UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

Prctica # 1
POLARIZACIONES DE LOS FET.
ANDRS ROMERO
UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA
CARRERA: INGENIERA ELECTRICA
hromeroa@est.ups.edu.ec

I.

ABSTRACT

In this practice we will know JFET

transistor, which its a device of three
terminals

that

is

used

to

diverse

applications.

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia

To a great extent you are similar to the

que el drenaje (D) es anlogo al colector, en

BJT, but his principal difference is than

tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor.

the BJT is a device controlled by current,

Un tercer contacto, la compuerta (G), es

anlogo a la base.

while the FET is controlled by voltage.

II.

La estructura fsica de un JFET consiste en un

OBJETIVOS
Disear, comprobar, simular
y calcular el funcionamiento
de

los

polarizacin

circuitos
del

de

transistor

FET.
III.

MARCO TEORICO

canal

de

semiconductor

tipo

dependiendo del tipo de JFET, con contactos

hmicos (no rectificadores) en cada extremo,
llamados FUENTE y DRENADOR. A los
lados del canal existen dos regiones de
material semiconductor de diferente tipo al
canal, conectados entre s, formando el
terminal de PUERTA.

EL TRANSISTOR FET
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en
su funcionamiento slo intervienen los
portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de
JFET: de "canal N" y "de canal P".

En el caso del JFET de canal N, la unin

puerta canal, se encuentra polarizada en
inversa, por lo que prcticamente no entra
ninguna corriente a travs del terminal de la
puerta.

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El JFET de canal p, tiene una estructura

En la unin pn, al polarizar en inversa la

inversa a la de canal n; siendo por tanto

puerta y el canal, una capa del canal

necesaria su polarizacin de puerta tambin

adyacente a la puerta se convierte en no

inversa respecto al de canal n.

conductora. A esta capa se le llama zona de

En el smbolo del dispositivo, la flecha

carga espacial.

indica el sentido de polarizacin directa de la

Cuanto mayor es la polarizacin inversa,

unin pn.

ms gruesa se hace la zona de carga espacial;

ECUACIONES DEL FET

cuando la zona no conductora ocupa toda la

anchura del canal, se llega al corte del canal.

El desempeo del Transistor de Efecto de

A la tensin necesaria para que la zona de

Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley,

carga espacial ocupe todo el canal se le llama

en 1952. De ah el nombre que rige la

tensin puerta-fuente de corte (VGSoff

ecuacin de este tipo de transistores; la

Vto). Esta tensin es negativa en los JFET de

llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY".

canal n.

ID =

Corriente de Drenaje

En funcionamiento normal del JFET canal n,

IDSS =

Corriente de Drenaje de Saturacin

D es positivo respecto a S.

VGS =

Voltaje Puerta-Fuente

VP =

Voltaje de ruptura.

La corriente va de D a S a travs del canal.

ID=IDss(1-VGS/Vp)2

Como la resistencia del canal depende de la

CURVAS CARACTERSTICAS DEL

tensin GS, la corriente de drenador se

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

controla por dicha tensin.

Configuracin de polarizacin Fija:
Es una de las pocas configuraciones del FET
que puede resolverse de forma directa tanto
con un mtodo matemtico como uno grfico.

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET

(DE CANAL N).

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Configuracin de Auto polarizacin:

Esta configuracin elimina la necesidad de
contar con dos fuentes de alimentacin de Dc.
El voltaje de control de la compuerta a la

IV.

DESARROLLO

a. CONFIGURACIN
POLARIZACIN FIJA.
FUENTES).

fuente lo determina ahora el voltaje a travs

DE
(DOS

VDD
12V

del resistor Rs que est conectado en la

terminal de la fuente de la configuracin.

RD2
2.7k
Q1

JFET_N_VIRTUAL

VGG1
0.567 V

Datos

VDD=12 v
Configuracin por divisin de voltaje:

Vp=1.93 v

VDS=6 v
IDSS=4.15 mA
Clculo de RD

I D =2.075 mA
ID
( IDSS
)Vp

VGS= 1

mA
(1.93 )
( 2.07
4.15 mA )

VGS= 1

VGS=0.567

VDD=VDS + IDRD

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

RD=

RD=

VDDVDS
ID

Curva de Schockley

126
=2898.55 2.7 k
2.07 mA

Para

V GS=0

I D =I DSS = 4,15 mA

Para

I D =0 V GS=V P = -1,93 V

Vp
1, 93
V
=
GS
Para
= -0,965 V
2 =
2

VGG=VGS
VGG=0.567 V

I D =

Clculo con RD segn su aproximacin

como valor comercial.

