Curso de pregrado Circuitos electrnicos III - UNFV

14 de mayo de 2014

DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS EN WIND

Karina Paola, Alatrista Sanchez
Ronald Ral, Brocca Martnez
Kevin Kennedy, Castillo Huerta
Ayrton Miguel, Navas Hinostroza
Andrs Guillermo, Tipe Tello

RESUMEN: Microwind es un programa

de diseo y simulacin de circuitos
integrados a nivel fsico. Permite disear
el circuito desde el punto de vista de la
fabricacin en Silicio (Si), sin ningn tipo
de abstraccin. En todo momento
estaremos trabajando las mscaras que
se pueden utilizar en el Layout.
Este programa nos permite utilizar la tecnologa
CMOS, donde podemos disear transistores
MOS,
NMOS,
PMOS,
condensadores,
resistencias, bobinas y contactos. A todos estos
componentes les podemos especificar tanto sus
dimensiones como su longitud de canal,
adems con la herramienta de simulacin nos
permite comparar el comportamiento esttico y
dinmico del componente diseado.
Tambin decir que es un editor de mscaras,
que permite el chequeo de las reglas de diseo
y tambin la extraccin de la netlist del circuito
en formato SPICE.
El Programa Microwind permite disear y
simular un circuito integrado a un nivel de
descripcin fsico. El paquete contiene una
librera de lgica comn y circuitos integrados y
analgicos para ver y simular. Microwind incluye
todos los comandos para editar las mscaras
como herramientas para ver el proceso en 2D,
3D y compilador verilog. La extraccin de su
circuito elctrico se realiza de forma automtica
y el simulador produce un voltaje analgico y las
curvas de corriente.
PALABRAS
CLAVES:
Wicrowind,
compuertas lgicas, CMOS, inversor y NAND

1. INTRODUCCIN

A partir de los conocimientos fundamentales

de la lgica combinacional, conjuntamente
con la tecnologa CMOS Se har una breve
gua para realizar el diseo basado en la
tecnologa CMOS. Para este diseo se
emplearn transistores tipo N MOS y p
MOS. Todos los diseos que se realizan en
este documento estn realizados en
DSCH y Microwin , programas que facilitan
el diseo y la simulacin de circuitos
integrados.

2.

CMOS

El transistor MOS es bsicamente

un interruptor. Cuando se usa en la lgica
de diseo de la clula, que puede ser
encendido o apagado. Cuando est
activado, una corriente puede fluir entre el
drenaje y la fuente. Cuando est apagado,
no hay flujo de corriente entre el drenaje y
la fuente. El MOS est encendido o
apagado en funcin de la tensin de puerta.
En la tecnologa CMOS, tanto de canal n (o
nMOS) y MOS pchannel (o pMOS) existen
dispositivos. Los nMOS y pMOS smbolos
se presentan a continuacin.
El canal nMOS se construye a partir de
polisilicio como el material de puerta y N +
difusin para construir la fuente y el
drenaje. El pchannel MOS se construye a
partir de polisilicio como material de puerta
y P + difusin de la construccin de la
fuente y el drenaje. Los smbolos para la
fuente de tensin a tierra (0 o VSS) y la
oferta (1 o VDD).

La tecnologa CMOS en la
actualidad es utiliza para la fabricacin de
circuitos integrados utilizados en aparatos
electrnicos como computadoras, celulares
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debe recordar la tabla de funcionamiento y

la activacin de los transistores.
Figura 3. Compuertas AND

Utilizando transistores p MOS en lugar de

n MOS se obtiene la funcin
F=A&B

Figura1. Arquitectura de un CMOS

3. DISEO DE
LOGICAS

COMPUERTAS

Para disear una compuerta con tecnologa

CMOS se debe conocer cmo actan los
transistores de MOS de canal n y p. Tanto
los transistores n MOS (canal N, sustrato
P) como p
MOS (canal P, sustrato N) poseen
los
siguientes pines (drenador, compuerta,
surtidor). Su funcionamiento se basa en la
creacin de un canal entre el drenador y el
surtidor, al aplicar una tensin en la
compuerta. Se forma una regin de
inversin, es decir, una regin con dopado
opuesto al que tena el sustrato
originalmente.

3.2. DISEO DE UNA OR

En el diseo de la compuerta OR se
necesitan dos transistores n MOS en
paralelo. Al utilizar p MOS en paralelo se
obtiene:
F=A/B
Figura 4. Funcin F=A/B p MOS en paralelo.

