Ao de la Integracin Nacional y el Reconocimiento de Nuestra

Diversidad

Universidad Privada
Telesup

TEMA:

TRANSISTORES
CURSO

PROFESOR
ALUMNA

:
:

CICLO
TURNO

:
:

PUCALLPA PER
2013

DEDICATORIA
A mi familia por ser el eje principal
que me permite y motiva a seguir
adelante en el desarrollo de mi futura
carrera profesional y as contribuir al
desarrollo de nuestra regin.

NDICE
CARTULA
DEDICATORIA
NDICE
INTRODUCCIN
EL TRANSISTOR
1. DEFINICIN
2. HISTORIA
3. TIPOS DE TRANSISTOR
Transistor de contacto puntual
Transistor de unin bipolar
Transistor de efecto de campo
Fototransistor
Emisor comn
Base comn
Colector comn
4. EL TRANSISTOR BIPOLAR FRENTE A LA VLVULA TERMOINICA
5. INNOVACIN BASADA EN LA CIENCIA
5.1. El transistor y los Laboratorios Bell
5.2. Llega el transistor de puntos de contacto
5.3. Comienza la fabricacin
5.4. Importancia de la I+D
5.5. Aplicaciones comerciales de los transistores e importancia de las
adquisiciones gubernamentales
6. TRANSISTORES EN PROCESADORES
6.1. El cambio de los transistores con las mejoras de Tecnologa
7. EMPRESAS DE FABRICACION INDUSTRIAL DEL TRANSISTOR
CONCLUSIN
ANEXOS
BIBLIOGRAFA

INTRODUCCION
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues
inici una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier
previsin inicial.
Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el
origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y
antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas
de calor de los equipos.
Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:
Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de
mando.
Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales

EL TRANSISTOR
1. DEFINICIN.- El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor

(resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente
en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.
2. HISTORIA
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford

Shockley,

quienes

fueron

galardonados

con

el Premio

Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres

electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor
(1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la
tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los
denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos,
la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla
mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el
MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET
permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los
circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La
tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un
diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se
complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades
especficas)

que

forman

dos

uniones

bipolares,

el

emisor

que

emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado
por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de

circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia

de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada
la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por
el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin
o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector
Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos
parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin
Base

Emisor,

corriente

de

Emisor,

etc.

Los

tres

tipos

de

esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los

transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores
FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se
inyecta en el terminal de base para modular la corriente de emisor o
colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control
(graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de
Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra
estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida
en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin
presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento
es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a
Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la
integracin a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea
aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores
interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

3. TIPOS DE TRANSISTOR
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de
contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en
1947 por John Bardeen y Walter
Brattain.

Consta

de

una

base

de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la

combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah
el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio,
que

tienen

cualidades

entre conductores como

de

semiconductores,

los metales y

estado

los aislantes como

intermedio
el diamante.

Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres

zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se
utilizan

como

elementos

aceptadores

al Indio (In), Aluminio(Al)

o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o
NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la
base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y

de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por

lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender
de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de
tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en
el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que
controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de
entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una
unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y
est separada del canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en

frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar
de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
Transistores y electrnica de potencia[editar editar fuente]
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de
los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles
de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es
as

como

actualmente

los

transistores

son

empleados

en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de

alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est
basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
El transistor bipolar como amplificador[editar editar fuente]
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de
Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo
entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre
base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo,
es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente
cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal
de entrada como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso
de tener resistencia de emisor, R E > 50 , y para

frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la

siguiente expresin:

;y

la impedancia de salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos
podemos suponer una tensin constante, V g. Tambin supondremos que
es constante.

Entonces tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

es constante (no depende de la seal

de

entrada), y la parte

nos da la seal de salida. El signo negativo

indica
que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,

por

, que aproximamos

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos

de transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por
el colector. La base se conecta a las masas tanto de la
seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de
corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn,
nos
da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja

impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de

tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La

impedancia de entrada es alta, aproximadamente
+1 veces la impedancia de carga. Adems, la
impedancia de salida es baja, aproximadamente
veces menor que la de la fuente de seal.
4. EL TRANSISTOR BIPOLAR FRENTE A LA
VLVULA TERMOINICA
Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos
activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas
elctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la
corriente que los atraviesa depende de la tensin en el borne de comando,
llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula
termoinica son varias:

Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas
de voltios, que son peligrosas para el ser humano.

