ELETRNICA INDUSTRIAL

Apresentao
Esta apostila nasceu de uma necessidade que se tinha de explicar e aplicar eletrnica industrial em
uma linguagem simples, sem ir ao encontro de extensas dedues matemticas utilizando clculos
complexos, no estou falando que no utilizaremos clculos, mas clculos bsicos, afinal este um livro
tcnico para tcnicos.
O objetivo aqui exposto, no foi criar um livro de romance sobre eletrnica, mas um livro que
contenha o princpio de funcionamento dos assuntos abordados, e at alguns experimentos para saciar a
vontade de tcnicos e estudantes de por em prtica, implementando assim os seus sonhos de construir um
mundo melhor.
Isac Zilli Rodrigues

O primeiro passo em direo ao sucesso o conhecimento.

Nicola Tesla
2

Sumrio

1 Introduo ................................................................................................................................................ 4
2 - Aplicaes de eletrnica de potencia ....................................................................................................... 5
3 - Diodo ........................................................................................................................................................ 6
4 - Transistor BJT ........................................................................................................................................ 11
5 - Transistor FET ........................................................................................................................................ 14
7 - Tiristor .................................................................................................................................................... 17
7.1 - Tiristor SCR .................................................................................................................................... 18
7.2 - Tiristor TRIAC ................................................................................................................................ 21
8 - Diac ........................................................................................................................................................ 24
9 - Retificadores a tiristor ............................................................................................................................ 25
11 - Soft-Starter ........................................................................................................................................... 30
12 - Inversores ............................................................................................................................................. 31
13 - Dissipadores ......................................................................................................................................... 33
Apndice A .................................................................................................................................................. 37
Laboratrio 1 ........................................................................................................................................... 38
Laboratrio 2 ........................................................................................................................................... 41
Laboratrio 3 ........................................................................................................................................... 43
Laboratrio 4 ........................................................................................................................................... 44
Laboratrio 5 ........................................................................................................................................... 46
Laboratrio 6 ........................................................................................................................................... 47
Laboratrio 7 ........................................................................................................................................... 48
Apendice B .................................................................................................................................................. 49
Cdigo de resistores ................................................................................................................................. 49
Capacitores cermicos ............................................................................................................................. 50
Apndice C .................................................................................................................................................. 53
Osciloscpio ............................................................................................................................................ 53

1 Introduo
A Eletrnica Industrial uma das reas mais novas da Eletrnica. Associa conhecimentos em
diversas reas como controle, instrumentao, circuitos eltricos e diversas outras.
O estudo desta rea possui uma importncia fundamental, pois atravs dos experimentos
possvel visualizar e compreender, consolidando ento conceitos que j foram estudados at ento
teoricamente.
Atravs dos dispositivos semicondutores de potncia associados circuitos eletrnicos discreto,
torna-se possvel acionar e controlar diversos tipos de cargas industriais. Como veremos no decorrer do
livro.
Nesta abordagem consideremos que o estudante j tem uma iniciao ao estudo da eletrnica para
que sejam mais proveitosas as pginas que se sucedem.

2 - Aplicaes de eletrnica de potencia

Controle e acionamentos de mquinas eltricas

Controladores industriais
Combina: Potncia, Eletrnica e Controle
Aplicao de eletrnica de estado slido para controle e converso de energia eltrica
Baseia-se no chaveamento no chaveamento dos semicondutores de potencia
Utiliza semicondutores de potencia e microeletrnica
Controle de sistemas de aquecimento
Controle de luminosidade
Fontes de alimentao

Principais interruptores em eletrnica de potencia

Diodos de potencia
Transistores de potencia (BPT, IGBT)
MOSFETs de potencia
Tiristores (SCR, TRIAC, DIAC)

3 - Diodo
H vrios diodos desenvolvidos especificamente para suportar as demandas de alta potencia e alta
temperatura de algumas aplicaes. O emprego mais freqente de diodos de potencia ocorre no processo
de retificao. A maioria dos diodos de potencia a base de silcio, devido s altas correntes e
temperaturas. Para que flua uma corrente elevada, a rea da juno deve ser maior, reduzindo, assim, a
resistncia do diodo. Se essa resistncia direta fosse muito grande, as perdas I2R seriam excessivas.
As altas temperaturas resultantes do fluxo denso de corrente exigem, na maioria dos casos, que
sejam utilizados dissipadores de calor para escoar o calor do elemento.
Retificador monofsico de meia onda com carga resistiva

Figura 1
Formas de ondas:

Figura 2

Retificador monofsico de onda completa com ponto mdio e em ponte

Figura 3 Ponto mdio

Figura 4 Ponte

A forma de onda para o circuito de ponte mdio

Figura 5
As formas de onda de tenso e corrente so idnticas as do retificador de ponto mdio
Vantagens de retificador de onda completa em relao ao de meia-onda:
A tenso mdia na carga duas vezes maior
A corrente de carga apresenta menor distoro harmnica

Retificador trifsico com ponto mdio

Figura 6
As harmnicas desconsideradas
O valor mdio da tenso :

Figura 7

Retificador trifsico de onda completa ponte de Graetz

Figura 8
O valor mdio da tenso :

Figura 9
o

Cada diodo conduz durante um intervalo igual a 120

Existe sempre dois diodos em conduo, um no grupo positivo e outro no grupo negativo do
conversor

Ocorre uma comutao a cada 60

Associaes em srie e em paralelo

Um conjunto de diodos do mesmo tipo associados em serie apresenta uma capacidade de corrente
direta igual a capacidade de cada unidade. A tenso mxima reversa, entretanto, ser a soma das tenses
mximas reversas individuais. importante que os diodos sejam do mesmo tipo, ou haver uma
distribuio irregular da tenso entre eles, causando a ruptura em um valor inferior a esta soma.

Figura 10 Permanece a mesma I e somam-se V

A montagem de diodos em paralelo costuma ser problemtica, e deve ser substituda por um nico
diodo com maior capacidade de corrente sempre que possvel. Nos diodos associados em paralelo, a
tendncia ser de que aquele com a menor barreira de tenso comecem a conduzir primeiro, assumindo a
maior parte (seno toda) a corrente do circuito. Portanto, no suficiente que os diodos sejam do mesmo
tipo, e preciso que resistores de baixo valor, montados conforme a figura abaixo contrabalance esta
tendncia, permitindo uma diviso quase igual de corrente. O valor destes resistores deve ser tal que
provoque uma queda de tenso de cerca de 0,5V para a corrente mxima do diodo associado. Ou seja,
para diodos de 1A, ser necessria uma resistncia de aproximada 0,5. Note que, alem dos 0,7V
perdidos na barreira de tenso do diodo, outros 0,5V sero perdidos no resistor, com uma dissipao de
calor igual a 0,5 vezes a corrente.

Figura 11 Permanece a mesma V e somam-se as I

Relembrando:
Tipo
Tenso de pico reversa (V)
Tenso RMS reversa (V)
Corrente de sada (A)

1N4001
50
35

1N4002
100
70

1N4003
200
140

1N4004
400
280
1

1N4005
600
420

1N4006
800
560

1N4007
1000
700

Temos tambm:
Tipo
Tenso de pico reversa (V)
Corrente de sada (A)

1N4012
700
12

1N4014
900
12

1N3970
600
50

1N3927
2500
10

1N1189
500
35

Este so apenas alguns diodos de potncia

10

4 - Transistor BJT
Os transistores bipolar de potncia representaram um importante passo no desenvolvimento de
componentes de mdia potncia, atingindo tenses de bloqueio da ordem de 1000V, conduzindo correntes
de 500A. Embora estes valores no permitam sua aplicao direta, estes dispositivos so a base para uma
srie de outros conversores para condicionamento de energia eltrica.
Transistores do tipo NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base,
tendo em mente a corrente real de eltrons, J1 se transforma num diodo diretamente polarizado. Esta
camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica
suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo ento, atrados pelo potencial
positivo do coletor.
A figura abaixo mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas
arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico, necessria
manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no sentido
oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V).

