UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

CARACTERSTICAS DE LOS
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Pulla Snchez Luis Geovanny

AbstractIn this paper we will make a description of the

power semiconductors seeking to understand which are treated
and how they develop in the field of Power Electronics profits, the
most general characteristics of each component and its divisions
devices few and best we can found.

Index Termssimplicity, beauty, elegance

I. I NTRODUCCIN
OS semiconductores de potencia son dispositivos que
trabajan con circuitos que soportan valores de voltaje y
corriente muy elevadas. Los semiconductores de potencia son
capaces de soportar tensiones inversas elevadas. Realizaremos
el estudio de diferentes dispositivos lo cual nos lleva a estudiar
cada una de las caractersticas ms elementales para el mejor
uso de cada componente y tomar en cuenta cul de ellos es el
que mejor para un determinado problema.

II. D ESARROLLO
A. Caractersticas de los Semiconductores de Potencia.
Son capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas
de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de
conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar
grandes potencias tiene rapidez de funcionamiento para pasar
de un estado a otro.

a) Caractersticas estticas::
Parmetros en bloqueo:
Tensin inversa de trabajo (VRW M ): mxima tensin
inversa que puede soportar de forma continuada sin
peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ): mxima
tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y
frecuencia a 100Hz
Tensin inversa de pico nico (VRSM ): mxima
tensin inversa que puede soportar por una sola vez
cada 10 o ms minutos.
Tensinde roptura (VBD ): valor de tensin capaz de
provocar la avalancha en un tiempo superior a 10ms
Parmetros en conduccin:
Intensidad media nominal (IF W (AV ) ): valor medido
de la mxima intensidad de impulsos que el diodo
puede soportar en forma continua
Intensidad pico relativo (IF RM ): lo que puede soportar cada 20ms, con una duracin de pico a 1m/s
a una determinada temperatura.
Intensidad directa de pico no repetitiva(IF SM ): mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10
minutos con una duracin de 10ms

B. Valores que definen un componente.

1) Tensin inversa: Tensin que el dispositivo puede bloquear sin sufrir dao ni modificacin.
2) Tensin directa: Cada de Tensin cuando el dispositivo
se encuentra en estado conduccin.
3) Corriente directa: Flujo contino de carga elctrica a
travs de un conductor entre dos puntos de distinto potencial.
4) Otros trminos:
Potencia mxima.
Temperatura mxima.
C. Semiconductores de Potencia.
1) Diodos de Potencia.: Este dispositivo es uno de los ms
importantes de los circuitos de potencia pero tiene algunas
limitaciones son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conduccin
se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad y una pequea tensin.

Figure 1. Modelos estticos

Luis Pulla, estudiante de la carrera de Ingeniera Elctrica, Universidad

Politcnica Salesiana,Cuenca, Ecuador, e-mail: lpulla@est.ups.edu.ec.
2014

b) Caractersticas dinmicas::
Parmetros de encendido:
Tensin directa,(VON ): cada de tensin del diodo
en rgimen permanente para corriente nominal.
Tensin de recuperacin directa,(VF ): tensin mxima durante el encendido.

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Tiempo de recuperacin directa,(tON ): tiempo para

alcanzar 110% de VON
Tiempo de subida, (tr ): tiempo en el que la corriente
pasa de 10% al 90% de su valor nominal.
Parmetros en conduccin:
Tiempo de almacenamiento(ta ): tiempo de paso por
cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de cada(tb ): tiempo transcurrido de pico
negativo de intensidad asta anularse.
Tiempo de recuperacin inversa(trr ): suma
de tiempo de almacenamiento ms tiempo de
cada.(trr ) = ta + tb

Tiempo de cada(tf ): tiempo que emplea la seal de

salida en evolucionar entre 90% y el 10% del valor
final.
ton = td + tr
tof f = ts + tf
Caractersticas estticas:
Corriente media(ICAV ): valor medio de la corriente
que puede circular por un terminal
Corriente mxima(ICM ): mxima corriente admisible de colector
(VCBO ): tensin entre los terminales colector y base
cuando el emisor est en circuito abierto.
(VEBO ): tensin entre los terminales emisor y base
con el colector en circuito abierto.
Estado de saturacin: (VCEsat ): cada de tensin
prcticamente constante.
(hf e): relacin corriente de salida - control de
entrada.
Operacin segura en un BGT de potencia.
1) Corriente mxima permisible ICmax .
2) La hiprbola de mxima disipacin de potencia.
3) Lmite de segunda ruptura.
4) Voltaje de ruptura de la unin colector emisor
BVCEO .