Las

vlvulas

consumen

mucha

energa,

lo

que

las

vuelve

particularmente poco tiles para el uso con bateras.

Probablemente, uno de los problemas ms importantes haya sido el

peso. El chasis necesario para alojar las vlvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que
iba desde algunos kilos a decenas de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto

comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor
generado.

Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya

que necesitan estar calientes para establecer la conduccin.

El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy

frecuente en las vlvulas.

Los transistores son ms pequeos que las vlvulas, incluso que

los nuvistores. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene
hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben
llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha de considerar es

el del dispositivo (vlvula o transistor) ms el del disipador. Como las

vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la eficiencia
del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta
un disipador mucho ms pequeo.

Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones

reducidas y corrientes altas; mientras que las vlvulas presentan
impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones
pequeas corrientes.

Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior,

sino que contaba con la promesa de que continuara bajando (como de
hecho ocurri) con suficiente investigacin y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera

computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de
treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una
pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas
se quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin
importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una
revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus
necesidades

de

energa,

reemplaz

progresivamente

la

vlvula

termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante

los aos

1960,

algunos

fabricantes

siguieron

utilizando

vlvulas

termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego

el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de
los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio
esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas en amplificadores de
audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las vlvulas
termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de

la vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores

de

transmisin

de

radio

radioaficionados sino hasta varios aos despus.

profesionales

de

Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan

agradables al odo humano (vase psicoacstica), por lo que son
preferidos por los audifilos.

El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las

explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en algunos sistemas de control-comando de aviones caza
de fabricacin sovitica.

Las vlvulas son capaces de manejar potencias muy grandes,

impensables para los transistores en sus comienzos; sin embargo a
travs de los aos se desarrollaron etapas de potencia con mltiples
transistores en paralelo capaces de conseguirlo.

5. INNOVACIN BASADA EN LA CIENCIA

En primer lugar, debemos destacar que el transistor es una innovacin
basada directamente en la ciencia, ms concretamente en la 'Fsica del
Estado Slido' que ya desde principios del siglo XX haba recibido mucha
atencin por parte de numerosos cientficos europeos de sobra conocidos,
que fueron sentando las bases de lo que luego dara lugar a las ms
conocidas aplicaciones de la energa nuclear y de la bomba atmica.
Pero tambin en las dcadas de 1920 y 1930 se estudiaron los movimientos
de los electrones en cristales semiconductores, los detectores de 'contacto
de puntas' (cat-whiskers) y se llegaron a describir en publicaciones
cientficas algunos comportamientos de cristales que se parecan a lo que
ms tarde sera el primitivo transistor.
Pero, como deca R.W. Polh, quien, junto con R. Hilsch, public un artculo
en 1938 en el que describan un cristal semiconductor cuyo funcionamiento
era anlogo al trodo de vaco: "No tenamos en mente ninguna aspiracin
prctica... o se trabajaba en una Universidad o se mete uno de lleno en los
dispositivos tcnicos". Era el conocimiento de los materiales lo que guiaba a
los cientficos.

La invencin del transistor es el punto de partida de los microprocesadores.

Por otro lado, en los aos previos a la Segunda Guerra Mundial y durante la
misma la ciencia haba llegado en auxilio de la ingeniera tradicional y haba
demostrado el xito de las innovaciones basadas en la misma,
particularmente en el sector de la Defensa, como lo prueban la bomba
atmica, el radar y la investigacin de operaciones.
Los cientficos cobraron importancia y notoriedad frente a la 'gran
generacin de ingenieros inventores' como Marconi, Bell, Sperry, los
hermanos Wright,Junker, etc.
5.1.

EL TRANSISTOR Y LOS LABORATORIOS BELL

El caldo de cultivo estaba servido. Sin embargo, en este caso, la invencin

del transistor no vino de una necesidad sentida y expresada por las Fuerzas
Armadas. Vino del mundo civil, del sector empresarial del mbito de las
telecomunicaciones, concretamente de los Laboratorios Bell, probablemente
en los aos cuarenta y siguientes el mayor y mejor laboratorio de
investigacin industrial del mundo. Al final de los aos cuarenta empleaba a
5.700 personas, de las que unas 2.000 eran investigadores altamente
cualificados.
En los aos cuarenta las centrales de conmutacin telefnicas se basaban
en el uso de miles de rels electromecnicos, que curiosamente
funcionaban con una lgica digital, aunque entonces no se percibiera
completamente la importancia de la misma. Los rels eran dispositivos
voluminosos, lentos, consumidores de energa, ruidosos y difciles de
fabricar.
En los circuitos de transmisin telefnicos y en los sistemas de
radiodifusin, radiotelefona y la naciente televisin se utilizaban como

