Evolucin de la automatizacin industrial

Julio de 2014
Con motivo de la celebracin de los 70 aos, Reportero Industrial ha preparado un especial sobre la
evolucin de la automatizacin industrial.
Gracias al desarrollo e innovacin de nuevas tecnologas, la automatizacin de procesos industriales, a
travs del tiempo, ha dado lugar a avances significativos que le han permitido a las compaas implementar
procesos de produccin ms eficientes, seguros y competitivos.
Con motivo de la celebracin de los 70 aos de Reportero Industrial a continuacin podr consultar una
breve historia sobre la evolucin de la automatizacin industrial, especial que abarca desde la invencin en
1947 del primer transistor, pasando por los descubrimientos hechos en electrnica, hasta el PLC, la fbrica
digital y la simulacin virtual.
1947: La idea original: Fsicos John Bardeen, Walter Brattain y William Shokkley desarrollan el primer
transistor en los laboratorios de Bell.
Heinrich Grnebaum (en la imagen entre Jans Lenze y la hija de Lenze, Elisabeth Belling en la Feria de
Hannover de 1952) desarroll el motor Alquist, que se convirti en el padrino de los motores controlados.
Revolucion los procesos de rebobinado en muchos aos (60) de tecnologa de automatizacin.
1959: Primera herramienta de maquinado controlada por computador. El primer controlador Simatic en un
torno capstan fue presentado en la sexta versin de la feria EMO de Pars. La lgica todava era por
cableado.
1967: Antes de la electrnica de potencia: Antes de que los diodos, tiristores y los IGBTs estuvieran
disponibles, las corrientes eran rectificadas con rectificadores de selenio, o con rectificadores de arco de
mercurio gigantes emitiendo luz azul misterioso.
Las unidades electrnicas. En 1967 AMK present el primer motor de corriente de jaula de ardilla de tres
fases infinitamente variable de produccin masiva. Ocho aos despus otra innovacin de AMK permiti
que varios motores de tres fases fueran operados con sincronismos angulares por primera vez.
1968: PLC: La exitosa historia del PLC empez con el Control Industrial Modular de Dick Morley.
1978: A nivel de mquinas: dispositivos de programacin de la era pre-PC eran muy grandes y pesados. La
programacin CNC a nivel de mquinas una vez ms introducido por AMK represent un proceso
notable.
1987: Coincidencia: un cliente solicit que un sistema de control Beckhoff fuera equipado con un disco
duro. La solucin ms simple fue la de integrar un PC. Pronto se evidenci que el PC podra hacer ms que
actuar como un recolector de datos para el sistema de control, y la era de los PC en la industria de la
automatizacin arranc.
1997: Empuje de integracin: la tecnologa de automatizacin consiste cada vez ms en un control
descentralizado e inteligente y con componentes de control que se puedan comunicar con otros mediante
Ethernet industrial.

La historia de los transistores

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En el ao 1956 el premio Nobel de fsica fue compartido por tres grandes cientficos: William Bradford
Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es considerado como el mayor desarrollo
tecnolgico del siglo XX: el transistor. La historia de cmo se inici la carrera por la miniaturizacin de
los dispositivos tecnolgicos que an no ha terminado en nuestros das me parece fascinante. Llena de
brillantez, peleas y afn de superacin.

Por qu se construyeron los primeros transistores?

La construccin de los primeros transistores responda a una necesidad tcnica: hacer llamadas telefnicas a
larga distancia. Es por esto que los descubridores de esta nueva tecnologa trabajaban para la American
Telephone and Telegraph Corporation (AT&T), fundada por Alexander Graham Bell y conocida
inicialmente como la Bell Telephone Company.

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En 1906 el inventor Lee De Forest desarroll un triodo en un tubo de vaco. Qu significado tuvo?
Colocando este invento a lo largo de la lnea telefnica se poda amplificar la seal lo suficiente como para
poder hacer llamadas a larga distancia. El triodo est compuesto de tres partes: un ctodo que emite
electrones, un nodo que los capta y una rejilla situada entre los dos a la que se puede aplicar tensin.
Variando ligeramente la tensin de la rejilla podemos variar enormemente el flujo de electrones entre el
ctodo y el nodo, en esto consiste la amplificacin de la seal elctrica en la que se ha traducido la seal
sonora.

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Adems poda utilizarse como rectificador (para convertir corriente alterna en continua) y como una puerta
que permitiese pasar la corriente o no (on-off), la base de la electrnica y computacin posterior. Es ms,
uno de los limitantes en las primeras computadoras era la gran cantidad de triodos que necesitaban. Pero lo
que no se les puede negar es que revolucionaron su poca al permitir amplificar las seales de radio dando
un impulso a este medio de comunicacin que le llev a ser el ms importante durante la primera mitad del
siglo XX.

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AT&T rpidamente compr la patente y mejor el tubo. Pero surgi un problema. Los tubos de vaco
producan mucho calor, necesitaban mucha energa y deban ser reemplazados continuamente. Era necesario
otro mtodo para amplificar la seal. Buscando respuestas la compaa cre en 1926 un centro de
investigacin conocido como Laboratorios Telefnicos Bell (Bell Labs), responsable de descubrimientos
tan importantes como el lenguaje de programacin C, la astronoma radial, el sistema operativo Unix, y lo
que nos atae, el transistor.

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El pensador, el experimentador y el visionario

Despus de finalizada la Segunda Guerra Mundial el director del laboratorio Mervin Kelly busc un grupo
de cientficos que dieran con la solucin a los problemas que causaba el tubo de vaco y tena algo en mente
para reemplazarlo: los semiconductores. Qu es un semiconductor? Un elemento que en determinadas
condiciones puede conducir la electricidad (por ejemplo, a una temperatura alta), pero si cambiamos esas
condiciones deja de permitir el paso de electrones. Los ms importantes son el silicio (Si) y el germanio
(Ge).

