La Teora de Bandas de Energa es una teora explicativa que proporciona una mejor comprensin del enlace

metlico desarrollada a partir de mtodos de laMecnica Cuntica (MC) basada en la teora de los orbitales
moleculares deslocalizados. Es usada para explicar el lustro caracterstico de los metales, su buena conductividad
elctrica y trmica y su maleabilidad.
Una banda consiste de un nmero contable pero cercano a un continum de niveles de energa
Una banda de energa se origina cuando orbitales atmicos (OA) correspondientes a [Unparseable or potentially
dangerous latex formula. Error 1 ] se denomina banda s, si los orbitales p estn disponibles una banda p puede ser
construida a partir del solapamiento entre ellos. Debido a que los orbitales p estn ms altos energticamente que
los orbitales s hay frecuentemente una brecha energtica entre las bandas s y la banda p. No obstante, si las bandas
abarcan un amplio rango de energa y las energa de los orbitales y son similares entonces las dos bandas solapan.
La banda es de igual manera construida por el solapamiento de orbitales .
Para entender como se forma una banda podemos considerar una lnea de tomos, y suponer que cada tomo tiene
un orbital atmico que solapa con el orbital ms cercano. Cuando la lnea est formada solo por tomos se forma
un orbital sigma enlazante (llamado as debido a que los electrones que contiene pasan la mayor parte de su tiempo
en la regin entre los dos ncleos, contribuyendo con ello a mantener enlazados los tomos) que tiene menor
energa que los dos orbitales atmicos sigma y otro orbital antilenlazante; (debido a que cualquier electrn que
contenga no puede ocupar la regin central entre los ncleos atmicos y no pueden contribuir con ello al enlace de
los tomos en la molcula teniendo por ello un nodo entre los ncleos) que tiene ms energa. Cuando un tercer
tomo es aadido hay tres orbitales. Cuanto ms tomos son aadidos, cada uno contribuye con un orbital atmico y
por lo tanto ms OM son formados. As cuando hay <math<n </math> tomos en lnea, hay orbitales moleculares. El
orbital de energa ms bajo no tiene nodos entre los tomos ms cercanos. Mientras que los orbitales de ms
energa tiene un nodo entre cada par de tomos cercanos. Los restantes orbitales tiene sucesivamente nodos
internucleares y el correspondiente rango de energas entre los dos extremos. El ancho de banda permanece finito
aun cuando el nmero n de tomos se aproxime al infinito. Y depende de la fuerza de la interaccin entre los tomo
cercanos.
Las bandas de energa pueden estar totalmente llenas, si el nmero de electrones de valencia es , siendo el nmero
de orbitales de la banda; estar parcialmente ocupada, si el nmero de electrones es menor de ; o vaca cuando la
banda procede de orbitales atmicos no ocupados en el estado fundamental del tomo. Todo ello debido a que se
cumple el Principio de Exclusin de Pauli, por el que cada nivel puede estar ocupado por dos electrones de espn
contrario, y a que los orbitales de las bandas son siempre discretos, si bien muy prximos. Existe superposicin de
bandas correspondientes a diferentes orbitales atmicos. Como ocurre frecuentemente en los metales.
Por ejemplo en el caso del litio, tiene estructura electrnica es , supongamos que se forma un cristal macroscpico
del orden del tomos. Su agregacin mutua habr generado una banda de energa de orbitales moleculares (OM),
a partir de los orbitales atmicos del tipo , puesto que los orbitales estn llenos y daran lugar por lo tanto a otros
OM llenos, que contribuiran poco al enlace de los tomos de litio.
La banda de energa parcialmente llena alcanza al cristal metlico en su conjunto. Como cada OM puede alogar dos
electrones (con espines opuestos), en la banda caben electrones, pero slo se dispone de electrones que
provienen de los orbitales moleculares , lo que da lugar a una banda de energa semivaca. Es la banda de
valencia, formada por los electrones de valencia de los tomos.
Adems como cada tomo tiene tres orbitales atmicos vacos se genera se genera otra banda de energa vaca
con OM. Esta es la banda de conduccin, que se superpone en parte con la energa ms altas de la banda de
valencia para formar un espectro continuo de energas. Esta superposicin de las bandas de de mayor energa es la
situacin que se da en la mayora de los metales.
Por otra parte los OA del litio (con dos electrones cada uno) dan lugar a una banda totalmente ocupada.
La brecha de energa entre la banda parcialmente llena y la banda totalmente ocupada es muy grande, lo que impide
con efectividad la promocin de electrones de una banda a otra ms alta. A estas brechas se las ha dado
llamar zonas de energa prohibidas. En el diamante esta brecha energtica es muy alta de 520 kJ/mol
Si la banda de conduccin no se superpone con la de valencia, los electrones no pueden tener valores de energa en
esas zonas. Cuando estas zonas prohibidas presentan una variacin pequea de energa en el nivel ms alto de la
banda de valencia y el ms bajo en la de conduccin, se trata de una situacin propia de los semiconductores. Un
semiconductor como su nombre indica es un material que riene una conductividad elctrica intermedia entre un
conductor y un aislante. Cuando este incremento de energa es muy elevado, tenemos el caso de los aisladores o
aislantes.
As, un conducto metlico tiene bandas semivacias, un aislante tiene la banda de valencia totalmente llena con una
banda de conduccin totalmente vaca, que estn separadas por un gran gap de energa. En los semiconductores
este gap es ms pequeo, por lo que unos pocos electrones tendrn suficiente energa para saltar el gap y ocupar