Figura 12 Estrutura bsica de um transistor de potncia

O controle de VBE determina a corrente de base, IB que, por sua vez, se relaciona com IC pelo
ganho de corrente do dispositivo. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do
coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente.
Porem uma das principais limitaes dos transistores bipolares de potncia o baixo valor do
ganho de corrente (muitas vezes inferior a 10) com isto muitas vezes so utilizados estes transistores na
regio de saturao e bloqueio ou como chave.

Figura 13
Para que o transistor opere como chave aberta, necessrio que a tenso de entrada VE seja menor
que VBE de conduo. E para que o transistor opere como chave fechada, preciso que a tenso de
entrada VE seja maior que VBE de conduo.
11

Vamos a um exemplo:
Para dimensionarmos RB e RC, vamos utilizar a analise das malhas:
Entrada: VRB = VCC - VBE
Sada: VRC = VCC - VCE

Figura 14
Parmetros do 2SC5353
VBEsat = 1,3V
VCEsat = 1V
sat = 10
O RC como se fosse a carga a ser controlada, ento para dimensionarmos os resistores de
polarizao temos que definir uma carga, conclumos ento que teremos que calcular na verdade s o RB
j que foi definido que carga teremos que controlar.
O RC definido foi de 800.
Malha de sada:

Malha de entrada:

VRC = VCC VCEsat

VRB = VCC VBE

VRC = 180 1

VRC

=179V

IRC = IC

V
IC = RC IC = 223,7mA
RC
Potencia de RC
2
PRC = RC I Csat
800 x (223,7x10-3)2

PRC = 40W
Podemos ento substituir o resistor por
uma lmpada de 40W/180V.

VRB = 12 1,3 VRB = 10,7V

IC

IB =

IB =

223,7 10 3
IB = 22,37mA
10

RB =

VRB
10,7
RB =
IB
22,73 10 3

RB = 478,3 Valor comercial RB = 470

Potencia de RB
2
PRB = R B I Bsat

PRB = 470 x (22,73x10-3)2

PRB = 235,2mW

(1/4W)

Estes clculos so para o interruptor na posio ligado, quando o interruptor passa para a posio
desligado, a entrada aterrada (VE<VBE) causando o corte do transistor conseqentemente a lmpada ir
apagar.
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre
por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos
de comutao do componente, em outras palavras, os transistores do tipo NPN so mais rpidos do que os
do tipo PNP.
12

Conexo Darlington
Como j mencionado transistores de potncia geralmente tm ganhos menores e precisam
correntes altas na base para a plena conduo. O transistor do exemplo anterior pode exigir 1A para
controlar uma corrente de 3A. Para solucionar este problema, existe um arranjo que chamado de
Darlington esta configurao consiste em conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que o
ganho de corrente de um transistor 1 e o do outro 2 ento o ganho de corrente do arranjo ser igual a
D = 1x2. Outra caracterstica desta configurao conseguir uma alta impedncia de entrada.
Normalmente este tipo de ligao feito em um nico encapsulamento. Neste caso, o valor de ganho
muito grande, e uma corrente bem pequena na base j leva o transistor ao estado de plena conduo. O
nus por esta sensibilidade de corrente baixa de base o fato de que a tenso VBDED maior que em um
transistor normal pois temos que polarizar em vez de um mas dois diodos para que comece a ocorrer a
conduo.

Figura 15 Conexo Darlington.

13

5 - Transistor FET
O surgimento do MOSFET representou um grande avano tecnolgico por ser de fabricao muito
simples ter uma alta impedncia de entrada e baixo rudo, proporcionar integrao em larga escala, isto ,
por ter tamanho reduzido cerca de 20 vezes menos que o transistor bipolar, permitindo assim que um
grande numero de transistores sejam produzidos em um mesmo circuito integrado.
O MOSFET de potencia um semicondutor com capacidade de controle de corrente, por meio de
tenso aplicada entre os terminais gate e source, a exemplo do TBP o transistor FET pode trabalhar com
tenses tambm elevadas na ordem dos 1000V, e correntes em torno de 200A, mas sua principal
vantagem por ser acionado por tenso a sua arquitetura disponibiliza uma elevada velocidade de
chaveamento, tornando-o indicado para as aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).
Para VGS < 0 os eltrons do canal n so repelidos aumentando assim a camada de depleo
prxima da camada xido. Assim, h uma diminuio na rea do canal n (estrangulamento), sendo
estabelecida uma alta resistncia RDS. Deste modo, no h circulao de corrente IDS. Para IDS igual a
zero, a tenso VGS chamada de tenso de estrangulamento (pinch-off) VP. Para VGS > 0 o canal n tornase largo, reduzindo drasticamente a resistncia RDS sendo assim, estabelecida a corrente IDS. O MOSFET
com canal p tem a s polaridades das tenses e correntes invertidas.

Figura 16
Estrutura bsica de transistor MOSFET.
Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de
entrada do transistor desta forma o melhor modo de polarizao de um FET empregando uma fonte de
baixa impedncia de sada, j que temos na estrutura do gate uma capacitncia parasita gate-fonte CGS que
inerente ao componente, desta forma no existe meios de minimiz-lo.
Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade
de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.
Abaixo temos um exemplo de polarizao de gate de baixa impedncia, tambm ter que utilizar
fonte de pulsos de baixa impedncia, como foi dito antes.

Figura 17
14

Outra forma de obter um circuito de disparo o demonstrado abaixo, porem importante notar
nesta situao que estamos atrelados a transistores bipolares, no sendo aconselhvel a altas freqncias,
ou pelo menos dar uma olhada no datasheet dos transistores que sero utilizados, com ateno a
freqncia mxima de trabalho.

Figura 18
Este circuito nada mais do que um gate driver que pode se fazer com componentes discretos ou
com auxilio de CIs fabricados especialmente para isto, a sada pode ser para um MOSFET ou para vrios
deles. Isto mais fcil de verificar em IGBTs que ser estudado em seguida.

15

6 Transistor IGBT
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as
pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento superior dos transistores
bipolares. Os limites atuais de tenso e corrente em dispositivos nicos esto em torno de 2kV e 1000A, o
que indica que tal componente pode ser utilizado em aplicaes de potncia.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao
entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso.
O IGBT possui uma corrente mxima que no deve ser ultrapassada, se isso ocorrer, no se
consegue cortar o IGBT retirando a tenso do Gate. A corrente fluir pelo dreno sem controle, e isso
poder danificar o componente. Esse fato conhecido por LatchUp.
Princpio de funcionamento
A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o
coletor do IGBT, como mostrado na figura abaixo.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua
condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez
que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em
comparao a um MOSFET similar.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao
reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas
quando polarizado reversamente.

Figura 19 Estrutura bsica de IGBT.

A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma
vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem
dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo
encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do
que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo
com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga
acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do
componente.

