Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular Para la Educacin Superior

Instituto Universitario Tecnolgico Antonio Jos de Sucre
Extensin San Felipe

Integrante:
Castillo Luis Eduardo
CI: 24.557.803
Escuela 80

Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor"
("resistencia

de

transferencia").

Actualmente

se

les

encuentra

prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,

televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de
microondas, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes

dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en
cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). El transistor es un dispositivo controlado por corriente
y del que se obtiene corriente amplificada.

Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que

se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en
el colector. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.

El transistor de unin, se fabrica bsicamente sobre un mono cristal de

Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el
diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada
tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se

basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. La mayora de los FET estn
hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora
como la regin activa o canal.

Un disipador es un componente metlico generalmente de aluminio

que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se
calienten y se daen. Por ello una manera de aumentar la potencia
de un transistor es deshacerse del calor interno del encapsulado.

Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan

altas tensiones e intensidades que soportan, pero debido a ello tambin
tienen que disipar altas potencias y su recalentamiento es prolongado;
para evitar el sobre recalentamiento se usa los disipadores.

Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo

llamaron as por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso
de la corriente elctrica entre el emisor y el colector.
El transistor bipolar tiene tres partes, como el trodo. Una que emite
electrones (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y la tercera,
que esta intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
electrones (base).

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado slido. Fue inventado en
1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron
el premio Nobel en 1956). Tambin se suele denominar por sus siglas inglesas BJT
(bipolar junction transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados
emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:

Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un

interruptor o como una resistencia variable.

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que

la de un dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la
corta.

En el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la

diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la
base.

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
: Un transistor est en corte cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
Un transistor est saturado cuando: corriente de colector
corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imx)

Hay tres tipos de configuraciones bsicas del transistor BJT: emisor comn,
colector comn y base comn. Como ya sabemos, un transistor, al tener tres
terminales, se puede conectar de varias formas. Cada manera de conectarlo se
llama configuracin, y segn como est unido se va a comportar de una forma
u otra. Existen tres tipos de configuraciones bsicas para el transistor BJT, a
saber: emisor comn (EC), base comn (BC) y colector comn (CC). En la
ilustracin correspondiente vemos representados estos tres tipos de circuitos,
prescindiendo de cualquier otro elemento, como pueden ser bateras,
condensadores, etc. Hemos dejado solos a los transistores para poder ver
mejor como estn conectados. El nombre de comn se le da al terminal del

transistor que es compartido por la entrada y la salida.