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Transistor de unión difusa

La frecuencia de corte de un transistor está determinada


principalmente por las dimensiones de su base. Pero por medios
mecánicos es imposible formar una base de muy pequeñas
dimensiones. Para obtener transistores que trabajen en elevadas
frecuencias se recurre a la tecnología de unión difusa (fig. 6.7).
Para la fabricación de transistores de unión difusa se parte de un
transistor de unión. Una extremidad de la barra se funde en forma de
gota y de manera que pueda recristalizarse de nuevo. Durante el
enfriamiento el germanio de base se difunde entre la parte difundida y
la parte solidificada; este proceso motiva una considerable
disminución del espesor de la base.
El control del espesor de la base se realiza por medio de las variaciones de temperatura y el tiempo de
difusión, con lo cual se obtienen bases con muy pocas micras de espesor.
El transistor de unión difusa tiene propiedades similares al transistor de unión, pero presenta una respuesta
más elevada para la alta frecuencia.

Transistor de Unión Aleada


La mayor parte de los transistores que actualmente existen en el mercado
y todos los transistores de potencia son fabricados utilizando esta
tecnología.
Para la fabricación de los transistores de unión aleada se parte de un
pequeño bloque de germanio N. En dos caras opuestas de este bloque se
efectúan dos soldaduras con indio, lo que motiva la formación de germanio
tipo P.
En la figura 6.8 se representa el interior de un transistor fabricado
siguiendo este método. Las soldaduras que se le introducen en el bloque
de germanio constituyen el colector y el emisor. Y como es natural el
bloque forma la base.
La formación del germanio tipo P depende del tiempo y la temperatura de
la soldadura. Se regulan muy cuidadosamente estas magnitudes para
obtener un espesor de base del orden de 0,05 mm.

Transistor de superficie de barrera


La necesidad de poseer transistores que trabajen a
frecuencia muy elevadas motiva la necesidad de obtener
bases de un espesor consideralemente muy reducido. No
seria lógico realizar espesores de base
considerablemente pequeño por un procedimiento
puramente mecánico. Para ello se proyectan dos chorros
muy finos de una solución de una sal de indio sobre las
caras opuestas de un cristal delgado de germanio del tipo
N. al mismo tiempo se aplica una corriente continua a
estos dos chorros de líquido de manera que se produzca
en ellos un ataque electrolítico. La operación continúa
hasta que estos dos chorros perforan casi la lámina.
Cuando se alcanza el espesor deseado, se invierte la polaridad de la corriente. Inmediatamente se produce
un depósito de indio en cada cara de la laminilla. Estos depósitos penetran un poco en el cristal formando
capas tipo P del emisor y del colector; sus partes exteriores reciben los electrodos correspondientes. En la
figura 6.9 se representa la forma básica de un transistor de superficie de barrera. Es espesor de la base
suele ser, aproximadamente de 0,006 a 0,01 mm.
Estos transistores son muy adecuados para etapas de elevada frecuencia, pero de muy reducida potencia.
Son aptos para trabajar con frecuencias de los 100 Mhz, pero con tensiones máximas de 6V.