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UNIDAD I
4. MARCO TERICO
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET
3.1 Introduccin
El transistor de efecto de campo FET es un dispositivo de 3
terminales que se utiliza para diversas aplicaciones, en gran parte,
similares a las del transistor BJT aunque la principal diferencia
entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor
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Protoboard.
Cables 24AWG.
6. PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
1. Simule el circuito que se ilustra en la Figura 1, en el software de
simulacin Qucs. Para la simulacin cambie las caractersticas
del transistor como se muestra en la ltima hoja de Anexos.
2. Establezca VGG de modo que VGS est en 0V.
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3. Ajuste VDD por cada valor de VDS que incluye en la Tabla 1. Con
VGG constante.
5. Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de V GS en la Tabla
1.
6. Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas caractersticas
VGG constante.
5. Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de V GS en la Tabla
1.
6. Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas caractersticas
8. TABULACIONES Y RESULTADOS
Tabla 1 Simulacin: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura 1.
(V)
(V)
0.5
1.5
2.5
(V)
(V)
0.5
1.5
2.5
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-0.5
-1
-1.5
-2
9. SIMULACIONES
Adjuntar el grfico de la simulacin correspondiente a la Figura 1
que se detalla en el informe, debe observarse la lectura en los dos
multmetros.
Figura 2. Con
Figura 3 Con
10.
CLCULOS
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
13.
BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Boylestad Nashelsky. Octava Edicin. Pearson Educacin.
Captulo 5
PREGUNTAS (Acabada la prctica en el Laboratorio)
Deduzca Vp.
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punto de operacin?
4. Identifique los niveles de operacin del transistor en la grfica.
14.
15.
ANEXOS
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