los niveles ms altos de la banda de conduccin por lo que la banda de conduccin est parcialmente ocupada con
unos pocos electros y una banda de valencia parcialmente vaca debido a que ahora tiene unos pocos OM no
ocupados.
Los electrones de valencia en un metal tienen a su disposicin, mediante incrementos infinitesimales de energa,
todo el tramo de estados energticos, que incluye media banda de OM de valencia y la banda entera de conduccin,
por lo que la libertad de movimientos en el seno del cristal metlico es muy grande, Esto explica la buena
conductividad de los metales.

Los electrones en un tomo solo toman ciertos valores de energa

discretos.
En un slido cada nivel atmico se junta en muchos niveles de energa
cercanos formando bandas de energa.
De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli solamente dos
electrones (con diferente spin) pueden ocupar un nivel de energa
atmico con un conjunto de nmeros cunticos n, l y m.
2N electrones deben ocupar una banda de energa conteniendo N
niveles de energa. Al igual que en los tomos los niveles de energa
ms bajos se llenan primero y los ms altos quedan vacos, as las
bandas de energa ms bajas son llenados y las bandas de ms alta
energa estn vacas.
Las bandas de energa permitidas estn separadas por estados o
bandas de energa prohibidas.
Las bandas vacas o parcialmente llenas se llaman bandas de
conduccin y las bandas completamente llenas por electrones de
valencia se llaman bandas de valencia.

Bandas de Energa en un Semiconductor Intrnseco

Anteriormente hemos visto que los semiconductores intrnsecos eran aquellos
que no tenan impurezas, esto es, todos son tomos de Si.

Al aplicar el principio de exclusin de Pauli el electrn de energa E1 de un

tomo y el electrn de energa E1 del tomo vecino se han de separar en energa.
Como hay una gran cantidad de tomos aparecen muchos niveles energticos con
una separacin muy pequea, formando la 1 Banda de Energa.
Los electrones de energa E2 se separan en energa formando la 2 Banda de
Energa.
Y as sucesivamente con el resto de energas se van creando Bandas de Energa
(grupos de niveles energticos). El resultado es el siguiente:

Como es difcil sacar un electrn de las bandas inferiores, no nos interesan las 2
bandas inferiores, no las tendremos en cuenta, as tendramos:

Estas 2 bandas son las creadas por los 4 electrones de la ltima rbita del tomo.
A 0 K los 4 electrones de cada tomo estn en la Banda de Valencia (cada uno en
un radio o energa permitido).

BC = Banda de Conduccin
BV = Banda de Valencia
A 300 K (27 C, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algn electrn
puede conseguir suficiente energa como para pasar a la Banda de Conduccin,
dejando as un hueco en la Banda de Valencia.

Recordar que a esto le llambamos Generacin Trmica de Pares electrn librehueco. Cuanto ms aumente la temperatura, ms electrones suben debido a la
generacin trmica.
Por eso un semiconductor a 0 K no conduce y si aumenta la temperatura
conduce ms. Ahora veremos que es lo que ocurre con los semiconductores con
impurezas.

Semiconductores extrnsecos
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificacin (llamadodopaje), consistente en introducir tomos de otros elementos
con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominar semiconductor extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no
aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina stos tomos presentarn un defecto de electrones (para formar los 4
enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de
electrones que no pertenecen a la red cristalina. As, al material tipo P tambin se le
denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor
tipo
N:
Se
emplean
como
impurezas elementos
pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fsforo (P), el Arsnico (As) o
el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los cuales al no
encontrarse enlazados, se movern fcilmente por la red cristalina aumentando su
conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina tambin donador de
electrones.

Los semiconductores son materiales que se pueden comportar

como conductores o comoaislantes en funcin de diversos factores, como
campo elctrico, campo magntico, radiacin, presin o temperatura. Existen dos
tipos, los semiconductores intrnsecos y los semiconductores extrnsencos. Los
semiconductores extrnsecos se obtienen a partir de los intrnsecos y son
imprescindibles en la industria electrnica.

