1

CARACTERSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS Y TRANSISTORES

1. Caractersticas de Polarizacin Directa e Inversa

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarizacin directa e inversa.
Polarizacin Directa. La polarizacin directa se da cuando una tensin externa se opone a la
barrera de potencial. Si la tensin aplicada es mayor que la barrera de potencial, el diodo est polarizado
en directa y la corriente que fluye por el es grande, es decir, el diodo se comporta como cortocircuito,
aunque presenta una resistencia interna muy baja.
En la prctica, se polariza directamente al diodo cuando se conecta el nodo (borne P) al terminal
positivo de la fuente y el ctodo (borne N) al negativo.

Diodo polarizado directamente

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

W

Si P1 se halla en la posicin superior se tiene:

W

2
15 = 1k ( I - I D )

0 = 1k ( I D - I ) + 1kI D
15 = 1000 I - 1000 I D

0 = 2000 I D - 1000 I I = 2 I D
15 = 2000 I D - 1000 I D
I D = 15[mA]

Si P1 se halla en la posicin media se tiene:

W

15 = 500 I + 500( I - I D )

0 = 500( I D - I ) + 1000 I D
1500 I D = 500 I I = 3I D
15 = 1500 I D + 500 I - 500 I D
15 = 1500 I D + 1500 I D - 500 I D
ID =

15
2500

I D = 6[mA]

Si P1 se halla en la posicin inferior, se tiene:

W

Ntese que toda la corriente circulara por el cortocircuito que separa las mallas.
Entonces: I D = 0

3
a) Mtodo Punto a Punto.
Con el circuito de la figura 1, se levantar la curva I D vs. VD caracterstica del diodo a utilizar
(1N4007), haciendo nfasis en el voltaje de arranque, que por ser el diodo IN4007 un diodo de silicio, su
voltaje de arranque estar en 0,6 Vg 0,7 .
Con a curva caracterstica del diodo, se calcularn los siguientes parmetros:
- Resistencia dinmica del diodo:
rs =

(V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 )

( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Voltaje de barrido de frecuencia:

V j = V - rs I

b) Mtodo de barrido de frecuencia

Sea el siguiente circuito:

Con el osciloscopio previamente calibrado, se introduce el voltaje sobre la resistencia al canal Y y

el voltaje sobre el diodo al canal X. Se selecciona el modo X-Y y variando la frecuencia del generador se
visualiza la curva caracterstica del diodo. Se debe tomar en cuenta que el canal Y est midiendo voltajes,
as que es necesario dividir stos valores entre el valor de la resistencia R=1k[ W ], y de esta manera, se ha
medido indirectamente la corriente que circula por el diodo.
Una vez obtenida la curva caracterstica del diodo, por cualquiera de los dos mtodos
anteriormente expuestos, se puede calcular los parmetros bsicos del diodo, pero previamente se deber
efectuar el mismo anlisis con la polarizacin inversa.
Polarizacin Inversa. La polarizacin inversa de un diodo se da cuando la tensin externa aplicada al
diodo es menor negativa con respecto a la barrera de potencial que presenta el diodo. En polarizacin
inversa, el diodo presenta una alta resistencia hmica, simulando de esta manera un circuito abierto.
En la prctica se polariza al diodo inversamente, cuando se conecta el nodo (borne P) al Terminal
negativo de la fuente y el ctodo (borne N) al terminal positivo de la fuente.

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

W

Si P1 est en la parte superior, se tiene:

W

= 15[V ]

Si P1 est en la parte media, se tiene:

W

500[W]
15[V ]
1000[W]
VD = 7,5[V ]

VD =

Si P1 est en la parte inferior se tiene:

W

= 0[V ]

5
Con los mtodos expuestos en el inciso anterior, punto a punto y barrido de frecuencia, se
determinar la curva caracterstica del diodo. Con esta curva se calcularn los siguientes parmetros:
- Resistencia dinmica del diodo:
rs =

(V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 )

( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Corriente inversa de saturacin:

con : j =

ln (I 2 /I1 )
resistenci a de juntura
(V2 -V1 )-rS (I 2 -I1 )

- Capacidad de difusin:
1

2
1 + (wt e )
C D = j ( I + I S )
2w 2

1
2

- 1

c) Parmetros bsicos de los diodos 1N4007, AAZ15, 1N4043, HP2835

Diodo

Material

rS [W ]

I S [ A]

Vg [V ]

CTo [ pf ]

C p [ pf ]

