El diodo es una unin p n

Cristal de Silicio: Se forma cuando varios tomos de silicio se unen y

comparten por medio del enlace covalente sus electrones, donde las capas de
valencia se juntan y cada tomo comparte un electrn con los tomos vecinos.
Cristal de Silicio Puro:No contiene electrones libres y se comporta como un
aislante.
Enlace Covalente: Es cada electrn compartido por un tomo.
Regla del octeto: Cuando los tomos completan sus ltimas capas de
Valencia con 8 electrones la forma que adquiere, es una estructura muy
estable.
Saturacin de Valencia: No hay electrones libres al haber co0mpletado la
ltima capa de Valencia con 8 electrones en un tomo.
Semiconductor Intrnseco: Es aquel que no da lugar a huecos y electrones
libres, por lo que se comporta como un perfecto aislante.
Semiconductor Extrnseco: Es aquel que incrementa su conductividad como
semiconductor. Para que esto sea posible el cristal de silicio se debe agregar o
mejor dicho dopar con impurezas.
Dopaje:El dopaje se lograra suministrando un tomo pentavalente o trivalente
dependiendo el tipo de semiconductor que necesitemos ya sea tipo N o tipo
P con lo que provocara que exista un electrn libre en el tipo N ,o bien se
generen huecos en el tipo P .
Ahora bien, dependiendo de la cantidad de dopaje un semiconductor ser alta
o bajamente resistente al flujo de electrones.
Semiconductor Tipo N
Esun semiconductor extrnseco de silicio o germanio dopado con impurezas
(ej: fosforo o arsnico) sea, tomos pentavalentes.

La N significa negativa, tambin es porque el semiconductor en su estructura

tiene muchos electrones libres los cuales son de carga negativa ya que
corresponden a las impurezas pentavalentes adheridas y que sern donadas a
la mnima excitacin.
tomo Pentavalente: En su ltima Capa de Valencia contiene cinco
electrones.

Semiconductor Tipo P
En este semiconductor se aplicaran impurezas aceptadoras, sea tomos
trivalente (ej.: Boro, Aluminio, Galio), con esto se generara la existencia de
huecos, este hueco aceptara cualquier electrn libre o alguno que pueda
atraer, o bien sirve como paso de electrones cuando vienen como flujo de
corriente.
La P significa positivo y adems es puesto que el hueco formado acta como
un ion de carga positivo, es importante adems, saber que al polarizarlo se
comporta como un conductor.
tomo Trivalente: En su ltima Capa de Valencia contiene tres electrones.
Polarizacin: Entendemos como polarizacin cuando un semiconductor es
conectado a dos placas, una positiva y la otra negativa, en sus extremos y
hacemos pasar por dicho semiconductor una corriente elctrica.
Polarizacin de semiconductor tipo N
Al ser polarizado el semiconductor tipo N los electrones libres o tambin
conocidos como impurezas se sienten atrados por la placa negativa puesto
que como es de conocimiento los polos opuestos se atraen. Los pocos huecos
que se encuentran en este cristal se van al lado de la placa negativa esto es
logrado gracias al movimiento de los electrones que se encuentran al lado de
este, dichos huecos luego son llenados por los electrones provenientes de a
fuente.

Debido al comportamiento antes sealado sucede que nuestro semiconductor

que estaba en estado de reposo y posea una resistencia muy baja debido a
sus impurezas donadoras ahora se comporta como un semiconductor
extrnseco y es por esto que se comporta como un aislante no dejando fluir a
los electrones provenientes de la fuente.
Polarizacin de semiconductor tipo P
Al polarizar un semiconductor tipo N los electrones provenientes de la fuente
ingresan fcilmente a este puesto que se encuentra con una gran cantidad de
huecos los que se comportan como cargas positivas y los electrones son
atrados por estos para as fluir hasta la placa positiva por la cual estn siendo
atrados con mayor fuerza.
Un semiconductor tipo P tiene impurezas con huecos mayoritarios las cuales
son aceptadoras y al ejercer una corriente elctrica sobre este cada hueco
acepta un electrn proveniente de la fuente por lo cual se comporta como un
conductor teniendo una resistencia muy pequea.
Unin P-N
Un fabricante puede crear un semiconductor con una mitad tipo N y la otra
tipo P, a esta unin se le conoce como unin P-N. La lnea donde son unidos
estos cristales se le denomina lnea de unin.
En el lado N los electrones se mueven en todas direcciones puesto que no se
encuentran unidos a ningn tomo ya que son electrones libres, incluso
algunos de estos electrones puede pasar la lnea de unin y cuando esto
sucede pasan a ser parte del lado P, los electrones son atrados por los
huecos ms cercanos a dicha lnea y se convierten en electrones de valencia y
de apoco estos pares van formando una zona donde se encuentran todos estos
pares de carga creando la denominada zona de deplexin, paralelo a esta
zona se forma lo denominado como zona de agotamiento o
empobrecimiento refirindose a que la zona cercana a la unin se queda sin
portadores de carga (electrones de lado N y huecos de lado P) debido a
que se combinaron.