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El director del nuevo equipo de investigadores fue William Shockley, un visionario capaz de ver la
importancia de los transistores antes que nadie, Walter Brattain, un fsico experimental capaz de construir y
reparar prcticamente cualquier cosa y John Bardeen, capaz de ir ms all en la comprensin de los
fenmenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera ms sencilla posible. Tres personajes con
una marcada personalidad, lo que les llevara a alguna que otra confrontacin, lo que se manifest a la hora
de repartirse los mritos.
En 1947, durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre
realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su objetivo: el primer
transistor de contacto puntual, hecho con dos pas de metal (oro) que se presionan sobre la superficie de
material semiconductor (germanio) en posiciones muy prximas entre s.

Choque de egos
Shockley pensaba que l era el merecedor de la gloria, era el supervisor y haba aportado la idea inicial. As
que decidi patentar el transistor a su nombre. A decir verdad Shockley mejor considerablemente el
transistor en un mes, creando el transistor de unin. Bardeen pronto describi la situacin como
intolerable.

Eran habituales las imgenes de prensa en las que apareca en un primer plano Shockley sentado al lado de
un microscopio con Bardeen y Brattain detrs de l mirndole. Brattain admiti despus que odiaba esa foto.
Ya no podan seguir trabajando juntos.
Y cada uno sigui su camino, Brattain como profesor en el Whitman College, Bardeen como fsico terico
en la Universidad de Illinois, y Shockley fund su propia compaa de semiconductores, la primera de su
tipo en lo que lleg a ser Silicon Valley, aunque conocida por no ser nunca capaz de sacar un producto
comercialmente viable.

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El impacto de los transistores fue enorme, transformaron el mundo de la electrnica y el diseo de
computadoras al permitir disminuir infinitamente su tamao al librarse de los voluminosos y frgiles triodos
de vaco. Y as comenzaron a disminuir las tallas de nuestros dispositivos electrnicos. Hasta hoy da, en el
que empieza a ser comn un mvil con el tamao de un reloj. Hasta dnde crees t que llegaremos?

Historia de la Informatica
INFORMATICA O COMPUTACION

Hablar de computacin es hablar de un tema apasionante en todos lo sentidos, ya que nos hacen discutir
sobre las tecnologas. Pero unas de las importancias de hablar de esta rama de computacin o informtica es
hablar de las necesidades del ser humano que tiende al nuevo desarrollo individual al aprendizaje de la
computadora.
El primer instrumento que se utilizo para el calculo fue el Abaco lo inventaron los chinos y lo utilizaron los
romanos hasta el siglo AC.
La evolucin de la informtica lo situamos en el siglo XVII, por el cientfico Frances Blas Pascal quien
invento una maquina calculadora esta solo servia para hacer sumas y restas, pero este dispositivo sirvi
como base para el cientfico alemn Leibnitz, en el siglo XVIII, que desarrollo una maquina que ademas de
realizar las operaciones de adiccin y sustraccin pudo efectuar operaciones de producto y cociente. Ya en el
siglo XIX se comercializaron las primeras maquinas de calcular, en este siglo el matemtico ingles
Babbgade desarrollo lo que se llamo Maquina analtica, lo cual poda realizar cualquier operacin
matemtica, lo interesante de esta maquina es que poda almacenar 1000 numeros de 50 cifras y hasta poda
usar funciones auxiliares, pero sin embargo segua teniendo la limitacin de ser mecnica.
Sus Generaciones:
Primera Generacin (1940 a 1952)

Las vlvulas de vaco constituyen en el principal elemento de control para las computadoras de esta
generacin.
Eran computadoras de tamao sumamente grande y bastante lento, que utilizaban gran cantidad de
electricidad y generaban mucho calor.

Su uso fundamental fue en aplicaciones cientficas y militares se empieza a usar el sistema binario
para representar la informacin.

Utilizaba como lenguaje de programacin el lenguaje maquina.

Para conservar la informacin se usaban tarjetas perforadas, la cinta y las lineas de demora de
mercurio.

Segunda Generacin (1952 a 1964)

Tubos al Vacio

Se sustituye la vlvula de vaco por el transistor.

Los transistores eran mas rpidos, pequeos y mas confiables que los tubos al vaco.

Las maquinas ganaron potencia y fiabilidad, disminuyendo el tamao el consumo y el precio.

Se expanden los campos de aplicacin.

Se utiliza el lenguaje de programacin evolucionados, que hacen mas sencilla la programacin.

Tercera Generacin (1964 a 1971)

Transistores

En 1964 surge el circuito integrado (chip) consista en una gran cantidad de componentes
electrnicos en una miniatura de una pastilla. Asi las computadoras pudieron hacerse mas pequeas,
ligeras y eficientes.
consuman menos electricidad, por lo tanto generaban menos calor.

Hubo un gran desarrollo de los sistemas operativos, en los que incluyo la miltiprogramacin, el
tiempo real y el modo interactivo.

Comienza a utilizarse las memorias de semiconductores y los discos magnticos.

Cuarta Generacin (1971 a 1981)

Circuito Integrado

En 1971 aparece el microprocesador, que permite la integracin del CPU de una computadora en un solo
circuito integrado. Esta tecnologa permite la fabricacin de microcomputadoras y computadoras personales,
as como las computadoras monopastilla.Contiene la unidad de control y la unidad aritmtica lgica.Como
unidad de almacenamiento externo utiliza el disquete (floppy disk).
Quinta Generacin (1981 a 1990)
Microprocesador

La diferencia de esta generacin es la interconexion entre otro tipo de computadoras, dispositivos y

redes integradas.
Utilizacin del lenguaje natural (lenguaje de quinta generacin).

Integracin de datos, imgenes y voz (entornos multimedia).

Sexta Generacin (1990 hasta la actualidad)

Se caracteriza por la evolucin de las computadoras a la par de la tecnologa.

La miniaturizacin de componentes en las mquinas y su reduccin en costo conllevan a sistemas de
alta capacidad.

El uso de redes se hacen comn, con grandes velocidades y la integracin de servicios de video de
calidad, voz y otros datos multimedia en tiempo real.

Transistor
Un transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar y conmutar seales electrnicas
y potencia elctrica. Se compone de material semiconductor con por lo menos tres terminales para la
conexin a un circuito externo. Un voltaje o corriente aplicada a un par de terminales del transistor cambia
la corriente a travs de otro par de terminales. Debido a que la potencia controlada puede ser superior a la
potencia de control, un transistor puede amplificar una seal. Hoy en da, algunos transistores estn
empaquetados individualmente, pero muchos ms se encuentran incrustados en los circuitos integrados.
El transistor es el componente fundamental de los dispositivos electrnicos modernos edificio, y es ubicuo
en los sistemas electrnicos modernos. Tras su desarrollo en la dcada de 1950, el transistor revolucion el
campo de la electrnica, y allan el camino para radios pequeos y ms baratos, calculadoras y
computadoras, entre otras cosas.

Historia
El triodo termoinico, un tubo de vaco inventado en 1907, impuls a la edad de la electrnica hacia
adelante, lo que permite la tecnologa de radio amplificada y telefona de larga distancia. El triodo, sin
embargo, era un dispositivo frgil que consume mucha energa. El fsico Julius Edgar Lilienfeld present
una patente para un transistor de efecto de campo en Canad en 1925, que estaba destinado a ser un
reemplazo de estado slido para el triodo. Lilienfeld tambin solicit patentes idnticos en los Estados
Unidos en 1926 y 1928. Sin embargo, Lilienfeld no public ningn artculo de investigacin acerca de sus
dispositivos ni sus patentes citar ejemplos concretos de un prototipo de trabajo. Dado que la produccin de
materiales semiconductores de alta calidad todava a dcadas de distancia, las ideas amplificadores de estado
slido de Lilienfeld no han encontrado un uso prctico en los aos 1920 y 1930, aunque este dispositivo
haba sido construido. En 1934, el inventor alemn Oskar Heil patent un dispositivo similar.
De 17 noviembre 1947 a 23 diciembre 1947, John Bardeen y Walter Brattain en AT y T Bell Labs en los
Estados Unidos, realizaron experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales oro se aplicaron
a un cristal de germanio, una seal se produce con la salida potencia mayor que la de entrada. Fsica del
estado slido lder del Grupo William Shockley vio el potencial en esto, y en los prximos meses trabaj
para expandir en gran medida el conocimiento de los semiconductores. El trmino transistor fue acuado por
John R. Pierce como un acrnimo de la expresin "resistencia de transferencia". Segn Lillian Hoddeson y
Vicki Daitch, autores de una biografa de John Bardeen, Shockley haba propuesto que la primera patente de
Bell Labs para un transistor debe basarse en el efecto de campo y que se le denomina como el inventor.
Habiendo descubierto Lilienfelds patentes que entraron en obscuridad ao anterior, los abogados de Bell
Labs desaconsejados propuesta de Shockley ya que la idea de un transistor de efecto de campo que utiliza un
campo elctrico como una "red" no era nueva. En cambio, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron
en 1947 fue el primer transistor de contacto bipolar. En reconocimiento de este logro, Shockley, Bardeen y
Brattain recibieron conjuntamente el Premio Nobel 1956 de Fsica "por sus investigaciones sobre los
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor."
En 1948, el transistor de contacto se invent de forma independiente por los fsicos alemanes Herbert Matar
y Heinrich Welker mientras trabajaba en la Compagnie des Freins et Signaux, filial Westinghouse situado en
Pars. Matar tena experiencia previa en el desarrollo de los rectificadores de cristal de silicio y germanio en
el esfuerzo de radar alemn durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, l comenz a
investigar el fenmeno de la "interferencia" en 1947 - Dando testimonio corrientes que fluyen a travs de

puntos de contacto-, similar a lo Bardeen y Brattain haban logrado antes en diciembre de 1947, Matar antes
de junio de 1948, fue capaz de producir resultados consistentes mediante el uso de muestras de germanio
producido por Welker. Al darse cuenta de que los cientficos de Bell Labs ya haban inventado el transistor
delante de ellos, la compaa se apresur a conseguir su "transistron" en la produccin para el uso ampliado
de la red telefnica de Francia.
El primer transistor de alta frecuencia era la superficie de barrera transistor de germanio desarrollado por
Philco en 1953, capaz de operar hasta a 60 MHz. stos fueron hechos por ataque depresiones en una base de
germanio tipo n de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que estaba a unos diez milsimas de
pulgada de espesor. Indio galvanizado en las depresiones form el colector y el emisor. La primera radio de
coche todo-transistor que se produjo en 1955 por Chrysler y Philco, utiliza estos transistores en sus circuitos
y tambin fueron los primeros adecuado para ordenadores de alta velocidad.
El primer transistor de silicio producido por Texas Instruments en 1954. Esta fue la obra de Gordon Teal, un
experto en el cultivo de cristales de alta pureza, que haba trabajado previamente en los laboratorios Bell. El
primer transistor MOS en realidad fue construida por Kahng y Atalla en los Laboratorios Bell en 1960.
En marzo de 2013 investigadores estadounidenses de la Universidad de Stanford anunciaron que haban
construido un transistor de molculas de ADN y ARN.

