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Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor


utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada.[1] Cumple funciones de
amplicador, oscilador, conmutador o recticador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer
resistor (resistor de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos
de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio
y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas uorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.

les considera un elemento activo, a diferencia de los


resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplicada, la corriente que circula por el
colector es funcin amplicada de la que se inyecta en el
emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga
por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplicacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector
Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se gracan los distintos
parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas(conguraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor
comn, colector comn y base comn.

Historia

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios


Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula
termoinica de tres electrodos, o triodo.

El transistor de efecto campo fue patentado antes que el


transistor BJT (en 1930), pero no se dispona de la tecModelos posteriores al transistor descrito, el transisnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
tor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS,
Es por ello que al principio se usaron transistores bipo- VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
lares y luego los denominados transistores de efecto de terminal de base para modular la corriente de emisor o
campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el sur- colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta
tidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se contro- o reja de control (graduador) y grada la conductancia del
la mediante el campo elctrico establecido en el canal. canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando
Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo la conductancia es nula y el canal se encuentra estranguMetal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitie- lado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta
ron un diseo extremadamente compacto, necesario para y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el
los circuitos altamente integrados (CI).
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnolo- drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS ga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplicada de
MOS Complementario) es un diseo con dos diferen- la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
tes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se comple- (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con
mentan mutuamente y consumen muy poca corriente en la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa
un funcionamiento sin carga.
y Ctodo.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio)
y tres partes dopadas articialmente (contaminadas con Los transistores de efecto de campo son los que han permateriales especcos en cantidades especcas) que mitido la integracin a gran escala disponible hoy en da;
forman dos uniones bipolares, el emisor que emite para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la cientos de miles de transistores interconectados, por centercera, que est intercalada entre las dos primeras, mo- tmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
dula el paso de dichos portadores (base). A diferencia
de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplicada. En el diseo de circuitos a los transistores se
1

TIPOS DE TRANSISTOR

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del


ingls bipolar junction transistor) se fabrica bsicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro
de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal,
se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga)
y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

Distintos encapsulados de transistores.

Tipos de transistor

2.1

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue


el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado
en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre,
sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas
que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se ve en el
colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de supercie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948)
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

2.2

Transistor de unin bipolar

Ic

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la


geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

2.3 Transistor de efecto de campo


El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en
ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin;
tienen alta impedancia de entrada.

IB
E
Diagrama de Transistor NPN

La conguracin de uniones PN, dan como resultado


transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho
ms contaminado que el colector).

IE

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal
mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET,
donde MOS signica Metal-xido-Semiconductor,

4.1

Emisor comn

en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

2.4

V+

Fototransistor

RC

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su ujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base
(IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la


electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplicacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplicador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos


diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de
un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio
y unos 0,4 para el germanio.

Vin

Vout

Emisor comn.

4.1 Emisor comn


La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por
el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la
seal de entrada como a la de salida. En esta conguracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente.
En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima
C
bastante bien por la siguiente expresin: GV = R
RE ; y
la impedancia de salida, por RC
Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante,
V . Tambin supondremos que es constante. Entonces
tenemos que la tensin de emisor es: VE = VB Vg
Y la corriente de emisor: IE =

VE
RE

VB Vg
RE

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la


de base: IE = IC + IB = IB ( + 1) = IC (1 + 1 ) .
IE
Despejando IC = 1+
1

La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:


IE
VC = V cc IC RC = V cc RC 1+
1

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tenComo >> 1, se puede aproximar: 1+ 1 = 1 y, entonces,
dremos una corriente proporcional a la corriente de base:
VB Vg
IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. VC = V cc RC IE = V cc RC RE
Para transistores normales de seal, vara entre 100 y
V
Que podemos escribir como VC = (V cc + RC REg )
300.
VB
RC R
E
Entonces, existen tres conguraciones para el amplicaV
Vemos que la parte (V cc + RC REg ) es constante (no dedor:

5 EL TRANSISTOR BIPOLAR FRENTE A LA VLVULA TERMOINICA

C
pende de la seal de entrada), y la parte VB R
RE nos da seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo,
la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de micrfonos dinmicos.
salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda: GV =


La corriente de entrada, IB =
por IB =

IE

VE
RE

VB Vg
RE

IE
1+

VC
VB

C
= R
RE

4.3 Colector comn

, que aproximamos

Suponiendo que VB>>V , podemos escribir: IB =


y la impedancia de entrada: Zin =

VB
IB

VB
VB
RE

VB
RE

= RE

Para tener en cuenta la inuencia de frecuencia se deben


utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy
frecuente usar el modelo en pi.

4.2

Base comn

V+
RC
B

Colector comn.

Vout

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el


emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta conguracin
se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es
ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de
carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal.

5 El transistor bipolar frente a la


vlvula termoinica

Vin

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas.
Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a
la de los transistores de efecto campo (FET): la corrienBase comn.
te que los atraviesa depende de la tensin en el borne de
comando, llamado rejilla. Las razones por las que el tranLa seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el sistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:
colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal
de entrada como a la de salida. En esta conguracin se
Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden
tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada
de las centenas de voltios, que son peligrosas para el
es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno,
ser humano.
debido a que parte de la corriente de emisor sale por la
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las
base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede
vuelve particularmente poco tiles para el uso con
ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un
bateras.
anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn,
RC
nos da la ganancia aproximada siguiente: GV = RE .
Probablemente, uno de los problemas ms imporLa base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de

tantes haya sido el peso. El chasis necesario para

5
alojar las vlvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para
establecer la conduccin.
El transistor es intrnsecamente insensible al efecto
microfnico, muy frecuente en las vlvulas.
Los transistores son ms pequeos que las vlvulas,
incluso que los nuvistores. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad:
en el caso de dispositivos de potencia, estos deben
llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha
de considerar es el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden
funcionar a temperaturas ms elevadas, la eciencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho ms
pequeo.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o
sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas
y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeas corrientes.
Finalmente, el costo de los transistores no solamente
era muy inferior, sino que contaba con la promesa
de que continuara bajando (como de hecho ocurri)
con suciente investigacin y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC.
Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, sucientes para alimentar una pequea ciudad. Tena alrededor de 18 000 vlvulas, de las
cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue
considerado una revolucin. Pequeo, rpido, able, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante
la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta,
como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la
vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplicadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando
vlvulas en amplicadores de audio para guitarras. Las
razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas
son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de la vlvula termoinica, por lo
que no pudo reemplazarla en los amplicadores de
transmisin de radio profesionales y de radioacionados sino hasta varios aos despus.[cita requerida]
Los armnicos introducidos por la no linealidad
de las vlvulas resultan agradables al odo humano
(vase psicoacstica), por lo que son preferidos por
los audilos.
El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las explosiones nucleares, por lo que
se siguieron utilizando vlvulas termoinicas en algunos sistemas de control-comando de aviones caza
de fabricacin sovitica.[cita requerida]
Las vlvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, impensables para los transistores en sus comienzos; sin embargo a travs de los aos se desarrollaron etapas de potencia con mltiples transistores
en paralelo capaces de conseguirlo.

6 Vase tambin
Semiconductor
Transistor de aleacin
Transistor de unin bipolar
Transistor IGBT
Thin-lm transistor
Transistor uniunin

7 Referencias
[1] Transistor en Google Libros.

8 Enlaces externos

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor. Commons

Wikcionario tiene deniciones y otra informacin sobre transistor.Wikcionario

Transistores Vs. Vlvulas para aplicaciones en audio de alta delidad, Oscar Bonello, fundador de la
compaa Solidyne y miembro de Audio Engineering Society (AES), propone una interpretacin posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u
otra tecnologa.

8
Como funcionan realmente los transistores Versin
original en Ingls
Smbolos de transistores

ENLACES EXTERNOS

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9.1

Text

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9.2

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9.3

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