16

7 - Tiristor
O tiristor e o SCR so facilmente confundidos pois esto relacionados ao mesmo componente.
Tiristor o nome de uma famlia de componentes da qual o SCR faz parte. O SCR um diodo
controlado, muito utilizado em equipamentos de controle industrial que iremos ver detalhadamente mais
tarde.
Funcionamento de uma forma geral
O tiristor um dispositivo semicondutor de quatro camadas, de estrutura PNPN, com trs junes
PN. Tem trs terminais: Anodo, Catodo e Gatilho. Os terminais anodo e catodo quando polarizados
diretamente, s comeam a conduzir se receber um comando no terminal gatilho. Uma vez conduzindo
ele se comportara como um diodo em conduo e no h controle sobre o dispositivo.
Desligamento
A corrente de anodo conservada abaixo da corrente de manuteno por um tempo suficiente
grande, de forma que todos os portadores em excesso nas quatro camadas sejam eliminados ou
recombinados.
Alguns tpicos que devem ser levado em considerao em projeto de circuitos de controle de
gatilho
1- O sinal de gatilho deve ser retirado aps o disparo do tiristor. Um sinal contnuo aumentaria a
perda de potencia na juno do gatilho.
2- Enquanto o tiristor estiver reversamente polarizado, no devera haver sinal de gatilho. De
outra forma o tiristor poderia falhar devido a um aumento de corrente de fuga.
3- A largura do pulso de gatilho IG tem que ser maior que o tempo necessrio para a corrente do
anodo crescer at o valor da corrente de manuteno IH. Na prtica, a largura do pulso no
tiristor TON.
Tipos de Tiristores
Tiristor de controle de fase SCR
Tiristor triodo bidirecional TRIAC
Tiristor de desligamento pelo gatilho, GTO;
Tiristor de conduo reversa, RCT;
Tiristor de induo esttica, SITH;
Tiristor de desligamento auxiliado pelo gatilho, GATT;
Retificador controlado de silcio, controlado por luz, LASCR;
Tiristores controlados por MOS, MCTs
Converso e o controle de grandes quantidades de potencia em sistemas CC e CA, utilizando apenas
uma pequena potencia para controle, pois, apresenta chaveamento rpido, pequeno porte e altos valores
de corrente e tenso.
Algumas exemplos de aplicaes

Controle de reles e motores

Fontes de tenso regulada
Inversores CC-CA
Controle de iluminao

17

7.1 - Tiristor SCR

Smbolo
O SCR um dispositivo semicondutor de quatro camadas, de estrutura PNPN , com trs junes
PN. Ele tem trs terminais: anodo, catodo e gatilho como visto na figura abaixo.

Figura 20
O SCR, tal como um diodo, s conduz corrente no sentido do anodo para o catodo, mas apenas
quando lhe aplicamos um sinal de tenso no terminal chamado gatilho, este mtodo de disparo o mais
utilizado para se disparar o SCR. Mas existem outras formas de disparo, normalmente indesejado e em
alguns casos podem destruir o componente.

Disparo por sobretenso: Quando o SCR est polarizado diretamente e aumenta-se a tenso VAK,
J1 e J3 esto polarizados diretamente, mas J2 est reversamente polarizado veja a figura acima. Com o
aumento de VAK, os portadores so acelerados na juno J2, podendo atingir uma energia to grande que
provocaro o fenmeno avalanche. Esse fenmeno faz com que muitos eltrons choquem-se e saiam das
orbitas dos tomos da rede. Estando disponveis para a conduo, esses eltrons permitem que a corrente
de anodo cresa. Aumentando a corrente de anodo, estabelece-se a realimentao entre os terminais,
mantendo o SCR disparado. Este tipo de disparo chamado de Tenso de Breakover (VBO).
Disparo por variao de tenso (dv/dt): Para que um capacitor armazene carga eltrica
necessrio haver uma variao de tenso(v) no capacitor em um intervalo de tempo (t), necessrio
que circule ainda uma corrente i pelo capacitor, quando estas variaes so muito pequenas a expresso
que relaciona estas grandezas apresentada abaixo.
dv
i=C
dt
Em um SCR polarizado diretamente, J2 est reversamente polarizado. Nesta juno, existe carga
armazenada: ons positivos de um lado e ons negativos do outro. Isto como um capacitor carregado.
Assim no havendo pulso no gatilho, fechando-se S1 a capacitncia de J2 far com que circule uma
corrente de gatilho. Como esta variao muito grande, a corrente resultante ser muito grande. Essa
18

corrente poder ser suficiente para estabelecer o processo de realimentao, fazendo com que o
componente entre em conduo.

Figura 21
Esse disparo, normalmente indesejado, pode ser evitado pela ao de um circuito de proteo
chamado snubber, esse circuito formado por um resistor em serie com um capacitor, colocados em
paralelo com o SCR.

Figura 22 Circuito snubber colocado em paralelo com o SCR

Os mtodos de comutao ou de bloqueio de um SCR, significa cortar a corrente que ele conduz e
impedir que ele retorne a conduo. A comutao estar completa, quando a corrente no sentido direto for
anulado e a reaplicao de tenso direta, entre os terminais catodo e anodo, no provocarem o retorno do
estado de conduo.
A comutao natural ocorre quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de IH,
chamada corrente de manuteno (holding current), o SCR bloqueado. Este bloqueio pode ser visto
melhor na figura abaixo. Com S2 aberto mesmo com S1 fechado, o SCR est bloqueado, pois no h
corrente no gatilho. Fechando S2, pelo R circula uma corrente de gatilho, que suficiente para disparar o
SCR. Abrindo ento S1 a corrente na lmpada anula-se e o SCR bloqueia. Outro modo de obter a
comutao natural seria trocar a fonte de tenso continua por uma tenso alternada porem o SCR
conduziria somente no semi-ciclo positivo, no havendo fluxo de corrente no semi-ciclo negativo.

Figura 23 Mtodo mais utilizado

19

H tambm um outro mtodo chamado comutao forada mais usual em circuitos CC, a tcnica
consiste em desviar a corrente por um caminho de menor impedncia, a corrente que passa pelo SCR ir
cair abaixo de IH, provocando o bloqueio. Como podemos ver no circuito abaixo.

Figura 24
Com todas as chaves abertas, o SCR est bloqueado e a lmpada est apagada. Fechando-se a
CH1, o circuito da lmpada e do SCR estar energizado. Como no h corrente no gatilho, o SCR
continuar bloqueado a lmpada apagada.
Quando S2 fechar, circulara pelo resistor uma corrente suficiente para alimentar o gatilho do SCR,
que disparara e acender a lmpada. Com a lmpada acesa, S2 pode se novamente aberta, sem que o SCR
bloqueie e a lmpada se apague.
Agora fechando S3, naturalmente a lmpada no se apagara, pois a chave curto-circuitar o SCR
ficando a lmpada alimentada diretamente pela tenso da fonte. Como o SCR real no um curtocircuito, toda a corrente da lmpada ira passar por S3 e a corrente do SCR cair zero, o SCR ento ira
bloquear.
Com o SCR bloqueado, abrindo-se a chave S3, a lmpada apagara. Assim, s ser outra vez acessa
se S2, for novamente fechada, provocando a corrente de gatilho no SCR.
Mas tambm pode-se utilizar o SCR em tenso alternada no s em tenso contnua, abaixo temos
um exemplo de circuito com sua forma de onda.

20

7.2 - Tiristor TRIAC

Smbolo
O Triac um dispositivo de 5 camadas, tendo 2 caminhos P-N-P-N em ambos os sentidos entre o
MT1 e MT2 e podendo conduzir nos dois sentidos, como nos mostra claramente o seu smbolo.
Eletricamente o Triac equivale a ligao de dois SCRs em antiparalelo e os terminais de gatilho ligados
juntos.
O Triac pode ser levado a conduo pela aplicao de uma corrente positiva ou negativa no
gatilho, embora seja mais sensvel a aplicao de uma corrente positiva, quando MT2 positivo e de uma
corrente negativa quando MT1 positivo.
Um TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos e normalmente utilizado em controle de fase
CA. Ele pode ser considerado como dois SCR conectados em antiparalelo com uma conexo de gatilho
comum, como mostrado na figura abaixo.

Como o TRIAC um dispositivo bidirecional, seus terminais no podem ser designados como
catodo e anodo. Se o terminal MT2 for positivo em relao ao terminal MT1, o TRIAC pode ser
disparado pela aplicao de um sinal positivo entre os terminais de gatilho G e MT1. Se o terminal MT2
for negativo em relao a MT1, ele pode ser disparado pela aplicao de um sinal negativo entre o gatilho
G e MT1. No necessrio que se tenham ambas as polaridades do sinal de gatilho, pois um TRIAC pode
ser disparado com um sinal tanto positivo quanto negativo. Na prtica as sensibilidades variam de um
quadrante para outro e os triacs normalmente so operados no I quadrante (tenso e correntes de gatilho
positivas) ou no quadrante III (tenses e correntes de gatilho negativas) como visto na curva
caracterstica abaixo.

a) Quadrante I; VMT2 positivo e IG positivo.

b) Quadrante II; VMT2 negativo e IG positivo.
c) Quadrante III; VMT2 negativo e IG negativo.
d) Quadrante IV; VMT2 positivo e IG negativo.
21

Ento pode-se dizer que o triac pode fazer o controle de fase em uma carga como no circuito
abaixo.

