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NCLEO MONAGAS
INGENIERIA DE SISTEMAS
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y ELECTRNICA
Universidad de Oriente
Ncleo Monagas
Ingeniera de Sistemas
Laboratorio de
Circuitos y Sistemas
Prctica 4. Diodos
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1. OBJETIVO DE LA PRACTICA
Familiarizarse con diodos. Analizar su curva y aprender a usarlos correctamente como rectificadores.
2. MARCO TERICO
DIODO
El nacimiento del diodo surgi a partir de la necesidad de transformacin de corrientes alternas en
continua.
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una sola direccin. De forma
simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta consta
de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de convertir una corriente alterna en corriente continua.
El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situacin ideal, se comporta como un interruptor
comn con la condicin especial de que solo puede conducir en una direccin. Tiene un estado
encendido, el que en teora parece ser simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado
apagado, en el que sus caractersticas terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el
voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado
(R= 0 ) y la corriente que circula a travs de este est limitada por la red en la que este instalado el
dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto
(R= ) e ID = 0 mA.
Estn compuestos por dos regiones de material semiconductor que se llama unin P-N. Entre las dos
partes de la unin P-N, y en la zona de contacto entre ambas, se produce una regin denominada de
transicin, donde se genera una pequea diferencia de potencial quedando la zona N a mayor tensin
que la P. Cuando se le aplica una tensin al diodo con el terminal positivo conectado a la zona P y el
negativo a la N se producir una circulacin de corriente entre ambas debido a que una pequea parte
de esta tensin nivelar la diferencia de potencial entre zonas, quedando stas niveladas en tensin, y el
resto de la tensin aplicada producir una circulacin de electrones de la zona N a la P.
Si esa tensin externa se aplica con los bornes intercambiados, es decir el terminal positivo de la fuente
conectado a la zona N y el negativo a la regin P, no habr circulacin de corriente por el diodo, debido a
que por efecto de la tensin aplicada se aumentar la diferencia de potencial existente entre las zonas P
y N, impidiendo as la circulacin de corriente a travs del mismo.
El diodo es el dispositivo ms sencillo construido con una unin pn. Tiene dos terminales, uno conectado
a la unin p y otro conectado a la unin n, y un encapsulado que lo protege. Su comportamiento es
idntico al de una unin pn.
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Polarizacion Directa:
Para que un diodo este polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al
nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
que empuja a los huecos a la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae
en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindolos en electrn de valencia. Una vez ocurrido
esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza tomo en tomo hasta llegar al
final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia
de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante.
La figura (a) muestra una fuente de cc aplicada a un diodo. El Terminal positivo de la fuente esta
conectado al material tipo p, y el Terminal negativo al material tipo n. Esta conexin se llama polarizacin
directa. Como recordatorio, debe notarse que el sigo (+) se conecta al lado p y el signo (-) al lado n.
Polarizacin Inversa:
En ste caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la una de carga especial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensin de la batera de la batera, tal y como se explica a continuacin.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar hasta la batera, A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin , adquieren estabilidad(8 electrones en la capa
de valencia) y una carga neta de +1 , con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo d la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos tomos solo tienen 3 electrones de valencia, en lo que una vez han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn falta el
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denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8electrones en
su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.
Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin de cc, se le aplica polarizacin inversa al diodo,
como se indica en la figura (a). Ahora el signo (+) se conecta al lado n y el signo (-) al lado p. Cul es el
efecto de la polarizacin inversa? "el efecto de la polarizacin inversa es que la capa de agotamiento se
ensancha. Cuanto mayor sea la polarizacin inversa, ms ancha es la capa de agotamiento; esta detiene
su crecimiento cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente.
La zona directa
La figura inmediatamente anterior, vista en el apartado anterior, es un circuito que hemos montado en el
laboratorio. Tras conectarlo pudimos medir la tensin en el diodo y la corriente que el atraviesa. Esto nos
permiti obtener valores de V e I con los que posteriormente dibujamos la grfica.
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La grfica corriente-tensin de un diodo ideal Refleja lo que se acaba de decir: resistencia cero con
polarizacin directa y resistencia infinita con polarizacin inversa. A decir verdad, es imposible construir
un dispositivo con esas caractersticas, pero es lo que los fabricantes haran si pudiesen.
Slo existe un dispositivo real que acte como un diodo ideal. Se trata de un interruptor ya que ste tiene
resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un diodo ideal acta
como un interruptor que se cierra al tener polarizacin directa y se abre con polarizacin inversa. En la
figura 1 se resume esta idea del interruptor.