1N4007

Si

1,19x10-11

5,54x10-2

0,6< Vg <0,7

2,3

0,45

AAZ15

Ge

1,1

4,36x10-6

~ 0,3

4,2

0,3

0,65

6
- Variaciones con la temperatura
W

rS = 5,54 10- 2 [W]

ID =

15
1000 + 5,54 10 - 2

I D = 14,66[mA]

VD = I D rS = 14,99[mA]5,54 10 - 2 [W] VD = 0,83[mV ]

Calentando el diodo D con algn dispositivo emisor de calor, y midiendo la temperatura sobre el
diodo con un termmetro, se deber observar una variacin que obedece a:
KTV / q
I = IS e
- 1 Si el diodo est polarizado directamente.

-V

I = I S e KT / q - 1 Si el diodo est polarizado inversamente.

Adems, I S tampoco es independiente de la temperatura, sino que vara segn:

I S T2 = I S T1 e K (T2 -T1 )

En el caso de la tensin se tiene:

VD T2 = VD T1 - k (T2 - T1 )

7
2. Diodos de avalancha - efecto zener
Caractersticas en polarizacin directa e inversa
Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarizacin directa e inversa.
Polarizacin inversa de diodo zener. El diodo zener se polariza inversamente cuando se conecta el
terminal positivo de la fuente al ctodo (borne N) y el terminal negativo de la fuente al nodo (borne P)
del diodo.
Una vez alcanzado el voltaje zener de regulacin VZ , este diodo conduce, circulando por el una
corriente considerable, establecindose as una diferencia con los diodos de uso general.
Analizando el circuito a utilizar en laboratorio y considerando a D como un diodo IN757:

VZ = 9,1 0,91; PZ = 500[mW ]

W

Si P1 est en la parte superior, se tiene:

W

15 = 1000( I - I D )

- 9,1 = 1000( I D - I ) + 1000 I D

W

I=

15
+ ID
1000

15

- 9,1 = 1000 I D + 1000 I D - 1000

+ ID
1000

- 9,1 = 1000 I D - 15
ID =

15 - 9,1
1000

I D = 5,9[mA]

8
Si P1 est en la parte media, se tiene:
W

15 = 500 I + 500( I - I D )

- 9,1 = 500( I D - I ) + 1000 I D

15 = 1000 I - 500 I D
15 + 500 I D
1000
500
(15 + 500 I D )
- 9,1 = 1500 I D 1000
- 9,1 = 1500 I D - 7,5 - 250 I D
I=

7,5 - 9,1 = 1250 I D

ID =

7,5 - 9,1
1250

I D = 1,28[mA]

Si P1 est en la parte inferior, se tiene:

W

Polarizacin directa del diodo zener. Un diodo zener se polariza directamente cuando se conecta el
nodo (borne P) al terminal positivo de la fuente y el ctodo (borne N) al terminal negativo de la fuente.
En polarizacin directa, el diodo zener se comporte como un diodo de uso general.
Analizando el diodo a usar en laboratorio:
W

Si P1 est en la parte superior:

W

15 = 500 I + 500( I - I D )

0 = 1000( I D - I ) + 1000 I D
10 = 2000 I D - 1000 I D
I = 2I D

15 = 1000(2 I D ) - 1000 I D
15 = 1000 I D
I D = 15[mA]

9
Si P1 est en la parte media:
W

15 = 500 I + 500( I - I D )

0 = 500( I D - I ) + 1000 I D

0 = 1500 I D - 500 I D
I = 3I D
15 = 1500 I D ) + 500 I - 500 I D

15 = 1000 I D + 500 I
15 = 1000 I D + 1500 I D
ID =

15
2500

I D = 6[mA]

Si P1 est en la parte baja:

W

I D = 0[mA]

a) Mtodo punto a punto

Con los circuitos de las figuras 3 y 4 se medirn I Z y VZ , tanto en polarizacin directa como en
polarizacin inversa. Con estos datos se levantarn las curvas caractersticas del diodo zener, haciendo
nfasis en el voltaje zener de regulacin, para la polarizacin inversa y en el voltaje de arranque, para la
polarizacin directa.
b) Mtodo de barrido de frecuencia
Sean los siguientes circuitos:

Variando la frecuencia del generador en los circuitos y con el osciloscopio previamente calibrado
en el modo X-Y, se visualizan las curvas en polarizacin directa e inversa. Ntese que el canal Y est
midiendo voltaje, estas lecturas deben ser divididas entre el valor de R = 1[kW] , midiendo as en forma
indirecta la corriente que circula por el diodo.