Importancia
El transistor es el componente activo clave en prcticamente todos los aparatos electrnicos modernos.
Muchos lo consideran como uno de los grandes inventos del siglo 20. Su importancia en la sociedad actual
se basa en su capacidad de ser producidos en masa usando un proceso altamente automatizado que logra
sorprendentemente bajos costos por transistor. La invencin del primer transistor en los laboratorios Bell fue
nombrado IEEE Milestone en 2009.
Aunque varias empresas producen cada uno ms de mil millones de transistores empaquetados
individualmente cada ao, la gran mayora de los transistores ahora se producen en los circuitos integrados,
junto con los diodos, resistencias, condensadores y otros componentes electrnicos, para producir circuitos
electrnicos completos. Una puerta lgica consta de hasta una veintena de transistores, mientras que un
microprocesador avanzado, a partir de 2009, se puede utilizar tanto como 3 millones de transistores.
"Alrededor de 60 millones de transistores fueron construidas en 2002 ... para hombre, mujer y nio en la
Tierra."
Bajo costo del transistor, la flexibilidad y la fiabilidad han convertido en un dispositivo omnipresente.
Circuitos transistorizados mecatrnicos han sustituido a los dispositivos electromecnicos en el control de
aparatos y maquinaria. A menudo es ms fcil y ms barato de utilizar un microcontrolador estndar y
escribir un programa de ordenador para llevar a cabo una funcin de control de disear una funcin de
control mecnico equivalente.

Funcionamiento simplificado
La utilidad esencial de un transistor proviene de su capacidad de utilizar una pequea seal aplicada entre un
par de sus terminales para controlar una seal mucho ms grande en el otro par de terminales. Esta
propiedad se llama ganancia. Un transistor puede controlar su salida en proporcin a la seal de entrada, es
decir, que puede actuar como un amplificador. Alternativamente, el transistor se puede utilizar para activar o
desactivar la corriente en un circuito como un interruptor controlado elctricamente, en donde la cantidad de
corriente se determina por otros elementos de circuito.
Hay dos tipos de transistores, que tienen ligeras diferencias en la forma en que se utilizan en un circuito. Un
transistor bipolar tiene terminales etiquetados base, colector y emisor. Una pequea corriente en el terminal
de base puede controlar o conmutar una corriente mucho ms grande entre el colector y terminales del

emisor. Para un transistor de efecto de campo, los terminales estn etiquetados puerta, fuente y drenaje, y
una tensin en la puerta pueden controlar una corriente entre la fuente y el drenaje.
La imagen de la derecha representa un transistor bipolar tpica en un circuito. Carga fluir entre emisor y los
terminales de colector en funcin de la corriente en la base. Desde internamente las conexiones de base y el
emisor se comporta como un diodo semiconductor, una cada de tensin se desarrolla entre la base y el
emisor, mientras que existe la corriente de base. La cantidad de esta tensin depende del material del
transistor est hecho de, y se conoce como VBE.
Transistor como interruptor
Los transistores se utilizan como interruptores electrnicos, tanto para aplicaciones de alta potencia, tales
como fuentes de alimentacin conmutadas y para aplicaciones de baja potencia tales como puertas lgicas.
En un circuito de transistor conectado a tierra-emisor, tal como el circuito-interruptor de la luz se muestra,
como los aumentos de tensin de base, las corrientes de emisor y colector aumentan exponencialmente. La
tensin de colector cae debido a la disminucin de la resistencia del colector al emisor. Si la diferencia de
tensin entre el colector y el emisor fuera cero, la corriente de colector estara limitada slo por la resistencia
de carga y la tensin de alimentacin. Esto se llama saturacin porque la corriente fluye desde el colector al
emisor libremente. Cuando se satura el interruptor se dice que es el.
Proporcionar suficiente corriente de excitacin de base es un problema clave en el uso de transistores
bipolares como interruptores. El transistor proporciona ganancia de corriente, lo que permite una corriente
relativamente grande en el colector que se conecta por una corriente mucho ms pequea en el terminal de
base. La relacin de estas corrientes vara dependiendo del tipo de transistor, e incluso para un tipo
particular, vara en funcin de la corriente de colector. En el ejemplo de circuito-interruptor de la luz se
muestra, la resistencia se elige para proporcionar suficiente corriente de base para asegurar el transistor
estar saturado.
En cualquier circuito de conmutacin, se elegiran los valores de tensin de entrada de tal manera que la
salida es completamente fuera de, o completamente en. El transistor acta como un interruptor, y este tipo de
operacin es comn en los circuitos digitales, donde los valores slo "on" y "off" son relevantes.
Transistor como un amplificador
El amplificador de emisor comn est diseado de manera que un pequeo cambio en los cambios de voltaje
de la pequea corriente a travs de la base del transistor; amplificacin de corriente del transistor combinado
con las propiedades del circuito significa que las pequeas oscilaciones de Vin producen grandes cambios en
Vout.
Varias configuraciones de amplificador de transistor solo son posibles, con un poco de proporcionar
ganancia de corriente, un poco de ganancia de voltaje, y un poco de ambos.
Desde telfonos mviles hasta televisores, un gran nmero de productos incluyen amplificadores de
reproduccin de sonido, radio transmisin y procesamiento de seales. Los primeros amplificadores de
audio transistores discretos apenas suministrados unos pocos cientos de milivatios, pero el poder y la
fidelidad de audio aumentaron gradualmente a medida que se dispusiera de mejores transistores y
arquitectura amplificador evolucionaron.
Amplificadores de audio transistores modernos de hasta unos pocos cientos de vatios son comunes y
relativamente barato.

