Tipos de diodo

Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en

inverso supera el voltaje de ruptura. Elctricamente son similares a los diodos Zener, pero
funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico
inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar
en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha
(el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el
ancho del canal del primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se
producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos
tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.

La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos contra

sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra de modo que, mientras la tensin
se mantenga por debajo de la tensin de ruptura, slo ser atravesado por la corriente
inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la interferencia con el resto del circuito
ser mnima; a efectos prcticos, es como si el diodo no existiera
Diodo emisor de luz o LED del acrnimo ingls, light-emitting diode: Es un diodo formado
por un semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los
portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los
portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que
se pueden producir vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas
al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que
ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y
amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente
color o un led azul revestido con un centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden
usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un led puede
usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un opto acoplador.

Los ledes en la actualidad se pueden acondicionar o incorporarse en un porcentaje mayor

al 90 % a todas las tecnologas de iluminacin actuales, casas, oficinas, industrias,
edificios, restaurantes, arenas, teatros, plazas comerciales, gasolineras, calles y avenidas,
estadios (en algunos casos por las dimensiones del estadio no es posible porque
quedaran espacios oscuros), conciertos, discotecas, casinos, hoteles, carreteras, luces de
trfico o de semforos, sealizaciones viales, universidades, colegios, escuelas,
estacionamientos, aeropuertos, sistemas hbridos, celulares, pantallas de casa o
domsticas, monitores, cmaras de vigilancia, supermercados, en transportes (bicicletas,
motocicletas, automviles, camiones triler, etc.
Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin
de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles
en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden
usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su corriente de fuga es mucho ms
alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por
lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios
que ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una
recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una
capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como
interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes
conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.

La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias

inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el
diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad
para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante
su poca cada de voltaje en directo permite su operacin con un reducido gasto de
energa. Otra aplicacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) y
circuitos controladores de motores paso a paso, cuando el circuito controlador efectua la
desconeccin de los bobinados del motor estos diodos se encargan de drenar los picos de
corriente inductiva que regresan de los bobinados de un motor a tierra para que estos no
ingresen al circuito y quemen los transistores IGBT del chopper, destruyendo el dispositivo.
Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua
a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una
capa intrnseca formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados como interruptores de
alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin
ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en
la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la
estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales
como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para
manejar alta potencia.
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa
Puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la
ventana e
Incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa
Producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa.
Son muy
Utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de
objetos,
Sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y

viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd
transformando la luz del haz lser reflejado en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica
Un diodo lser (DL) es un dispositivo semiconductor similar a un led1 pero que bajo las
condiciones adecuadas emite luz lser. Cuando un diodo convencional o led se polariza en
directa, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n
hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por
el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden
recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn con la energa
correspondiente a la banda prohibida (vase semiconductor).
Esta emisin espontnea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero
slo es visible en algunos de ellos (como los ledes

El diodo Gunn es un tipo de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A

diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N,
solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce
como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo
N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la
zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta
zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de
resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada

parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin
puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores
en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms
altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes
construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de
granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en ingls) y la sintonizacin es
realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los
cuales los ajustes son elctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El dispositivo recibe su nombre del cientfico britnico, nacido en Egipto, John Battiscombe
Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los clculos tericos del
profesor y cientfico britnico Cyril Hilsum.

El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es el nombre tcnico con el

que se designa a un tipo especial de diodo semiconductor de silicio cuyas caractersticas
de tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados
especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde es necesario
mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura. En
estas aplicaciones, los stabistores ofrecen una mejor impedancia dinmica que los diodos
zener de baja tensin, en los que predomina el efecto tnel en lugar de la ruptura por
avalancha.1 2 Otras aplicaciones tpicas incluyen la estabilizacin de la polarizacin de
etapas de salida en amplificadores clase AB, recortadores, fijadores de nivel, proteccin de
instrumentos de medicin, etc.3

La tecnologa utilizada en su construccin es normalmente del tipo planar epitaxial. Un

ejemplo tpico de stabistor es el BAS17,4 provisto por distintos fabricantes de
semiconductores.3 5 Algunos fabricantes ofrecen tambin dispositivos que integran en un
nico encapsulado varios stabistores conectados en serie con lo que es posible obtener
tensiones en directa mayores que con un nico dispositivo, pero menores que las que se
pueden conseguir con diodos zener convencionales
Diodos de silicio
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo
se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del
ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos
de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial
de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir
la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos
de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar
de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato
de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos
de germanio.

como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de
carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado

que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada regin
Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que
se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su
rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de
encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son

dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio
de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el
efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de
la caracterstica corriente-tensin.1
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente
activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una
fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los
portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin.

En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o

como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para

aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de
la radiacin.
Diodo de cristal
Un delgado alambre (que podra estar sujeto a un brazo metlico) est conectado al resto
del circuito mientras que uno de sus extremos hace contacto en un mineral semiconductor
el cual tambin est conectado de alguna forma a otra parte del circuito. G.W.
Pickard desarroll el primer detector de "bigote de gato" (el cual patent en 1906) con un
cristal de silicio basndose en un descubrimiento de semiconduccin hecho en 1874
por Ferdinand Braun, un fsico alemn de la Universidad de Wrzburg. es un dispositivo
que consta de un alambre que hace contacto con un cristal detector semiconductor. Dicho
artefacto reemplazaba de manera muy elemental a los diodos detectores de cristal en las
radios primitivas.