Figure 2. Caractersticas dinmicas

2) Transistores de Potencia.: Este dispositivo tiene el

mismo funcionamiento de los transistores normales, solo se
basan en caractersticas especiales, soportar altas tensiones e
intensidades y por lo tanto altas potencias a disipar, los cuales
se dividen en tres fundamentales.
a) Transistor bipolar de potencia(BJT)::

Caractersticas principales:
(ICmax ): intensidad mxima del colector.
(BVCEO ): tensin de ruptura de colector emisor.
(Pmax ):potencia mxima disipable en rgimen continuo.
Conforme a los transistores utilizados en circuitos de
potencia trabajan generalmente en saturacin y corte
(rgimen de conmutacin)
Caractersticas dinmicas-Tiempos de conmutacin:
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde
el instante en que se aplica la seal de entrada en el
dispostivo conmutador, hasta que la seal de salida
alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (tr): tiempo que emplea la seal
de salida en evolucionar entre 10% y el 90% del
valor final.
Tiempo de almacenamiento (ts): tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y
el instante en que la seal de salida baja 90% de su
valor final.

Figure 3. rea de operacin segura en un BJT

b) Transistor Mosfet de Potencia:: Una de las aplicaciones de los Mosfet se encuentra en la conmutacin a
altas frecuencias, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para induccin de calor,
generadores de ultrasonido.

Ventajas de los Mosfet frente a los BJT

La velocidad de los Mosfet estn en el orden de los
nanosegundos.
No tienen problemas de segunda ruptura.
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple
Alta impedancia de entrada.
Inconvenientes de los Mosfet:

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Los mosfet tienen el problema de ser muy sensibles

a las descargas electroestticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
La resistencia esttica entre drenado-surtidor, es ms
grande, lo que provoca mayores prdidas de potencia
cuando trabaja en conmutacin.
Tipos de Mosfet:
Mosfet de Deplexin o empobrecimiento existe un
canal por el cual circula la corriente aunque no se
aplique tensin en la puerta.
Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento: el canal
que circula la corriente se crea se aplica una tensin
en la puerta, hay dos tipos de enriquecimiento de
canal N o canal P.

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar).

No tiene diodo parsito.
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones>
1000V .
En los valores intermedios depende de la aplicacin,
de la frecuencia.

Regiones caractersticas de los Mosfet:

Regin e corte:
VGS > VGS(th)
Regin Activa (saturacin):
VGS < VGS(th)
VGS VGS(th) < VDS
Regin hmica:
VGS < VGS(th)
VGS VGS(th) > VDS
c) IGBT de Potencia:: Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un Mosfet. La caracterstica de salida es la
de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente.
Caractersticas del IGBT
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar).
Facilidad de manejo (MOSFET).

Control de motores.
Sistemas de alimentacin ininterrumpida.
Sistemas de soldadura.
Iluminacin de baja frecuencia(< 100kHz)y alta
potencia.

Caractersticas estticas del IGBT:

VCES : tensin de disparo colector- emisor
mximo1200V .
IC : corriente continua de colector de 20A a 40A.
ICM : corriente de colector de impulsos
mximo100A.
ILM : corriente de carga negativa mximo100A.
IF M : diodo mximo de corriente directa
mximo100A.
VGE : voltaje gate-emisor mximo20V .
VISOL : voltaje RMS de aislamiento en un tiempo
t = 1min mximo2500V .
PD : mxima potencia de disipacin a TC = 25 C
un mximo de 240W a TC = 100 C un mximo de
96W .

Figure 4. Mosfet canal N

Bajo ciclo de trabajo.

Baja frecuencia (< 20kHz).
Aplicaciones de alta tensin (> 1000V ).
Alta potencia (> 5kW ).

Aplicaciones tpicas del IGBT:

Figure 5. Mosfet canal P

Condiciones de uso del IGBT:

Caractersticas dinmicas del IGBT:

No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
este efecto es muy significativo en el conjunto de
prdidas
Tiempo de cada de la tensinVCE no queda definido.
Conmutaciones con carga inductiva.
1) Encendido:

Figure 6. Formula de prdidas

1) Apagado:

Figure 7. Formula de apagado

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3) Tiristores de Potencia.: Los tiristores constituyen una

familia de dispositivos que pueden tomar diferentes nombres
y caractersticas, pero donde todos los elementos que la
componen se basan en el mismo principio de funcionamiento
constructivamente son dispositivos de 4 capas semiconductoras
N-P-N-P y cuya principal diferencia con otros dispositivos de
potencia es que presentan un comportamiento biestable.
a) Estados del tiristor::