Comparacin con los tubos de vaco

Antes del desarrollo de los transistores, los tubos de vaco fueron los principales componentes activos en los
equipos electrnicos.
Ventajas
Las principales ventajas que han permitido a los transistores para reemplazar a sus predecesores de tubo de
vaco en la mayora de las aplicaciones son

Sin consumo de potencia por un calefactor de ctodo.

Pequeo tamao y peso mnimo, lo que permite el desarrollo de dispositivos
electrnicos miniaturizados.

Bajo tensiones de alimentacin compatible con las bateras de slo unas pocas clulas.

No hay perodo de calentamiento de filamentos catdicos necesarios despus de la

aplicacin de energa.

Baja disipacin de potencia y en general una mayor eficiencia energtica.

Una mayor fiabilidad y una mayor robustez fsica.

Extremadamente larga vida. Algunos dispositivos transistorizados han estado en

servicio por ms de 50 aos.

Dispositivos complementarios disponibles, facilitando el diseo de circuitos de simetra

complementaria, algo que no es posible con tubos de vaco.

Insensibilidad a golpes y vibraciones, evitando as el problema de microfona en

aplicaciones de audio.

Limitaciones

De alta potencia, el funcionamiento de alta frecuencia, tal como el utilizado en ms de

la radiodifusin de televisin de aire, se consigue mejor en tubos de vaco debido a la
mejora de la movilidad de electrones en un vaco.
Dispositivos de estado slido son ms vulnerables a las descargas electrostticas en el
manejo y operacin

Un tubo de vaco momentneamente sobrecargado se acaba de obtener un poco ms

caliente, dispositivos de estado slido tienen menos masa para absorber el calor
debido a las sobrecargas, en proporcin a su calificacin

La sensibilidad a la radiacin y los rayos csmicos.

Los tubos de vaco crean una distorsin, el llamado tubo de sonido, que algunas
personas encuentran a ser ms tolerable para el odo.

Tipos
Los transistores se clasifican por

Material semiconductor: la metaloides germanio y silicio - en amorfo, policristalino y

monocristalino forma, el arseniuro de galio y los compuestos de carburo de silicio, la
aleacin de silicio-germanio, el altropo de grafeno de carbono, etc-ver el material
Semiconductor
Estructura: BJT, JFET, IGFET, IGBT, "otros tipos"

Polaridad elctrica: NPN, PNP, N-canal, canal P

La potencia nominal mxima: bajo, medio, alto

Frecuencia mxima de funcionamiento:,,, radiofrecuencia alto medio bajo, microondas

Uso: interruptor, de uso general, de audio, de alta tensin, super-beta, par emparejado

Embalaje fsica: agujero pasante de metal, montaje en taladro plstico, montaje en

superficie, ball grid array, mdulos de potencia, ver Packaging

Factor de amplificacin HFE o F

Por lo tanto, un transistor en particular puede ser descrito como de silicio, montaje en superficie, BJT, NPN,
de baja potencia, el interruptor de alta frecuencia.
Transistor de unin bipolar
Los transistores bipolares se llaman as porque se llevan a cabo utilizando tanto la mayora y los portadores
minoritarios. El transistor de unin bipolar, el primer tipo de transistor para ser producido en masa, es una
combinacin de dos diodos de unin, y se forma ya sea de una fina capa de semiconductor de tipo p
intercalada entre dos semiconductores de tipo n, o una capa delgada de semiconductor tipo n intercala entre
dos semiconductores de tipo p. Esta construccin produce dos uniones pn: una unin base-emisor y una
unin base-colector, separadas por una regin delgada de semiconductores conocida como la regin de base.
El BJT tiene tres terminales, correspondientes a las tres capas de semiconductores - un emisor, una base y un
colector. Es til en los amplificadores, porque las corrientes en el emisor y el colector son controlables por
una relativamente pequea corriente de base. "En un transistor NPN de funcionamiento en la regin activa,
la unin emisor-base est polarizado directamente, y los electrones se inyectan en la regin de base . Debido
a que la base es estrecha, la mayora de estos electrones se difundir en la polarizacin inversa unin basecolector y ser barrido en el colector; tal vez una centsima parte de los electrones se recombinan en la base,
que es el mecanismo dominante en la base actual. Mediante el control del nmero de electrones que pueden
dejar la base, el nmero de electrones que entran en el colector puede ser controlado. La corriente de
colector es de aproximadamente veces la corriente de base. Es tpicamente mayor que 100 para los
transistores de pequea seal, pero puede ser ms pequea en los transistores diseados para aplicaciones de
alta potencia.
A diferencia del transistor de efecto de campo, el BJT es un dispositivo de baja impedancia de entrada.
Tambin, como la tensin de base-emisor se incrementa la corriente de base-emisor y por lo tanto el
aumento de la corriente de colector-emisor de manera exponencial de acuerdo con el modelo de diodo
Shockley y el modelo de Ebers-Moll. Debido a esta relacin exponencial, el BJT tiene una
transconductancia ms alto que el FET.
Los transistores bipolares se pueden hacer para llevar a cabo por exposicin a la luz, ya que la absorcin de
los fotones en la regin de la base genera una fotocorriente que acta como una corriente de base, la
corriente de colector es aproximadamente veces la fotocorriente. Los dispositivos diseados para este fin
tienen una ventana transparente en el paquete y se llaman fototransistores.
Efecto de campo transistor
Artculo principal: transistor de efecto de campo, MOSFET y JFET
El transistor de efecto de campo, a veces llamado un transistor unipolar, utiliza electrones o agujeros para la
conduccin. Las cuatro terminales del FET se denominan fuente, puerta, desage, y el cuerpo. En la mayora
de FET, el cuerpo est conectado a la fuente en el interior del paquete, y esto ser asumido por la siguiente
descripcin.
En un FET, el drenaje a la fuente de corriente fluye a travs de un canal de conduccin que conecta la regin
de origen de la regin de drenaje. La conductividad es variada por el campo elctrico que se produce cuando
se aplica una tensin entre la puerta y terminales de la fuente, por lo que la corriente que fluye entre el
drenaje y la fuente es controlada por el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente. A medida que aumenta el