dispositivos detectores y amplificadores los tubos de vaco o vlvulas,

dispositivos frgiles, de fabricacin complicada, consumidores de energa y
disipadores de la misma.
En la poca que nos ocupa, Mervin Kelly era el director de Investigacin de
los Laboratorios Bell y, ya en el ao 1936, intua que algn da los rels
tendran que ser cambiados por conexiones electrnicas debido a la
creciente complejidad del sistema telefnico, y as se lo comunic a William
Shockley, a la sazn trabajando en los Laboratorios Bell.
Como seala Maurice Apstein: "Shokley y su grupo trataban de medir lo que
pasaba en un rectificador, as podran desarrollar un rectificador mejor para
la conmutacin telefnica... Lo que buscaban era un dispositivo de aperturacierre de estado slido, un simple conmutador".
Por otro lado, gran parte de las
investigaciones que se llevaban a cabo
por entonces en los Laboratorios Bell
tenan que ver con la mejora del
funcionamiento de las vlvulas de vaco,

de

modo que, como seala Herbert

Kleiman: "La fuerza impulsora del
transistor fue, finalmente, una necesidad...
haba una necesidad de obtener algo que
fuera una mejora sobre el tubo de vaco... No era investigacin bsica por
las buenas. Era investigacin bsica para proporcionar soluciones al
problema ms importante dentro de las telecomunicaciones".
5.2.

LLEGA EL TRANSISTOR DE PUNTOS DE CONTACTO

Parece claro, pues, que la necesidad que llev a la invencin del transistor
procedi de las aplicaciones civiles del sector de las telecomunicaciones.
Despus de varios aos, con cambios de orientacin y fracasos iniciales,
con la mezcla de investigadores tericos y prcticos, se lleg el 23 de
diciembre de 1947 a la demostracin prctica de un dispositivo de germanio
(el transistor de puntos de contacto), que no era inicialmente el previsto y
que dispona de propiedades de amplificacin y conmutacin.

Como es sobradamente conocido, la patente de invencin es de John

Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, los tres fsicos, a quienes fue
concedido el Premio Nobel de Fsica en el ao 1956.
El dispositivo patentado era un prototipo rudimentario, una importante
curiosidad cientfica que presagiaba muchas aplicaciones. Sin embargo, era
difcil de fabricar en series apreciables y la fiabilidad y repetibilidad eran
muy bajas, por lo cual hubo que dedicar mucha atencin y esfuerzo a todos
los aspectos relacionados con la 'innovacin de los procesos' de fabricacin
y al estudio de los materiales semiconductores y a la comprensin cabal de
los fenmenos de conduccin de los electrones.
5.3.

COMIENZA LA FABRICACIN

En 1952 se empezaron a fabricar transistores, casi todos ellos en la

Western Electric, la rama de fabricacin del sistema Bell, aunque tambin
comenzaron a producir dispositivos las firmas fabricantes de vlvulas,
Raytheon, RCA y General Electric. No olvidemos que el transistor se
present como sustituto de los tubos de vaco. Sin embargo, el nmero de
unidades producidas era muy pequeo y la aplicacin principal como
dispositivos amplificadores en aparatos para sordos, algo que nadie haba
previsto unos aos antes, debido a la miniaturizacin y al bajo consumo de
energa, caractersticas contra las cuales las vlvulas no podan competir.
Debe sealarse que en aquella poca, el mercado de vlvulas era muy
importante y consolidado, y sus prestaciones, salvo las dos mencionadas,
eran mucho mejores que las de los primitivos transistores. A diferencia de
otras innovaciones o inventos, el transistor no era algo completamente
nuevo en cuanto a las funciones que cumpla sino algo que sustituira
ventajosamente a otros dispositivos, rels y vlvulas, que funcionaban bien.
Por lo tanto, su desarrollo tuvo que enfrentarse a una prctica profesional
bien establecida, a un mercado consolidado y a unas empresas con
productos y procesos bien conocidos y desarrollados.
5.4.

