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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y
COMPUTACIN
ELECTRNICA DIGITAL II
DEPARTAMENTO SISTEMAS DIGITALES Y
TELECOMUNICACIONES

Laboratorio: Dispositivos de Memoria


1. Objetivos
o Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria
con base en sus entradas y salidas.
o Combinar ICs de Memoria para formar mdulos de
Memoria con un tamao de Palabra ms grande y/o
mayor capacidad.
o Utilizar el programa Circuit Maker para simular circuitos
de memoria ROM o memoria RAM.
2. Introduccin
La memoria es un medio fsico capaz de almacenar informacin
(programas y datos) de forma temporal o permanente. Aunque
conceptualmente parezcan sencillas, presentan una gran variedad
de tipos, tecnologa, estructura, prestaciones y costos. Ninguna
tecnologa es ptima para satisfacer todas las necesidades de un
computador, por lo que existe una jerarqua de subsistemas de
memoria.
La capacidad de la memoria es una forma de especificar la cantidad
de bits que puede almacenar un dispositivo de memoria. La
capacidad se puede expresar como el producto: nmero de
palabras x tamao de la palabra o por una cantidad especfica de
bits. El arreglo de las memorias indica que est compuesta por n
palabras de m bits cada una.
Cada una de estas palabras tiene asociado una direccin (cdigo
binario) para acceder a ella para escribir o leer un dato. Las
designaciones comunes para expresar la capacidad de una
memoria son:
1K = 210 = 1024
1M = 220 = 1024K
1G = 230 = 1024M
1T = 240 =1024G
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3. Desarrollo
Ejercicio 1: Utilice el programa Circuit Maker para simular el
siguiente circuito. Ver Figura 1 .

V1
0V
V2
0V
V3
0V
V4
0V

DISP1

DISP2

4321

4321

U1
PROM32

CS
A4
A3
A2
A1
A0

O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
O0

V5
0V
V6
0V

Figura 1. Circuito de Memoria PROM de 32x8

1. Posicione el mouse en la memoria ROM y haga clic derecho


encima, le aparecer un men donde escoger la opcin Edit
PROM/RAM. Posicinese en las 5 primeras direcciones (una
por una haciendo doble clic) para modificar los datos que
estn almacenados en la memoria. Puede introducir los nuevos
datos en forma hexadecimal de acuerdo al siguiente orden:
Direcci
n
0000
0001
0002
0003
0004

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Dat
os
45
87
F3
44
55

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2. Luego posicinese en las ltimas 5 direcciones de memoria y


modifique cada una de las palabras en el siguiente orden:
Direcci
n
0027
0028
0029
0030
0031

Dato
s
DD
33
AB
11
26

3. Ahora con el CS activado, active cualquiera de las direcciones


antes mencionadas y verifique el contenido de las direcciones
a travs de los display. Para poder apreciar la simulacin tiene
que estar en modo digital, esta opcin se encuentra desde el
men Simulation. Para correr la simulacin se tendr que
apretar F10 desde el teclado. Los resultados de las direcciones
de las memorias quedan como la Figura 2.

V1
0V
V2
0V
V3
0V
V4
0V

DISP1

DISP2

4321

4321

U1
PROM32

CS
A4
A3
A2
A1
A0

O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
O0

V5
5V
V6
5V

Ejercicio 2: Implemente un arreglo de memorias que duplique el


tamao de las palabras del circuito anterior. Introduzca datos en las
5 primeras palabras de la segunda memoria y en las 5 ltimas
escoja datos diferentes a los establecidos anteriormente. Ver Figura
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3.

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Ejercicio 3: Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx8


utilizando los circuitos integrados de memoria RAM de 1Kx8 que
posee el software. Introduzca datos en los diferentes circuitos de
memoria y comprubelos en displays hexadecimales.
Trabajo a Entregar: Enviar todos los archivos simulados y la
conclusin del laboratorio al correo electrnico.

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