voltaje de puerta-fuente, aumenta la corriente de drenaje-fuente forma exponencial para Vgs por debajo del
umbral, y luego a una velocidad ms o menos cuadrtica en la regin "de carga espacial limitada" por
encima del umbral. Un comportamiento cuadrtica no se observa en los dispositivos modernos, por ejemplo,
en el nodo de la tecnologa de 65 nm.
De bajo ruido en el ancho de banda estrecho mayor resistencia de entrada del FET es ventajoso.
FET se dividen en dos familias: la compuerta de cruce FET y aislada FET. El IGFET se conoce ms
comnmente como un metal-xido-semiconductor FET, que refleja su construccin original a partir de capas
de metal, xido, y de semiconductores. A diferencia de IGFETs, la puerta JFET forma un diodo pn con el
canal que se encuentra entre la fuente y el drenaje. Funcionalmente, esto hace que el JFET de canal N el
equivalente de estado slido de la triodo tubo de vaco que, de manera similar, se forma un diodo entre la
rejilla y el ctodo. Adems, ambos dispositivos de operar en el modo de agotamiento, que ambos tienen una
alta impedancia de entrada, y ambos conducen la corriente bajo el control de una tensin de entrada.
FET metal-semiconductor son JFET en el que la inversa sesgada unin pn est reemplazado por una unin
de metal-semiconductor. Estos, y los HEMT, en el que un gas de electrones bidimensional con movilidad
muy alta portador se utiliza para el transporte de carga, son especialmente adecuados para su uso a
frecuencias muy altas.
A diferencia de los transistores bipolares, FET no amplifican intrnsecamente una fotocorriente. Sin
embargo, hay maneras de utilizarlos, especialmente JFET, como los dispositivos sensibles a la luz, por la
explotacin de los fotocorrientes en canal-puerta o canal de cuerpo uniones.
FET se dividen adems en modo de agotamiento-y tipos en modo de enriquecimiento, dependiendo de si el
canal se enciende o se apaga con la puerta a cero voltaje de la fuente. Para el modo de mejora, el canal est
apagado en polarizacin cero, y un potencial de puerta puede "mejorar" la conduccin. Para el modo de
agotamiento, el canal est en al sesgo de cero, y un potencial de puerta puede "agotar" el canal, la reduccin
de la conduccin. Para cualquiera de los modos, una tensin de puerta ms positivo corresponde a una
corriente ms alta para los dispositivos de canal N y una corriente ms baja para los dispositivos de canal P.
Casi todos los JFETs son en modo de empobrecimiento como las uniones de diodo se transmitan prejuicios y
conductas si fueran dispositivos en modo mejorado, la mayora de IGFETs son tipos de modo de accesorio.
Uso de bipolar y transistores de efecto de campo
El transistor de unin bipolar fue el transistor ms utilizado en la dcada de 1960 y 70. Incluso despus de
MOSFETs se hizo ampliamente disponible, el BJT se mantuvo el transistor de eleccin para muchos
circuitos analgicos tales como amplificadores debido a su mayor linealidad y facilidad de fabricacin. En
circuitos integrados, las propiedades deseables de los MOSFETs les permiten retener casi todos cuota de
mercado para los circuitos digitales. MOSFET discretos se pueden aplicar en aplicaciones de transistor,
incluyendo circuitos analgicos, reguladores de voltaje, amplificadores, transmisores de potencia y los
conductores de motor.
Otros tipos de transistores
Para transistores bipolares primeros, ver Transistor de unin bipolar # transistores bipolares.

Transistor de unin bipolar

o Transistor bipolar de heterounin, hasta varios cientos de GHz, comunes en
ultrarrpidos moderno y circuitos de RF
o

Schottky transistor

Transistor Avalancha

Transistores Darlington son dos BJT conectados entre s para proporcionar una
alta ganancia de corriente igual al producto de las ganancias de corriente de los
dos transistores.

Transistores bipolares de puerta aislada utilizan un IGFET media potencia, de

manera similar conectado a un BJT de potencia, para dar una alta impedancia de
entrada. Diodos de potencia a menudo estn conectados entre ciertos terminales
dependiendo del uso especfico. IGBT son especialmente adecuados para
aplicaciones industriales pesadas. El Asea Brown Boveri 5SNA2400E170100
ilustra hasta qu punto la tecnologa de semiconductores de potencia ha
avanzado. Destinado a las fuentes de alimentacin de corriente trifsica, este
dispositivo de tres casas IGBT NPN en un caso de la medicin de 38 por 140 por
190 mm y un peso de 1,5 kg. Cada IGBT tiene una potencia de 1.700 voltios y
puede manejar 2.400 amperios.

Transistor de fotos

Transistor de emisor mltiple, que se utiliza en la lgica transistor-transistor

Transistor Multiple-base, que se utiliza para amplificar las seales de muy baja
actividad en ambientes ruidosos, como la recogida de un tocadiscos o interfaces
de radio. Efectivamente, se trata de un gran nmero de transistores en paralelo,
donde, a la salida, se aade la seal de forma constructiva, pero el ruido
aleatorio slo se aade estocstica.

Efecto de campo transistor

o

Nanotubos de carbono de efecto de campo transistor

JFET, donde la puerta est aislada por una unin pn de polarizacin inversa

MESFET, similar a JFET con una unin Schottky en lugar de una unin pn

Transistor de alta movilidad de electrones

MOSFET, donde la puerta est aislada por una capa superficial de aislador

Campo de T invertida transistor de efecto

FinFET, fuente/drenador regin formas aletas en la superficie de silicio.