I DSS
4

4,15
4

I D = 1,0375 Ma

VDD=VDS + IDRD
VDD=6 v +( 2.7 k )(2.07 mA )

Grafica Recta de carga y curva de

Schockley.

VDD=11.589 V
La curva de Shockley resultante y la recta de
carga con el punto Q se obtienen de la
siguiente manera:
Punto Q

I DQ =

I DSS 4,15
=
=2,075 mA
2
2

V GSQ=

V DD 12
= =6 V
2
2

Recta de carga
Cuando

I D =0 V GS=V DD =12 V

Cuando

V GS=0

mA

I D =I DSS = 4,15

b. AUTO POLARIZACIN
RESISTENCIA SOURCE.

CON

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VDD

RD=

12.14V

126
273.91
2.07 mA

R5
3740.58

RD=2624.64 2.7
Q3

JFET_N_VIRTUAL*
R6
273.91

Clculo con RD segn su aproximacin

como valor comercial.

ID=

Datos

VDDVDS
RDRS

2.07 mA=

VDD=12 v

Vp=1.93 v

VDD6 V
2.7 k + 270

6.14+6=VDD

VDS=6 v

VDD=12.14 v

IDSS=4.15 mA
IG=0

VGS=ID . RS

I D =2. 07 mA
VGS=2.07 mA270
Clculo de RD

VGS=0.5589

2.07 mA
VGS= 1
1.93
4.15 mA

VG=VRS+VGS

VGS=0.567 v

VG=ID . RS+ VGS

VGS=IDRS
VG=( 2.07 mA ) ( 270 ) +(0.5589)
RS=

(0.567)
=273.91
2.07 mA

RD=

VDDVDS
273.911
ID

270

VG=0 V
Punto Q

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

I DQ =

I DSS 4,15
=
=2,075 mA
2
2

V
12
V GSQ= DD = =6 V
2
2

V2
11.79 V

R5
1.8k

R7
1.5k

Q2

Recta de carga.

JFET_N_VIRTUAL

Cuando

I D =0 V GS=V DD =12 V

Cuando

V GS=0

R8
220

R6
1k

I D =I DSS = 4,15

mA

Datos

Curva de Schockley.

VDD=12 v

Para

V GS=0

I D =I DSS = 4,15 mA

Para

I D =0 V GS=V P = -1,93 V

Grafica Recta de carga y curva de

Schockley.

c. POLARIZACIN CON DIVISOR

DE TENSIN.

Vp=1.93 v

VDS=6 v
IDSS=4.15 mA

ID=2.075mA
VG=

R 2VDD
R 1+ R 2

VG=

22012 V
1.5 K +220

VG=

2640
2420

VG=1.5348 V
ID
( IDSS
)Vp

VGS= 1

mA
(1.93)
( 2.07
4.15 mA )

VGS= 1

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

VGS=0.567

VGS=VG + ID . RS
RS=

VGVGS
ID

RS=

1.5348(0.567)
2.07 mA

RS=1015 . 04

1K

d. POLARIZACIN CON FUENTE

SIMTRICA.

Punto Q

VDD
11.61V

I
4,15
I DQ = DSS =
=2,075 mA
2
2

RD1
2.7k
Q1

V GSQ=V GS=0,567 V

JFET_N_VIRTUAL

Recta de carga
Cuando

I D =0 V GS=V G =1.5348V

Cuando

V GS=0

VSS
-11.61V

I D =I DSS = 4,15
Datos

mA

V
1.5348 V
I D= G =
=1.51 mA
R S 1015 . 04

V GS=0

VDD=12 v
Vp=1.93 v

VDS=6 v

Curva de Schockley
Para

RS1
5.6k

I D =I DSS = 4,15 mA

IDSS=4.15 mA

ID=2.075mA
Para

I D =0 V GS=V P = -1,93 V

Grafica Recta de carga y curva de

Schockley.

