Pontificia Universidad Catolica de Chile

Escuela de Ingenieria / Facultad de Fsica

IEE1133/FIZ1433 Materiales Electricos
Profesor: Luis Morales

Ayudanta 6: Semiconductores Extrnsecos y Juntura p-n

Nicol
as Morales: nvmorale@uc.cl

1.

Problemas

Problema 1: Dependencia de la Conductividad con la Temperatura

Una muestra de Si de tipo n ha sido dopado con atomos de fosforo en una concentracion 1015 cm3 . La energa
de un nivel donor para el f
osforo en el Si es 0.0045 eV bajo el mnimo de la banda de conduccion.
1. Calcule la conductividad a temperatura ambiente de la muestra (e = 1350 104 m2 V 1 s1 ).
2. Estime la temperatura sobre la cual la muestra se comporta como intrnseca.
3. Estime la temperatura sobre la cual todos los donores estan ionizados.
4. Represente esquem
aticamente la dependencia de la concentracion de electrones en la banda de conducci
on en
funci
on de la temperatura (ln n vs 1/T ), y distinga los distintos regmenes termicos.
5. Represente esquem
aticamente la dependencia de la conductividad en funcion de la temperatura (ln vs 1/T .)
Soluci
on Problema 1
1. A temperatura ambiente, el Si se encuentra en el regimen de saturacion extrinseca, luego n = ND . Se tiene
entonces:
= eND e
A T = 300 K, la mobilidad electr
onica es e = 1350 104 m2 V 1 s1 :






= 1.602 1019 C 1 1021 m3 1350 104 m2 V 1 s1 = 21.6 1 m1
2. A T = Ti , la concentraci
on intrnseca iguala a la concentracion de atomos donores ni = ND = 1 1015 cm3 .
A partir de la figura entregada en el enunciado, se tiene que ni = ND para
1000
= 1.9 K 1
Ti
Es decir:
Ti =

1000
= 526 K o 253 C
1.9

3. La ionizaci
on de los donores termina a una cierta temperatura T = Ts cuando todos han sido ionizados,
es decir cuando n = ND . Hemos visto que la concentracion de electrones en el regimen exponencialmente
activado es:
r
ND Nc (Ec ED )/2kB T
e
n=
2
Luego Ts es tal que:
r
ND Nc (Ec ED )/2kB Ts
n(Ts ) = ND =
e
2

Despejando:
Ts =

Ec ED


Nc
kB ln 2N
d

N
otese que no es llegar y evaluar! Nc es funcion de la temperatura, y su valor en T = Ts no es conocido a priori.
Sabemos que a 300 K, Nc = 2.8 1019 cm3 (ver ayudanta anterior). Ademas se sabe Ec ED = 0.045 eV ,
luego una primera aproximaci
on para Ts es:
Ts =

(0.045 eV )(1.602 1019 J/eV )


 = 54.68 K
19 cm3
(1.381 1023 J/K) ln 2.810
21015 cm3

Esto corrige el valor de Nc :

Nc0 = Nc

Ts
300

3/2

= 2.179 1018 cm3

Enseguida podemos encontrar una mejor aproximacion para Ts :

0

Ts =

(0.045 eV )(1.602 1019 J/eV )

 = 74.64 K

18 cm3
(1.381 1023 J/K) ln 2.17910
15
3
210 cm

y corregimos Nc :
0

00

Nc = Nc

Ts
300

!3/2
= 3.475 1018 cm3

Iteramos una vez m

as:
00

Ts =

(0.045 eV )(1.602 1019 J/eV )


 = 69.97 K
18 cm3
(1.381 1023 J/K) ln 3.47510
21015 cm3
00

000

Nc = Nc
Finalmente:
000

Ts =

Ts
300

!3/2
= 3.154 1018 cm3

(0.045 eV )(1.602 1019 J/eV )


