Un fotodiodo es un tipo de fotodetector capaz de convertir la luz en funcin ya sea de

corriente o tensin, en el modo de funcionamiento. La clula solar comn, tradicional

utilizado para generar energa elctrica solar es una gran rea de fotodiodo.
Fotodiodos son similares a los diodos semiconductores regulares, excepto que
pueden ser o bien expuestos o empaquetados con una ventana o conexin de fibra
ptica para permitir que la luz para llegar a la parte sensible del dispositivo. Muchos
diodos diseados especficamente para su uso como un fotodiodo PIN utilizan una
unin en lugar de una unin pn, para aumentar la velocidad de respuesta. Un
fotodiodo est diseado para operar en polarizacin inversa.

Principio de funcionamiento
Un fotodiodo es una unin p-n o estructura PIN. Cuando un fotn de energa suficiente
golpea el diodo, se excita un electrn, creando de ese modo un electrn libre. Este
mecanismo tambin se conoce como el efecto fotoelctrico interno. Si la absorcin se
produce en la regin de agotamiento de la unin, o una longitud de difusin de
distancia de ella, estos portadores son barridas de la unin por la incorporada en el
campo elctrico de la regin de agotamiento. Por lo tanto agujeros se mueven hacia el
nodo, y los electrones hacia el ctodo, y se produce una fotocorriente. La corriente
total a travs del fotodiodo es la suma de la corriente oscura y la fotocorriente, por lo
que la oscuridad corriente debe reducirse al mnimo para maximimze la sensibilidad
del dispositivo.

El modo fotovoltaico
Cuando se utiliza en modo de polarizacin cero o fotovoltaica, el flujo de fotocorriente
fuera del dispositivo est restringido y una tensin se acumula. Este modo explota el
efecto fotovoltaico, que es la base para las clulas solares - una clula solar
tradicional es slo una gran rea de fotodiodo.

Modo Photoconductive
En este modo, el diodo est polarizado inversamente a menudo. En comparacin con
la polarizacin directa, esto reduce drsticamente el tiempo de respuesta a expensas

de un aumento del ruido, debido a que aumenta la anchura de la capa de

agotamiento, lo que disminuye la capacitancia de la unin. La polarizacin inversa
induce slo una pequea cantidad de corriente a lo largo de su direccin, mientras
que la fotocorriente sigue siendo prcticamente la misma. Para una distribucin
espectral dada, la fotocorriente es linealmente proporcional a la iluminancia.
Aunque este modo es ms rpido, el modo de fotoconductora tiende a exhibir ruido
ms electrnico. La corriente de un buen diodo PIN fuga es tan baja que el ruido de
Johnson-Nyquist de la resistencia de carga en un circuito tpico menudo domina.

Otros modos de operacin

Los fotodiodos de avalancha tienen una estructura similar a fotodiodos regulares, pero
son manejados con mucho mayor polarizacin inversa. Esto permite que cada
portador de foto-generado para ser multiplicado por avalancha avera, lo que resulta
en ganancia interna dentro del fotodiodo, lo que aumenta la capacidad de respuesta
eficaz del dispositivo.
Un fototransistor es, en esencia, un transistor bipolar dentro de una caja transparente,
de modo que la luz puede llegar a la unin base-colector. Fue inventado por el Dr.
John N. Shive en los Laboratorios Bell en 1948: 205, pero no se anunci hasta 1950.
Los electrones que se generan por los fotones en la unin base-colector se inyectan
en la base, y esta corriente fotodiodo es amplificada por la ganancia de corriente del
transistor. Si el emisor se deja sin conectar, el fototransistor se convierte en un
fotodiodo. Mientras fototransistores tienen una capacidad de respuesta ms alta para
la luz que no son capaces de detectar niveles bajos de luz mejor que fotodiodos.
Fototransistores tambin tienen tiempos de respuesta significativamente ms largos.

Materiales
El material utilizado para hacer un fotodiodo es crtico para la definicin de sus
propiedades, debido a que slo los fotones con energa suficiente para excitar
electrones a travs de la banda prohibida del material de producirn fotocorrientes
significativas.

Los materiales comnmente utilizados para producir fotodiodos incluyen:

Debido a su mayor banda prohibida, fotodiodos de silicio basados generan menos
ruido que los fotodiodos basados en germanio.

Fotodiodos no deseados
Cualquier unin pn, si ilumina, es potencialmente un fotodiodo. Dispositivos
semiconductores como transistores y circuitos integrados contienen uniones pn, y no
funcionarn correctamente si se les ilumina con radiacin electromagntica no
deseada de longitud de onda adecuada para producir una fotocorriente, lo que se
evita por medio de dispositivos en carcasas opacos encapsulacin. Si estas viviendas
no son completamente opacos a la radiacin, transistores y circuitos integrados de
alta energa puede funcionar mal debido a las corrientes inducidas por foto-. Estuches
de plstico son ms vulnerables que los de metal.

Caractersticas
Los parmetros crticos de rendimiento de un fotodiodo incluyen:
Responsividad La responsividad espectral es una relacin de la fotocorriente
generada para alimentar la luz incidente, expresada en A/W cuando se utiliza en modo
de fotoconductora. La longitud de onda de la dependencia tambin puede ser
expresado como una eficiencia cuntica, o la relacin entre el nmero de portadores
fotogenerados a fotones incidentes, una cantidad sin unidades. Oscuro corriente La
corriente a travs del fotodiodo en ausencia de luz, cuando se opera en el modo de
foto-. La corriente oscura incluye fotocorriente generada por la radiacin de fondo y la
corriente de saturacin de la unin semiconductora. Corriente oscura debe tenerse en
cuenta por la calibracin si un fotodiodo se utiliza para hacer una medicin precisa de
la potencia ptica, y tambin es una fuente de ruido cuando se utiliza un fotodiodo en
un sistema de comunicacin ptica. Tiempo de respuesta Un fotn absorbido por el
material semiconductor va a generar un par electrn-hueco que a su vez comenzar a
moverse en el material bajo el efecto del campo elctrico y por lo tanto generar una
corriente. La duracin finita de esta corriente se conoce como la propagacin de

tiempo de trnsito y se puede evaluar mediante el uso de teorema de Ramo. Tambin

se puede mostrar con este teorema de que la carga total generado en el circuito
externo es bien E y no 2e como podra parecer por la presencia de los dos portadores.
De hecho, la integral de la corriente debido tanto electrn y el hueco en el tiempo
debe ser igual a e. La resistencia y la capacitancia del fotodiodo y la circuitera externa
dan lugar a otro tiempo de respuesta conocido como constante de tiempo RC. Esta
combinacin de R y C integra la fotorrespuesta lo largo del tiempo y por lo tanto se
alarga la respuesta de impulsos del fotodiodo. Cuando se utiliza en un sistema de
comunicacin ptica, el tiempo de respuesta determina el ancho de banda disponible
para la modulacin de la seal y por lo tanto la transmisin de datos. Potencia de
ruido equivalente de entrada El mnimo de potencia ptica para generar fotocorriente,
igual a la corriente en un ancho de banda de 1 Hz ruido rms. NEP es esencialmente la
potencia mnima detectable. El detectividad caracterstica relacionada es la inversa de
la NEP, 1/NEP. Tambin existe la detectividad especfica que es la detectividad
multiplicado por la raz cuadrada del rea de la clula fotoelctrica, para un ancho de
banda de 1 Hz. El detectividad especfica permite que diferentes sistemas para ser
comparados independiente del rea del sensor y ancho de banda del sistema;
detectividad un valor ms alto indica un dispositivo de bajo nivel de ruido o del
sistema. Aunque es tradicional dar en muchos catlogos como una medida de la
calidad del diodo, en la prctica, casi nunca es el parmetro clave.
Cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicacin ptica, todos estos
parmetros contribuyen a la sensibilidad del receptor ptico, que es la potencia de
entrada mnima requerida para el receptor de lograr una tasa de error de bit
especificado.

Aplicaciones
Fotodiodos PN se utilizan en aplicaciones similares a otros fotodetectores, como
fotoconductores, dispositivos de acoplamiento de carga, y tubos fotomultiplicadores.
Ellos se pueden utilizar para generar una salida que depende de la iluminacin, o para
cambiar el estado de los circuitos.

Fotodiodos se utilizan en dispositivos de electrnica de consumo como reproductores

de discos compactos, detectores de humo, y los receptores de los dispositivos de
control remoto por infrarrojos utilizados para controlar el equipo desde los televisores
a los acondicionadores de aire. Para muchas aplicaciones pueden utilizarse
fotodiodos o fotoconductores. Cualquier tipo de fotosensor puede ser utilizado para la
medicin de la luz, como en metros luz de la cmara, o para responder a los niveles
de luz, como en la conmutacin de iluminacin de las calles despus del anochecer.
Fotosensores de todos los tipos pueden ser utilizados para responder a la luz
incidente, o a una fuente de luz que es parte del mismo circuito o sistema. Un
fotodiodo se combina a menudo en un solo componente con un emisor de luz, por lo
general un diodo emisor de luz, o bien para detectar la presencia de una obstruccin
mecnica a la viga, o para acoplar dos circuitos digitales o analgicos, mientras que el
mantenimiento de extremadamente alto aislamiento elctrico entre ellos, a menudo
para la seguridad.
Fotodiodos se utilizan a menudo para una medicin precisa de la intensidad de la luz
de la ciencia y la industria. En general, tienen una respuesta ms lineal que
fotoconductores.
Tambin son ampliamente utilizados en diversas aplicaciones mdicas, tales como
detectores para la tomografa computarizada, instrumentos para analizar las
muestras, y oxmetros de pulso.
Diodos PIN son mucho ms rpido y ms sensible que los diodos de unin pn, y por lo
tanto a menudo se utilizan para las comunicaciones pticas y en la regulacin de la
iluminacin.
Fotodiodos PN no se utilizan para medir las intensidades de luz extremadamente baja.
Dispositivos de carga acoplada En cambio, si se necesita una alta sensibilidad,
fotodiodos de avalancha, se intensificaron o tubos fotomultiplicadores se utilizan para
aplicaciones tales como la astronoma, la espectroscopia, equipos de visin nocturna
y telmetro lser.

Comparacin con fotomultiplicadores

Ventajas en comparacin con fotomultiplicadores:

Excelente linealidad de la corriente en funcin de la luz incidente de salida

Respuesta espectral de 190 nm a 1100 nm, longitud de onda ms largas con otros
materiales semiconductores
Bajo nivel de ruido
Robusto a la tensin mecnica
Bajo coste
Compacto y ligero
Larga vida til
Alta eficiencia cuntica, por lo general 80%
Sin alta tensin necesaria
Las desventajas en comparacin con fotomultiplicadores:

Pequea zona
No hay ganancia interna
Mucho menor sensibilidad general
Photon contando slo es posible con fotodiodos especialmente diseados, generalmente
enfriados, con circuitos electrnicos especiales
El tiempo de respuesta para muchos diseos es ms lento

Array de fotodiodos
Una matriz unidimensional de cientos o miles de fotodiodos puede ser utilizado como
un sensor de posicin, por ejemplo, como parte de un sensor de ngulo. Una ventaja
de las matrices de fotodiodos es que permiten a alta velocidad en paralelo leer desde
la electrnica de conduccin no podrn ser construidas en como un CMOS tradicional
o sensor CCD.