ID
( IDSS
)Vp

VGS= 1

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

mA
(1.93)
( 2.07
4.15 mA )

VGS= 1

ID
( IDSS
)Vp

VGS= 1

V GS =0.567

mA
(1.93)
( 2.07
4.15 mA )

VGS= 1

VGS=VG + ID . RS
RS=

VGS=0.567

VSSVGS
ID

VG=0
RS=

12(0.567)
2.07 mA

RS=6056.38

Recta de carga

RD=

2VDDVDS
RS
ID

RD=

2(12)6
6056.38
2.07 mA

2.7K

Clculo con los valores comerciales de

resistencia.

RD=

I D =0 V GS=V SS = 12V

Cuando

V GS=0

5.6K

VDS=2 VDDID ( RD+ RS)

RD=2618 .31

Cuando

2VDDVDS
RS
ID

I D =I DSS = 4,15

mA

I D=

V SS
12 V
=
=1.98 mA
R S 6056.38

Curva de Schockley
Para

V GS=0

I D =I DSS = 4,15 mA

Para

I D =0 V GS=V P = -1,93 V

Punto Q

I DQ =

I DSS 4,15
=
=2,075 Ma
2
2

V GSQ=V GS=0,5 6 7 V
2.7 k =

2(VDD)6
6056.38
2.07 mA

VDD=11.61 v

Grafica Recta de carga y curva de

Schockley.

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

VDD
12.14V
R1
2.7k

U1
DC 1e-009Ohm

+
-

2.083m

Q1

+
-

10MOhm
+
-

SIMULACIONES.
a. CONFIGURACIN
POLARIZACIN FIJA.
FUENTES).

0.000

VGS
V

+
-

2.070m

+
-

0.567

Q3
V

VGG
0.567 V

U4
DC 10MOhm

U3
DC 10MOhm

JFET_N_VIRTUAL*

U2

R2
270

ID
DC 1e-009Ohm

1MOhm
VG

VDD (V)
VDS (V)
ID (mA)
VGS (V)
VSS (V)

RD1
2.7k

-0.567

5.951

Mediciones.

12V

DE
(DOS

VDD

-0.563

+
-

VG2
6.408

c. POLARIZACIN CON DIVISOR

DE TENSIN.
V1
11.79 V

JFET_N_VIRTUAL
DC 10MOhm

10MOhm

R3
1.5k

U1
DC 1e-009Ohm

R1
1.8k
Q1

Mediciones.
VDD (V)
VDS (V)
ID (mA)
VGS (V)
VSS (V)
b. AUTO POLARIZACIN
RESISTENCIA SOURCE.

2.073m

+
-

CON

1.508

U4
DC 10MOhm
R4
220

Mediciones.
VDD (V)
VDS (V)
ID (mA)
VGS (V)
VSS (V)

JFET_N_VIRTUAL
+

R2
1k

-0.566

U2
DC 10MOhm

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. ROMERO ANDRS. POLARIZACIONES DE LOS FET.

Cables
Transistores FET

d. POLARIZACIN CON FUENTE

SIMTRICA.
VDD

VI.

11.61V
RD
2.7k

+
-

2.169m

VGS
+
-

-0.535

Puedo concluir
ID1
DC 1e-009Ohm

Q3

+
-

mediciones
VG2

5.217

DC 10MOhm
JFET_N_VIRTUAL

RS
5.6k

VG
0.000

de

que para que las

esta

prctica

sean

aceptables y tengan el menor nmero de

errores en las mismas con respecto a los
clculos y simulaciones tuvimos que
ajustar las resistencias lo ms posible a

10MOhm

CONCLUSIONES

VSS
-11.61V

10MOhm

las calculadas para obtener valores que

sean congruentes a los clculos y
simulaciones.
A dems las caractersticas del FET son

Mediciones.
VDD (V)
VDS (V)
ID (mA)
VGS (V)
VSS (V)

importantes para que los valores tanto

calculados

como

simulados

puedan

coincidir.
VII.

BIBLIOGRAFA

Libro: Teora de circuitos y dispositivos

V.

EQUIPOS Y HERRAMIENTAS
Fuente de alimentacin DC
Multmetro
Bananas
Resistencias
Protoboard

electrnicos Robert L. Boylestad, Louis

Nashelsky, 10 edicin.