10
c) Parmetros bsicos de los diodos 1N4372, 1N757, 1N4554, MZ605
Diodo

Material

rZ [W]

Vr [V ]

VZ [V ]

PZ [W ]

1N757

Si

10

1,0

9,1 0,91

0,4

1N4372

Si

29

1,0

0,5

11
3. Aplicaciones con diodos
Circuitos recortadores
Circuito bsico:

D1 : zener de 5,1 [v]

D3 : zener de 7,1[v]
D2, D4, D5 : rectificador de 1[A]
R1 = R2 = R3 = 1[k W]

Dibujar e0 si ei vara de -10 a +10 [v] en pasos de i[v]

Si ei= -10 se tiene:

Si ei= -9 se tiene:

Si ei= -8 se tiene:

12
Si ei= -7 se tiene:

Si ei= -6 se tiene:

Si ei= -5 se tiene:

Si ei= -4 se tiene:

13
Si ei= -3 se tiene:

Si ei= -2 se tiene:

Si ei= -1 se tiene:

Si ei=0 se tiene:

eo=0[v]

14
Si ei=1 se tiene:

e0 =

R 2 || R 3
ei
R 2 || R 3 + R 1

R2 R3
R2 R3
R2 + R3
R2 + R3
e0 =
ei =
e
R2 R3
R2 R3 + R1 ( R2 + R3 ) i
+ R1
R2 + R3
R2 + R3
e0 =
e0 =

R2 R3
ei
R2 R3 + R1 ( R2 + R3 )

1k 1k
1[v] e0 = 0,33[v]
1k 1k + 1k 1k

Si ei=2 se tiene:

e0 =

1k 1k
2[v]
1k 1k + 2k

e0 = 0,67[v]
Si ei=3 se tiene:

1
e0 = 3[v ]
3
e0 = 1[v ]

Si ei=4 se tiene:

1
e0 = 3[v]
3
e0 = 1,33[v]
Si ei=5 se tiene:

1
e0 = 5[v]
3
e0 = 1,67[v]

15
Si ei=6 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0
e0 = 5,1[v]
Si ei=7 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0
e0 = 5,1[v]
Si ei=8 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0
e0 = 5,1[v]
Si ei=9 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0
e0 = 5,1[v]
Si ei=10 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0
e0 = 5,1[v]

16
a) Dibujar la curva de transferencia e0 vs. ei .

e0 [v]

ei [v]

b) Si ei es 10 sen(wt), Cunto vale e0 ?

w = 2pf

ei [v]

f = 100 Hz

t [ms]

e0 [v]

t [ms]

17
c) Si ei es la onda triangular mostrada, Cunto vale eo ?

T = 100[ms]

ei [v]

t [ms]

e0 [v]

t [ms]

18
4. Circuitos Rectificadores
4.1. Rectificadores Polifsicos
a) Caractersticas
MAGNITUD

SMBOLO

MEDIA ONDA

ONDA COMPLETA

Vm

1,17 Vf

2,3 Vf

1,017V,

Vm

Amplitud de tensin salida

VM

1,21 Vm

1,017Vm

Factor de forma

kf

1,017

Factor de amplitud

kA

1,19

1,047

Factor de ondulacin

18,5

4,2

Factor de pulsacin

kp

0,25

0,057

Frecuencia del armnico de orden sup.

f0

3f0

6f0

Corriente media por rama

Irm

0,333 Im

0,333 Im

Corriente eficaz por rama

If

0,588 Im

0,577 Im

Corriente mxima por rama

IFM

1,57 Im

1,047 Im

Tensin inversa mxima

VRM

3,14 Vm

1,047 Vm

Tensin eficaz de base secundario

Vf2

0,855 Vm

0,128 Vm

Tensin eficaz de lnea secundario

VL2

1,48 Vm

0,74 Vm

Corriente eficaz secundario

If2

0,588 Im

0,816 Im

Potencia aparente secundario

S2

1,74 Vm Im

1,05 Vm Im

Factor de utilizacin secundario

K2

0,662

0,954

Tensin eficaz del primario

Vf1

0,855 Vm

0,428 Vm

Corriente eficaz primario

If1

0,484 Im

0,816 Im

Potencia aparente primario

S1

1,24 Vm Im

1,047 Vm Im

Factor de utilizacin primario

K1

0,663

0,954

Tensin continua de salida

Transformador

Rectificador

Onda Salida

Tensin eficaz de salida

19
b) Rectificador trifsico estrella media onda

V1 = Vm sin(wt )
V2 = Vm sin(wt + 120 )
V3 = Vm sin(wt + 240 )

p
2

7p
6
2p
3

11p
6
4p 3p 5p 2p
3 2 3

7p
3

8p
3

7p
2

wt

wt

20
c) Rectificador estrella tipo puente

p
2

7p
6
2p
3

11p
6
4p 3p 5p 2p
3 2 3

wt

wt

21
4.2. Rectificadores monofsicos
a) Rectificador de media onda
Se dispone de un transformador de Vef s = 6[v] y la carga ser de RL = 1[kW]

