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CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA
Teresina
Janeiro de 2015.
1. Objetivos
O principal objetivo da prtica projetar e analisar o funcionamento de um TBJ como
chave mediante simulao e experimentao.
2. Lista de material
Gerador de Frequncia
2 Resistores
Transistor BC546
Osciloscpio
Multmetro
Fonte de tenso CC
3. Introduo terica
O transistor bipolar de juno (TBJ) composto por duas junes np, sendo que cada uma
pode ser analisada isoladamente como um diodo comum. O TBJ possui trs terminais, o
terminal emissor(E), base(B) e coletor(C). Existem dois tipos de TBJ, o npn e o pnp, tais
transistores esto ilustrados na figura 3.1.
npn
pnp
A analise para cada modo de operao semelhante para transistores npn e pnp, esto
faremos a analise para o transistor npn.
Modo ativo direto
Dizemos que um transistor (npn) est operando no modo ativo direto quando a juno
base emissor (JBE) est polarizada diretamente, isto , o terminal emissor est em um
potencial mais baixo que o da base e a juno base coletor (JBC) est polarizada
reversamente, isto , o terminal coletor est em um potencial maior que o terminal da base.
Este modo de operao geralmente usado em aplicaes de amplificadores de sinais.
Modo ativo reverso
Dizemos ainda que um transistor (npn) est operando no modo ativo reverso quando a
juno base emissor (JBE) est polarizada reversamente, isto , o terminal emissor est em
um potencial maior que o da base e a juno base coletor (JBC) est polarizada diretamente,
isto , o terminal coletor est em um potencial menor que o terminal da base. No
aconselhvel a operao do transistor nesse modo, uma vez que, pode-se vir a danificar o
componente.
Corte
Dizemos que o transistor est em corte quando suas duas junes(JBE e JBC) esto
polarizadas reversamente. Nessa configurao a corrente que circula no transistor nula.
Modo saturao
O transistor est saturado quando suas duas junes esto polarizadas diretamente.
Nesse modo de operao o transistor usado, na prtica, como chave fechada.
3.2 O transistor como chave
Quando o transistor usado como chave, ele trabalha em dois modos de operao, que
nesse caso so: saturao e corte. A figura 3.2 ilustra um circuito em que o transistor usado
como chave.
Rb =
=> Rb = 15K
e Rc =
=> Rc = 3.9 K
Ligou a fonte Vbb, ajustando corretamente a sua tenso foi aplicado um sinal ao
circuito de entrada de forma a polarizar a juno base-emissor do TBJ, mantendo assim uma
corrente de base considerada; Em seguida, com outra fonte de tenso Vcc, ajustando a tenso
desta para o valor considerado. Utilizando a montagem mostrada anteriormente foi aplicado
ao circuito de sada e observou-se com o osciloscpio as formas de onda de tenso em Rc e
nos terminais Coletor-Emissor. Por fim, foi esboado as formas de onda experimental para as
tenses Vbb, Vce e VRc.
As formas de onda utilizando a analise transiente do circuito 4.1 esto ilustradas nas
figuras 4.2 ,4.3 e 4.4.
5.2-Grfico Vce
b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traadas em (a) tomando como referncia o
comportamento do circuito e a curva caracterstica do circuito de sada.
Soluo: A curva mostra que o transistor pode ser usado no apenas como amplificador de
sinais mas tambm como chave em computadores e aplicaes de controle. Um projeto
apropriado para que o transistor atue como um inversor exige que o ponto de operao alterne
do corte para a saturao ao longo da reta.
c) Determine as perdas de conduo do TBJ usando a curva caracterstica Ic = f(Vce).
Soluo: As perdas no chaveamento pode acontecer durante a conduo e no estado
desligado. Quando a frequncia de chaveamento baixa as perdas na conduo so mais
significativas:
Encapsulamentos de transistores
6. Concluso
Atrs do experimento realizado no laboratrio e mediante simulao computacional,
podemos verificar a operao do transistor como chave, que quando o transistor opera ora
na regio de saurao, ora na regio de corte. Verificou que a queda de tenso Vce
considerada nula no momento em que a chave est fechada (transistor saturado) e que
nenhuma corrente circula pelo transistor quando a chave est aberta (transistor em corte).
7. Bibliografia
[1] Behzad Razavi, Fundamentos de Microeletrnica, 1 Edio, LTC, 2010.
[2] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 8
edio.
[3] http://www.ufpi.br/subsiteFiles/zurita/arquivos/files/Eletronica-I_7-TBJ-parte-I-v1_0prn.pdf