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Si a un diodo comn de silicio le aplicamos una tensin o voltaje (Vd) para polarizarlo directamente,
partiendo de 0 volt (punto de interseccin de los ejes de las coordenadas), se puede observar en el
grfico que hasta tanto no se alcanzan los 0,7 volt sobre el eje +x, el valor de la corriente (Id) no
indica ninguna variacin debido a la resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la barrera de
potencial al flujo de los electrones en el punto de unin "p-n". Sin embargo, a partir de los 0,7 volt un
pequeo incremento en el valor de la tensin, originar un enorme flujo de intensidad de corriente, tal
como se puede apreciar en el grfico, representado por la curva de color verde (paralela al eje +y),
en la parte correspondiente a la regin de polarizacin directa del diodo. (Como ya se mencion
anteriormente, a diferencia del diodo de silicio (Si), un diodo de germanio (Ge) slo requiere 0,3 volt de
polarizacin
directa
para
que
comience
a
conducir
la
corriente).
Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa aplicndole una tensin o voltaje inverso a partir
de0 volt y siguiendo el eje x, vemos que aunque incrementemos el valor de esa tensin, la
corriente (Ii)no muestra variacin alguna, excepto en un punto donde se produce una
pequesima corriente de fuga de unos pocos microamper. A partir de ese momento si continuamos
incrementando el valor de la tensin se llega al punto de ruptura inversa, (codo de la curva de color
verde), donde el aislamiento de la unin "p-n" se rompe originndose un flujo de corriente, de valor tan
alto,
que
destruye
el
diodo
y
lo
hace
inservible.