UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

LABORATORIO DE E.POTENCIA I

Fecha: 23/04/2015

CARACTERISTICAS TRANSITORIAS
DE LOS DIODOS
Practica 1
Andreina Santana
asantanaa@est.ups.edu.ec
Geovanny Cumbal
gcumbal@est.ups.edu.ec

RESUMEN: En el presente informe est centrado en el

Los diodos de potencia se caracterizan porque en

estado de conduccin, deben ser capaces de soportar
una alta intensidad con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una
fuerte tensin negativa de nodo con una pequea
intensidad de fugas.

anlisis de operacin correspondiente diodos de

potencia mediante el mismo observar la forma de onda
del tiempo de recuperacin inversa que acta a cada
diodo, e investigar las caractersticas del Diodo de
Potencia, uso del Data Sheet.
PALABRAS CLAVE: amplificador, ganancia, inversor.

1. OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
Estudiar y profundizar verificar las caractersticas
transitorias que presentan diferentes tipos de diodos y
realizar la comparacin.
Fig 1. Recuperacion inversa del diodo.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

El paso del estado de conduccin al de bloqueo

en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo
se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto
mayor sea IF.

Medir y verificar experimentalmente el tiempo de

recuperacin inversa (trr) que presentan los diodos.
Medir el ts (tiempo de almacenamiento),
de cada) para diferentes diodos.

tf (tiempo

Determinar y comparar los valores obtenidos en las

mediciones, con los valores tericos, Mostrar los
tiempos de cada diodo en el osciloscopio.

El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr

y se mide a partir del cruce por cero inicial de la
corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa
mxima, Irr.

2. MARCOTERICO

Trrest formado por los dos componentes esta

generado por el almacenamiento de carga en la regin
de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre
el cruce por cero y la corriente inversa pico, IR.Tb es
debido al almacenamiento de carga en el material del
semiconductor.[1][2]

Uno de los dispositivos ms importantes de los

circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen,
entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en
sentido contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control es invertir el voltaje entre
nodo y ctodo.[1]

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Fecha: 23/04/2015
Tabla1. Resultados Diodo(1N4007)
Medicin
valores

3. MATERIALES Y EQUIPO

trr
ta
tb
Irr

Resistencia 1k, 10
Sondas osciloscopio (puntas)
Osciloscopio
Fuente
Multmetro.
Cables de conexin (bananas, lagartos)
Diodos (Propsito General (1N4007) ,(1N4148),
Schottky, Fred ).

2.72 s
1.76 s
880 ns
70mV

El 1N4007 conduce una corriente mxima de 1

Amperios y soporta una tensin inversa de 1000 Voltios
y es lento. Se utiliza para rectificar a la frecuencia de la
red (50 o 60 Hz).

4. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTO
Medir los tiempos de respuesta para cada diodo y
registrar sus valores.
Comparar los tiempos entre los diodos. Mostrar los
resultados obtenidos y conclusiones de la prctica armar
el circuito de acuerdo a los parmetros indicados por el
diseo.

Fig3 . Diodo(1N4007).

Tabla1. Resultados Diodo(1N4148)

Medicin
valores

trr
ta
tb
Irr

Fig 2. Amplificador Inversor,DC.

Implementar en la prctica el generador de seales,

el cual debe ser configurado una onda cuadrada a una
frecuencia de 4KHz y 22Vpp.

52ns
28 ns
22 ns
940mV

El 1N4148 conduce una corriente mxima de 0,2

Amperios y soporta una tensin inversa de 75 Voltios y
es rpido ya que reacciona en solo 4 nanosegundos (10
elevado a -9).

Se debe colocar las puntas de osciloscopio como lo

muestra la figura 2, el Canal 1(Invertido) y Canal 2 los
cuales tendrn una misma referencia (0v).

5. ANLISIS Y RESULTADOS

Con ayuda del osciloscopio medir:

tiempo de recuperacin inversa
tiempo de almacenamiento
la corriente inversa mxima

Fig3 . Diodo(1N4148).

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Tabla1. Resultados Diodo(Shottly)
Medicin
valores

trr
ta
tb
Irr

6. CONCLUSIONES

46ns
36ns
16 ns
860mV

Los diodos Schottky tienen tiempos de recuperacin

del orden de nanosegundos,mientras los FRED tiene
altas velocidades de conmutacin Se utilizan en aquellas
aplicaciones en que un Schottky no puede soportar la
tensin.
En las figuras podemos ver la forma ms habitual
de definir exactamente ta y tb. La suma de ambos
tiempos se llama tiempo de recuperacin inversa, trr
(reverse recovery time).
Para altas frecuencias, debemos usar diodos de
recuperacin rpida teniendo en cuenta a mayor IRRM
menor trr..
Los regmenes de trabajo para los diodos de
potencia se establecen y expresan en las
recomendaciones del fabricante acerca de las mximas
solicitaciones a que pueden someterse los mismos, sin
hacer peligrar su capacidad de funcionamiento.

Fig3 . Diodo(Shottly)) .

7. RECOMENDACIONES

Tabla1. Resultados Diodo(FRED)

Medicin
valores

trr
ta
tb
Irr

Al polarizar (verificar si su conexin es la correcta

de otro modo interfiere en el desarrollo de la prctica.

64ns
42ns
24ns
V

Verificar que las sondas con las que se encuentre

realizando la prctica se encuentren en buen estado.
Al momento de tomar los valores verificar que se
encuentre midiendo en los puntos correctos.

El tiempo de recuperacin de los diodos normales es

del orden de 10 s o mayores y el de los llamados
diodos rpidos de 30 a 100ns (mayores para diodos con
altas corrientes nominales).

8. REFERENCIAS
[1] Ttulo: CElectrnica de Potencia, Circuitos dispositivos y
aplicaciones, MUHAMMAD H. RASHID,3ED edicin pg. 202Disponibleen:http://books.google.com.ec/books?
id=Xi_t6TlqdtcC&printsec=frontcover&hl=es&source=gbs_ge_summ
ary_r&cad=0#v=onepage&q&f=false

Fig3 . Diodo(FRED).

[2]

ISBN(13): 9788436250350Ttulo: ELECTRNICA GENERAL:

PRCTICAS Y SIMULACIN (1)Autor/es: Castro Gil, Manuel
Alonso ; Carrin Prez, Pedro ; Garca Sevilla, Francisco ; Editorial:
UNED
Disponibleen:
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen
/teoria/tema-5-teoria.pdf

[2]

ISBN(13): 9788436250350Ttulo: ELECTRNICA GENERAL:

PRCTICAS Y SIMULACIN
Disponibleen:
http://www.academia.edu/9290575/MANUAL_DE_PROCEDIMIENT
OS_DE_PR
%C3%81CTICAS_LABORATORIO_CARRERA_SEDE_Electronica_
de_Potencia_Ingenier%C3%ADa_Electr%C3%B3nica