Variando o potencimetro R2 podemos disparar o triac em vrios ngulos da onda como demonstra o
grfico abaixo.

Porem com este circuito impossvel efetuar disparos alm dos 90 em cada semi-ciclo, por
exemplo, se desejarmos disparar em 25 que a tenso instantnea de Vx, e o potencimetro est ajustado
com este valor de tenso de rede, se utilizar o mesmo raciocnio para disparar em 155 a tenso
instantnea ser a mesma, conseqentemente ter a mesmo ajuste do potencimetro, que e ir disparar em
25 e no em 155.
A figura abaixo ajuda esclarecer este raciocnio.

Ento para resolvermos a limitao no ngulo de disparo menor ou igual a 90 associarmos com
os resistores j existentes um capacitor como no circuito abaixo, formando ento uma rede defasadora.

22

O valor desta defasagem dada pela equao =(R1+R2)C. Variando R2, consegue-se
variar o angula de disparo do Triac. Porem como o capacitor nem sempre se carrega apartir de
uma tenso fixa no se tem uma regularidade no disparo.
Para resolvermos este problema estudaremos o Diac na seqncia.

23

8 - Diac
Os diacs so diodos de disparo bidirecional, composto por trs camadas (PNP) com a simples
funo de disparar tiristores. Sua construo assemelha-se a de um transistor bipolar, porm difere na
dopagem do cristal N.
Seu funcionamento simples: Para passar do estado de bloqueio para o estado de conduo,
preciso ultrapassar a tenso de ruptura (VR), rompendo assim, a juno polarizada inversamente, podendo
a corrente fluir em ambos sentidos.
Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tenso por alguns instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tenso de referncia chegar a certo valor.

24

9 - Retificadores a tiristor
A estrutura bsica de retificadores controlado consiste na mesma metodologia vista anteriormente com diodos, porem
com esta estrutura somente os semiciclos positivos da fonte de alimentao, sero aplicados na carga quando os SCRs forem
disparados. J os semiciclos negativos so omitidos, como j estudado anteriormente. Agora temos um circuito de controle dos
gatilhos dos SCRs mais requintado podendo fazer o controle entre 0 a 180.
Vamos dar exemplos de montagem dos circuitos para que seja melhor entendido

Retificador monofsico de meia onda

Retificador monofsico de onda completa com ponto mdio

Retificador monofsico em ponte completa

25

Retificador semi-controlado ou em ponte mista

Retificador trifsico de meia onda

Retificador trifsico de onda completa (Ponte de Graetz)

26

10 - PWM
Para comearmos o estudo do PWM, que vem do ingls Pulse Width Modulation, ou seja, modulao
por largura de pulso, temos que ter alguns pr-requisitos em mente. Uma maneira tradicional de se
controlar a potencia de uma carga atravs de um potencimetro ou reostato em srie com a carga,
conforme mostra a figura abaixo, este tipo de controle denominada linear.

Variando-se a resistncia do potencimetro pode-se modificar a corrente na carga e, portanto, a

potncia aplicada a ela.
A grande desvantagem deste tipo de controle, que a queda de tenso multiplicada pela corrente
no R em srie representa uma potencia na forma de calor. Conforme o ajuste deste, o controle passa a
dissipar mais potencia que a carga.
O R tem de ser capaz de dissipar esta potencia, sendo assim o seu tamanho fsico cresce
proporcionalmente com a sua potencia, tornando-se caro. Embora este controle seja at intuitivo porem
no muito inteligente , no que diz respeito de desperdcio de energia
Consideremos ento o mesmo circuito, s trocamos o controle, como podemos ver no desenho
abaixo.

Consideremos ainda que esta chave tem uma ao muito rpida Quando o interruptor est aberto
no h corrente na carga e a potncia aplicada nula. No instante em que o interruptor fechado, a carga
recebe a tenso total da fonte e a potncia aplicada mxima.
Ento para termos uma potencia de 50% , a idia deixarmos um tempo x com a chave ligada e o
mesmo tempo com a chave desligada. Isso significa que, em mdia, teremos metade do tempo com
corrente e metade do tempo sem corrente, concluindo que a potencia ficar em 50%.

27

A potncia mdia e, portanto, a prpria tenso mdia aplicada carga neste caso 50% da tenso
de entrada.
Veja que o interruptor fechado pode definir uma largura de pulso pelo tempo em que ele fica nesta
condio, e um intervalo entre pulsos pelo tempo em que ele fica aberto. Os dois tempos juntos definem o
perodo e, portanto, uma frequncia de controle.
A relao entre o tempo em que temos o pulso e a durao de um ciclo completo de operao do
interruptor nos define ainda o ciclo ativo, conforme mostrado na figura 5.

Variando-se a largura do pulso e tambm o intervalo de modo a termos ciclos ativos diferentes,
podemos controlar a potncia mdia aplicada a uma carga. Assim, quando a largura do pulso varia de zero
at o mximo, a potncia tambm varia na mesma proporo, conforme est indicado na figura 6.

Este princpio usado justamente no controle PWM: modulamos (variamos) a largura do pulso de
modo a controlar o ciclo ativo do sinal aplicado a uma carga e, com isso, a potncia aplicada a ela.
Na prtica, substitumos o interruptor por algum dispositivo de estado slido que possa abrir e
fechar o circuito rapidamente como, por exemplo, um transistor bipolar, um FET de potncia, um IGBT
ou at mesmo um SCR.
A este dispositivo ento ligado um oscilador que possa ter seu ciclo ativo controlado numa
grande faixa de valores. Na prtica, difcil chegar durao zero do pulso e 100%, j que isso
implicaria na parada do oscilador, mas podemos chegar bem perto disso.
Na operao de um controle por PWM existem diversas vantagens a serem consideradas e alguns
pontos para os quais o projetista deve ficar atento para no jogar fora estas vantagens.
Na condio de aberto, nenhuma corrente circula pelo dispositivo de controle e, portanto, sua
dissipao nula. Na condio de fechado, teoricamente, se ele apresenta uma resistncia nula, a queda
de tenso nula, e ele no dissipa tambm nenhuma potncia.
Isso significa que, na teoria, os controles PWM no dissipam potncia alguma e, portanto,
consistem em solues ideais para este tipo de aplicao.
Na prtica, entretanto, isso no ocorre. Em primeiro lugar, os dispositivos usados no controle no
so capazes de abrir e fechar o circuito num tempo infinitamente pequeno. Eles precisam de um tempo
para mudar de estado e, neste intervalo de tempo, sua resistncia sobe de um valor muito pequeno at
infinito e vice-versa, numa curva de comutao semelhante a mostrada na figura 10.
28

Neste intervalo de tempo a queda de tenso e a corrente atravs do dispositivo no so nulas, e

uma boa quantidade de calor poder ser gerada conforme a carga controlada. Dependendo da frequncia
de controle e da resposta do dispositivo usado, uma boa quantidade de calor poder ser gerada neste
processo de comutao.
Entretanto, mesmo com este problema, a potncia gerada num controle PWM ainda muito menor
do que num circuito de controle linear equivalente. Transistores de comutao rpidos, FETs de potncia,
e outros componentes de chaveamento podem ser suficientemente rpidos para permitir que projetos de
controles de potncias elevadas sejam implementados sem a necessidade de grandes dissipadores de calor
ou que tenham problemas de perdas de energia por gerao de calor que possam ser preocupantes.
O segundo problema que poder surgir vem justamente do fato de que os transistores de efeito de
campo ou bipolares usados em comutao no se comportam como resistncias nulas, quando saturados.
Os transistores bipolares podem apresentar uma queda de tenso de at alguns volts quando saturados, o
mesmo ocorrendo com os FETs.