FREDFET, epitaxial del diodo de efecto de campo transistor retroceso rpido

Transistor de pelcula delgada, en las pantallas LCD.

OFET Orgnica transistor de efecto de campo, en la que el semiconductor es un

compuesto orgnico

Transistor balstico

Floating-puerta del transistor, para el almacenamiento no voltil.

FET utilizan para detectar entorno

Campo sensibles a iones transistor de efecto, para medir las

concentraciones de iones en solucin.

EOSFET, electrolito-xido-semiconductor transistor de efecto de campo

DNAFET, cido desoxirribonucleico de efecto de campo transistor

Transistor difusin, formada por dopantes difusin en sustrato semiconductor, puede

ser a la vez BJT y FET

Transistores de unin unipolar se pueden utilizar como simples generadores de

impulsos. Ellos comprenden un cuerpo principal de ya sea de tipo P o semiconductor de
tipo N con contactos hmicos en cada extremo. Una unin con el tipo de semiconductor

opuesto se forma en un punto a lo largo de la longitud del cuerpo para el tercer

terminal.

Transistores de un solo electrn consisten en una isla puerta entre dos uniones tnel.
La corriente tnel es controlada por un voltaje aplicado a la puerta a travs de un
condensador.

Transistor nanofludicos, controla el movimiento de los iones a travs de canales submicroscpicas, llenas de agua.

MULTIGATE dispositivos
o

Transistor Tetrode

Transistor Pentodo

Trigate transistores

FET de doble puerta tienen un solo canal con dos puertas en cascodo; una
configuracin optimizada para los amplificadores de alta frecuencia, mezcladores
y osciladores.

Transistor nanocables Junctionless, desarrollado en el Instituto Nacional Tyndall en

Irlanda, fue el primer transistor fabricado con xito sin uniones. Uniones son difciles y
caros de fabricar, y, debido a que son una importante fuente de corriente de fuga,
desperdician energa significativa y generan calor residual significativa. La eliminacin
de los mantuvieron la promesa de microchips ms baratos y ms densa. El BUS utiliza
una simple nanocables de silicio rodeado por una "alianza" con separacin galvnica,
que acta a la puerta el flujo de electrones a travs del cable. Este mtodo ha sido
descrito como similar a apretar una manguera de jardn a la puerta el flujo de agua a
travs de la manguera. El nanocable es fuertemente dopada n, por lo que es un
excelente conductor. Fundamentalmente la puerta, que comprende silicio, es en gran
medida p-dopado, y su presencia reduce el nanocable de silicio subyacente evitando de
este modo el flujo de portador all de la puerta.

Vaco transistor de canal: En el 2012, se reportaron NASA y el Centro Nacional NanoFab

en Corea del Sur que han construido un prototipo de vaco transistor de canal en slo
150 nanmetros de tamao, pueden ser fabricados bajo precio con el procesamiento de
semiconductores de silicio estndar, puede funcionar a altas velocidades incluso en
ambientes hostiles y podra consumir tanto poder como un transistor estndar.

Numeracin de las normas/especificaciones Parte

Los tipos de algunos transistores se pueden analizar desde el nmero de pieza. Hay tres principales
estndares de nomenclatura de semiconductores, y en cada uno el prefijo alfanumrico ofrece pistas sobre el
tipo de dispositivo.
Japanese Industrial Standard
La especificacin JIS-C-7012 los nmeros de pieza transistor comienza con "2S", por ejemplo, 2SD965,
pero a veces el prefijo "2S" no est marcada en el paquete - un 2SD965 slo podra estar marcado "D965",
un 2SC1815 podra estar listado por un proveedor como simplemente "C1815". Esta serie tiene a veces
sufijos para denotar variantes, tales como endurecimiento de hFE agrupaciones.
Componentes electrnicos Asociacin Europea de Fabricantes de
La norma Electron Pro, el componente de parte de fabricante Electronic scheme Asociacin Europea de
numeracin comienza con dos cartas: la primera da el tipo de semiconductor, y la segunda letra indica el uso
previsto. Un nmero de secuencia de 3 dgitos sigue. Con los dispositivos de primeros esta indicado el tipo
de caso. Los sufijos pueden ser utilizados, con una carta u otros cdigos puede seguir para mostrar ganancia
o tensin nominal. Los prefijos ms comunes son:

Conjunto Electron Dispositivos Engineering Council

Los nmeros de dispositivo transistor EIA370 JEDEC por lo general comienzan con "2N", lo que indica un
dispositivo de tres terminales, a continuacin, un nmero de 2, 3 o 4 dgitos secuencial con ningn
significado en cuanto a las propiedades del dispositivo. Por ejemplo 2N3055 es un transistor de potencia de
silicio NPN, 2N1301 es un transistor de germanio conmutacin PNP. Un sufijo de letra se utiliza a veces
para indicar una variante ms reciente, pero rara vez ganar agrupaciones.
Propietario
Los fabricantes de dispositivos pueden tener su propio sistema de numeracin de propiedad, por ejemplo
CK722. Tenga en cuenta que el prefijo de un fabricante actual es un indicador poco fiable de la que hizo el
equipo. Algunos esquemas de nomenclatura de propiedad adoptan partes de otros sistemas de asignacin de
nombres, por ejemplo, un PN2222A es un 2N2222A en una caja de plstico.
Referencias militares a veces se asignan sus propios cdigos, como el Sistema de nombres de CV Militar
britnica.
Los fabricantes que compran grandes cantidades de piezas similares pueden tener ellos suministran con
"nmeros de la casa", la identificacin de una especificacin de compra en particular y no necesariamente de
un dispositivo con un nmero de registro estandarizado. Por ejemplo, una parte de HP 1854,0053 es un
transistor 2N2218 que tambin se le asigna el nmero CV: CV7763
Problemas de nomenclatura
Con tantos esquemas de nomenclatura independientes, y la abreviatura de las referencias cuando se imprime
en los dispositivos, la ambigedad se produce a veces. Por ejemplo, dos dispositivos diferentes pueden estar
marcados "J176".
Como los transistores mayores "a travs del agujero" se dan de montaje en superficie equivalentes
envasados, tienden a asignar muchos nmeros de parte diferentes porque los fabricantes tienen sus propios
sistemas para hacer frente a la variedad de arreglos patillas y opciones para dispositivos PNP NPN duales o
emparejado en un paquete. As que incluso cuando el dispositivo original puede haber sido asignado por una
autoridad de normas, y bien conocido por los ingenieros en los ltimos aos, las nuevas versiones estn lejos
de ser estandarizada en su nombramiento.

