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y su aplicacin en anlisis
estructural de polmeros
SeguridadenloslaboratoriosderayosX
Introduccin
Aspectosbsicosdelacristalografa
Qu esladifraccinderayosX
EquiposdedifraccinderayosX
AplicacindeDRXenanlisisestructuraldelos
polmeros
Resumen
Normativaaplicablealusodeemisoresderadiacionesionizantes:
ReglamentosobreinstalacionesnuclearesyradiactivasRINRRD1836/1999
ReglamentosobreproteccinsanitariacontraradiacionesionizantesRPSRI
RD763/2001
RINRdefinelasinstalacionesradiactivasylasdivideentrescategorassiendo
ladeprimeracategoralademsriesgo.
Establecelascondicionesparalaexencindeserinstalacinradiactiva
deaquellaslascumplan.
Equiposconaprobacindetipo
AnexoIIcondicionesparalaexencindeserinstalacinradiactiva:
Ofrecersuficienteseguridadcontralafugaderadiacionesionizantestanto
encondicionesnormalescomoencasodeaccidente,incluidousoincorrecto.
Nopresentarencondicionesnormalesunatasadedosissuperiora1Sv/h
enningn punto situado a0,1mdelasuperficie accesible delmismo.
Laseguridad eneluso delaparato radiactivo aprobado como tipo debe
fundamentarse enelpropio aparato ynoenelcumplimiento denormas por
parte delos usuarios.
Hadesersolicitada por elfabricante nacional opor elimportador.
Equiposconaprobacindetipo
ResolucindelMinisteriodeIndustria(publicadaenelBOE).
ExentodeserInstalacinRadiactiva.
Obligacindesuministrarelmanualdeoperacinymantenimiento
enespaol.
Revisionesymantenimientoporlacasasuministradora.
Sealizadocomoequipoemisorderadiacin.
Personalquelomanejanoprecisaningnrequisitoespecial.
ConocimientosdeProteccinRadiolgica.
Nonecesariadosimetra.
Revisinradiolgicaanualporlacasasuministradora.
Introduccin
Introduccin
EspectroElectromagntico
Introduccin
EspectroElectromagntico
DeacuerdoconlamecnicacunticasepuedendescribirlosrayosXcomo
ondasopartculas.
E=h =c/
E=hc/
h constantedePlanck (4,135x1015eVs)
c velocidaddeluz(3x1018/s)
Redplana
Redespacial
Sistemascristalinos
ndicesdeMiller
ndicesdeMiller
Qu es la difraccin de rayos X
d(hkl)
d(hkl)
Qu es la difraccin de rayos X
Ondaconstructiva
Ondadestructiva
Qu es la difraccin de rayos X
Paraquerayosreflejadossecombinenytenganunainterferencia constructiva
ladiferenciaenfasedebeserigualaunnmeroenterodevecesdelalongitud
deonda.Paraelloladiferenciadecaminopticorecorridoporcadarayodebeser
igualan
LeydeBragg
n=2dsin
n nmeroentero
d distanciainterplanar
ngulodeincidencia
excitacin
electrn
Alchocarunelectrnconalta
energaarrancaunelectrn
delacapaK
desesexcitacin
RayoX
Elelectrnexternovuelveala
rbitainternaemitiendounfotn
(rayosxcaracterstico)
Existen5transicionesKparaelCu:
SaltosLaK K1 (8,045keV,1,5406)
yK2 (8,025keV,1,5444)
Saltos MaK K1,K3 (8,903keV,1,3922)
K5
AunquelaenergaasociadaalatransicinK essuperioralatransicinK
alsermuchomenosfrecuentesuintensidadesinferior.
Laintensidadrelativadelastrescomponentesesde100(K1):50(K2):15(K)
Elreailuminadaporelhazesfuncindeltamaodelarejilladedivergencia,
elradiodelgonimetroyelngulodeincidencia
Laaperturadelasrejillasinfluyetantoenlaintensidadcomoenlaforma
delospicosdedifraccin:
Aperturasestrechas
reducenlaintensidaddelpico,
reduceneltamaodelhazqueincidesobrelamuestra
mejoralaresolucin picosmsagudos
Detectores
Detectordecentello
Ventajas:rangodinmicoelevado,baratos,robustos.
Desventaja:seliberapocacargaporunfotndeRX,pobreresolucinde
energa.
Detectores
Detectordeestadoslido
Ventajas:muysensibles(enormereduccindefondo),altaresolucinenergtica
ElevadacapacidaddeeliminacindefluorescenciayradiacinK,robustos.
Desventajas:limitadacapacidadderecuento,caros.
Detectores
DetectorVANTEC1deBruker
Estedetectorpuedeoperaren:
mododefotoinstantnea(fixed 2 mode)
cubriendointervalode2 de10 (100ms)
Mododebarrido(scanning mode).
ElsistemaVantec1consisteen:
Detector constadeunrecipiente
apresinde3ATMXeCO2),trespreamplificadores,
unfiltrodealtovoltaje.
Controladordeldetector
ControladorRpidodeDiffracin (FCD Fast Diffraction Controler
unidaddemicroprocesadorresponsabledelcontrolylecturadesalidadedatos.
pticadeldetector
Equipo dedifraccinderayosX
Detectores
DetectorVANTEC1deBruker
pticadeldetector:
RendijadeSoller radial reducelainfluenciadedispersincausadaporelaire
(influyeenelfondo,lneabasededifractograma)
Rendijadeldetector aperturaestrechamejoralaresolucin,reducelaintensidad
Beam Stop bloquealaradiacinXprocedentedeltuboabajosngulos
deincidencia.
Pantallaanti dispersin cuchillo reduceladispersinprimariadelaire
queinfluyeenlalneabasedeldifractograma.
12000
Corindn
Verificacindelequipo:
PatrnCorindn
reflexina2 35,149
Intensidad / ua
10000
35,149
8000
6000
4000
2000
0
32
33
34
35
36
37
Diagrama de difraccin
Unmaterialpolicristalinosecomponedemillonesdecristalitos
CuandosehaceincidirunhazderayosXysecambiasistemticamenteel
ngulodeincidenciaseobtienentodoslospicosdedifraccinposiblesdematerial.
Undiagramadedifraccinconsisteenunregistrodeintensidaddefotones
difractadosenfuncinde2.
Diagrama de difraccin
Unpicodeldifractograma secaracterizamedianteparmetrosque
dependendelaestructuracristalina,propiedadesdelamuestra, parmetros
instrumentalesysonlossiguientes:
Posicin parmetrosdered(leydeBragg),porosidad,longituddeonda
Intensidad dependedelaestructuracristalina(posicindelostomos
enlaceldaunidad,tipodetomos),anlisiscuantitativodefasesamorfaycristalina.
Formadelospicos FWHMFull Widh at Half Maximum tamaodecristalito,
distorsinreticular,monocromaticidad delaradiacin
EcuacindeScherrer:
K constante, longituddeonda
FWHM, ngulodeBragg
Diagrama de difraccin
Ruido
Consecuenciadelaestadsticaderecuento
Fondo
Lapresenciadelfondoenundifractograma esinevitable.
Tienesuorigenellasumadevariosfactores:
Interaccindelaradiacinconelaire,portamuestras ysuperficiedelaspartculas
Interaccininelsticadelaradiacinincidente
FluorescenciaderayosX
Monocromatizacin incompleta
Ruidodeldetector
Alahoradecalcularlaintensidad/readeunpicohayeliminarlacontribucin
delfondo.
Diagrama de difraccin
Elfondodebidoalafluorescenciaqueemitemuestraconuntubo derayosX
decobre.
Preparacin de muestras
Enunamuestrapolicristalinaideal,loscristalitosdebenestar orientadosal
azar (ausenciadetextura)ydebehaberunnmerosuficientedecristalitos
paraconseguirunabuenaestadstica.
Lasmuestraspuedenserenformade:
Polvo elnmerodecristalitosorientadosalazaresinversamenteproporcional
altamaodegrano
Filme
Gel
Lamuestrase introduceenelequipomedianteunportamuestras.
portamuestras deplsticocondiferentecavidad
portamuestras demonocristal desilicio
Preparacin de muestras
Transparenciadelamuestra.
LaprofundidaddelapenetracindelosrayosXenunamuestradependede:
Elcoeficientedeabsorcinmsicodelamuestra
Elngulodeincidencia.
Elcambiodereairradiadaamedidaqueelngulodeincidenciavara
secompensaconelcambioenlaprofundidaddepenetracindelaradiacin.
Elefectocombinadodeambosfactoresdeterminaqueelvolumenirradiado
permanececonstante amedidaquedisminuyeelreaaumentalapenetracindel
hazyviceversa.
CaractersticasdedifraccinderayosXenpolmeros
Coexistenciadeunhaloamorfoconreflexionescristalinas.
Nmerodereflexionesobservablesmuypequeo.
Anchuradelasreflexionesdebidoalasimperfeccionesdelas
regionescristalinasyalostamaospequeosdeestosregiones.
AplicacindedifraccinderayosXencaracterizacinestructuraldepolmeros.
Estimacindegradodecristalinidad delamuestra.
Polimorfismos.
Determinacindetamaoscristalinospromedios.
Mezclaspolimricas.
Influenciadeaditivos.
Presenciadecargas.
Tcnicasdedifracin derayosXenpolmeros:
Difraccinangulosaltos(WAXS Wild Angle Xray Scattering)
2 >5
Difraccin angulos medios (MAXS)
5 >2 >2
Difraccin angulos bajos (SAXS SmallAngleXrayScattering)
2 <2
Responsablesdelaresistencia
mecnica
Zonasamorfas
Responsablesdelaflexibilidad
yelasticidaddelmaterial
60000
(110)
Polietileno
Intensida / u.a.
50000
40000
30000
20000
(200)
10000
0
5
10
15
20
2/
25
30
35
Ortormbico
Polipropileno (PP)
Isotctico
Sindiotctico
Monoclnico
Ortormbico
Poliacrilonitrilo (PAN)
Sindiotctico
Isotctico
Ortormbico
Tetragonal
Monoclnico
Ortorrmbico
Rmbico
Nylon 6
Monoclnico
Nylon 6, 6
Triclnico
Nylon 11
Triclnico
Polietilentereftalato (PET)
Triclnico
Poliformaldehdo
Monoclnico
Ortormbico
Monoclnico
Celulosa
Monoclnico
Wc=Ac/(Ac+Aa)
Diagramadedirffraccin derayosxdepolipropileno
resueltoenpicoscristalinosyhaloamorfo
Tg / C
Polietileno de baja
densidad
115
-120
Polietileno de alta
densidad
137
-120
Polipropileno isotctico
175
-10
Poliacrilonitrilo
320
87
Politereftalato de etileno
(PET)
265
80
Poli(xido de etileno)
66
-56
Poliisopreno (trans)
74
-67
Poliisopreno (cis)
28
-75
CmaradetemperaturadeAnton Paar:
Intervalodetempraturas de 50hasta250C.
Estudiodecambiosestructuralesencondicionesisotrmicasy
dinmicas.
Estudiodecinticasdecristalizacin.
Procesodefusin,
cristalizacindepolietileno
realizadoenunarampade
temperaturaa4C/min,
registrandoundifractograma /min
35C
fusin
130C
125C
cristalizacin
85C
12
16
20
2
24
28
Polimorfismos
14000
Polipropileno isotctico
Intensidades / u.a.
12000
PP S
PP Q
10000
8000
6000
4000
2000
0
5
10
15
20
2 /
25
30
35
triclnico
monoclnico
Tamaoscristalinospromedios
EcuacinScherrer:
D(hkl)= K / cos
=anchuradelareflexinaalturamedia
Relacionalaanchuradelospicosconeltamaodelcristal
Difraccinangulosbajos(SAXS) caracterizacindemateriales
enrangodenanmetros
Celdillaunidad
L
Periodointerlaminar L,nm
la
lc
Espesordelaslaminillas lc,nm
Espesordelaparteamorfa la,nm
Arcillas
Tetraedro
Octaedro
Tetraedro
Resumen
DifraccinderayosXesunatcnicamuytilparaelanlisis
estructuraldepolmeros.
Lasaplicacionesmsimportantessonlaestimacindelgrado
decristalinidad yestudiodepolimorfismos.
Enconfiguracinconlacmaradetemperaturaesposible
estudiarelcambioestructuraldepolmerosencondiciones
isotrmicasydinmicas.