VSP = 6 2 VSP = 8,49[v]

rad
La frecuencia : f = 50[ Hz ] w = 100p
s
T = 20[ms] con rf despreciable

VS [v]

t [ms]

iD =

Vm
sin(100pt ); con rf 0; rf << RL Diodo :1N4007
RL
Vm = VSP = 8,49[v]
8,49
sin(100pt )
1000
iD = 8,49 sin(100pt )[mA]
iD =

iD = 8,49[mA]

Corriente y tensin continua:

I CC =

I m 8,49
=
p
p

I CC = 2,7[mA]
VCC = I CC RL = 2,7 m 1K
VCC = 2,7[v]

22
Potencia suministrada a la carga:
PCC = VCC I CC = 2,72,7
PCC = 7,29[ mW ]

Potencia total de entrada (potencia del transformador):

2

Pac =

I m RL (8,49m) 2 1k
=
4
4
Pac = 18,02[mW ]

Factor de ripple:
F .R. = 1,21

Voltaje inverso de cresta:

PIV = 8,49[v]
b) Rectificador de onda completa

Vef S 1 = 6[v]; Vef S 2 = 6[v] Vm1 = Vm 2 = 8,49[v]

rad
La frecuencia : f = 50 Hz w = 100p
s
T = 20[ms ] con rf 1 y rf 2 despreciables
R L = 1k[W]

V0 [ v ]

t [ms]

Si : r f 1 << RL y r f 2 << RL
V0 = 8,49 sin(wt ) V0 = 8,49 sin(100pt ) 1er semiciclo.

Vm = 8,49[v]
V0 = 8,49 sin(wt + p ) V0 = 8,49 sin(100pt + p ) 2 do semiciclo

23
Corriente y tensin DC:
VCC =

2Vm 2 2(8,49)
=
p
p

VCC = 5,41[V ]

I CC =

2Vm 2(5,41)
=
pRL p (1000)

I CC = 3,44[mA]

Potencia entregada a RL :
2

PCC =

4Vm
4(8,49) 2
= 2
pRL p (1000)

PCC = 29,2[mW ]

Potencia total entregada al circuito:

2

Pac =

Im
V
(8,49)2
RL = m =
2
2 RL 2(1000)
Pac = 36,04[mW ]

Rendimiento:
h=

PCC
29,2m
100% =
100%
Pac
36,04m
h = 81,2%

Factor de rizado:
F .R. = 0,48

Tensin inversa de pco:

PIV = 2Vm = 2(8,49)
PIV = 16,98[v]

24
c) Rectificador tipo puente

Vefs = 6[v]
Vm = 8,49[v]
rad
La frecuencia : f = 50 Hz w = 100p

s
T = 20[ms]
RL = 1[kW]
Si : rf 1 , rf 2 , rf 3 , rf 4 << RL despreciables
V0 [ v ]

t [ms]

V0 = Vm sin (t )
V0 = 8,49 sin(100pt )

Corriente y tensin D.C.

VCC =

2Vm 2(8,49)
=
p
p

VCC = 5,4[v]

I CC =

2Vm 2(8,49)
=
pRL
p (1k )

I CC = 5,4[mA]

Potencia entregada a RL :

PCC = VCC I CC = 5,45,4m

PCC = 29,16[mW ]

25
Potencia total entregada al circuito:
Pac =

I m 2 RL Vm 2 8,49 2
=
=
2
2 RL
2k
Pac = 36,04[ mW ]

Rendimiento:
h=

PCC
29,16
100% =
100%
Pac
36,04
h = 80,91%

Factor de ripple:
F .R. = 0,48

Tensin inversa de pico:

PIV = Vm
PIV = 8,49[v]

26
5. Hojas tcnicas
Transistores BJT
Valores nominales mximos:
Transistor \ Carct.