 = 70.89 K
18 cm3
(1.381 1023 J/K) ln 3.15410
21015 cm3

Vemos que el cambio en Ts entre 2 iteraciones ya es suficientemente peque

no, y para efectos practicos consideremos que el c
alculo ha convergido. Luego Ts = 70.89 K = 202.1 C
4. Es sabido que se pueden distinguir 3 regmenes en un semiconductor tipo n. Para 0 < T < Ts , la concentraci
on
de electrones se debe exclusivamente a la ionizacion de las impurezas, y la dependencia es dominada por
una exponencial n e(Ec ED )/2kB T . En T = Ts , todos los donores han sido ionizados, y n ND . Para
Ts < T < Ti , la concentraci
on intrnseca es despreciable frente a ND , de forma que n ND = constante en
todo este rango de temperaturas. Es un regimen de saturacion extrnseca. Cuando T = Ti , la concentraci
on
intrnseca ni ND , y a partir de esta temperatura la concentracion intrnseca es dominante y el semiconductor
se comporta como si no estuviera dopado, es decir n eEg /2kb T .
5. La conductividad est
a dada por:
= e (ne + pe )
Salvo en el regimen intrnseco, p << n y
= ene =

ne2
mc

y en el regimen intrnseco, p = n = ni y entonces:

= en (e + p )
generalmente e > p , luego la dependencia de la conductividad esta siempre determinada por el producto
ne . La mobilidad electr
onica a temperaturas bajas crece con la temperatura en la forma T 3/2 (a mayor
2

energa, menor es el scattering coulombiano de los electrones con las impurezas). A temperaturas altas, la
mobilidad disminuye debido a la interaccion entre los electrones y las vibraciones de la red cristalina, y
entonces T 3/2 . Finalmente, se obtiene una variacion de la conductividad con la temperatura cuya forma
se muestra en la siguiente figura.

Problema 2: Propiedades de los Semiconductores

El Silicio y el Germanio son semiconductores cristalinos llamados conductores elementales del grupo IV. Es
posible tener semiconductores que tengan elementos en los grupos III y V. Por ejemplo, el GaAs es un semiconductor donde el Galio es del grupo III y el Arsenico es del grupo V, con lo que en forma de cristal se dice que
tiene una valencia media de IV, y se comporta como semiconductor. Similarmente el GaSb (Antimoniuro de Galio)
es un semiconductor tipo III-V. En general estos se comportaran en forma intrnseca si tenemos un compuesto
estequiometrico. Sin embargo si por ejemplo hay un exceso de antimonio no habra estequiometra y sera un semiconductor extrnseco. Algunos semiconductores pueden ser dopados tanto tipo n como tipo p, pero en general solo
pueden ser dopados de un solo tipo. Por ejemplo el ZnO es un compuesto II-VI, que tiene un gap de energa de 3,2
eV, pero que lamentablemente siempre hay exceso de Zn, es naturalmente un semiconductor tipo n, con lo que no
puede ser dopado tipo p.
1. El antimoniuro de galio: GaSb es un semiconductor con un gap de energa dado por: 0,67 eV, muy similar a la

del germanio. Puede ser usado como LED o como diodo laser. ACual
sera la longitud de onda de la emisi
on
de un GaSb LED, ser
a visible?
2. Calcule la conductividad intrnseca del GaSb a 300K, usando Nc = 2, 3 1019 cm3 y Nv = 6, 1 1019 cm3 ,
e = 5000 cm2 V 1 s1 y h = 1000 cm2 V 1 s1 . Comparela con la conductividad intrnseca del germanio.
y use para esa temperatura
Para calcular la concentraci
on intrnseca utilice el grafico de dependencia de TA
2 1 1
2 1 1
5
e 0, 39 m V s y h 0, 19 m V s . Utilice k = 8, 617 10 eV/K.
3. Exceso de antimonio har
a que el antimoniuro de galio sea no estequiometrico, esto es GaSb1+ , con lo que
ser
a un semiconductor extrnseco. Si se sabe que su densidad es de 5,4 g cm3 , calcule el exceso de antimonio
( = Nd /nSb ) que har
a que que tenga una conductividad de 1001 cm1 . Utilice que la movilidad no se ve
afectada por el dopaje (utilice el de la parte 1). Ademas recuerde que que el GaSb es un cristal en que en
una celda unitaria de lado a hay 4
atomos de Ga y 4 atomos de Sb. Utilice que MGa = 69, 72 g mol1 y
1
MSb = 121, 75 g mol .
Soluci
on Problema 2
1. La longitud de onda vendr
a dada por:
= hc/Eg = 1850 nm
que no es visible.
2. Para el GaSb tenemos que:
ni = (Nc Nv )1/2 exp[Eg /2kT ] = 8, 822 1019 cm3
con lo que la conductividad intrnseca es:
GaSb = eni (e + h ) = 8, 48 1 m1
Para el germanio viendo el gr
afico vemos que aproximadamente a 300K se tiene ni 2, 4 1019 m3 . De donde
se sigue que su conductividad intrnseca viene dada por:
Ge = eni (e + h ) = 2, 23 1 m1
de donde la comparaci
on indica que tienen conductividad parecida, al menos el mismo orden de magnitud.
Lo que concuerda con que en general las conductividades intrnsecas estan fuertemente determinadas por el
gap de energa.