La zona de deplexion se crea muy rpido y es muy delgada en comparacin a

la regin N y P, una vez creada le cuesta ms trabajo a los electrones
provenientes de la regin N pasar por esta zona, pero puede haber algn
electrn que logre pasar a la regin P aumentando as la zona de deplexion
tomndole ms trabajo aun pasar a los electrones. Cuando ya no es capaz de
pasar ningn electrn se llega al equilibrio.
Zona de agotamiento o empobrecimiento
Cuando un tomo pentavalente del lado N pierde un electrn libre y este
atraviesa lnea de unin este queda cargado positivamente puesto que el
nmero de protones en su ncleo es mayor a los electrones ubicados en sus
capas de valencia, cuando el electrn libre que paso al lado P se combina con
el hueco del tomo trivalente este queda cargado negativamente puesto que el
nmero de protones en su ncleo es menor a los electrones ubicados en sus
capas de valencia, es por esto que la zona de empobrecimiento del lado N
quedas cargada positivamente mientras que en el lado P la zona de
empobrecimiento queda cargada negativamente produciendo as una
diferencia potencial.
Como entre sus zonas de empobrecimiento se encuentra una zona de
deplexion (barrera) que impide el flujo de los electrones a dicha diferencia de
potencial se le denomina potencial de barrera y se expresa en volts. Por lo
tanto cualquier electrn que desee cruzar la barrera deber vencer el potencial
de barrera.
El potencial de barrera depende de:
1 La cantidad de dopaje del material tipo N y P, es decir si es dopado el
lado N habrn ms electrones libres, pero si es dopado el lado P habrn
ms huecos.
2 La temperatura a la que est expuesto el semiconductor.
3 El tipo de material con el cual est construido puede ser silicio (Si) o
germanio (Ge).
Unin P-N (diodo) polarizado en directa

El lado N que tiene mayor cantidad de portadores de carga negativos

(electrones libres) se coloca una placa negativa. En el lado P que tiene mayor
cantidad de portadores de carga positiva (huecos) se coloca una placa positiva.
Para que estas placas tengan esta polaridad se coloca una fuente de tensin
continua, conectando (positivo con positivo) y (negativo con negativo), como
sabemos que habr flujo de electrones se coloca una resistencia limitadora
para que la corriente no sobre pase y no se dispare al infinito.
El potencial de barrera tiene un voltaje igual a 0,7 (SI) o 0,3 (Ge) v.
Dependiendo del material que este fabricado el diodo. Al aplicarle una
corriente de menor voltaje de la que soporta el potencial de barrera, entraran
electrones atrados por la placa positiva del otro lado del semiconductor, pero
no podrn atravesar la zona de deplecin o de empobrecimiento debido a que
el potencial de barrera es mayor al de la fuente de tensin en ese momento el
diodo estara trabajando como aislante.
Pero al aplicarle una corriente mayor a 0,7 v. los electrones tendrn la
suficiente fuerza para vencer la zona de deplecin o de empobrecimiento.
Al pasar un electrn al lado P encontrara un hueco que le permitir seguir su
camino, cada tomo trivalente del lado P atrapa un electrn y se lo transfiere
a otro tomo con hueco libre y as sucesivamente para permitir el flujo de
electrones.
La corriente convencional siempre la esquematizamos de positivo a negativo
por el exterior de la fuente. Se debe a cuando se descubri la corriente
elctrica pensaban que esta se debi al flujo de cargas positivas y que estas se
movan por el circuito del terminal positivo al negativo, en base a eso se
formularon muchas cosas. A esta direccin se la llamo direccin convencional
de la corriente.
Pero al pasar de unos aos, cuando se descubri la naturaleza atmica, ah se
descubri que en realidad lo que se mueve son los electrones y le denominaron
el nombre de direccin del flujo de electrones. Siempre cuando haya un lado
P y un lado N hablaremos de un diodo.

Polarizacin a la inversa
Existir el material tipo N y Material tipo P.

Lo que se har ser voltear

la fuente de energa: sea se unir el material P con terminal Negativo y el

Material N con la terminal Positiva.
Lo que Sucede es que los electrones del material tipo N son atrados por la
placa positiva y los electrones circularan por el exterior formando una pequea
corriente, estos entran al material tipo P y se van combinando con los huecos,
intentando nuevamente llegar a la placa positiva pero le ser difcil, ya que, se
opone la barrera de potencial, aqu ocurren tres cosas:
-El movimiento de los electrones produce una pequea corriente de transicin,
la cual es casi imperceptible.
- los iones del lado positivo y negativo aumentan, provocando que la zona de
empobrecimiento sea mayor.
-La barrera de potencial aumenta.
Como se han movido los electrones al lado P y se encuentran huecos, estos
se circulan por ellos, pero como el potencial de barrera es muy alto no son
capaces de pasar al lado positivo entonces estos electrones se depositan en los
huecos y forman enlaces covalentes con los tomos, haciendo ms negativa la
zona de empobrecimiento del lado P, ya que el tomo queda con 4 electrones
y 3 protones (ion Negativo), as como en el lado N el tomo queda con 4
electrones y 5 protones(ion positivo), provocando que la zona de
empobrecimiento tenga una mayor fuerza de potencial, la cual es igual que la
de la fuente de polarizacin, en ese punto la barrera no crece ms y es aqu
donde se provoca el efecto de avalancha por efecto de la fuerza cintica de la
corriente.

Informe electrnica

Nombre: Miguel Campos

Miguel Bravo
Jorge Toloza
Seccin: 822 mase