29

11 - Soft-Starter
Soft start um dispositivo eletrnico composto de pontes tiristorizadas a fim de controlar a
corrente de partida de motores de corrente alternada trifsicos, o controle da tenso reduzida feita
ajustando-se o ngulo de disparo de um par de SCRs dispostos em antiparalelo em cada fase do motor. A
medida que a tenso vai aumentando a corrente aumenta para acelerar a carga de uma maneira suave e
sem degraus. Seu uso comum em bombas centrfugas, ventiladores, e motores de elevada potncia cuja
aplicao no exija a variao de velocidade.
A vantagem desta tcnica sobre as alternativas de custo baixo a possibilidade de ajustarmos o
torque do motor as necessidades de torque da carga.

30

12 - Inversores
Introduo
A obteno de uma tenso alternada a partir de uma fonte CC muitas vezes necessria para a
alimentao de diversas cargas.
Os conversores que realizam a transformao CC-CA so chamados de inversores. Como exemplos de
aplicaes pode-se citar o controle de velocidade de motores de corrente alternada, fontes de alimentao
ininterrupta (no-break) entre varias outras aplicaes.
Qualquer sistema no qual o fornecimento da energia eltrica no pode ser interrompido deve
prever uma fonte de emergncia para supri-lo. Quando a potncia instalada muito grande tem-se, em
geral, um sistema de acionamento imediato, alimentado a partir de baterias, e um sistema motor-gerador
que, por necessitar de alguns minutos para estar em condies ideais de operao, no pode ser usado de
imediato. Tal arranjo usado, por exemplo, em centrais telefnicas, hospitais, etc.
Topologias Bsicas
Inversor Monofsico em Ponte
A estrutura do inversos monofsico em ponte alimentando carga resistiva, est representado na
Figura abaixo.

As formas de onda de interesse so apresentadas na figura abaixo. Com S1 e S4 em conduo, a

tenso na carga igual a E, quando S2 e S3 esto em conduo, ela torna-se igual a -E.

Quando a carga for indutiva, devem ser adicionados a estrutura do circuito mostrado acima os
diodos de circulao D1, D2, D3 e D4, como indica a figura abaixo. Observe que com carga indutiva a
fonte E deve ser reversvel em corrente.

31

Etapas de funcionamento do inversor em ponte alimentando carga indutiva.

Inversor Monofsico em Ponto Mdio

Este circuito representado na figura abaixo, emprega apenas um brao, sendo desse modo mais
simples de ser comandado que o inversor em ponte, porem a sua desvantagem a tenso de sada ser a
metade.

Inversor Monofsico em Ponte.

32

13 - Dissipadores
A circulao de corrente eltrica por qualquer elemento provoca uma dissipao de potncia igual ao
produto do quadrado da corrente pela resistncia do circuito. O objetivo estabelecer critrios para o
dimensionamento de sistemas de dissipao do calor produzido por componentes eletrnicos,
especialmente semicondutores de potncia (diodos,transistores, tiristores, etc.), buscando a proteo de
tais componentes, tendo como meta fundamental a elevada confiabilidade dos equipamentos nos quais os
dispositivos so empregados. Deve-se buscar reduo de volume, peso e custos.

Clculo da Potncia Dissipada

O clculo da potncia dissipada deve ser feito, via de regra, pelo produto da tenso pela corrente sobre o
dispositivo em questo.

Comportamento em regime permanente: potncia mdia

Nos dispositivos semicondutores de potncia o calor decorrente do efeito Joule produzido na pastilha
semicondutora, fluindo da para ambientes mais frios, como o encapsulamento do dispositivo e o
ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o gradiente de temperatura e as caractersticas
trmicas dos meios e materiais envolvidos.
Define-se a grandeza resistncia trmica como uma medida da dificuldade do fluxo de calor entre 2
meios:
T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor
P: potncia mdia dissipada
h: coeficiente de transferncia de calor
A: rea envolvida na transferncia de calor

33

ANALOGIA COM CIRCUITO ELTRICO

Em geral, se faz uma analogia com um circuito eltrico, sendo a potncia mdia representada por uma
fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes indicados (juno, cpsula, ambiente) so anlogas s
tenses nos respectivos ns, enquanto as resistncias trmicas so as prprias resistncias do modelo.

Tj=Temperatura da juno;
Rtjc=Resistncia trmica entre juno e encapsulamento;
Tc=temperatura do encapsulamento;
Rtca=Resist. Term. Entre encapsulamento e ambiente;
Rtcd=Resist. Entre encapsulament e dissipador;
Rtda=Resist. Trmica entre dissipador e ambiente;
Partindo do anlogo eltrico chegamos a seguinte equao tpica:
Tj = Ta + P . (Rtjc + Rtca)
Exemplo 1:
P = 20 W
Rtjc = 2C/W
Rtca = 10C/W
Ta = 40C
Tjmax = 120C
Tc = Ta + P . Rtca = 240C
Tj = Tc + P . Rtjc = 280C

Dissipadores de calor
Considerando que no seja possvel reduzir a potncia mdia dissipada, a alternativa
para a proteo do semicondutor colocar um dispositivo de baixa resistncia trmica entre o
encapsulamento e o ambiente. A este elemento colocado junto ao
encapsulamento se diz dissipador de calor.
Caractersticas dos dissipadores
As principais caractersticas esto relacionadas com:
dimenses e, especialmente sua superfcie de contato com o ambiente.
Em geral estes dispositivos so construdos em alumnio dada sua boa condutividade trmica (condio
indispensvel), baixo custo e peso. A figura mostra perfis tpicos de dissipadores. A utilizao de grande
nmero de aletas para aumentar a rea de troca de calor. A resistncia trmica para uma placa plana
quadrada pode ser aproximadamente dada por:

: condutncia trmica (a 77o C) [W/(oC.cm)]

W: espessura do dissipador [mm]
34

A: rea do dissipador [cm2]

Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie
Na tabela abaixo so dados alguns valores para os coeficientes da frmula:

O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical horizontal por
criar um efeito chamin. Dissipadores pretos so melhores irradiadores de calor que aqueles com
superfcie brilhante.
Comportamento em regime transitrio: potncia de pico
Quando a potncia dissipada no semicondutor consiste de pulsos de potncia preciso verificar a
proteo do componente em relao aos picos de dissipao. Durante a ocorrncia do pico de potncia
ocorre a elevao da temperatura da juno embora no ocorra variao nas temperaturas do
encapsulamento e do dissipador (que dependem da potncia mdia) devido maior capacidade trmica da
cpsula e especialmente do dissipador.
Tal capacidade trmica relaciona-se com o tipo de material utilizado e seu volume. Na analogia eltrica
utilizada anteriormente ela se comporta como uma capacitncia. O clculo da temperatura da juno em
tal regime transitrio feito utilizando uma grandeza chamada impedncia trmica Ztjc. que leva em
considerao a capacidade trmica da juno.
Exemplo 2:
Rtjc = 2 C/W
Rtca = 5 C/W
Rtcd = 2 C/W
Rtda = 3 C/W
Ztjc = 0,05 C/W
Tjmax = 150 C
Ta = 40 C
P = 20W
Pp = 1000W

Tj = 130 oC (o componente est protegido em relao potncia mdia)

Tc = 90 oC
Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140 oC
Clculo dos Dissipadores
A temperatura de trabalho da juno deve ser 20% a 30% menor que seu valor mximo,
para permitir a proteo do componente sem super-dimensionar o dissipador.
Para ambientes nos quais no se faa um controle rgido da temperatura deve-se usar uma
temperatura ambiente de 40oC
Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se
elevar acima dos 40oC deve-se considerar sempre a mxima temperatura do ar com o qual
o dissipador troca calor. conveniente, falta de maiores informaes utilizar o valor de
40oC e verificar aps a entrada em operao do prottipo a verdadeira temperatura ambiente.