3. Es claro que exceso de antimonio har

a que se vuelva un semiconductor tipo n. Se asume que la movilidad de
los electrones ser
a la misma, adem
as de asumir que al estar dopado tipo n se tendra n = Nd  p. Luego como
n = 100 1 m1 , y n eNd e entonces:
Nd = n /ee = 1, 248 1021  ni
Ahora consideremos la concentraci
on at
omica, es claro que de la celda la densidad viene dada por:


1 4MGa + 4MSb
= 3
a
NA
y la densidad electr
onica aportada por cada celda viene dada aproximadamente:
nSb =

4
4NA
NA
=
=
= 1, 698 1028 m3
3
a
4(MGa + MSb )
MGa + MSb

as:
= Nd /nSb = 7, 35 108

Problema 3: Corriente en Diodo p-n

1. Considere una juntura pn+ de Si, que tiene 1015 aceptores en el lado p y 1019 ((donores)) en el lado n. El tiempo
de recombinaci
on de los portadores minoritarios es e = 490 ns para los electrones en el lado p, y h = 2.5 ns
para los agujeros en el lado n. El
area transversal es 1 mm2 . Asumiento un diodo largo, calcule la corriente I
a traves del diodo a temperatura ambiente, cuando el voltaje V aplicado es de 0.6 V. Cual es el valor de V/I
y de la resistencia diferencial rd del diodo y por que son distintos?
Soluci
on Problema 3
1. Consideremos la temperatura de 300 K, as
usaremos como voltaje termico: kB T /e = 0.025 V. La expresin
general para el largo de difusin es L = D . Donde D es el coeficiente de difusin y la vida media del
portador.
D est
a relacionado con la movilidad del portador seg
un D/ = kB T /e. Por lo tanto, se requiere conocer
para encontrar D y L.
Los electrones se difunden en la zona p, y los hoyos en la zona n, por lo que requerimos e en presencia de
Na aceptores y h en la presencia de Nd donores.
Del gr
afico anterior podemos encontrar los valores de las movilidades para los valores de donores y aceptores
entregadas en el enunciado: e 1350 cm2 V 1 s1 y h 65 cm2 V 1 s1 .
As el coeficiente de difusin ser
a:
De = kB T e /e 34.91 cm2 s1
Dh = kB T h /e 1.681 cm2 s1
La longitud de difusin es entonces:
p
Le = De e 4.14 103 cm
p
Lh = Dh h /e 6.48 105 cm
Para calcular la corriente ((forward)) con V = 0.6 V debemos evaluar ambas componentes: la difusin y la
recombinacin. Es probable que la componente difusiva exceda la de recombinacin con este voltaje directo.
Asumiendo que la corriente directa es debido a la difusin de portadores en zonas neutras:
I = Iso (exp(eV /kB T ) 1) Iso exp(eV /kB T )
Donde
Iso = AJso = Aen2i [Dh /Lh Nd + De /Le Na ] Aen2i De /Le Nd

Ya que Nd  Na . En otras palabras, la corriente es en mayor parte, debida a la difusin de electrones en la

zona p. Usando el valor ni = 1.45 1010 cm3 .
Isoe = 2.840 1012 A
Isoh = 8.738 1016 A
Lo que confirma lo esperado Isoe  Isoh , por lo tanto I = Isoe .
La corriente directa ser
a entonces:
I = Iso [exp(eV /kB T )] 0.0339 A
y por otro lado:
R = V /I = 17.7
Notar que esta no es la verdadera resistencia, sino que V/I en el caso de un aparato no-lineal.
La resistencia diferencial del diodo ser
a:
rd =

dV
= (kT /e)/I = 0.763
dI

Esta definicin es m
as apropiada en un mecanismo no-lineal.

Figura 1: Dependencia de la concentraci

on de electrones v/s la temperatura en un semiconductor tipo n.

Figura 2: Variaci
on de la conductividad v/s la temperatura en un semiconductor tipo n.

Figura 3: Dependencia en la temperatura de la concentracion intrnseca.

Figura 4: Coeficiente de movilidad vs concentracion de dopante