Estados:
Bloqueo: los tiristores permanecen indefinidamente
en la condicin de bloqueo, a menos que se les
suministre la adecuada energa al terminal de compuerta, estando el tiristor bloqueado con polarizacin
directa.
Encendido: por la presencia de interferencias electromagnticas o debido a las capacidades parsitas
existentes en toda juntura inversamente polarizada,
puede producirse la suficiente energa para dar origen
a disparos indeseados.
Conduccin: el tiristor es un dispositivo de control
de tensin y no de corriente. Una vez en conduccin,
la magnitud de corriente a circular por el mismo la
fija el circuito exterior. Para que una vez encendido
el tiristor se mantenga en el estado de conduccin al
eliminarse la corriente de disparo de compuerta, se
requiere que la corriente principal sea lo suficientemente elevada.
Curvas caractersticas:
En la mediante figura 8 podemos observar la curva
caracterstica de un tiristor en este caso (SCR) en la
que se aprecia la polarizacin directa e inversa de la
tensin nodo-ctodo VAK , con sus cuatro regiones
respectivas.
Para el primer cuadrante se han incluido dos grficas,
las correspondientes a una baja corriente de gate y a
corriente nula.
En estado de conduccin directa, la caracterstica se
asemeja a una resistencia de bajo valor, mientras que
con polarizacin inversa, una eventual conduccin
dara lugar a la destruccin del tiristor en la regin
de avalancha por tensin excesiva.

Figure 8. Curvas caractersticas del SCR

Estado de bloqueo directo :

V(BO) : tensin a la cual el tiristor pasa del estado
de corte al de conduccin para un valor dado de la
corriente de gate.
V(BO)0 : tensin a la cual se el tiristor pasa del estado
de corte al de conduccin para corriente de gate nula.
V D(DC): tensin de continua directa permitida al
tiristor en el estado de bloqueo directo.
VDRM : mxima tensin de pico repetitivo en condicin de bloqueo directo.
VDSM : mxima tensin de pico no repetitivo en
condicin de bloqueo directo.
IDRM : corriente de prdidas a VDRM en condicin
de bloqueo directo (corriente de prdida directa).
Estado de conduccin:
VF (AV ) : Valor medio de la tensin en conduccin
durante un semiciclo, e integrada en el ciclo completo.
IF , IF AV ; IF RM S :Corrientes directas en el estado
de conduccin.
1) IF : valor instantneo
2) IF AV : valor medio
3) IF RM S : valor eficaz
IF AV M : mxima corriente directa media en el estado
de conduccin, correspondiente una tensin senoidal
de media onda con una carga resistiva, a temperatura
de cpsula y una frecuencia entre 40 y 60 Hz.
IF RM SM : mxima corriente directa eficaz en el
estado de conduccin.
IF SM : mxima corriente no repetitiva que puede
soportar en un semiciclo de conduccin.
I 2 t: es una medida de la sobre corriente en valor
eficaz durante un semiciclo.
Estado de bloqueo inverso :
VRRM : tensin inversa mxima inversa que puede
soportar el tiristor en forma repetitiva.
VSRM : tensin inversa mxima inversa que puede
soportar el tiristor, no repetitiva.
VRBO(DC) : tensin de continua inversa permitida al
tiristor en el estado de bloqueo inverso.
IRRM : valor de la corriente en el tiristor bloqueado
con tensin inversa.
Condiciones de encendido:
VGT : tensin continua (D.C.) necesaria para que
circule IGT .
VGR : tensin mxima de pico inversa entre Gate y
Ctodo.
IGT : corriente continua (D.C.) necesaria en el gate
del tiristor para que lo haga conducir.
iGF : valor instantneo de la corriente de gate directa.
A este valor le corresponde una tensin VGF .
IH : corriente de mantenimiento. Es la corriente
mnima que requiere el tiristor para mantenerse en
conduccin. Por debajo de este valor se corta la
conduccin.

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IL : corriente de enganche. Es la corriente mnima

necesaria para que el tiristor entre en conduccin y
la mantenga, sin cortarse despus que desaparezca el
pulso de gate.(IL > IH )
PG : mximo valor instantneo de potencia en el
Gate.
PGAV : mximo valor de potencia media que puede
ser disipada en la compuerta sobre un ciclo completo.
III. C ONCLUSIONES
En el mediante ensayo podemos mencionar que la electrnica de potencia al paso del tiempo va creciendo y es muy
necesario realizar grandes estudios del mismo para generar
grandes cambios dentro de las industrias donde generalmente
se usan valores de voltaje y corriente muy altos.
Los semiconductores dependen de la intensidad de corriente y tensiones, ya que es muy importante conocer las
caractersticas de conduccin, porque nos permite administrar
debidamente los parmetros de voltaje o corriente con los
que se puede trabajar, evitando que sufran algn dao los
componentes electrnicos.
A medida que vayamos estudiando podremos conocer ms
de cerca cmo trabajan los semiconductores de potencia y cul
de ellos son los ms recomendados para diferentes circuitos
de potencia.
IV. R EFERENCIAS
[1]
Introduccin
a
los
transistores
de
potencia-Electrnica
Industrial.
Apartado
3.2.http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas
/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.pdf

Luis Pulla Naci en Cuenca- Ecuador, en 1993.

Recibi el ttulo de bachiller Industrial en la especialidad de Instalaciones Equipos y Maquinas
Elctricas en el colegio Tcnico Salesiano en el
2011. Actualmente cursando la Carrera de Ingeniera
Elctrica en la Universidad Politcnica Salesiana de
Cuenca-Ecuador.