VCEO

VCBO

VEBO

IC

TA=25(PD)

2N4400

40 VDC

60 VDC

6 VDC

600 mA

310 W

2N4123

30 V

40 V

5V

200 mA

310 mW

2N4402

40 V

40 V

5V

600 mA

310 mW

2N3906

40 V

40 V

5V

200 mA

310 mW

2N3055

60 V

100 V

7V

15 A

115 W

2N51163

40 V

60 V

4V

5A

50 W

BC548

30 V

30 V

6V

100 mA

625 mW

Caractersticas elctricas en estado OFF:

Transistor \ Carct.

V(BR)CEO

V(BR)CBO

V(BR)EBO

IBL

ICEX

2N4400

40 Vmin

60 VDCmin

6 Vmin

0,1 m ADC

6,1 m Amax

2N4123

30 Vmin

40 Vmin

5V

50 nA

2N4402

40 Vmin

40 Vmin

5V

0,1 m A

0,1 m A

2N3906

40 Vmin

40 Vmin

5V

50 mA

50 nA

2N3055

70 Vmin

5 mA

5 mAmax

2N51163

40 Vmin

4 Vmin

0,1 mA

BC548

30 Vmin

30 Vmin

6 Vmin

40 m Amax

27
Caractersticas elctricas en estado ON:
Transistor \ Carct.

hfe

VCE(SAT)

VBE(SAT)

Q(VCEO,IC )

2N4400

50 a 150

0,75 VDC

0,75 a 0,95 VDC

1V, 150 mA

2N4123

50 a 150

0,3 V

0,95 V

1V, 2mA

2N4402

50 a 150

0,4 V

0,65 a 0,95 V

5V, 150 mA

2N3906

100 a 300

0,25 V

0,65 a 0,85 V

1V, 10 mA

2N3055

20 a 70

8 Vmax

1,8 Vmax

2N51163

10 min

BC548

110

0,09 VTYP

0,7 VTYP

5V, 2mA

Caractersticas de seal pequea:

Caract. \
Transistor

fT

Cobo

Cibo

hie

hre

hfe

hoe

2N4400

200 MHz

6,5 pf

30 pf

0,5 a 0,65
k W

8x10-4

20 a 250

1 a 30 mv

2N4123

250 MHz

4 pf

8 pf

50 a 200

2N4402

150 MHz

0,5 pf

30 pf

750 a 7,5 k
W

0,1 a 8x10-4

30 a 250

1 a 100 m v

2N3906

250 MHz

4,5 pf

10 pf

2 a 12 k W

1 a 10x10-4

100 a 400

3 a 60 m v

2N3055

2N51163

500 MHz

45 a 60 pf

BC548

300 MHz

1,7 pf

10 pf

28
Transistores JFET e IGFET
Valores nominales mximos:
Transistor / Carcter.

VDS

VDG

VGS

ID

PD a 25C

Canal

2N4223 (FET)

30 VDC

30 VDC

30 VDC

20 mADC

300 mW

2N5460 (IFET)

40 VDC

40 VDC

40 VDC

10 mADC

310 mW

2N4351 (MOSFET)

25 V

30 V

+ 30 V

20 mA

300 mW

2N3797 (MOSFET)

20 V

+ 30 V

20 mA

300 mW

Caractersticas elctricas en estado OFF:

Transistor / Carcter.

V(BR)GSS

VGS(off)

IGSS

2N4223 (FET)

30 Vmin

8 Vmax

0,25 nA

2N5460 (IFET)

40 Vmin

0,75 a 6 V

5 nA

2N4351 (MOSFET)

10 pA

2N3797 (MOSFET)

200 pA

Caractersticas elctricas en estado ON:

Transistor

2N4223 (FET)

2N5460 (IFET)

2N4351 (MOSFET)

2N3797 (MOSFET)

IDSS

3 a 18 mA

1 a 5 mA

10 mA

1,5 mATYP 3 mAmax

Caractersticas de seal pequea:

Transistor / Carcter.

|Vfs |

Re(Yfs)

Re(Yos )

Re(Yis )

Ciss

CTss

2N4223 (FET)

3 a 7 mV

0,33 a 0,14 k W

200 mV

800 mV

6 pf

2 pf

2N5460 (IFET)

1000 a 4000 m V

Vfs-1

(75 m V)-1

5 a 7 pf

1pfTYP, 2pfmax

2N4351 (MOSFET)

1000 m V

(1000 V)-1

300 W

5 pfmax

1,3 pfmax

2N3797 (MOSFET)

5 a 7 pf

0,5 a 0,8 pf