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La tercera aproximacin
En la tercera aproximacin de un diodo se incluye la resistencia interna rB. Despus de que el diodo de
silicio comienza a conducir, la tensin aumenta lineal o proporcionalmente con los aumentos de la
corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensin, al tener que incluirse la cada de tensin
de rB a la tensin total del diodo.
El circuito equivalente para la tercera aproximacin es un interruptor en serie con una barrera de
potencial de 0,7 V y una resistencia rB. Cuando la tensin aplicada es mayor que 0, 7 V, el diodo
conduce. La tensin total en el diodo es igual a:
VD = 0,7 + ID rB
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"encender". Para los niveles de vi menores de 0.7 V el diodo an est en estado de circuito abierto y v0 =
0 V, como indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v0 y vi se encuentra en un nivel
fijo de VT = 0.7 V y v0 = vi - VT, segn se indica en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea
arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje dc.
Rectificacin de onda completa
Puente de diodos
El nivel de CD que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un
proceso que se llama rectificacin de onda completa. La red ms familiar para llevar a cabo tal funcin
con sus cuatro diodos en una configuracin en forma de puente durante el periodo t = 0 a T/2 la
polaridad de la entrada se muestra en la figura para mostrar que D2 y D3 estn conduciendo, en tanto
que D1 y D4 se hallan en estado "apagado". Con su corriente y polaridad indicadas a travs de R.
Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga vo = vi, segn se muestra en la misma figura.
Figura 6-. Rectificador de onda completa para el periodo 0? T/ 2 de voltaje de entrada vi.
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TIPOS DE DIODOS:
Ya hemos visto que un diodo es un dispositivo basado en la unin pn. La unin tiene propiedades, como
la rectificacin, la conduccin en inversa en el voltaje de ruptura y la deteccin y emisin de luz. Todas
estas propiedades se utilizan en la fabricacin de diodos, potenciando una u otras caractersticas segn
sea la funcin del diodo.
Tipos de diodos:
Diodos metal-semiconductor: Los ms antiguos son los de germanio con punta de tungsteno o de oro.
Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en
los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee una capacidad muy
baja, as como una resistencia interna en conduccin que produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v.
El diodo Schottky: es un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor con
algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios
de la dcada de los 70. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran
concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los
nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn,
la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta
notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes. Un
inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus
extremos.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro, de plstico o de vidrio. De configuracin axial.
Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.
Diodo de punta de
germanio
Diodo Schottky
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Diodos rectificadores: Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como
rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C
en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a
esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes,
desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin,
aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas.
En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos
en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que
simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso.
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar.
Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y
en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a
un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los
puentes de diodos integrados.
Diodo rectificador como elemento de proteccin: La desactivacin de un rel provoca una corriente
de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para
su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema.
El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la
que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante.
Diodo rectificador como elemento de proteccin de un diodo led en alterna: El diodo LED cuando
se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo,
cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede
destruirlo.
Diodos zener: Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de
la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad
que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de
zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del
diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que
limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW.
Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.
Diodos led (Light Emitting Diode): Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un
diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color
del diodo.
Color
Tensin en
directo
Infrarrojo
1,3v
Rojo
1,7v
Naranja
2,0v
Amarillo
2,5v
Verde
2,5v
Azul
4,0v
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4. EQUIPOS A USAR
Osciloscopio
Generador de seales
Fuente de tensin variable DC
Protoboard
Multimetro
5. ACTIVIDADES
Experiencia 1
Usando un multimetro, proceda a medir la continuidad en el diodo en un sentido. Luego invierta el
sentido del diodo y proceda a medir la continuidad nuevamente. Anote lo observado
Experiencia 2
Realice el montaje de la figura P-4-1.
Vare poco a poco el voltaje de la fuente y con esos datos llene una tabla.
Invierta la posicin de la fuente (a fin de tomar en cuenta niveles de tensin negativos) y tambin llene
esos datos en la tabla
Experiencia 3
Proceda a realizar el montaje P-4-2
Mida el voltaje de la fuente y su frecuencia sin conectarla.
Mida la seal de salida.
Compare las formas de onda
Experiencia 3
Proceda a realizar el montaje P-4-3
Mida el voltaje de la fuente y su frecuencia sin conectarla.
Mida la seal de salida.
Compare las formas de onda
6. POST-LABORATORIO
Una vez realizados todos los montajes conteste las siguientes preguntas:
A que se debi el desfase obtenido en la ultima experiencia?
Realice la simulacin de los montajes usando el simulador de su preferencia (Circuit Maker, EWB, etc).
Anexe los resultados de la simulacin en su informe de laboratorio. Compare los resultados con los
obtenidos en la practica de laboratorio. Explique a que se debieron estas variaciones.
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