3.3 DISEO DE UNA NAND

Para disear una NAND se busca

una combinacin nicamente en la cual se

active cuando las entradas sean un 1
lgico. Por lo tanto se acopla dos
Transistores p MOS en paralelo, con dos n
MOS en serie.
Figura 2. Transistores nMos y pMOS

Figura 5. NAND con tecnologa CMOS

El transistor n MOS es considerado un

buen0 mientras que el p MOS es
considerado un buen 1

Entonces se dice que la compuerta NAND

En DSCH el orden de los pines est

establecido, en Microwind no hay distincin
entre el drenador y el surtidor para facilidad
y comodidad del diseador.
3.1. DISEO DE UNA AND
Para el diseo de la compuerta AND se
utilizan dos transistores n MOS en serie, se

es la combinacin entre las compuertas de

las figuras 3 y 4.Una herramienta de mucha
utilidad
en Microwind
es
generar

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automticamente una compuerta lgica,

mediante la barra de tareas, compile,
compile one liney en las opciones de

c. Vamos a file > select foundry se

abrir una ventana
donde
escribiremos cmos y aparecern
iconos donde le daremos click a
cmos06 para poder realizar el
diseo.

d. Empezamos a crear los materiales

con la ayuda de la paleta del
costado primero usamos el P +
Ejemplos preestablecidos escoger nand2=/
(a&b).Otra manera de lograr conseguir un
diseo que fue realizado en DSCH
obtenerlo en Microwind se tiene la opcin
de crear un archivo Verilogen DSCH y
despus compilarlo desde Microwind.
Figura 6. NAND generada CMOS Cell Compiler

En Microwind se puede modificar las

propiedades de la simulacin, es as que se
asigna una seal de reloj en las entradas
para obtener 1s y 0s lgicos para
observar el comportamiento del circuito.
Existe una opcin en la cual se genera una
seal aleatoria de reloj, poniendo r lo cual
significa random (aleatorio), esta opcin es
muy til para una NAND de 3 entradas
.Otra propiedad de simulacin es poder
observar los valores de los componentes
elctricos en un nodo

DIFFUSION

4. MICROWIND INVERSOR
a. Abrir el programa.
e. Colocamos
una
barra
de
POLYSILICON encima tal como
muestra la figura.

b. Creamos un archivo y guardamos.

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f.

Luego colocamos un N +
DIFFUSION de color verde abajo
tal como lo muestra la figura.

j.
g. Colocamos barras de metal 1 en la
parte superior e inferior tal como lo
muestra la figura.

h. Luego unimos el P+DIFFUSION

con el N+DIFFUSION con una
barra de metal 1 tal como lo muestra
la figura tambin cada barra que se
encuentran en la parte superior e
inferior con cada DIFFUSION
respectivamente cerca.

k. Esta ventana aparecer cuando

colocamos el clock en la barra de
POLYSILICON solo tenemos que
darle el tiempo del clock que
queramos para simular y le damos
ok.

l.
i.

Aumentamos una barra de salida

para la barra de POLYSILICON y la
que esta uniendo los cuadros de
DIFFUSION +N y +P tal como
muestra la figura.

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En este paso colocamos los

contactos P y N respectivamente en
cada DIFFUSION respectivo.

Este cuadro aparece cuando

colocamos la salida en la barra
demetal 1 lo cual solo tenemos
que darle ok click.

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POLYSILICON
solo
tenemos que darle el tiempo
del clock que queramos para
simular y le damos ok. Ojo

m. Aqu observamos la simulacin de

nuestro diseo la cual la seal de
color verde es la entrada y la seal
de color rojo la salida nos muestra
que cumple con lo pedido una seal
de salida invertida de la seal de
entrada.

este cuadro aparecer las

dos
entadas
donde
colocaremos de distinto
pero ambos.

m. Aqu observamos la simulacin

de nuestro diseo la cual la
seal de color verde y blanco
son las entradas y la seal de
color rojo la salida nos muestra
que cumple con lo pedido una

5. MICROWIND NAND
Repetimos de a hasta j.
k. En este paso colocamos las
alimentaciones
positiva
y
negativa tambin las entradas (1
y 2) y salida lo cual de estas
saldrn ventanas para cada una.

seal de salida negada del

producto de las entradas.

6. CONCLUSIONES

l.

Esta ventana aparecer

cuando colocamos el clock
en
la
barra
de
Pgina
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7. REFERENCIAS
i.

[1] G. Obregn-Pulido, B. Castillo-Toledo

and A. Loukianov, A

ii.

globally convergent
frequencies, IEEE

iii.

Trans. On Aut. Control. Vol. 47. No 5. pp

857-863. May 2002.

iv.

[2] H. Khalil,Nonlinear Systems, 2nd. ed.,

Prentice Hall, NJ,

v.

pp. 50-56, 1996.

estimator

for

vi.

[3] Francis. B. A. and W. M. Wonham, The

internal model principle of control theory,
Automatica. Vol. 12. pp. 457- 465. 1976..

vii.

[5] Control Toolbox (6.0), Users Guide, The

Math Works, 2001, pp. 2-10-2-35

viii.

[6] http://www.microwind.net/

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