35

 Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e no

desconsiderar suas resistncias trmicas.
O emprego de pastas trmicas sempre recomendado e se deve considerar tambm sua
resistncia trmica.

b) No transitrio:

36

Apndice A

37

Laboratrio 1

Diodo
Ache os componentes em sucatas e monte o circuito abaixo em placa de circuito impresso
corroda.
Lista de material:
4 Diodos 1N4007
2 Capacitores 330uF/200V
2 Resistores 150K 1/8W
1 Suporte p/ lmpada
1 Lmpada 40W/220V
1 Conector p/ placa de 2 bornes
6 Chaves HH
1 Rabicho com plugue
Placa p/ circuito impresso virgem (fibra, fenolite, perfurada)
Caneta retro projetor ou esmalte p/ unhas
Palha de ao ou acetona e pedao de pano
Soluo de percloreto de ferro
Estanho em fio
Obs.: Colocar o seu nome no lado do cobre a caneta ou esmalte antes da corroso.

Montado na placa o circuito acima e testado fazer os seguintes exerccios:

1 Com o interruptor Ch7 ligado, os interruptores Ch3, Ch4, Ch5 e Ch6 desligados e os
interruptores Ch1 e Ch2 na posio 1 faa a seguinte medida: mea com o osciloscpio colocando a garra
jacar onde aparece o GND e o pina no ponto 1, de forma que aparea somente o semi-ciclo positivo na
tela, tambm reproduza abaixo a forma de onda encontrada e registre onde a posio do zero.
O aparelho ajustado da seguinte forma:
O boto de tempo/diviso em 5mS
O boto tenso/diviso ajustado em 5V
A ponteira ajustada em X10
38

2 Permanecendo o interruptor Ch7 ligado, Ch5 e Ch6 desligados, porm Ch1 e Ch2 na posio 2
e Ch3 e Ch4 ligados faa novamente a medida e reproduza na tela abaixo a forma de onda.

3 - Permanecendo o interruptor Ch7 ligado, Ch3, Ch4, Ch5 e Ch6 agora ligados, e Ch1 e Ch2 na
posio 2 faa novamente a medida e reproduza na tela abaixo a forma de onda.

39

4 O que aconteceu com a potncia (brilho) da lmpada ? Com circuito configurado como no exerccio 1
e exerccio 3 (aumentou ou diminuiu) Porque ocorreu isto?
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
5 Qual a nova potncia da lmpada? Provar por meio de clculos.

6 Por fim, com o circuito configurado como no exerccio 3 coloque uma lmpada de maior
potncia e visualize o ripple novamente com o osciloscpio, explique o que ocorreu?
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

40

Laboratrio 2
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Os transistores de potncia apresentam caractersticas de chaveamento controlado. Os transistores,
utilizados como elementos de chaveamento, operam na regio de saturao, apresentando uma baixa
queda de tenso de conduo (VCE=0V) (VBE=1,3V).
Este laboratrio tem o objetivo de fazer um retificador e filtro diretamente da rede alternada com
componentes retirados de fontes chaveadas de computadores, aps o estgio de retificao e filtro,
faremos funcionar uma lmpada incandescente de 220 volts corrente alternada, em corrente contnua com
o auxlio de um transistor de potencia, tambm retirado das mesmas fontes.
Calcule o R1 e monte o circuito e aps responda as questes.

Alguns transistores encontrados em fontes

chaveadas de computador.
Pinos:
1 Base
2 Coletor
3 Emissor

Transistor VCE (V) Ic (A)

MJE13007 400
8
2SC4106
400
7
2SC5027
800
3
2SC5353
800
3
2SC2335
400
7
2SC4242
400
7
2SC5763
400
7

5
10
8
15
10
10
10

1 Escolha o transistor e faa o calculo para descobrir R1 e depois monte o circuito.

Transistor escolhido: ______________

41

2 Mea a corrente no ponto 1 e compare com o calculado. Faa as observaes necessrias.

Corrente no ponto (1)
Calculado
Medido
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

3 Por que existem os resistores em paralelo com os capacitores?

_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

42

Laboratrio 3
TRANSISTOR EFEITO DE CAMPO (FET)
O transistor de potncia MOSFET um dispositivo de tenso controlada e, necessita apenas de
tenso no gatilho. A velocidade de chaveamento muito alta (nanosegundos). MOSFETs de potncia so
utilizados em conversores de baixa potncia e alta freqncia. Estes transistores apresentam problemas de
descargas eletrostticas, necessitando de cuidados especiais.
Este experimento tem como objetivo mostrar o funcionamento de Mosfets em uma aplicao
pratica, para tanto montaremos o circuito abaixo.

Pinagem:
1 GATE
2 DRAIN
3 SOURCE

Alguns transistores encontrados no comrcio.

Transistor Tenso Vds(V) Corrente Id (A)
IRF840
500
8,5
IRF740
400
10

1 Mea a corrente no ponto 1. Corrente no ponto 1: ______________

No ponto 2 coloque 1 o multmetro antes de ligar o circuito.

Mea a corrente no ponto 2. Corrente no ponto 2: ______________
Por que isto ocorre?
2 Calcule a corrente que passa entre os resistores? E compare com os valores medidos e faa as
observaes necessrias.

43

Laboratrio 4
SCR E TRIAC
Este laboratrio tem o objetivo de comprovar o funcionamento do componente SCR e TRIAC e
diferenci-los.
1

A - Primeiramente ligue a chave 1, mantendo a chave 2 desligada, o que ocorre?

_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
B Mantendo ligada a chave 1 ligue a chave 2 por um breve intervalo de tempo e desligue-a. O que
acontece? Justifique sua resposta.
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
2

C Faa a mesma seqncia usada nas questes A e B.

Seqncia da questo A?________________________________________________________________
Seqncia da questo B?_________________________________________________________________
D - Faa as consideraes comparando os circuitos 1 e 2:
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

44

E Faa um comentrio sobre a omisso das chaves?

_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
4

F - Comente os circuitos 3 e 4 h alguma diferena no brilho da lmpada?

_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

Pinos do SCR e BTA

1 Catodo A2
2 Anodo A1
3 Gatilho

Alguns SCRs encontrados no comrcio

Tiristor
BT151
TIC106

Tenso
Vds(V)
500
400

Corrente Id
(A)
8,5
10

45

Laboratrio 5
DIAC E TRIAC
O objetivo montar o circuito abaixo, e visualizar com o osciloscpio a forma de onda em cima da carga,
no nosso caso a lmpada, enquanto varia o potencimetro.

Pinagem
1 A1
2 A2
3G

Coloque a ponteira em cima da carga e deixe o

potencimetro no meio do curso e reproduza na
tela abaixo. Registre o ajuste que foi feito no
osciloscpio para aparecer o meio ciclo superior
na tela.

Alguns triacs encontrado no

comrcio:
BTA08 8A
BTA26 26A
MAC224 40A
TIC226 8A

46

Laboratrio 6

PWM
Este circuito simples com o famoso CI 555, para gerar o sinal PWM. Controlando uma carga
que conseguimos observar o est acontecendo.

1 Qual a freqncia gerada do sinal PWM?

_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
2 O que acontece com a lmpada quando varia o potencimetro?
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
3 Trocando o capacitor de 100nF por um de 10nF qual ser a nova freqncia?
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________

47

Laboratrio 7
INVERSOR
Este circuito o conceito bsico do princpio de funcionamento de um inversor, que capaz de
gerar uma tenso alternada a partir de uma tenso contnua.