Construccin
Material semiconductor
Los primero BJT se hicieron a partir de germanio. Tipos de silicio actualmente predominan casi seguro
microondas avanzado y versiones de alto rendimiento ahora emplean el compuesto material semiconductor
arseniuro de galio y la aleacin de semiconductores de silicio germanio. Material semiconductor elemento
individual es descrita como elemental.
Rough parmetros para los materiales semiconductores ms comunes utilizados para fabricar transistores se
dan en la tabla a la derecha; estos parmetros variarn con el aumento de la temperatura, campo elctrico,
nivel de impureza, cepa, y otros factores diversos.
La unin hacia adelante tensin es la tensin aplicada a la unin emisor-base de un BJT con el fin de hacer
que la base conducir una corriente especificada. La corriente aumenta exponencialmente a medida que se
aumenta la tensin directa de conexiones. Los valores indicados en la tabla son tpicos de una corriente de 1
mA. Cuanto menor sea la unin tensin directa, mejor, ya que esto significa que se necesita menos energa
para "impulsar" el transistor. La salida de la tensin hacia adelante para un determinado corriente disminuye

con aumento de la temperatura. Para una unin de silicio tpico el cambio es -2,1 mV/C. En algunos
circuitos de elementos especiales de compensacin deben ser utilizados para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores mviles en el canal de un MOSFET es una funcin del campo elctrico que
forma el canal y de varios otros fenmenos tales como el nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas,
llamados agentes de dopado, se introducen deliberadamente en la fabricacin de un MOSFET, para controlar
el comportamiento elctrico MOSFET.
La movilidad de los electrones y columnas de movilidad agujero muestran la velocidad media que los
electrones y los huecos se difunden a travs del material semiconductor con un campo elctrico de 1 voltio
por metro aplicada a travs del material. En general, cuanto mayor es la movilidad de los electrones ms
rpido ser el transistor puede operar. La tabla indica que Ge es un material mejor que el de Si en este
respecto. Sin embargo, Ge cuenta con cuatro grandes deficiencias en comparacin con el silicio y arseniuro
de galio:

Su temperatura mxima se limita;

tiene relativamente alta corriente de fuga;

no puede soportar altas tensiones;

que es menos adecuado para la fabricacin de circuitos integrados.

Debido a la movilidad de los electrones es ms alto que el agujero de la movilidad para todos los materiales
semiconductores, un transistor NPN bipolar dada tiende a ser ms rpida que un transistor de tipo PNP
equivalente. GaAs tiene la ms alta movilidad de los electrones de los tres semiconductores. Es por esta
razn por la que GaAs se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un desarrollo relativamente reciente
FET, el transistor de alta movilidad de electrones, tiene una heteroestructura de aluminio-arseniuro de galio,
arseniuro de galio que tiene el doble de la movilidad de los electrones de una unin de barrera de GaAsmetal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, HEMTs se utilizan en los receptores de satlite de
trabajo en las frecuencias alrededor de 12 GHz.
Max. valores de la temperatura de unin son una muestra representativa tomada de las hojas de datos de
varios fabricantes. Esta temperatura no debe superarse o el transistor puede estar daado.
Al-Si se refiere a la unin del diodo de barrera de metal-semiconductor de alta velocidad, conocido
comnmente como un diodo Schottky. Esto se incluye en la tabla debido a que algunos IGFETs potencia de
silicio tienen un parsito Schottky diodo inverso formado entre la fuente y el drenaje como parte del proceso
de fabricacin. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito.
Embalaje
Transistores discretos son transistores empaquetados individualmente. Transistores vienen en muchos
paquetes de semiconductores diferentes. Las dos categoras principales son a travs de hoyos y de montaje
en superficie, tambin conocido como dispositivo de montaje superficial. La matriz de esferas es el ltimo
paquete de montaje en superficie. Cuenta con "bolas" de soldadura en la parte inferior en lugar de cables.
Debido a que son ms pequeos y tienen interconexiones ms cortas, DME tienen mejores caractersticas de
alta frecuencia pero menor potencia nominal.
Paquetes de transistores estn hechos de vidrio, metal, cermica o plstico. El paquete a menudo dicta la
potencia y las caractersticas de frecuencia. Transistores de potencia tienen paquetes ms grandes que se
pueden fijar para calentar sumideros para una mejor refrigeracin. Adems, la mayora de los transistores de
potencia tienen el colector o drenaje conectado fsicamente a la caja metlica. En el otro extremo, algunos
transistores de microondas de montaje superficial son tan pequeos como granos de arena.
A menudo, un transistor de tipo dado est disponible en varios paquetes. Transistor paquetes son
principalmente estandarizada, pero la asignacin de funciones de un transistor a los terminales no es: otros

tipos de transistores pueden asignar otras funciones a los terminales del paquete. Incluso para el mismo tipo
de transistor de la asignacin de terminales puede variar.