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caractersticas que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical.
Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de
que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1.a, la parte
de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto
que invertir la direccin requerir el empleo de las caractersticas por debajo del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de
operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la
figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la
resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es
(corto circuito)
(circuito abierto)
Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren.
Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos
tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e
cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los
enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor,
mejor podr conducir.
Material Intrnseco
Cristal de Silicio
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco
electrones de valencia, "Pentavalentes".
Material Extrnseco Tipo P
Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres
electrones de valencia.
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador
mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre,
el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion
donador y se representa con un circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el
signo negativo aparece en el ion aceptor.
Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).
- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente
energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores
Mayoritarios).
- Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).
+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace
covalente, el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y
tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn
no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo
13, 20 y/o 21 del libro de texto.
Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y
los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como
resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la
regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el
nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).
- Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material
tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material
tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga
(corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.
Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del doble en
magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada anteriormente, y la
forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los
dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la resistencia
promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en promedio, la resistencia de un
diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd
volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de
esta manera.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado.
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria
para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente
cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente).
Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera
a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro
tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida
es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's,
como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Otros diodos son:
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul
y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
- Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones
pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el
mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de
100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a
10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
1.6 Comportamiento de CC de un
diodo.
ANLISIS POR RECTA DE CARGA
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto importante
sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso el diodo).
V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:
V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos define la recta
de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del modelo
simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy poco.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces s
cambiara mucho el punto Q.
COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para
analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de
CD.
Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo
(Conduccin o No Conduccin). Despus de determinar esto se puede poner en su lugar el
equivalente adecuado y determinar los otros parmetros de la red.
En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para
analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de
CC (Corriente Continua, Corriente Directa).
A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta previos y para el
anlisis de un circuito con diodos:
1.- Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el
Ge.
2.- Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de
cada diodo (conduccin o no conduccin).
3.- Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es conveniente poner en
lugar del diodo, el circuito equivalente adecuado y posteriormente determinar los
otros parmetros de la red.
4.- Hay que tener en cuenta que:
o
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen t volts.
donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:
En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante
letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin
respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica
del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se
aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de
que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado
opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el
dispositivo es unipolar.
OPERACION DEL TRANSISTOR
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura
3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que
desempean los electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin
la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo
polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido
debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios
del material tipo p al tipo n.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se
indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que
slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En
resumen, por tanto:
Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta
polarizacin directa.
En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un
flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 ntense los
anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est
polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un gran nmero
de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente
dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma
directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el
material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero
muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de
la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en
comparacin con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero
de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente
dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 3.5.
La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin
polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en
forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores
minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores
minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto con el hecho
de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la unin
polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo
nodo, obtenemos
IE = I C + I B
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la
base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los
portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 3.5. La componente de
corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC
con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se
determina completamente mediante la ecuacin (3.2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se
mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es
sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones
de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es
posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las
mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al
grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales,
como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE =
IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que
La amplificacin de voltaje es
Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de
50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin
de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es
menor que 1.
La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de
baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el
nombre de transistor, es decir,
transferencia + resistor > transistor
a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta
regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva
para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la
regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada
inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la
configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn puede
emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la
configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 3.14 que
IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de
entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO,
por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la
manipulacin adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO
La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO
Reordenando obtenemos:
Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 uA se le
asignar
la notacin indicada por la ecuacin (3.9):
En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se
muestran con su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin
de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO
En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere una seal de
salida sin distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor
tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin.
La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que
ICEO es por lo general de pequea magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para
propsitos de conmutacin cuando IB = O uA o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores
de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos de
conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando I C = ICBO. Esta
condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando
inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos
cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada
se aproxim por una lnea recta equivalente que result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de
IE mayor de O mA. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma
aproximacin, resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya
nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el
voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la
corriente de base.
Beta( )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y
definida por la siguiente ecuacin:
cd = IC / IB
El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.
Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una
configuracin de emisor comn y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino
amplificacin se incluye en la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas
con anterioridad. Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de = IC/IE tenemos que IE =
IC / Sustituyendo en
IE = I C + IB
IC / = IC + (IC / )
y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en
IC / = 1 + (1 / )
de modo que
encontramos que
ICEO = ( + 1) ICBO
ICEO ICBO
como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente importante porque
proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circu Los de entrada y salida
para una configuracin de emisor comn. Es decir,
IC IB
Y puesto que
IE = I C + IB
= IB + IB
IE = ( + 1) IB
El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este
transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin:
PCmx = VCEIC
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se especific como
de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de
colector especificada por el hecho de que
PCmx = VCEIC = 300 mW
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW.
Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior,
obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW
VCE = 6 V
Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de
disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor
mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
IC = 15 mA
definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de
IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V
como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva real puede
dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto,
entre ms puntos tenga, ms precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente
todo lo que se requiere. La regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin
tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas
hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la
ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de
caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22
asegurar una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no
daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la
hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro
que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:
ICEO IC Icmx
VCEsat VCE VCEmx
VCEIC PCmx
Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente
producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
siguientes. Se har referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual
se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la publicacin
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un
transistor npn de propsito general con el encapsulado y la identificacin de terminales que
aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayora de las hojas de
especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas v
caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se subdividen adems en
caractersticas en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las
caractersticas en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las
caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la operacin de
ca.
Ntese en la lista de valores nominales mximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax = 200 mA.
La mxima disipacin de colectora . = 625 mW. El factor de degradacin bajo los valores
nominales mximos especifica que el valor nominal mximo debe descender 5 mW por cada
grado de incremento en la temperatura sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado
"apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El
nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mnimo
de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuacin
en el formato de la ecuacin (3.17) empleando hFE = 150 (el lmite superior). En realidad, para
muchas aplicaciones, los 7.5 uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una
base aproximada.
Lmites de Operacin
7.5 uA IC 200 mA
0.3 V VCE 30 V
VCEIC 650 mW
En las caractersticas de pequea seal el nivel de hfe ( ca) se proporciona junto con una
grfica de cmo vara con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se
demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE ( ca). A
temperatura ambiente (25C), advirtase que hFE ( cd) tiene un valor mximo de 1 en la
vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa ms all de este nivel, hFE cae
a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. Tambin decae a este nivel si IC disminuye al
nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor
con cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA
habr decado a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE
a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor mximo de hFE a esa temperatura e IC = 8
mA.
travs de RC. Como un breve repaso de la notacin de subndice y doble subndice, recurdese
que
VCE = VC - VE
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a
tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos
VCE = VC
Adems, puesto que
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Tngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la punta
roja (positiva) del voltmetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en la
terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se
mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idnticas, pero en
las redes que se vern ms adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes.
Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones probar ser de suma
importancia en la deteccin de fallas de las redes de transistores.
ICsat = VCC / RC
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector posible para
el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificacin lineal.
Anlisis por recta de carga
Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de correspondiente con el
punto Q
resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el posible rango de
puntos
Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una ecuacin. para
la
salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos variables IC y
VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una ecuacin de red y un
conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos
ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente. En otras
palabras,
esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una establecida por la
red y otra por las caractersticas del dispositivo.
Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura 4.11b. Ahora
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las caractersticas. El
mtodo ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es
empleando el hecho de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor
de 0 mA, estaremos especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un
punto. Al sustituir IC = 0 mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que
VCE = VCC para IC = 0 mA
definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como la
lnea sobre la cual se definir el segundo punto, encontraremos que IC se determina por la
siguiente ecuacin: como aparece en la figura 4.12. La lnea resultante sobre la grfica de la
figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que est definida por el resistor de carga RC.
Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se ilustra
en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve
hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se
mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subir como se representa en la figura4,14. Si IB
es la que se mantiene constante, el punto Q se trasladar como se ilustra en la misma figura.
Si RC se fija y VCC vara, la recta de carga se desplazar como se muestra en la figura 4,15.
y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin
de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado interesante que puede derivarse
de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultara en la
misma ecuacin. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB
resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base
a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor ( + 1).
En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece
como" ( + 1 )RE en la malla de base-emisor. Puesto que es por lo general 50 o ms, el
resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la
configuracin de la figura 4.20.
La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho, proporciona una
manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que
la corriente a travs de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para
el circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms
RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).
Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de voltaje
de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por
V E = IER E
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC
Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de
100% en el valor de . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo despus para el
valor de = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a cerca
del 81% debido al cambio del 100% en . Ntese que el decremento de IB ayuda a mantener
el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en .
Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un diseo
polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la
configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colectoremisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la
figura 4.23:
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto de
la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2)
La red Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se puede
determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las
manecillas del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0
Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a
Aunque inicialmente la ecuacin (4.30) parece distinta de las desarrolladas con anterioridad,
ntese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras
que el denominador es la resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1), en
verdad muy parecido a la ecuacin (4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo
modo que se hizo para la configuracin polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son
tambin las mismas que se obtuvieron para la configuracin polarizada de emisor.
Anlisis aproximado
La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede representarse por
medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R es la resistencia equivalente entre base y
tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada
entre la base y el emisor se define por Ri = ( + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia
R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor
resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximacin de que IB es de
0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en
serie. El voltaje a travs de R2, que es en realidad el voltaje de base, puede determinarse por
medio de la regla del divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin).