Los semiconductores
Los elementos que se comportan como semiconductores son los siguientes:

Cadmio (Cd)

Aluminio (Al)

Galio (Ga)

Boro (B)

Indio (In)

Silicio (Si)

Carbono (C)

Germanio (Ge)

Fsforo (P)

Arsnico (As)

Antimonio (Sb)

Selenio (Se)

Teluro (Te)

Asufre (S)

El ms utilizado es el Silicio, seguido del germanio y, menos, el azufre. Los

cristales puros de estos elementos se consideran semiconductores
intrnsecos y en ellos se genera una corriente elctrica doble cundo se someten
a un diferencial elctrico.
En la estructura cristalina, los tomos se encuentran unidos entre s mediante
enlaces covalentes en la conocida como banda de valencia. En determinadas
circunstancias, algunos de los electrones pueden absorber la energa necesaria
para escapar de la banda de valencia y pasar a la llamada banda de conduccin.
En la siguiente imagen se esquematiza esta situacin en el Silicio (tetravalente,
cada tomo se une a otros cuatro):

Los electrones que salen dejan un hueco de electrn en la banda de valencia, lo

que favorece la conduccin elctrica. Los electrones libres tambin favorecen la
conduccin elctrica y ambos, electrones y huecos, se denominan portadores. La
energa para que esto ocurra es diferente en cada material. El Si a temperatura
ambiente requiere un diferencial elctrico de 1,12 eV. Esta misma energa es
liberada en el proceso de recombinacin, que es el proceso contrario, cundo un
electrn cae desde la banda de conduccin a la banda de valencia.
Si se mantiene la temperatura constante, llega un momento en el que la
recombinacin y salida de electrones se iguala y la concentracin de electrones en

la banda de conduccin (cargas negativas n) se iguala a la concentracin de

huecos en la banda de valencia (cargas positivas p).
En un semiconductor intrnseco se generan dos corrientes elctricas: una por el
movimiento de electrones en la banda de conduccin y otra por movimientos de
electrones en la banda de valencia que pueden saltar a los huecos prximos. La
corriente en la banda de valencia es contraria al campo elctrico y de intensidad
mucho ms baja que la corriente en la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se obtienen mediante un proceso concoido
como dopaje y que consiste en la introduccin de impurezas (dopantes) de
forma controloda en semiconductores intrnsecos. En funcin del dopante
utilizado se puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores
tipo N (negativos)

Semiconductores extrnsecos tipo N

Los semiconductores extrnsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adicin de
dopantes con ms valencias que el semiconductor intrnseco de partida. En el
caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por
ejemplo fsforo. En cada tomo de fsforo quedar un electrn sin formar
enlace. Este electrn puede saltar a la banda de conduccin pero no deja
ningn hueco, por lo que se dice que estos dopantes son donadores de
electrones y quedarn ms cargas negativas (electrones) en la banda de
conduccin que positivas (huecos) en la banda de valencia.
La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100 aadiendo tan
slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio. En la siguiente imagen
podemos ver un esquema de este tipo de semiconductores:

Semiconductores extrnsecos tipo P

En los que semiconductores extrnsecos tipo P la situacin es la contraria que en
los tipo N. Se utilizan elementos con menos valencias que los semiconductores
intrnsecos de partida. En el caso del Silicio se utilizan dopantes trivalentes, por
ejemplo Boro. Se dice que estos dopantes son aceptores de electrones, pues
quedan huecos en la banda de valencia dnde pueden saltar electrones que
absorban energa en lugar de hacerlo a la banda de conduccin. Se genera un
balance neto de cargas positivas (huecos) en la banda de valencia superior a las
cargas negativas (electrones) en la banda de conduccin.

Aplicaciones
Los semiconductores tienen una infinidad de usos y aplicaciones, por ejemplo, son
imprescindibles en la fabricacin de diodos (entre ellos los LED), dispositivos
electrnicos opaneles solares. Algunos de los semiconductores ms utilizados
son:

Termistores: la conductividad depende de la temperatura

Transductores de presin: la aplicacin de presin a este tipo de semiconductor

provoca que el gap de energa entre banda de conduccin y valencia se estreche y
aumente la conductividad.

Rectificadores (dispositivos de unin del tipo p-n): se unen semiconductores tipo

n y p (unin p-n) y al hacerlo los electrones se concentran en la unin del tipo n y
los huecos en la unin p, este desequilibrio electrnico crea un voltaje en la unin
que se utiliza como rectificador.

Transistores de unin bipolar: estos transistores se utilizan generalmente en

los CPU (unidades de procesamiento central) de ordenadores por la eficiencia
en dar una respuesta rpida a la conmutacin.

Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente

para almacenar informacin en la memoria de los ordenadores.