
V
m
A

Circuito 2
Circuito 3

4. Clculos y
anlisis De
Resultados

Anlisis:

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Los resultados obtenidos en esta

prctica fueron los necesarios para
llenar las diferentes tablas y realizar
los clculos que se necesitaban en
cada practica y los simulados fueron
parecidos, por medio de del
osciloscopio se observaron las
formas de ondas esperadas como
muestran las siguientes imgenes
tomadas en el laboratorio.

Se analiza que la frecuencia vara

dependiendo la conexin.

5. Conclusiones

Bibliografa

En laboratorio de electrnica 1con

este tema de rectificador de voltajes
se concluye que los circuitos
rectificadores son muy ptimos para
corregir o
cambiar el voltaje,
tambin los tipos de onda y como
con cada montaje de los circuitos
variaban las ondas y los resultados.
Por medio de del osciloscopio se
observaron las formas de ondas
esperadas como muestran las
siguientes imgenes tomadas en el
laboratorio. Se observa que con un
diodo rectifica media onda, con dos
diodos rectifica la onda completa, y
con el filtro podemos ver la onda
totalmente rectificada en su mayor
porcentaje.

Electrnica: Teora de circuitos Robert

L Boylestad 6ta Edicin

Principios de electrnica Albert

Malvino 6ta edicin captulo 4 pag
95. 137
http://es.wikipedia.org/wiki/JFET
http://es.wikiversity.org/wiki/Transistor_
JFET
http://www.ehowenespanol.com/diferen
cia-jfet-mosfet-info_146796/
http://ingeniatic.euitt.upm.es/index.php/t
ecnologias/item/636-transistor-jfet