1 O motor est girando?

_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
2 Caso afirmativo na primeira pergunta, coloque a ponteira do osciloscpio em um dos terminais do
motor e a garra jacar no terra, e mea a freqncia.
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
3 O que est acontecendo com o motor, em suas caractersticas fsicas? Mudou a velocidade, est
aquecendo, est trepidando, etc.
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
48

Apendice B
Cdigo de resistores

49

Capacitores cermicos

O valor do capacitor,"B", de 3300 pF (picofarad = 10-12 F) ou 3,3 nF (nanofarad = 10-9 F) ou 0,0033 F (microfarad =
10 F). No capacitor "A", devemos acrescentar mais 4 zeros aps os dois primeiros algarismos. O valor do capacitor, que se l
104, de 100000 pF ou 100 nF ou 0,1F.
-6

O aparecimento de uma letra maiscula ao lado dos nmeros. Esta letra refere-se a tolerncia do capacitor, ou
seja, o quanto que o capacitor pode variar de seu valor em uma temperatura padro de 25 C. A letra "J" significa que este
capacitor pode variar at 5% de seu valor, a letra "K" = 10% ou "M" = 20%. Segue na tabela abaixo, os cdigos de
tolerncias de capacitncia.
At 10pF

Cdigo

Acima de 10pF

0,1pF

0,25pF

0,5pF

1,0pF

1%

2%

3%

5%

10%

20%

-50% -20%

+80% -20%
ou
+100% -20%

+100% -0%

O coeficiente de temperatura "TC", que define a variao da capacitncia dentro de uma determinada faixa de
temperatura. O "TC" normalmente expresso em % ou ppm/C ( partes por milho / C ). usado uma seqncia de letras
ou letras e nmeros para representar os coeficientes. Observe o desenho abaixo.

50

Na tabela abaixo esto mais alguns coeficientes de temperatura e as tolerncias que so muito utilizadas por diversos
fabricantes de capacitores.
Cdigo

Coeficiente de temperatura

NPO

-0 30ppm/C

N075

-75 30ppm/C

N150

-150 30ppm/C

N220

-220 60ppm/C

N330

-330 60ppm/C

N470

-470 60ppm/C

N750

-750 120ppm/C

N1500

-1500 250ppm/C

N2200

-2200 500ppm/C

N3300

-3300 500ppm/C

N4700

-4700 1000ppm/C

N5250

-5250 1000ppm/C

P100

+100 30ppm/C

Outra forma de representar coeficientes de temperatura mostrado abaixo. usada em capacitores que se caracterizam
pela alta capacitncia por unidade de volume (dimenses reduzidas) devido a alta constante dieltrica sendo recomendados para
aplicao em desacoplamentos, acoplamentos e supresso de interferncias em baixas tenses.

Os coeficientes so tambm representados exibindo seqncias de letras e nmeros, como

por exemplo: X7R, Y5F e Z5U. Para um capacitor Z5U, a faixa de operao de +10C que significa "Temperatura Mnima",
seguido de +85C que significa "Temperatura Mxima" e uma variao "Mxima de capacitncia", dentro desses limites de
temperatura, que no ultrapassa -56%, +22%.

Veja as trs tabelas abaixo para compreender este exemplo e entender outros coeficientes.
Temperatura
Mnima

Temperatura
Mxima

X
Y
Z

2
4
5
6
7

-55C
-30C
+10C

+45C
+65C
+85C
+105C
+125C

Variao Mxima
de Capacitncia
A
1.0%
B
1.5%
C
2.2%
D
3.3%
E
4.7%
F
7.5%
P
10%
R
15%
S
22%
T -33%, +22%
U -56%, +22%
V -82%, +22%

51

Capacitores de filme plstico

O desenho ao lado, mostra capacitores que tem os seus valores, impressos em

nanofarad (nF) = 10-9F. Quando aparece no capacitor uma letra "n" minscula, como um dos tipos apresentados ao lado por
exemplo: 3n3, significa que este capacitor de 3,3nF. No exemplo, o "n" minsculo colocado ao meio dos nmeros, apenas
para economizar uma vrgula e evitar erro de interpretao de seu valor.

Capacitores de Cermica Multicamada.

Capacitores de Polister Metalizado usando cdigo de cores

A tabela abaixo, mostra como interpretar o cdigo de cores dos capacitores abaixo. No capacitor "A", as 3 primeiras
cores so, laranja, laranja e laranja, correspondem a 33000, equivalendo a 33 nF. A cor branca, logo adiante, referente a
10% de tolerncia. E o vermelho, representa a tenso nominal, que de 250 volts.

1 Algarismo

2 Algarismo

3 N de zeros

4 Tolerncia

5 Tenso

PRETO

20%

MARROM

VERMELHO

00

250V

LARANJA

000

AMARELO

0000

400V

VERDE

00000

AZUL

630V

VIOLETA

CINZA

BRANCO

10%

52

Apndice C
Osciloscpio
Geralmente os osciloscpios tm os controles e entradas que podem ser divididos em cinco
grupos:
1 Controle da fonte de alimentao
2 Controles de ajuste do trao ou ponto na tela
3 Controles e entrada de atuao vertical
4 Controles e entrada de atuao horizontal
5 Controles de entrada de sincronismo

1 - CONTROLE DA FONTE DE ALIMENTAO

1.1 - INTERRUPTOR
Sua funo interromper ou estabelecer a corrente no primrio do transformador de fora. Sua atuao,
normalmente, acompanhada por uma lmpada piloto que serve de aviso visual sobre a situao do
circuito (ligado ou desligado).
Normalmente, este interruptor se encontra acoplado junto do potencimetro de controle de brilho.
1.2 - COMUTADOR DE TENSO
Sua funo selecionar a tenso de funcionamento do osciloscpio (127/ 220V). Permite utilizar o
instrumento sem a necessidade de recorrer a um transformador abaixador ou elevador de tenso
(geralmente o acesso deste comutador visto na parte de traz do aparelho).
2 - CONTROLES DE AJUSTE DO TRAO OU PONTO NA TELA
2.1 - BRILHO OU LUMINOSIDADE
o controle que ajusta a luminosidade do ponto ou do trao. O controle do brilho feito por meio de um
potencimetro, situado no circuito da grade de controle do TRC, mediante o qual se regula o potencial
desta grade (deve-se evitar o uso de brilho excessivo sob pena de se danificar a tela).
2.2 - FOCO
o controle que ajusta a nitidez do ponto ou trao luminoso. O ajuste do foco conseguido mediante a
regulagem de um potencimetro que regula a polarizao do eletrodo de enfoque.
O foco deve ser ajustado de forma a se obter um trao fino e ntido na tela (estes ajustes de brilho e de
foco so ajustes bsicos que devem ser feitos sempre que se for usar o osciloscpio).
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2.3 - ILUMINAO DA RETCULA

Permite que se ilumine o quadriculado ou as divises na tela.
3 - CONTROLES E ENTRADA DE ATUAO VERTICAL
3.1 - ENTRADA DE SINAL VERTICAL
Nesta entrada conectada a ponta de prova do osciloscpio. As variaes de tenso aplicadas nesta
entrada aparecem sob forma de figura na tela.
3.2 - CHAVE DE SELEO DE MODO DE ENTRADA (CA-CC)
Esta chave selecionada de acordo com o tipo de forma de onda a ser observada. Em alguns
osciloscpios esta chave possui trs posies (CA-0-CC ou AC-GND-DC). Esta posio adicional
usada para a realizao de ajustes do trao do osciloscpio em algumas situaes. Por exemplo: quando se
deseja Uma referncia na tela.
3.3 - CHAVE SELETORA DE GANHO (V/Div)
Esta chave permite que se "aumente" ou que se "diminua" a amplitude de projeo na tela do osciloscpio
(altura da imagem).
3.4 - POSIO VERTICAL
Permite movimentar a imagem para cima ou para baixo na tela. A movimentao no interfere na forma
da figura projetada na tela.
4 - CONTROLES DE ATUAAO HORIZONTAL
4.1 - CHAVE SELETORA DE BASE DE TEMPO
o controle que permite variar o tempo de deslocamento horizontal do ponto na tela. Atravs deste
controle possvel reduzir ou ampliar horizontalmente na tela a figura nela projetada.
Em alguns osciloscpios esta chave seletora tem uma posio identificada como EXT (externa) o que
possibilita que o deslocamento horizontal pode ser controlado por circuito externo ao osciloscpio,
atravs de uma entrada especfica. Quando a posio externa selecionada no h formao do trao na
tela, obtendo-se apenas um ponto.
4.2 - POSIO HORIZONTAL
o ajuste que permite controlar horizontalmente a forma de onda na tela. Girando o controle de posio
horizontal para a direita o trao move-se horizontalmente para a direita e vice-versa. Assim como o
controle de posio vertical, o controle de posio horizontal no interfere na forma da figura projetada na
tela.