Se emplea un cristal mineral natural de propiedades semiconductoras,

comnmente galena; sin embargo puede prepararse artificialmente mediante
agregar azufre en plomoderretido obtenindose un mineral aunque no del todo cristalino.
Tambin pueden emplearse otros minerales como la pirita, silicio vtreo y carborundum. El
cristal debe montarse en un soporte metlico (y no soldarse para evitar daarlo)
previamente conectado a una parte del circuito y con una cara expuesta a fin de hacer
contacto con el "bigote" metlico. Si es necesario fijarlo en metal fundido pueden
emplearse aleaciones tales como el Metal de Wood de bajo punto de fusin a fin de no d

DIODO VARACTOR
El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como
condensadores
variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles como elementos
de
sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia.
Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y
microondas.

Una de las principales aplicaciones de los diodos varactores es la sintonizacin de

circuitos. Cuando se utiliza en un circuito resonante, el varactor acta como una capacidad
variable permitiendo ajustar la frecuencia de resonancia mediante un nivel de tensin
variable.
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual, estn
hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta. Esto le
permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por ejemplo,
en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la
componente de baja frecuencia (informacin audible). El condensadoren el circuito de la
imagen almacena carga cuando la seal de entrada crece, y se descarga muy lentamente
a travs del resistor cuando sta decrece. El diodo conectado en serie asegura que
la corriente no circule en sentido contrario hacia la entrada del circuito.

El detector de envolvente ms sencillo es el diodo detector que se muestra en la imagen.

Un diodo detector es simplemente un diodo entre la entrada y la salida de un circuito,
conectado a una resistencia y a un condensador en paralelo de la salida del circuito
a tierra. Si la resistencia y el condensador se eligen de manera correcta, la salida de este
circuito debera aproximarse a una versin corrida en tensin de la seal original.
Diodos de punta de contacto
Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente
aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y
se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga
contacto con el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer
una pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin
alemana) an se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en
dispositivos analgicos especializados. Diodo que consiste en un semiconductor contra el
que presiona un cable muy fino.

Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como detector o
mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de ley en
los niveles bajos de potencia.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para
monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para

refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores

termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin de
rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los
semiconductores tipo P y N para transportar el calor. Como medida de proteccin llevan
dos termofusibles en contracto trmico con los balastros (ese trozo de hierro bobinado)
como medida de seguridad.

Para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo
que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de
la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa,
este dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos
sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad. Cuando un diodo
Varicap es polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que forman los
materiales N y P a partir del punto de unin de las junturas se produce una capacitancia.
Visto en forma metafrica y prctica, es el equivalente a dos placas de un capacitor que
van separndose a medida que la tensin de alimentacin se incrementa

Para poder medir la capacitancia de estos diodos se puede recurrir a la formula de MBR

Cd = C/[ raz cuadrada de (1+2|Vd|)] =pF

donde C = capacitancia del diodo con polarizacin inversa (Farads)
Vd= magnitud del voltaje de polarizacin inversa del diodo (Volts) como esta entre barras el
valor siempre es positivo
Cd= C
El transistor mono juntura (unijunction ), o como comunmente se le conoce
UJT, tambin se le conoce como diodo de base doble. Es un dispositivo
semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento similar a un diodo zener
(ver la pgina diodos), pero se le puede variar el voltaje de avalancha con slo
modificar las condiciones elctricas en el terminal Base 2. El efecto zener se
presenta normalmente entre los terminales Emisor y Base 1, a travs de los cuales
se establece un sbito paso de corriente cuando la tensin elctrica entre estos
alcanza el punto de Hagamos una analoga del funcionamiento del UJT: Imaginemos
las conchas artificiales que se colocan en el fondo de los acuarios caseros, debajo
de estas se coloca una delgada manguera de la cual sales burbujas de aire

Diodo de gas:

Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como
tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco.
Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se va a
calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla
de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos; se eligen estas
sustancias porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan
calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno acta como calentador y como
ctodo)

El calentamiento causa emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin

directa, el nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo,
los electrones no eran fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba
caliente cuando la vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier
corriente en este caso es insignificante.
Un diodo lambda es un circuito electrnico que combina un par complementario
de transistores de efecto de campo en un dispositivo de dos terminales que presenta un
rea de diferencial de resistencia negativa muy similar a un diodo tnel . El trmino se
refiere a la forma de la curva V / I del dispositivo, que se asemeja a la letra griega
(lambda) .
Diodos Lambda trabajan en un voltaje ms alto de diodos tnel. Mientras que un diodo
tpico tnel [ 1 ] puede presentar resistencia diferencial negativa entre algunos 70mV - 350
mV, esta regin se produce entre aproximadamente 1,5 V - 6 V en un diodo lambda debido
a los altos voltajes de pinzamiento de dispositivos tpicos JFET. Un diodo lambda, por
tanto, no puede reemplazar un diodo tnel directamente.

Al igual que el diodo tnel, el aspecto de resistencia negativa del diodo lambda presta
naturalmente a la aplicacin en circuitos osciladores

[3]

amplificadores. Adems,biestables se han descrito circuitos tales como clulas de

memoria