Es decir,
VB = R2VCC / (R1 + R2)
Puesto que R1 = ( + 1) RE = RE la condicin que definir si el enfoque aproximado puede
aplicarse ser la siguiente:
RE 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2,
el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez que se
determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir de
VE = VB - VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE
ICQ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC - ICRC - IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC - IC(RC + RE)
Advierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin (4.33) a la ecuacin (4.37), no
aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto
independiente del valor de beta.
Saturacin del transistor
El circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje tiene el
mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la seccin 4.4. La ecuacin
resultante para la corriente de saturacin (cuando VCE se establece a cero voltios en el
diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para la configuracin polarizada de emisor.
Es decir,
ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor resultan en
las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin con divisor de voltaje. La
recta de carga tendr por consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la polarizacin con
divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.
El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie
desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de la recta de carga trazada en la
figura 4.52b. Para nuestros propsitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA
(una excelente aproximacin a la luz de las tcnicas mejoradas de construccin), como se
muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel tpico de
0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe asegurar que la
red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB
que aparece cerca del nivel de saturacin. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El
nivel de saturacin para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se define como
ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin puede
aproximarse mediante la siguiente ecuacin:
IBmx = ICsat / cd
Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la condicin
siguiente:
IB > ICsat / cd
Saturacin Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ICsat / mn
RB = (Vi - 0.7V) mn /ICsat
Saturacin Dura
= 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat
Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga
ICsat = (VCC - Vcarga)/RC
La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo para VBE Sin
embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los valores resultar en el mismo signo
para cada trmino de la ecuacin (4.49), como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin
de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63.
Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por
resultado la siguiente ecuacin:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo enfrente
de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC ser mayor
que la magnitud del trmino siguiente, el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en
un prrafo anterior.
Ejemplo:
Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.6
Solucin
Probando la condicin
RE 10 R2
132 k 100 k (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que
Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante para VB.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice sencillo y
doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE sera exactamente la misma. La nica
diferencia surge cuando se sustituyen los valores. La corriente
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA
Para la malla de colector a emisor:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
Sustituyendo valores, obtenemos
modelos y cmo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en
el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el anlisis que
sigue, considrese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito
equivalente de ca de pequea seal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que slo
nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse
por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que determinan nicamente el nivel de
cd (nivel quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin de
la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd fueron
importantes simplemente para determinar el punto Q de operacin adecuado. Una vez
determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el anlisis de ca de la red. Adems, los
capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvo C3*** se eligieron de modo que
tuvieran una reactancia muy pequea a la frecuencia de aplicacin. Por lo tanto, es posible
tambin reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una trayectoria de
baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de la resistencia
de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito
abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los
niveles de cd y las condiciones de operacin.
La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como
resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector
al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente
del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado
(resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el
teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.
Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo
amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y
el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta
configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia
de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis
que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos
parmetros en las secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene
por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto
circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos
equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido para
completar el anlisis de ca de la red de la figura 7.5
Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Zi se define por la ley de Ohm como se
indica a continuacin:
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del
mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada,
el mismo valor numrico puede utilizarse para modificar los niveles de la seal aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un
transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarizacin
de cd, condiciones que no cambian slo porque la magnitud de la seal aplicada de ca se haya
modificado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a
los medios (normalmente <100 kHz):
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente
resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos
cuantos ohms hasta el orden de los megaohms.
Adems:
No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de pequea seal de
ca puesto que el hmetro opera en modo de cd.
La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un mtodo para
medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha
agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinacin de Ii***
empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multimetro digital (DMM) sensible puede
utilizarse para medir el voltaje Vs y V. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o
valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada
se determina entonces de la siguiente manera:
Ii = (Vs - Vi) / Rsensor
y
Zi = Vi / Ii
.
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las
terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la
impedancia de entrada. Es decir,
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs. dentro
del sistema con la seal aplicada fijada en cero.
En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para
determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con
un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la
siguiente manera:
Io = (V - Vo) / Rsensor
y
Zo = Vo / Io
En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La
impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y
depende de la configuracin y de la colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar
entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2M .
Adems:
Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia
de voltaje con carga.
Ganancia de corriente, Ai
La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida por
Ai = Io / Ii
Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una
cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un
diseo. En general:
Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores
que I y un nivel que puede exceder los 100.
Para la situacin con carga presente de la figura 7.15,
Ii = V i / Z i
y
Io = V o / R L
Ai = -Av(Zi / Ii)
La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir de la
ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.
Relacin de fase
La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una
variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor
tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de
entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por 180.
La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los captulos
siguientes.
Resumen
Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la
impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de
corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia
aplicada para los lmites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de
estos parmetros. En las secciones y captulos siguientes, todos los parmetros se
determinarn para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una
comparacin de las ventajas y desventajas de cada configuracin.