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5 - CONTROLES E ENTRADA DE SINCRONISMO (TRIGGER)

So controles que se destinam a fixar a imagem na tela. Estes controles so utilizados principalmente na
observao de sinais alternados.
Os controles de sincronismo so:
Chave seletora de fonte de sincronismo
Chave de modo de sincronismo
Controle de nvel de sincronismo
5.1 - CHAVE SELETORA DE FONTE DE SINCRONISMO
Seleciona onde ser tomada o sinal de sincronismo para fixar a imagem na tela do osciloscpio.
Normalmente, esta chave possui trs posies, pelo menos:
POSIO CH1: O sincronismo controlado pelo sinal aplicado ao canal 1.
POSIO REDE: Realiza o sincronismo com base na frequncia da rede de alimentao do osciloscpio
(60Hz). Nesta posio consegue-se facilmente sincronizar na tela sinais aplicados na entrada vertical que
sejam obtidos a partir da rede eltrica.
POSIO EXTERNO: Na posio externo o sincronismo da figura obtido partir de outro
equipamento externo conectado ao osciloscpio. O sinal que controla o sincronismo na posio externo
aplicado a entrada de sincronismo.
5.2 - CHAVE DE MODO DE SINCRONISMO
Normalmente esta chave tem duas ou trs posies:
AUTO: Nesta posio o osciloscpio realiza o sincronismo automaticamente, com base no sinal
selecionado pela chave seletora de fonte de sincronismo.
NORMAL +: O sincronismo positivo, ajustado manualmente pelo controle de nvel de sincronismo
(TRIGGER), de modo que o primeiro pico que aparea na tela seja o positivo.
NORMAL -: O sincronismo negativo, tambm ajustado manualmente, entretanto, o primeiro pico a
aparecer o negativo.
5.3 - CONTROLE DE NVEL DE SINCRONISMO (TRIGGER)
um controle manual que permite o ajuste do sincronismo quando no se consegue um sincronismo
automtico. Tem atuao nas posies NORMAL + e NORMAL -.
OBSERVAO: Para se realizar leituras necessrio sincronizar a figura na tela.
II - ENTRADA E CONTROLE DO OSCILOSCPIO DUPLO TRAO
O osciloscpio de duplo trao possui alguns controles que so comuns aos dois traos e outros que so
individuais. Os controles de brilho, foco, base de tempo e de posio horizontal, so controles que so
comuns aos dois traos.
Basicamente, os controles individuais situam-se:
nas entradas e controles do vertical:
nos controles e entrada de sincronismo.
ENTRADAS E CONTROLES DO VERTICAL
Para que se possa observar dois sinais simultaneamente, necessrio que se aplique uma tenso em cada
uma das entradas verticais.
O osciloscpio duplo trao dispe de dois grupos de controles verticais:
Um grupo para o canal A ou canal 1 (CH1):
Um grupo para o canal B ou canal 2 (CH2):
Cada grupo controla um dos sinais na tela (amplitude, posio vertical, etc). Geralmente so iguais. Cada
canal dispe de:
Entrada Vertical:
Chave Seletora CA-O-CC:
Chave Seletora de ganho vertical (D/Div):
Posio vertical.
Um osciloscpio de duplo trao pode ainda ser utilizado como sendo um osciloscpio de trao simples.
Uma chave seletora permite que se possa selecionar cada canal individualmente ou os dois
simultaneamente. Esta chave possui pelo menos trs posies:
CH1;
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CH2;
DUAL.
Na posio CH1 aparecer apenas a imagem na tela que estiver sendo aplicada na entrada vertical do
canal 1.
Na posio CH2 aparecer apenas a imagem na tela que estiver sendo aplicada na entrada vertical do
canal 2.
Na posio DUAL aparecem as duas imagens.
Em osciloscpios mais sofisticados, esta chave pode possuir mais posies de modo a permitir outras
alternativas de uso.
CONTROLES DE SINCRONISMO
Realizam as mesmas funes do osciloscpio trao simples que a de fixar a imagem na tela. O que
diferencia o fato de que na chave seletora de fonte existe uma posio adicional de modo a poder
sincronizar a figura.
PONTAS DE PROVA
As pontas de prova so utilizadas para interligar o osciloscpio aos pontos de medida.

Uma das extremidades da ponta de prova conectada a uma das entradas do osciloscpio atravs de um
conector e a extremidade livre serve para conexo aos pontos de medida.
A extremidade livre possui uma garra jacar, denominada de terra da ponta de prova, que deve ser
conectada ao terra do circuito e uma ponta de entrada de sinal, que deve ser conectada no ponto que se
deseja medir.
Existem dois tipos de ponta de prova:
ponta de prova 1:1;
ponta de prova 10:1.
A ponta de prova 1:1 se caracteriza por aplicar entrada do osciloscpio a mesma tenso ou forma de
onda que aplicada a ponta de medio.
A ponta de prova 10:1 entrega ao osciloscpio apenas a dcima parte da tenso aplicada a ponta de
medio. As pontas de prova 10:1 permitem que o osciloscpio consiga observar tenses dez vezes maior
que a sua capacidade. Por exemplo: Um osciloscpio que permite a leitura de tenses de 50V com ponta
de prova 1:1, com ponta de prova 10:1 poder medir tenses de at 500V (10x50V). Existem pontas de
prova que dispe de um boto onde se pode selecionar 10:1 ou 1:1.
Obs: Quando no se tem total certeza da grandeza da tenso envolvida aconselhvel iniciar a medio
com o posio 10:1.

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Bibliografia
1. Dispositivos semicondutores : tiristores; controle de potncia em CC e CA / 1996 - ALMEIDA,
Jos Luiz Antunes de. So Paulo: rica, 1996. 150 p.
2. Dispositivos semicondutores : diodos e transistores / 1996 MARQUES, Angelo Eduardo B.;
CHOUERI JNIOR, Salomo; CRUZ, Eduardo Cesar Alves. So Paulo: rica, 1996. 389 p.
3. Anlise e projeto de fontes chaveadas MELLO, Luiz Fernando P. de. So Paulo: rica, 1996. 487
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4. Eletrnica de potncia : circuitos, dispositivos e aplicaes / 1999 RASHID, Muhammad H.. So
Paulo: Makron Books, 1999. 828 p.
5. Eletrnica de potncia / 1994 - PALMA, Guilherme Rebouas da. So Paulo: rica, 1994. 259 p.
6. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos - 8. ed. / 2004 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis; CAMARGO, Jos Bueno de; NASCIMENTO,
Jos Lucimar do; PERTENCE JUNIOR, Antonio (Coord.). So Paulo: Pearson Prentice Hall,
2004. 672 p.
7. Rodrigues, Isac Zilli., Notas de aula da disciplina de Eletrnica II do Curso de Engenharia
Eltrica da UPF, Passo Fundo, RS, 2000.
8. Ghirardello Ariovaldo Apostila sobre Modulao PWM. Colgio Politec
9. Electronics Workbench. Verso 5.12
10. LabcenterElectronics 1989-2008. Release 7.5 SP3

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