IMPORTANCIA DE LA I+D

Si al tiempo que se produca la fabricacin y comercializacin del producto

no se hubiera continuado, incluso con ms intensidad que al principio, la

Investigacin Bsica en teoras y en materiales semiconductores y en

procesos de fabricacin, medida y caracterizacin, es posible que el
transistor no hubiera pasado de ser un dispositivo raro usado en unas pocas
aplicaciones.
Pero las expectativas que suscit eran altas, el nivel cientfico y tecnolgico
del pas era muy alto y la fe en la investigacin y el desarrollo, y en la
capacidad de la industria, eran tambin muy grandes, lo que condujo a un
esfuerzo redoblado de investigacin y desarrollo. Caldo de cultivo, cientfico
y cultural, idneo para que germinen las semillas.
El resultado de este esfuerzo en I+D, no slo de los Laboratorios Bell sino
tambin de otras empresas y universidades, fueron multitud de patentes, de
producto y proceso, que llevaron entre otros xitos al transistor de unin, a
los procesos de difusin y a la utilizacin del silicio, en lugar del germanio,
para la fabricacin de transistores, cosa que hizo en 1954 Texas
Instruments, una pequea empresa de servicios geofsicos que intuy el
potencial futuro de los semiconductores y empez a fabricar transistores.
La electrnica incorporada a los sistemas de armas era, en la dcada de los
cincuenta, muy importante. Un bombardero B-29, por ejemplo, llevaba del
orden de 1.000 tubos de vaco y electrnica asociada.
5.5.

APLICACIONES COMERCIALES DE LOS TRANSISTORES E

IMPORTANCIA DE LAS ADQUISICIONES GUBERNAMENTALES

En cuanto a aparatos de consumo, vase el bajo valor de los aparatos para

personas sordas, que fue la primera aplicacin comercial de los
transistores, y los valores razonables de receptores de radio de automviles
y porttiles, aplicaciones en las que el bajo peso, el tamao reducido y el
bajo consumo de potencia eran factores importantes.

Hasta los aos 70 no se super de forma

clara el mercado debido a

las compras del Gobierno. Como seala el

libro citado en la figura 3: "El Ejrcito de los
EE UU fue el mercado mayor de
electrnica as como la mayor fuente de
financiacin durante el periodo en que la
nacin estuvo involucrada en la Guerra Fra,
en la carrera espacial y en la guerra de
Vietnam".
En el ao 1962, primer ao de la
produccin de circuitos integrados, el
Gobierno Federal gastaba algo ms de
10.000 millones de dlares en electrnica, de los cuales 9.200 millones eran
del Departamento de Defensa y 500 millones de la NASA. Obsrvese en la
figura 3 que, a partir del ao 1960, se produce un repunte en el gasto del
Gobierno hasta doblar el valor en apenas dos aos. Este hecho fue debido
en gran medida al desarrollo del mercado de los circuitos integrados.
6. TRANSISTORES EN PROCESADORES
Un procesador esta compuesto de miles de millones de diminutos
transistores. Estos actan como unidades muy bsicas de procesamiento,
capaces de llevar a cabo todas las operaciones que realiza un PC moderno.
La arquitectura de un micro, no es ms que la organizacin de la conexin
de estos pequeos dispositivos. Las interconexiones harn que sean
capaces de llevar a cabo un tipo de tareas u otras.
Es muy importante entender que aunque la arquitectura puede hacer que
dos procesadores sean complemente diferentes las unidades bsicas que
los componen, los transistores, funcionan en ambos de manera idntica.
No todos son iguales, ni siquiera de tamao. Por ejemplo, dentro de un
microchip los transistores necesitan tener una alimentacin. Esta, est
controlada por unos transistores de carga. Estos deben de ser capaces de

llevar por su interior toda la corriente que alimenta los distintos bloques. Por
lo tanto estos deben de ser de un tamao mayor que los transistores
normales.
6.1.

EL CAMBIO DE LOS TRANSISTORES CON LAS MEJORAS DE

TECNOLOGIA

Los transistores han cambiado muchsimo a lo largo de los aos. Por poner
un ejemplo, en los procesadores Ivy Bridge de Intel tenemos los transistores
de triple puerta. En estos en vez de tener una sola puerta, tenemos tres
puertas de tal forma que se mejoran aspectos como la corriente y voltaje
necesarios para funcionar.
Esto lleva a que puedan funcionar con menos potencia que sus
antecesores.

7. EMPRESAS DE FABRICACION INDUSTRIAL DEL TRANSISTOR

International Rectifier
http://www.irf.com/indexsw.html

FREESCALE
http://www.freescale.com/

Texas Instruments
www.ti.com/

STMicroelectronics
www.st.com/

Infineon Technologies Sensors

www.infineon.com

CONCLUSIONES

En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos

electrnicos, tales como televisores, vdeos, equipos
musicales, relojes digitales y, cmo no, computadoras.

Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos

ellos

tienen

algo

en

comn:

los

dispositivos

electrnicos de los que estn constituidos.

Los transistores son unos de los dispositivos ms
importantes.

Estn

construidos

con

materiales

semiconductores pero con estructuras ms complejas

que los diodos. Son la base de la electrnica y uno de
los objetivos actuales es ir reduciendo su tamao
continuamente.

BIBLIOGRAFIA

iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdf
www.slideshare.net/Naren05/transistor-y-tipos-de-transistores-13676180
www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm

ANEXOS

AO

EVOLUCION DEL TRANSISTOR

1947

Primer transistor (tipo de punto de contacto) inventado en

los laboratorios Bell, acredita a Shockley, Bardeen y
Brattain.
1 . Primer anuncio pblico de la invencin del transistor.
2. Raytheon CK703 es primer transistor disponible
comercialmente.
3. Junction transistor teora desarrollada por William
Shockley en los laboratorios Bell.
1. "Tipo A" punto de contacto transistor entra en
produccin limitada en los laboratorios Bell.
2. W. MacWilliams construye la matriz de compuerta del
Transistor en los laboratorios Bell, utilizando transistores
de "Tipo A" 40; Esta es la primera aplicacin funcional del

1948

1949

1950

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1954

1955

1956

transistor.
3. Primer transistor aficionado artculo, "Construir un
Transistor", por R. Turner, publicado en la revista Radio
Electronics
1. Primer transistor de ensambladura adulto creado en los
laboratorios Bell. 2. El primer radio de transistores
construccin artculo, "Cristal con Transistor amplificador
receptor", por R. Turner, publicado en Radio y televisin
de noticias.
1. Bell Labs "Transistor Simposio" en Murray Hill, con
temas como punto de contacto y crecido cruce germanio
transistores y circuitos.
2. 30 Empresas licenciadas por Western Electric para
fabricar transistores.
3. Primera aleacin cruce transistores desarrollaron en GE
y RCA
1. RCA "Transistor Simposio" Princeton demuestra
potencial comercial de los transistores, incluyendo el
primer receptor de TV experimental del transistor.
2. Raytheon produce 10.000 CK718 audfono transistores.
3. Audfonos convertido en el primer producto comercial
que utiliza transistores.
4. GPC comercializa el primer transistor de ensambladura
comercial adulto (2517 series).
1. GE, Philco, Receptor de Radio, Raytheon, RCA,
Sylvania y Texas Instruments preparan para produccin a
gran escala de transistores de germanio cruce.
2. Raytheon introduce el transistor aficionado CK722.
3. Total produccin de transistor de Estados Unidos para
el ao es de 1.000.000 unidades.
1. Regencia y TI desarrollan y comercializar la primera
radio todo-transistor (TR-1).
2. TI comercializa el primer transistor de silicio comercial
(900 serie). 3. Raytheon fabrica sus transistores de
germanio no. 1.000.000. 4. Bell Labs desarrolla un
prototipo de alta frecuencia difundida base transistores.
1. GE introduce el transistor aficionado 2N107.
2. Otras empresas del mercado radios transistores (GE,
Raytheon, Zenith, Sony).
3. De GE USAF 2N43A es el primer transistor calificado
para el servicio militar
1. GE introduce el transistor aficionado 2N170.
2. De TI USN 2N117 es el primer transistor de silicio
calificado para el servicio militar.

1957

1958

1959

3. Fisher introduce el primer producto de transistor de alta

fidelidad (TR1 preamplificador). 4. 14 Compaas de
Estados Unidos han registrado un total de 164 "2N" tipos
de transistor.
5. Shockley, Bardeen y Brattain, galardonado con el
Premio Nobel de la invencin del transistor.
1. 10 aniversario de la invencin del transistor.
2. Anuales envos de Estados Unidos de 29,000,000
unidades. 3. Fairchild semiconductor divisin fundada por
ingenieros y cientficos originalmente contratados por
William Shockley en Shockley Semiconductor Laboratory
1. Explorer 1, el primer satlite de Estados Unidos, utiliza
transistores de silicio y germanio. 2. Fairchild comienza
envos comerciales del transistor
1. Fairchild desarrolla proceso planar, utilizado primero
para transistores de alta confiabilidad, ms adelante para
ICs monolticos. 2. Texas Instruments presenta el primer
circuito integrado comercial.