UNION P-N

DIODO DE UNIN PN POLARIZADO:

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se
le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve,
se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p)
y el polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son

empujados hacia la unin por el campo electrnico EPOOL a que
da lugar la polarizacin.

Por tanto se reduce la anchura e la zona e transicin

El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de

la unin Eu.As, se reduce el campo elctrico de la unin y,
consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como
vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es
VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la
forma VJ=Vo-V siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.

LA LEY DE SHOCKLEY

vemos que los electrones libres de la zona N pasan a ocupar los huecos
de la zona P y los huecos de la zona P pasan a la zona N, de manera que
en la unin la zona P se carga negativamente y la zona N se carga
positivamente. Ac vemos La cantidad de electrones es mayor en la zona
N, as como es menor la cantidad de huecos en la zona P. Los electrones
que van llegando a la zona P generan un campo elctrico que se opone
cada vez ms a que otros electrones pasen, hasta que se alcanza un
estado de equilibrio en el cual no pasan ms electrones.

Es un dispositivo de dos terminales que o tiene los estados estables, no

se de confundir con el diodo e barrera Schottky est formado por cuatro
capas de semiconductor tipo n y p

CONMUTACIN DEL DIODO

En este aplle se simula la conmutacin de un diodo,

pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus tornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema
de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y
otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que
incluye una resistencia) y un diodo de unin.

Este esquema se sita en la parte superior derecha

delapplet y se puede conmutar entre tensiones
haciendo"click" con el ratn en la zona entre las dos
fuentes detencin. Al iniciar la aplicacin aparecer un
mensaje Yuna flecha que seala la mencionada zona sensible

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando

el
botn
del
panel
superior
con
el
texto "Parmetrosciscuito". Al presionarlo aparecer una
ventana con tres campos editables donde
se pueden introducir los valores numricos
deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y
la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos
valores es necesario pulsar el botn Aceptar" de la ventana de
los parmetros del circuito para que tengan efecto los
cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas
que varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el
comportamiento del diodo. La primera grfica
representa la tensin seleccionada en el circuito; la
segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la
carga acumulada en las zonas neutras del diodo
(aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la
ltima grfica es la tensin que cae en tornas del diodo.
Esta cuatro grficas se van actualizando en el
tiempo y sern desplazando hacia la derecha
conforme avance el tiempo. En la parte superior de la
derecha del programa aparecen las ecuaciones que
rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se
simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del
diodo, la tensin en tornas del diodo y para los perfiles de los
minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada
una de estas ecuaciones demuestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin.