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El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
1 Estructura
2 Funcionamiento
o
3.1 NPN
3.3 PNP
5 Historia
6.2.1 Parmetros h
7 Vase tambin
8 Referencias
9 Enlaces externos
Estructura[editar]
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la
unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del
emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la
unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el
transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a
que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo
activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso
sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el
valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que
el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la
tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede
ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados
como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente
como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido
a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento[editar]
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin basecolector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos
los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y
el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los
cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al
ancho de difusin de los electrones.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencionalcircula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.
Transistor NPN
2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V
PNP[editar]
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Regin inversa:
Historia[editar]
El transistor bipolar fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por
John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de unin,
inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo
de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor de la
tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.
Dnde:
es la corriente de emisor.
es la corriente de colector.
es el voltaje trmico
300 K).
Eficiencia del
emisor:
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unin bipolar.
Dnde:
es la corriente de colector.
es la corriente de base.
es la corriente de emisor.
es el voltaje trmico
300 K).
es la tensin base-emisor.
es la tensin base-colector.
Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h.
Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil
anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms
exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
N-channel
Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p.
G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).
1 Historia
3 Caractersticas
4 Enlaces externos
Historia[editar]
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar
Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho
despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y
explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de
Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT).
Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's ..
Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida)
de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de
modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta:
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra
rpida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una
puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales
. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.
Caractersticas[editar]
Es menos ruidoso.