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CAPTULO 3

TRANSMISORES PTICOS
El papel del transmisor ptico es convertir una seal de entrada elctrica en la seal
ptica correspondiente y luego enviarlo hacia la fibra ptica que sirve como un canal de
comunicacin.
El componente principal de los transmisores pticos es bsicamente una fuente ptica.
Los sistemas de comunicacin de fibra ptica a menudo utilizan fuentes de
semiconductores pticos como diodos emisores de luz (LEDs) y los lseres de
semiconductores debido a varias ventajas inherentes ofrecidos por ellos. Algunas de
estas ventajas son su tamao compacto, de alta eficiencia, buena fiabilidad, rango de
longitud de onda, y la posibilidad de modulacin directa en frecuencias relativamente
altas. Pese a que la operacin de los lseres semiconductores se demostr tan pronto
en 1962, su uso se convirti en prctica slo despus de 1970, cuando los lseres
semiconductores que operan continuamente a temperatura ambiente llegaron a estar
disponibles [1]. Desde entonces, los lseres semiconductores se han desarrollado
ampliamente debido a su importancia para las comunicaciones pticas.
Tambin se les conoce como los diodos lser o lser de inyeccin, y sus propiedades
son discutidas en varios libros recientes. Este captulo est dedicado a los LEDs y
lseres semiconductores y sus aplicaciones en los sistemas de ondas de luz. Despus
de la introduccin de los conceptos bsicos en la Seccin 3.1, los LEDs estn
cubiertos en la Seccin 3.2, mientras que la Seccin 3.3 se centra en lseres
semiconductores. Describimos lseres semiconductores monomodo en la Seccin 3.4,
sus caractersticas de funcionamiento en la Seccin 3.5. Los problemas de diseo
relacionados con transmisores pticos en la Seccin 3.6.
3.1 CONCEPTOS BSICOS
En condiciones normales, todos los materiales absorben la luz en lugar de que la
emitan. La absorcin es un proceso que puede ser entendido por referencia en la Fig.
3.1, donde los niveles de energa E1 y E2 se corresponden con el estado fundamental
y el estado excitado de los tomos del medio absorbente. Si la energa del fotn
de la luz incidente de frecuencia
de energa

hv

es aproximadamente la misma que la diferencia

Eg=E 2E1 , el fotn es absorbido por el tomo, que termina en el

estado excitado. La luz incidente es atenuada como resultado de la absorcin tales que
se producen en el interior del medio.

Fig. 3.1 Tres procesos fundamentales que ocurren entre los dos estados de energa de
un tomo
(a) Absorcin; (b) emisin espontanea; (c) emisin estimulada.
Los tomos excitados con el tiempo vuelven a su estado normal "terreno" y emiten luz
en el proceso. La emisin de luz puede ocurrir a travs de dos procesos fundamentales
conocidas como la emisin espontnea y emisin estimulada. Ambos se muestran
esquemticamente en la Fig. 3.1. En el caso de emisin espontnea, los fotones son
emitidos en direcciones aleatorias sin relacin de fase entre ellos. La emisin
estimulada, por el contrario, se inicia por un fotn existente. La caracterstica notable
de la emisin estimulada es que el fotn emitido coincide con el fotn original no slo
en energa (o en frecuencia), sino tambin en sus otras caractersticas, tales como la
direccin de propagacin. Todos los lseres, incluyendo lseres semiconductores,
emiten luz a travs del proceso de emisin estimulada y se dice que emiten luz
coherente. En contraste, los LED emiten luz a travs del proceso incoherente de
emisin espontnea.
3.1.1 TASAS DE EMISIN Y ABSORCIN
Antes de tocar el tema de las tasas de emisin y absorcin en los semiconductores, es
inecesario considerar un sistema atmico de dos niveles que interactan con un campo
electromagntico a travs de transiciones que se muestran en la Fig. 3.1. Si N1 y N2
son las densidades atmicas en el suelo y los estados excitados, respectivamente, y

P ph( )

es la densidad espectral de la energa electromagntica, las tasas de

emisin espontnea, la emisin estimulada, y la absorcin se pueden escribir as:

Rspon= AN 2, Rstim=BN 2 em , Rabs=B N 1 em .(3.1 .1)


Donde A, B, y B son constantes. En equilibrio trmico, las densidades atmicas son
distribuidas de acuerdo a las estadsticas de Boltzmann.

N2
Ek
h
=exp
exp
(3.1 .2)
N1
BT
kBT

( )

( )

Donde kB es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta. Desde N1 y N2


no cambian con el tiempo en el equilibrio trmico, las tasas de transicin, ascendentes
y descendentes deben ser iguales, o como se muestra a continuacin:

AN 2+ BN 2 em=B N 1 em .(3.1 .3)

Mediante el uso de la ecuacin (3.1.1) y (3.1.3) la densidad espectral

em

se

convierte en:

em=

A
B
B
hv
exp
1
B
kbT

( ) ( )

(3.1.4 )

3.1 CONCEPTOS BSICOS


En equilibrio trmico,

em

debe ser idntico con la densidad espectral de la

radiacin de cuerpo negro dado por la frmula de Planck.


3

em=

8 h /c
(3.1 .5)
exp(h /kBT )1

Una comparacin de las ecuaciones. (3.1.4) y (3.1.5) proporciona las relaciones:

A=

8 h 3
B; B=B . ( 3.1.6 )
c3

Estas relaciones se obtuvieron por primera vez por Einstein. Por esta razn, A y B se
denominan coeficientes de Einstein.
Dos importantes conclusiones pueden extraerse de las ecuaciones. (3.1.1) - (3.1.6). En
primer lugar,

kBT > hv .

Rspon

puede superar tanto

Rstim y Rabs

considerablemente si

Fuentes trmicas operan en este rgimen. En segundo lugar, para la

radiacin en la regin visible o en el infrarrojo cercano

(hv 1 eV ) ,

emisin

espontnea, siempre domina sobre la emisin estimulada en equilibrio trmico a


temperatura ambiente

(kBT 25 meV ) porque

1
Rstim
h
=[exp(
)1] 1.(3.1 .7)
Rspon
kBT

Por lo tanto, todos los lseres deben operar fuera de equilibrio trmico. Esto se logra
mediante el bombeo de lseres con una fuente de energa externa. Incluso para un
sistema atmico bombeado externamente, emisin estimulada puede no ser el proceso
dominante, ya que tiene que competir con el proceso de absorcin. Rstim puede
exceder Rabs slo cuando N2 > N1. Esta condicin se conoce como inversin de
poblacin y nunca se realiza para los sistemas en equilibrio trmico .En sistemas
atmicos, se consigue mediante el uso de esquemas de bombeo de tal manera que
una fuente de energa externa plantea la poblacin atmica desde el estado
fundamental a un estado excitado est por encima del estado de energa E2 en la Fig.
3.1.
Las tasas de emisin y absorcin de semiconductores deben tener en cuenta las
bandas de energa asociadas con un semiconductor. La figura 3.2 muestra el proceso
de emisin de forma esquemtica mediante la estructura de bandas ms simple, que
consiste en la conduccin y de valencia bandas parablicas en el espacio de la energa
de onda-vector (diagrama E-k). La emisin espontnea puede ocurrir slo si el estado
de energa E2 est ocupado por un electrn y el estado de energa E1 est vaca (es
decir, ocupada por un agujero). La probabilidad de ocupacin de los electrones en las
bandas de conduccin y de valencia est dada por la distribucin de Fermi-Dirac.

E 2Efc
fc ( E 2 )= 1+exp
kBT

fc ( E 1 )= 1+exp

Donde

Efc

E 1Efv
kBT

]}

1(3.1.8)

]}

1(3.1.9)

Efv son los niveles de Fermi. La tasa de emisin espontnea total

en un frecuencia se obtiene sumando sobre todas las transiciones posibles entre las
dos bandas que

E 2E 1=Eem=h ,

donde =

la energa de el fotn emitido. El resultado es:

1fv ( E 1) cv dE 2

A ( E 1,E2) fc( E 2)

R spon ( )=
Ec

2 , H =h/2

Eem

es

Fig. 3.2 conduccin y de valencia bandas de un semiconductor. Los electrones en la


banda de conduccin y huecos en la banda de valencia pueden recombinarse y emitir
un fotn a travs de la emisin espontnea, as como a travs de la emisin
estimulada.
Donde

cv

es la densidad conjunta de los estados, que se define como el nmero

de estados por unidad de volumen por unidad de intervalo de energa, y est dada por:

( 2 mr )3
1
2
2
cv=
(
hwEg
)
(3.1 .11)
2 3
2 h
mr

es la masa reducida, definida

mc y mv

son las masas efectivas de

En esta ecuacin, Eg es la banda prohibida y


como

mr=MCMV /(mc+mv) , donde

electrones y huecos en las bandas de conduccin y de valencia, respectivamente.


Desde

cv

es independiente de E2 en la ecuacin. (3.1.10), que puede ser tomado

fuera de la integral. Por el contrario, A (E1, E2) depende generalmente de E2 y se


relaciona con el elemento de matriz impulso en un enfoque perturbacin semiclsico

comnmente utilizado para calcularlo. Las tasas de emisin y de absorcin


estimuladas se pueden obtener de una manera similar y estn dadas por:

Rsti m ( )= B ( E 1,E2 ) fc ( E 2 ) [ 1fv ( E 1 ) ] cvem dE 2(3.1 .12)


Ec

Rabs ( )= B ( E 1,E2 ) fv ( E 2 ) [ 1fc ( E 2 ) ] cvem dE 2(3.1.13)


Ec

Donde

em

() es la densidad espectral de fotones introducida de una manera

similar a la Ec. (3.1.1). La condicin Rstim poblacin-inversin > Rabs se obtiene


mediante la comparacin de las ecuaciones. (3.1.12) y (3.1.13), resultando en

fc ( E 2)>fv( E 1).

Si utilizamos las ecuaciones. (3.1.8) y (3.1.9), esta condicin se

cumple cuando:

EfcEfv > E 2E 1> Eg( 3.1.14)


3.1. CONCEPTOS BSICOS
Dado que el valor mnimo de

E 2E 1

es igual a

Eg ,

la separacin entre los

niveles de Fermi debe superar la banda prohibida para inversin de poblacin que se
produzca. En equilibrio trmico, los dos niveles de Fermi coinciden

(Efc=Efv ).

Ellos se pueden separar mediante el bombeo de energa en el semiconductor desde


una fuente de energa externa. La manera ms conveniente para el bombeo de un
semiconductor es usar un

pn -unin polarizacin directa.

3.1.2 UNIONES P-N


En el corazn de una fuente ptica de semiconductores es la unin p-n, formada por
traer una de tipo p y un semiconductor de tipo n en contacto. Recordemos que un
semiconductor se hace de tipo n o de tipo p por dopaje con impurezas cuyos tomos
tienen un electrn de valencia exceso o uno menos de electrones en comparacin con
los tomos de semiconductores. En el caso de semiconductor n-Type, el exceso de
electrones ocupan los estados de conduccin de banda, normalmente vacos en los
semiconductores sin dopar (intrnsecos). El nivel de Fermi, situada en el centro de la
banda prohibida para los semiconductores intrnsecos, se mueve hacia la banda de

conduccin como la concentracin de dopante aumenta. En un semiconductor de tipo


n fuertemente dopada, el nivel de Fermi

Efc

se encuentra dentro de la banda de

conduccin; tales semiconductores se dice que son degenerados. Del mismo modo, el
nivel

Efv

Fermi se mueve hacia la banda de valencia para los semiconductores de

tipo p y se encuentra en su interior bajo el dopaje pesado. En equilibrio trmico, el nivel


de Fermi debe ser continua en toda la Unin PN. Esto se logra a travs de la difusin
de los electrones y los agujeros a travs de la unin. Las impurezas cargadas
establecieron un campo elctrico suficientemente fuerte como para evitar una mayor
difusin de electrones y mantiene en condiciones de equilibrio. Este campo se
denomina el campo elctrico incorporado. La figura 3.3 (a) muestra el diagrama de

pn

banda de energa de
Cuando la unin

pn

unin en equilibrio trmico y bajo polarizacin directa.


est polarizada mediante la aplicacin de una tensin

externa, se reduce el campo elctrico incorporado. Esta reduccin resulta en la difusin


de los electrones y los agujeros a travs de la unin. Una corriente elctrica comienza
a fluir como resultado de la difusin portadora. La corriente I
exponencialmente con el voltaje aplicado

aumenta

de acuerdo con la relacin bien

conocida.

[ ( ) ]

I =Is exp

qV
1 (3.1 .15)
kBT

Dnde est es la corriente de saturacin y depende de los coeficientes de difusin


asociados con electrones y los huecos. Como se ve en la Fig. 3.3 (a), en una regin
que rodea la unin (conocido como el ancho de agotamiento), los electrones y agujeros
estn presentes simultneamente cuando la unin

pn

est polarizada. Estos

electrones y los huecos pueden recombinarse a travs de la emisin espontnea o


estimulada y generar luz en una fuente ptica de semiconductores.
La unin p-n se muestra en la Fig. 3.3 (a) se llama la homo unin, ya que el mismo
material semiconductor se utiliza en ambos lados de la unin. Un problema con el
homo unin es que la recombinacin electrn-hueco se produce a travs de una
relativamente amplia regin

( 110 micras ) determinada por la longitud de difusin

de los electrones y agujeros. Dado que los portadores no se limitan a la proximidad


inmediata de la unin, es difcil de realizar densidades portadora de alta. Este
problema puede ser resuelto intercalando una capa fina entre las capas de tipo p y de
tipo n tal que la banda prohibida de la capa intercalada es ms pequea que las capas
que lo rodean.

Fig. 3.3. Diagrama de energa de banda de (a) homo estructura y (b) de doble hetero
estructura de uniones p-n uniones en equilibrio trmico (arriba) y bajo polarizacin
directa (abajo).
Al no ser dopado dependiendo del diseo del dispositivo; su funcin es la de limitar los
portadores inyectados en su interior bajo polarizacin directa. El confinamiento
portadora se produce como consecuencia de la discontinuidad de banda prohibida en
la unin entre dos semiconductores que tienen la misma estructura cristalina (la misma
constante de red) pero diferentes bandas prohibidas. Tales uniones se denominan
hetero uniones, y tales dispositivos se llaman dobles hetero estructuras. Dado que el
espesor de la capa intercalada puede ser controlado externamente (tpicamente,

0,1 micras), portadora de alta densidad pueden ser realizados en una corriente de

inyeccin dada. La figura 3.3 (b) muestra el diagrama de banda de energa de una
hetero estructura doble con y sin sesgo hacia adelante.
El uso de una geometra de hetero estructura de fuentes pticas de semiconductores
es doblemente beneficioso. Como ya se ha mencionado, la diferencia de intervalo de
banda entre los dos semiconductores ayuda a confinar los electrones y los agujeros a
la capa intermedia, tambin llamada la capa activa ya que la luz se genera en su
interior como resultado de la recombinacin electrn-hueco. Sin embargo, la capa
activa tambin tiene un ndice de refraccin ligeramente ms grande que la de tipo p y
de tipo n capas de revestimiento que rodean simplemente porque su banda prohibida
es menor. Como resultado de la diferencia del ndice de refraccin, la capa activa acta
como una gua de onda dielctrica y soporta modos pticos cuyo nmero puede ser
controlado cambiando el espesor de la capa activa (similar a los modos soportados por
un ncleo de la fibra). El punto principal es que una hetero estructura confina la luz
generada a la capa activa debido a su alto ndice de refraccin. Figura 3.4 ilustra
esquemticamente el confinamiento simultneo de portadores de carga y el campo
ptico a la regin activa a travs de un diseo de hetero estructura. Es esta
caracterstica que ha hecho de lseres semiconductores prcticos para una amplia
variedad de aplicaciones.

Fig. 3.4: confinamiento simultneo de portadores de carga y campo ptico en un


diseo doble de hetero estructura. La capa activa tiene una banda prohibida ms baja
y un ndice de refraccin ms alto que los de tipo p y de tipo n capas de revestimiento.
3.1.3 RECOMBINACIN NO RADIANTE

Cuando est sesgado hacia adelante la unin p-n, los electrones y huecos son
inyectados en la regin activa, donde se recombinan para producir luz. En cualquier
semiconductor, los electrones y los huecos tambin pueden recombinarse no
radiactivamente. Mecanismos de recombinacin no radiactiva incluyen la
recombinacin en trampas o defectos, la recombinacin de superficie, y la
recombinacin Auger. El ltimo mecanismo es especialmente importante para los
lseres semiconductores que emiten luz en el rango de 1.3 a 1.6 micras de longitud de
onda debido a un relativamente pequeo hueco de banda de la capa activa. En el
proceso de recombinacin Auger, la energa liberada durante la recombinacin
electrn-hueco se da a otro electrn o un hueco en forma de energa cintica en vez de
la luz produciendo.
Desde el punto de vista del funcionamiento del dispositivo, todos los procesos no
radiantes son perjudiciales, ya que reducen el nmero de pares electrn-hueco que
emiten luz. Su efecto se cuantifica a travs de la eficiencia cuntica interna, definida
como:

int=

Rrr
Rrr
=
(3.1 .16)
Rtot Rrr + Rnr

Donde Rrr es la tasa de recombinacin radiactiva, Rnr es la recombinacin no radiante.

Rtot Rrr + Rnr

es la tasa total de recombinacin. Es costumbre de introducir los

tiempos de recombinacin

rr

y nr usando

Rrr=N / rr

Rnr=N /nr ,

donde N es la densidad de portadores. La eficiencia cuntica interna entonces dada


por:

int=

nr
(3.1 .17)
rr + nr

Los tiempos de recombinacin radiactiva y no radiante varan de semiconductor de


semiconductor. En general,

rr y nr

son comparables para los semiconductores de

banda prohibida directa-, mientras que nr es una pequea fraccin

rr

( 105)

de

para semiconductores con una banda prohibida indirecta. Un semiconductor se

dice que tiene una banda prohibida directa si se producen el mnimo y el mximo de
valencia de banda para el mismo valor del vector de onda de electrones. La
probabilidad de recombinacin radiactiva es grande en tales semiconductores, ya que
es fcil de conservar la energa y el momento tanto durante la recombinacin electrnhueco. Por el contrario, los semiconductores de banda prohibida indirecta requieren la
asistencia de un fonn para la conservacin de impulso durante la recombinacin
electrn-hueco. Esta caracterstica reduce la probabilidad de recombinacin radiactiva

rr

aumenta

considerablemente

en

comparacin

con

semiconductores. Como es evidente a partir de la Ec. (3.1.17),

nr
int 1

en

tales

en tales

int 105 para el Si y Ge, los dos semiconductores de

condiciones. Tpicamente,

uso comn para los dispositivos electrnicos. Ambos no son adecuados para fuentes
pticas debido a su banda prohibida indirecta. Para los semiconductores de banda
prohibida directa-como

GaAs y InP , int 0,5

y enfoques 1 cuando se estimula

domina emisiones.
La tasa de recombinacin radiactiva se puede escribir como

Rrr=Rspon+ Rstim

cuando recombinacin radiativa se produce a travs espontnea, as como la emisin


estimulada. Para los LED, Rstim es insignificante en comparacin con Rspon y Rrr en
la ecuacin. (3.1.16) se sustituye con Rspon. Tpicamente, Rspon y Rnr son
comparables en magnitud, lo que resulta en una eficiencia cuntica interna de
aproximadamente 50%. Sin embargo,

se aproxima al 100% para lseres

semiconductores como emisin estimulada comienza a dominar con un aumento en la


potencia de salida. Es til para definir una cantidad conocida como la vida de los
portadores

tal que representa el tiempo de recombinacin total de portadores

cargados en ausencia de recombinacin estimulada. Se define por la relacin:

Rspon+ Rnr=

N
(3.1.18)
c

Donde N es la densidad de portadores. Si Rspon y Rnr

varan linealmente con N, c

se convierte en una constante. En la prctica, ambos aumentan de manera no lineal


con N tal que

Rspon+ Rnr=AnrN + BN 2+CN 3 , donde

Anr

es el coeficiente de

no radiante debido a la recombinacin en defectos o trampas, B es el coeficiente de


recombinacin radiactiva espontnea, y C es el coeficiente de Auger . La vida de los
portadores se convierte entonces en N dependiente y se obtiene mediante el uso de

1 c=Anr + BN+ CN 2 . A pesar de su dependencia de N, el concepto de c vida


de los portadores es bastante til en la prctica.
3.1.4 MATERIALES SEMICONDUCTORES
Casi cualquier semiconductor con una banda prohibida directa se puede utilizar para
hacer p-n homounin capaz de emitir luz a travs de la emisin espontnea. La
eleccin es, sin embargo, limita considerablemente en el caso de los dispositivos de
hetero estructura por su rendimiento.

Figura 3.5:
constantes de
red de banda prohibida y energas de compuestos ternarios y cuaternarios formados
mediante el uso de nueve grupos de semiconductores. La zona sombreada
corresponde a las posibles estructuras InGaAsP y AlGaAs. Las lneas horizontales que
pasan por InP y GaAs muestran los diseos de celosa emparejados.
Depende de la calidad de la interfaz de hetero unin entre dos semiconductores de
diferentes bandas prohibidas. Para reducir la formacin de defectos en la red, la
constante de red de los dos materiales debe coincidir para mejor que 0.1%. La
naturaleza no proporciona semiconductores cuyas constantes de red coincida con tal
precisin. Sin embargo, pueden ser fabricados artificialmente mediante la formacin de
compuestos ternarios y cuaternarios en el que una fraccin de los sitios de celosa en
un semiconductor binario de origen natural (por ejemplo, de GaAs) se sustituye por
otros elementos. En el caso de GaAs, un compuesto ternario Al XGA1-xAs puede
hacerse mediante la sustitucin de una fraccin x de tomos de Ga por tomos de Al.
El semiconductor resultante tiene casi la misma constante de red, pero aumenta su
banda prohibida. El intervalo de banda depende de la fraccin x, y se puede aproximar
por una relacin lineal simple.

Eg ( x )=1.424+1.247 x ( 0< x< 0.45 ) (3.1.19)


Por ejemplo, donde se expresa en electrn-voltios (eV) unidades
La Figura 3.5 muestra la relacin entre la banda prohibida Eg

y una constante de

red para varios compuestos ternarios y cuaternarios. Los puntos slidos representan
los semiconductores binarios, y las lneas de conexin de ellos corresponden a
compuestos ternarios. La porcin de la lnea de trazos indica que el compuesto ternario
resultante tiene una banda prohibida indirecta. El rea de un polgono cerrado
corresponde a compuestos cuaternarios. La banda prohibida no es necesariamente
particular para tales semiconductores. El rea sombreada en la Fig. 3.5 representa a

los compuestos ternarios y cuaternarios con una banda prohibida directa formado
mediante el uso de los elementos de indio (In), galio (Ga), arsnico (As), y fsforo (P).
La lnea horizontal que conecta GaAs y ALAS corresponde al compuesto ternario
AlxGa1-xAs, cuya banda prohibida es directa para valores de x hasta
aproximadamente 0,45 y viene dada por la ecuacion. (3.1.19). Las capas activas y
revestimientos se forman de tal manera que x es mayor para las capas de
revestimiento en comparacin con el valor de x para la capa activa. La longitud de
onda de la luz emitida se determina por el intervalo de banda ya que la energa
fotnica es aproximadamente igual a la banda prohibida. Mediante el uso de

Eg hv=hc /

se encuentra que

0,87

m para una capa activa hecha de

GaAs (Eg = 1,424 eV). La longitud de onda puede ser reducida a aproximadamente
0,81 micras mediante el uso de una capa activa con x = 0.1. Fuentes pticos basados
en GaAs funcionan tpicamente en el rango de 0,81 a 0,87 micras y se utilizaron en la
primera generacin de sistemas de comunicacin de fibra ptica.
Es beneficioso para operar sistemas de ondas de luz en el rango de longitud de onda
de 1.3 a 1.6 micras, donde tanto la dispersin y prdida de fibras pticas se reducen
considerablemente en comparacin con la regin de 0,85 micras. InP es el material de
base para fuentes pticas de semiconductores que emiten luz en esta regin de
longitud de onda. Como se ve en la Fig. 3.5 por la lnea horizontal que pasa a travs de
InP, la banda prohibida de InP puede reducirse considerablemente haciendo que el
compuesto cuaternario En 1-xGaxAsyP1- y mientras los restos constantes reticulares
coincidir con InP. Las fracciones x e y no pueden ser elegidos arbitrariamente, pero
estn relacionadas por

x / y=0,45 para asegurar adaptacin de la constante de red.

La banda prohibida del compuesto cuaternario puede ser expresada en trminos de


solamente

y es bien aproximada por:

Eg ( y )=1.350.72 y +0.12 y 2 (3.1.20)


Donde 0 y 1. La banda prohibida ms pequea ocurre para y = 1. Los compuestos
ternarios

0.55 Ga 0.45 As

(Eg=0,75 eV ).
fuentes

correspondientes

emite

luz

cerca

de

1,65

Por una eleccin adecuada de las fracciones de mezcla X e Y,

1xGaxAsyP 1Y

pueden ser diseados para funcionar en la gama de

longitud de onda amplia 1.0-1.65 m que incluye la regin de 1.3 a 1.6 micras
importante para los sistemas de comunicacin ptica.
La fabricacin de fuentes pticas de semiconductores requiere un crecimiento epitaxial
de capas mltiples sobre un substrato de base (GaAs o InP). Necesitan ser
controlados con precisin el espesor y la composicin de cada capa. Varias tcnicas de
crecimiento epitaxial se pueden utilizar para este propsito. Las tres tcnicas primarias
se conocen como epitaxia en fase lquida (LPE), epitaxia en fase vapor (VPE), y
epitaxia de haz molecular (MBE) dependiendo de si los constituyentes de diversas
capas estn en la forma lquida, forma de vapor, o en la forma de un haz molecular. La
tcnica VPE es tambin llamado deposicin de vapor qumico. Una variante de esta

tcnica es la deposicin de metal-orgnico-qumico de vapor (MOCVD), en el que los


lcalis metlicos se utilizan como los compuestos de mezcla.
Tanto las tcnicas de MOCVD y MBE proporcionan una capacidad de controlar el
espesor de capa a dentro de

1 nm . En algunos lseres, el grosor de la capa activa

es pequeo en que los electrones y los huecos actan como si se limitan a un pozo
cuntico. Tal rgimen conduce a la cuantificacin de las bandas de energa en sub
bandas. La principal consecuencia es que la densidad conjunta de los estados

cv

adquiere una estructura de escalera. Dicha modificacin de la densidad de estados


afecta a las caractersticas de ganancia y mejora considerablemente.
El rendimiento del lser. Estos lseres han sido ampliamente estudiados .en mltiples
capas activas de espesor
de aproximadamente

510 nm , separadas por capas de barrera transparente

10 nm

de espesor, se utilizan para mejorar el rendimiento del

dispositivo. Estos lseres son llamados multiquantum pocillos (MQW) lseres. Otra
caracterstica que ha mejorado el rendimiento de los lseres MQW es la introduccin
de intencional, pero deformacin controlada dentro de las capas activas. El uso de
capas activas delgadas permite un ligero desajuste entre constantes de red sin
introducir defectos. La cepa resultante cambia la estructura de la banda y mejora el
rendimiento del lser. Tales lseres semiconductores se llaman lseres MQW. El
concepto de lseres de pozo cuntico tambin se ha ampliado para hacer cuntica
hilos y lseres de puntos cunticos en el que los electrones estn confinados en ms
de una dimensin. Sin embargo, dichos dispositivos se encontraban en la etapa de
investigacin en 2001. La mayora de los lseres semiconductores desplegados en los
sistemas de ondas de luz utilizan el diseo MQW.
3.1 LA LUZ EMITE DIODOS
Una Unin PN polarizado emite luz a travs de la emisin espontnea, un fenmeno
conocido como electroluminiscencia. En su forma ms simple, un LED es una
polarizacin p-n homo unin. Recombinacin radiactiva de pares electrn-hueco en el
agotamiento de la regin genera la luz; algunos de los que escapa del dispositivo y
puede ser acoplado en una fibra ptica. La luz emitida es incoherente con una anchura
relativamente amplia espectral

(3060 nm)

y una relativamente grande dispersin

angular. En esta seccin se discuten las caractersticas y el diseo de los LED del
punto de vista de su aplicacin en los sistemas de comunicacin ptica.
3.2.1 POTENCIA CARACTERSTICA ACTUAL
Es fcil de estimar la potencia interna generada por la emisin espontnea. En una
corriente dada que la tasa de portadores de inyeccin es de

E/q

En el estado

estacionario, la tasa de recombinacin de pares de huecos de electrones a travs de


los procesos radiativos y no radiantes es igual a la tasa de inyeccin
la eficiencia cuntica

I /q . Dado que

interna determina la fraccin de pares electrn-hueco

que se recombinan a travs de la emisin espontnea, la tasa de generacin de

intI /q .

fotones es simplemente

Por lo tanto la potencia ptica interna est dada

por:

Pint=int

Donde

( hwq ) I (3.2.1)

hw es la energa del fotn, se supone que es casi el mismo para todos los
ext es la fraccin de fotones que escapan del dispositivo, la potencia

fotones. Si

emitida est dada por:

Pe=extPint=extint

ext

( hwq ) I (3.2.2)

se llama la eficiencia cuntica externa. Se puede calcular teniendo en

cuenta la absorcin interna y la reflexin interna total en la interfaz de aire en


semiconductores. Como se ve en la Figura. 3.6, slo la luz emitida dentro de un cono
de c ngulo, donde

c=sen1(1/n)

es el ngulo crtico y n es el ndice de

refraccin del material semiconductor, se escapa de la superficie LED. Absorcin

interna se puede evitar mediante el uso de LEDs hetero estructura.


Fig. 3.6: La reflexin total interna en la faceta de salida de un LED. Slo la luz emitida
dentro de un cono de c ngulo se transmite, donde c es el ngulo crtico para la
interfaz semiconductor-aire.
Capa activa son transparentes a la radiacin generada. La eficiencia cuntica externa
puede entonces ser escrito como:
c

1
ext=
Tf ( ) ( 2 sin ) d( 3.2.3)
4 0
Donde hemos asumido que la radiacin se emite de manera uniforme en todas las
direcciones sobre un ngulo slido de 4. La transitividad Tf Fresnel depende del

ngulo de incidencia . En el caso de incidencia normal ( = 0),

Tf (0)=4 n/(n+1)2.

Si reemplazamos por Tf simplicidad () por Tf (0) en la ecuacin. (3.2.3),

ext

est

dada aproximadamente por:

ext=n1 ( n+1 )2 (3.2 .4)


Mediante el uso de la ecuacin. (3.2.4) en la ecuacin. (3.2.2) se obtiene la potencia
emitida de una faceta. Si usamos n = 3,5 como valor tpico, ext = 1,4%, lo que indica
que slo una pequea fraccin de la potencia interna se convierte en la potencia de
salida til. Una nueva prdida en el poder de utilidad se produce cuando la luz emitida
est acoplada a una fibra ptica. Debido a la naturaleza incoherente de la luz emitida,
un LED acta como una fuente con una distribucin angular

S ()=S 0 cos , donde

S0 es la intensidad en la direccin eficiencia = 0. El acoplamiento de una fuente tal


es

c=(NA)2 . Desde la apertura numrica (NA) de fibras pticas est tpicamente

en el rango de 0,1-0,3, slo un pequeo porcentaje de la potencia emitida se acopla en


la fibra. Normalmente, la potencia de marcha para LEDs es 100 mW o menos, aunque
el poder interno puede superar fcilmente los 10 mW. Una medida de la actuacin de
LED es la total de eficiencia cuntica, definida como la relacin de la potencia ptica
emitida Pe a la potencia elctrica aplicada, donde V0 es la cada de voltaje a travs del
dispositivo. Mediante el uso de la ecuacin. (3.2.2),

tot=ext int

Tpicamente,

tot

est dada por:

( qVhw0 )(3.2 .5)


h qV 0

tot . ext int

El

tot

total de la eficiencia

cuntica, tambin llamada la eficiencia de conversin de energa o la eficiencia de la


pared de conexin, es una medida del rendimiento general del dispositivo.

Fig. 3.7: (a) las curvas de potencia de corriente en varias temperaturas; (b) Espectro de
la luz emitida por un LED tpico de 1,3 micras.
Otra cantidad a veces utilizado para caracterizar el rendimiento del LED es la

RLED=Pe /I . De la ecuacin. (3.2.2).

responsividad definido como la relacin

RLED=ext int

( hwq )(3.2.6)

Una comparacin de las ecuaciones. (3.2.5) y (3.2.6) muestra que

RLED=totV 0.

Los valores tpicos de RLED son ~ 0.01 W / A. La responsividad permanece constante


siempre y cuando la relacin lineal entre Pe se mantiene. En la prctica, esta relacin
lineal es vlida slo en un rango de corriente limitada .Figura 3.7 (a) muestra la
potencia de corriente (P-I) curvas a varias temperaturas para un tpico LED 1,3 micras.
La responsividad del dispositivo disminuye a altas corrientes por encima de 80 mA
debido a la flexin de la curva de P-I. Una razn para esta disminucin est
relacionada con el aumento de la temperatura-regin activa. El int eficiencia interna
cuntica es generalmente dependiente debido a un aumento en las tasas de
recombinacin no radiantes a altas temperaturas de la temperatura.
3.2.2 ESPECTRO DE LED
Como se ve en la Seccin 2.3, el espectro de una fuente de luz afecta al rendimiento
de los sistemas de comunicacin ptica a travs de dispersin de la fibra. El espectro
de LED se relaciona con el espectro de emisin espontnea, Rspon (), dada en la
ecuacin. (3.1.10). En general, Rspon () se calcula numricamente y depende de
muchos parmetros del material. Sin embargo, una expresin aproximada se puede
obtener si A (E1, E2) se supone que es distinto de cero solamente en un rango
estrecho de energa en las proximidades de la energa del fotn, y las funciones de
Fermi se aproxima por sus colas exponenciales bajo el supuesto de dbil el resultado
es:
1
2

Rspon ( )= A 0 ( hwEg ) xp

hwEg
(3.2 .7)
kBT

donde A0 es una constante y Eg es la banda prohibida. Es fcil deducir que Rspon ()


picos cuando
(FWHM)

h=Eg+kBT /2

1.8 kBT /h. A

y tiene una anchura total a la mitad del mximo

temperatura ambiente (T = 300 K) el FWHM es

aproximadamente 11 THz. En la prctica, la anchura espectral se expresa en


nanmetros mediante el uso de

=( c / 2)

y aumenta a medida 2 con un

aumento en la longitud de onda de emisin. Como resultado, es mayor para LEDs


In- GaAsP que emiten a 1.3 micras en un factor de 1.7 en comparacin con GaAs
LEDs.Figure 3.7 (b) muestra el espectro de salida de un LED tpico 1,3 micras y la
compara con la curva terica obtenido mediante el uso de la ecuacin. (3.2.7). Debido

a una gran anchura espectral

( =5060 nm) ,

el producto tasa distancia bit est

limitada considerablemente por dispersin de la fibra cuando se utilizan LEDs en


sistemas de comunicacin pticos. LEDs son adecuadas principalmente para
aplicaciones de rea de red local, con tasas de bits de 10 a 100 Mbps y de transmisin
de distancias de unos pocos kilmetros.
3.2.3 RESPUESTA DE MODULACIN
La respuesta modulacin de LEDs depende de la dinmica de soporte y est limitada
por la

vida de los portadores se define por la ecuacin. (3.1.18). Se puede

determinar mediante el uso de una ecuacin de velocidad para la densidad de


portadores N. Desde electrones y huecos son inyectados en pares y se recombinan en
pares, es suficiente para considerar la ecuacin de velocidad para un solo tipo de
portador de carga. La ecuacin de velocidad debe incluir todos los mecanismos
mediante los cuales los electrones aparecen y desaparecen dentro de la regin activa.
Para LEDs toma la forma sencilla (ya que la emisin estimulada es insignificante).

dN
I
N
=
(3.2.8)
d t qV c
Donde el ltimo trmino incluye tanto los procesos de recombinacin radiativa y no
radiantes a travs del curso de la vida

portador. Considere la modulacin

sinusoidal de la corriente inyectada en la forma (el uso de la notacin compleja


simplifica los clculos)

I ( t )=Ib+ exp ( imt ) (3.2.9)


Donde

Ib

es la corriente de polarizacin,

es la corriente de modulacin, y

es la frecuencia de modulacin. Desde la

Ecuacion. (3.2.8) es lineal, su

solucin general puede escribirse como:

N ( t )=Nb+ Nm exp ( imt ) n(3.2.10)


donde Nb=cIb /qV , V

es el volumen de la regin activa y Nm viene dada por;

cIm
qV
Nm ( m )=
(3.2 .11)
1+ imc
La potencia

Pm

modulada se relaciona con

Nm

definir la funcin de transferencia H LED (m) como:

linealmente. Uno puede

H ( m )=

Nm ( m )
1
=
(3.2 .12)
1+imc
Nm ( 0 )

3.2 LA LUZ EMITE DIODOS

Fig. 3.8: Esquema de una superficie que emite LED con una geometra de doble hetero
estructura.
En analoga con el caso de fibras pticas, el 3-dB de ancho de banda de modulacin
f3dB se define como la frecuencia de modulacin en el que

H (m)

se reduce

en 3 dB o por un factor de 2. El resultado es:

f 3 dB= 3 ( 2 c )1 (3.2 .13)


Tpicamente,

est en el intervalo de 2-5 ns para InGaAsP LEDs. El ancho de

banda de modulacin de LED correspondiente est en el rango de 50-140 MHz. Tenga


en cuenta que la ecuacin. (3.2.13) proporciona el ancho de banda ptico porque f3dB
se define como la frecuencia a la que la potencia ptica se reduce en 3 dB. El ancho
2

de banda elctrica correspondiente es la frecuencia a la cual


en 3 dB y est dada por

|H ( m )|

se reduce

( 2 c )1 .

3.2.4 ESTRUCTURAS DE LED


Las estructuras LED pueden ser clasificadas como o borde emisores de luz,
dependiendo de si el LED emite luz desde una superficie que es paralelo al plano de

unin o desde el borde de la regin de unin emisor de superficie. Ambos tipos se


pueden hacer usando cualquiera p-n homo unin o un diseo hetero estructura en el
que la regin activa est rodeada por capas de revestimiento P y de tipo n. El diseo
hetero estructura conduce a un rendimiento superior, ya que proporciona un control
sobre el rea de emisin y elimina la absorcin interna debido a las capas de
revestimiento transparente.
La Figura 3.8 muestra esquemticamente un diseo LED emisores de superficie se
refiere como la de tipo Burrus LED . La zona de emisin del dispositivo est limitado a
una regin pequea cuya dimensin lateral es comparable con el dimetro de la fibra
de ncleo. El uso de un perno prisionero de oro evita la prdida de potencia desde la
superficie posterior.
Existen varias variaciones del diseo bsico en la literatura. En una variacin, una
truncadas micro lentes esfricas fabricadas dentro del pozo grabada se utiliza para
acoplar la luz en la fibra. En otra variacin, el extremo de la fibra est formada en s en
la forma de una lente esfrica. Con un diseo adecuado, LEDs emisores de superficie
puede par hasta el 1% de la energa generada internamente en una fibra ptica.
Los LED de borde emisores emplean un diseo comnmente utilizado para lseres
semiconductores de banda de geometra .De hecho, un lser semiconductor se
convierte en un LED mediante el depsito de un revestimiento anti reflectante en su
faceta de salida para suprimir la accin lser. Divergencia del haz de LEDs emisores
de borde difiere de LEDs emisores de superficie de guiado de ondas porque en el
plano perpendicular a la unin. LEDs superficie emisora operan como una fuente
lambertiana con la distribucin angular Se () = S0 cos en ambas direcciones. La
divergencia del haz resultante tiene un FWHM de 120 en cada direccin. En
contraste, los LED emisores de borde tienen una divergencia de slo alrededor de 30
en la direccin perpendicular al plano de unin. Considerable luz se puede acoplar en
una fibra de apertura numrica incluso bajo (<0,3) debido a la reduccin de divergencia
y de alta luminosidad en la faceta emisor. El ancho de banda de modulacin de LEDs
emisores de borde es generalmente ms grande (~ 200 MHz) que el de LEDs emisores
de superficie a causa de un tiempo de vida portadora reducida al mismo aplicada
corriente. La eleccin entre los dos diseos es dictada, en la prctica, por un
compromiso entre coste y rendimiento.
A pesar de una potencia de salida relativamente baja y un bajo ancho de banda de
LEDs en comparacin con las de los lseres, LEDs son tiles para aplicaciones de
bajo costo que requieren transmisin de datos a una velocidad de bits de 100 Mbps o
menos en unos pocos kilmetros. Por esta razn, varias nuevas estructuras LED se
desarrollaron durante la dcada de 1990. En un diseo, conocido como LED
resonante-cavidad . Dos espejos de metal se fabrican alrededor de las capas
obtenidas por crecimiento epitaxial, y el dispositivo est unido a un sustrato de silicio.
En una variante de esta idea, el espejo inferior se fabrica epitaxial mediante el uso de
una pila de capas de dos semiconductores diferentes alterna, mientras que el espejo
superior consta de una membrana deformable suspendido por un espacio de aire [28].
La longitud de onda de funcionamiento de un LED como se puede sintonizar ms de
40 nm cambiando el espesor del entrehierro.
3.3 LASERS SEMICONDUCTORES

Lseres semiconductores emiten luz a travs de la emisin estimulada. Como


resultado de las diferencias fundamentales entre la emisin espontnea y estimulada,
que no slo son capaces de emitir altos poderes (~ 100 mW), pero tambin tienen
otras ventajas relacionadas con la naturaleza coherente de luz emitida. Una extensin
angular relativamente estrecha del haz de salida en comparacin con LEDs permite
una alta eficiencia de acoplamiento (~ 50%) en fibras monomodo.
Una anchura espectral relativamente estrecha de la luz emitida permite el
funcionamiento a altas velocidades de bits (~ 10 Gbps), ya que la dispersin de la fibra
se vuelve menos crtica para una fuente tan ptica. Adems, los lseres
semiconductores se pueden modular directamente a altas frecuencias (hasta 25 GHz)
debido a un tiempo de recombinacin corto asociado con la emisin estimulada. La
mayora de los sistemas de comunicacin de fibra ptica utilizan lseres
semiconductores como una fuente ptica debido a su rendimiento superior en
comparacin con LEDs. En esta seccin las caractersticas de salida de los lseres
semiconductores se describen desde el punto de vista de sus aplicaciones en sistemas
de ondas de luz.
3.3.1 GANANCIA PTICA
La emisin estimulada puede dominar slo si la condicin de inversin de poblacin
est satisfecha. Para lseres semiconductores esta condicin se realiza por dopaje las
capas de revestimiento de tipo p y de tipo n tan fuertemente que la separacin a nivel
de Fermi excede el intervalo de banda bajo polarizacin directa de la Unin PN.
Cuando la densidad de portadores inyectados en la capa activa supera un valor
determinado, conocido como el valor de transparencia, inversin de poblacin se
realiza y la regin activa exhibe ganancia ptica. Una seal de entrada de propagacin
dentro de la capa activa sera entonces amplificar como

exp(gz ),

donde g es el

coeficiente de ganancia. Se puede calcular g sealando que es proporcional a Rstim


-Rabs, donde Rstim y Rabs estn dadas por las ecuaciones. (3.1.12) y (3.1.13),
respectivamente. En general, g se calcula numricamente. En la Figura 3.9 (a) muestra
la ganancia calculada para un 1.3 micras InGaAsP capa activa a diferentes valores de
la densidad de portadores inyectados N. Para n = 1 1018 cm-3, g <0, como inversin
de poblacin todava no ha ocurrido.
La dependencia casi lineal de

gp

en N sugiere un enfoque emprico en el que la

ganancia mxima se aproxima por:

gp ( N )=g ( NNT ) (3.3.1)


donde NT es el valor de la transparencia de la densidad de portadores y

es la

seccin transversal de ganancia; g tambin se llama la ganancia diferencial. Los


valores tpicos de

1.01.5 10 18

NT y g

cm3 y

para lseres de InGaAsP estn en el rango de

23 x 1016cm2 ,

respectivamente. Como se ve en la

Fig. 3.9 (b), la aproximacin (3.3.1) es razonable en la regin de alta ganancia donde

gp supera los

100 100 cm1 ;

la mayora de los lseres semiconductores operan en

esta regin. El uso de la ecuacin. (3.3.1) simplifica el anlisis considerablemente,


como detalles de la estructura de la banda no aparecen directamente. Los parmetros

g y NT

se pueden estimar a partir de clculos numricos tales como los mostrados

en la Fig. 3.9 (b) o puede ser medido experimentalmente.

Fig. 3.9: (a) Obtener el espectro de un lser InGaAsP de 1.3 micras, con varias
densidades portadora N. (b) Variacin del pico gp ganancia con N. La lnea discontinua
muestra la calidad de un ajuste lineal en la regin de alta ganancia.

3.3.2 RETROALIMENTACIN Y UMBRAL LASER


La ganancia ptica por s sola no es suficiente para el funcionamiento del lser. El otro
ingrediente necesario es la retroalimentacin ptica convierte un amplificador en un
oscilador. En la mayora de los lseres de la retroalimentacin se proporciona
colocando el medio de ganancia dentro de una Fabry-Perot (FP) cavidad formada
mediante el uso de dos espejos. En el caso de los lseres semiconductores, los
espejos externos no son necesarios como las dos facetas lser escindidos actan
como espejos cuya reflectividad est dada por:

n1
n+1
( 2)(3.3.2)
Rm=
Donde n es el ndice de refraccin del medio de ganancia. Tpicamente, n = 3,5, lo que
resulta en 30% de reflectividad de la faceta. A pesar de que la cavidad FP formado por
dos facetas escindidos es relativamente con prdida, la ganancia es lo suficientemente
grande que las altas prdidas pueden ser tolerados. Figura 3.10 muestra la estructura
bsica de un lser de semiconductor y la cavidad FP asociado con l.

El concepto de umbral de lser puede ser comprendido observando que una cierta
fraccin de los fotones generados por emisin estimulada se pierde debido a las
prdidas de la cavidad. Si la ganancia ptica no es lo suficientemente grande para
compensar las prdidas de la cavidad, la poblacin fotn no se puede acumular. Por lo
tanto, una cantidad mnima de ganancia es necesaria para el funcionamiento de un
lser.

Fig. 3.10: Estructura de un lser de semiconductor y la cavidad Fabry-Perot asociado


con l. Las facetas escindidos actan como espejos reflejando parcialmente
slo cuando el lser se bombea por encima de un nivel de umbral. La corriente
necesaria para alcanzar el umbral se llama la corriente umbral.
Una manera sencilla de obtener la condicin de umbral es estudiar cmo la amplitud
de una onda plana cambia durante una ida y vuelta. Considere una onda plana de E0
amplitud, la frecuencia y nmero de onda k =n/c .
su amplitud aumenta en

exp[(g / 2)(2 l)]

Durante uno de ida y vuelta,

a causa de ganancia (g es la ganancia de

potencia) y sus cambios de fase por 2KL, donde L es la longitud de la cavidad lser. Al
mismo tiempo, sus cambios de amplitud por

R 1 R 2exp (intL)

causa de la

reflexin en las facetas de lser y a causa de una prdida int interna que incluye la
absorcin libre de soporte, la dispersin, y otros mecanismos posibles. Aqu R1 y R2
son las reflectividades de las facetas lser. A pesar de que R1 = R2 en la mayora de
los casos, los dos reflectividades pueden ser diferentes si facetas lser se recubren
para cambiar su reflectividad natural. En el estado estacionario, la onda plana debe
permanecer sin cambios despus de una ida y vuelta, es decir:

E 0 exp ( gL ) R1 R 2 exp (intL ) exp ( 2 ikL )= E 0(3.3 .3)


Al igualar la amplitud y la fase en dos lados, obtenemos:

g=int +

1
1
ln (
)=int +mir=cav(3.3 .4)
2L
R1R2

2 kL=2 m o =m=

donde

k =2 n /c

ganancia

mc
(3.3 .5)
2 nL
y m es un nmero entero. La ecuacin (3.3.4) muestra que la

g es igual a

importante sealar que

cav
g

prdida total cavidad en el umbral y ms all. Es

no es la misma que la ganancia material

gm

se

muestra en la Fig. 3.9.

CAPTULO 3. TRASMISORES PTICOS

Figura 3.11: Perfiles de ganancia y prdida en lseres semiconductores. Las barras


verticales indican la ubicacin de los modos longitudinales. El umbral de lser se
alcanza cuando la ganancia del modo longitudinal ms cercana al pico de ganancia es
igual a la prdida.
Modo ptico se extiende ms all de la capa activa mientras exista la ganancia slo
dentro de ella. Como resultado, g = gm, donde es el factor de confinamiento de la
regin activa con valores tpicos <0,4.
La condicin de fase en la ecuacin. (3.3.5) muestra que la frecuencia lser debe
coincidir con una de las frecuencias en el conjunto m, donde m es un nmero entero.
Estas frecuencias corresponden a los modos longitudinales y estn determinadas por
la longitud ptica nL. El espaciamiento L entre los modos longitudinales es
constante ( L = c / 2nL) si la dependencia de la frecuencia de n se ignora. Lo
administra L = c / 2ngL cuando se incluye la dispersin de material [2]. Aqu el ng

ndice de grupo se define como ng = n + (dn / d). Tpicamente, L = 100- 200 GHz
para L = 200 a 400 micras.
Un lser semiconductor FP generalmente emite luz en varios modos longitudinales de
la cavidad. Como se ve en la Fig. 3.11, el espectro de ganancia g () de lseres
semiconductores es lo suficientemente ancho (ancho de banda de ~ 10 THz) que
muchos modos longitudinales de la cavidad experiencia ganancia FP simultneamente.
El modo ms cercano a la pico de ganancia se convierte en el modo dominante. En
condiciones ideales, los otros modos no deben alcanzar el umbral, ya que su ganancia
se mantiene siempre menor que la del modo principal. En la prctica, la diferencia es
extremadamente pequeo (~ 0,1 cm-1) y uno o dos modos de vecinos a cada lado del
modo principal llevan una porcin significativa de la potencia del lser junto con el
modo principal. Tales lseres son llamados lseres semiconductores multimodo. Desde
cada modo se propaga dentro de la fibra a una velocidad ligeramente diferente debido
a la dispersin velocidad de grupo, el carcter multimodal de lseres semiconductores
limita el producto BL tasa de bits distancia a los valores por debajo de 10 (Gb / s) -km
para los sistemas operativos cerca de 1,55 m (vase la Fig. 2.13). El producto BL se
puede aumentar mediante el diseo de los lseres de oscilacin en un modo
longitudinal nico. Estos lseres se discuten en la Seccin 3.4.
3.3.3 ESTRUCTURAS LSER
La estructura ms simple de un lser semiconductor consiste en una delgada capa
activa (espesor de ~ 0,1 micras) intercalada entre los de tipo p y de tipo n capas de
revestimiento de otro semiconductor.
3.3. LSERES SEMICONDUCTORES

Figura 3.12: una amplia rea de lser semiconductor. La capa activa (regin
sombreada) est metido entre tipo p y tipo n de recubrimientos de alto banda material.
Con una banda prohibida superior. El p-n hetera-unin resultante es sesgado hacia
adelante a travs de los contactos metlicos. Tales lseres son llamados lseres
semiconductores de amplio zona ya que la corriente se inyecta sobre un rea
relativamente amplio que abarca toda la anchura del chip lser (~ 100 micras). La
figura 3.12 muestra una estructura tal. La luz lser se emite desde las dos facetas
escindidos en la forma de un punto elptico de las dimensiones de ~ 1 100 m2. En la
direccin perpendicular al plano de unin, el tamao del punto es de ~ 1 m debido al

diseo de la heteroestructura lser. Como se discute en la Seccin 3.1.2, la capa activa


acta como una gua de onda plana debido a que su ndice de refraccin es mayor que
el de las capas de revestimiento circundantes (Delta n 0,3). Similar al caso de fibras
pticas, que soporta un cierto nmero de modos, conocidos como los modos
transversales. En la prctica, la capa activa es lo suficientemente delgada (~ 0,1
micras) que la gua de onda plana soporta un nico modo transversal. Sin embargo, no
existe tal mecanismo de confinamiento de luz en la direccin lateral paralela al plano
de unin. En consecuencia, la luz generada diferenciales sobre toda la anchura del
lser. Lseres semiconductores de amplio zona sufren de una serie de deficiencias y
rara vez se utilizan en los sistemas de comunicacin ptica. Los principales
inconvenientes son una corriente umbral relativamente alto y un patrn espacial que es
altamente elptica y que los cambios en una manera incontrolable con la corriente.
Estos problemas pueden ser resueltos mediante la introduccin de un mecanismo para
el confinamiento de luz en la direccin lateral. Los lseres semiconductores resultantes
se clasifican en dos grandes categoras
Ganancia-guiadas lseres semiconductores resuelven el problema de la luzconfinamiento limitando inyeccin de corriente a travs de una estrecha franja. Estos
lseres son tambin llamados franja de geometra lseres semiconductores. La figura
3.13 muestra dos estructuras lser esquemticamente. En un enfoque, un (SiO2) capa
dielctrica se deposita en la parte superior de la capa p con un centro abertura a travs
de la cual se inyecta la corriente [33]. En otro, una capa de tipo n se deposita en la
parte superior de la capa p [34]. La difusin de Zn en los conversos regin centrales el
n-regin en de tipo p. La corriente fluye solamente a travs de la regin central y se
bloquea en otros lugares debido a la naturaleza polarizacin inversa de la Unin PN.
Existen muchas otras variaciones [2]. En todos los diseos, de inyeccin de corriente
sobre una raya central estrecha (anchura ~ 5 micras) conduce a una distribucin
espacialmente variable de la densidad de portadores (gobernado por difusin
portadora)

Difusin

Sustrato

Figura 3.13: Seccin transversal de las estructuras lser geometra de dos franjas
utilizados para disear lseres semiconductores de ganancia guiada y se refiri a como
(a) la raya de xido y (b) de la raya de conexiones.
En la direccin lateral. La ganancia ptica tambin picos en el centro de la franja.
Puesto que la capa activa exhibe grandes prdidas por absorcin en la regin ms all
de la franja central, la luz se limita a la regin de la raya. A medida que el

confinamiento de la luz es ayudado por ganancia, estos lseres se llaman ganancia


guiada. Su corriente umbral est tpicamente en el rango de 50 a 100 mA, y la luz es
emitida en forma de mancha elptica de dimensiones ~ 1 5 m2. El principal
inconveniente es que el tamao del punto no es estable a medida que aumenta la
potencia del lser [2]. Tales lseres rara vez se utilizan en los sistemas de
comunicacin pticos debido a problemas de modo de estabilidad.
El problema de la luz-confinamiento se resuelve en los lseres semiconductores de
ndice guiada mediante la introduccin de un paso ndice nL en la direccin lateral de
manera que se forma una gua de ondas de una manera similar a la gua de ondas
formada en la direccin transversal por el diseo heteroestructural. Tales lseres se
pueden subclasificar como los lseres semiconductores dbilmente y fuertemente
ndice guiada, dependiendo de la magnitud de Delta n L. Figura 3.14 muestra ejemplos
de los dos tipos de lseres. En un diseo especfico conocido como el lser canto-gua
de ondas, una cresta est formada por ataque qumico partes de la capa p [2]. Una
capa de SiO2 se deposita entonces para bloquear el flujo de corriente y para inducir
ndice dbil de gua. Dado que el ndice de refraccin de SiO 2 es considerablemente
ms baja que la p-regin central, el ndice efectivo del modo transversal es diferente en
las dos regiones [35], lo que resulta en un ndice de paso Delta n L ~ 0,01. Este paso
ndice confina la luz generada a la regin cresta. La magnitud de la etapa de ndice es
sensible a muchos detalles de fabricacin, tales como la anchura del reborde y la
proximidad de la capa de SiO2 a la capa activa. Sin embargo, la relativa simplicidad del
diseo cuanto-gua de ondas y el bajo costo resultante hacen tales lseres atractivos
para algunas aplicaciones.
En lseres semiconductores fuertemente ndice guiada, la regin activa de las
dimensiones de ~ 0.1 1 m2 est enterrado por todos lados por varias capas de
ndice de refraccin menor. Por esta razn, este tipo de lseres de heteroestructura
enterrada se llaman (BH) lseres. Varios tipos diferentes de lseres BH se han
desarrollado. Son conocidos bajo nombres tales como trasversal BH, BH plana, BHdoble canal plano, y V-acanalado o canalizados lseres BH sustrato, dependiendo del
mtodo de fabricacin utilizado para darse cuenta de la estructura de lser [2]. Todos
ellos permiten un paso relativamente grande de ndice (nL ~ 0,1) en la direccin
lateral y, como un resultado

Figura 3.14: seccin transversal de dos guiada por el ndice lseres semiconductores:
(a) canto de ondas estructura dbil ndice de orientacin; (b) grabado-mesa enterrado
heteroestructura para el ndice fuerte de gua.
Permitir fuerte confinamiento de modo. Debido a un gran incorporado en el paso de
ndice, la distribucin espacial de la luz emitida es inherentemente estable, siempre
que el lser est diseado para soportar un modo espacial nico.
A medida que la regin activa de un lser BH es en la forma de una gua de ondas
rectangular, modos espaciales pueden ser obtenidos siguiendo un mtodo similar al
que se utiliza en la Seccin 2.2 para fibras pticas [2]. En la prctica, un lser BH
opera en un solo modo si la anchura-regin activa se reduce hasta por debajo de 2
micras. El tamao de punto es elptica con dimensiones tpicas 2 1 m2. Debido a las
pequeas dimensiones de punto de tamao, el rayo difracta ampliamente tanto en las
direcciones laterales y transversales. El tamao del punto elptico y un ngulo de
divergencia gran hacen que sea difcil para acoplar luz en la fibra de manera eficiente.
Eficacias de acoplamiento tpicos estn en el rango de 30-50% para la mayora de los
transmisores pticos. Un convertidor de punto de tamao a veces se utiliza para
mejorar la eficiencia de acoplamiento (ver seccin 3.6).

3.4 CONTROL DE LOS MODOS LONGITUDINALES


Hemos visto que los lseres semiconductores BH pueden ser diseados para emitir luz
en un solo modo espacial mediante el control de la anchura y el espesor de la capa
activa. Sin embargo, como se discute en la Seccin 3.3.2, tales lseres oscilan en
varios modos longitudinales simultneamente debido a una diferencia de ganancia
relativamente pequea (~ 0.1 cm-1) entre los modos de vecinos de la cavidad FP. El
ancho espectral resultante (2-4 nm) es aceptable para los sistemas de ondas de luz
que operan cerca de 1,3 micras, con velocidades de bits de hasta 1 Gb / s. Sin
embargo, tales lseres multimodo no pueden ser utilizados para los sistemas
diseados para funcionar cerca de 1,55 micras, con altas velocidades de bits. La nica
solucin es disear lseres semiconductores [36] - [41] de tal manera que emiten luz
principalmente en un nico modo longitudinal (SLM).
Los lseres semiconductores SLM estn diseados de tal manera que las prdidas de
la cavidad son diferentes para los diferentes modos longitudinales de la cavidad, en
contraste con los lseres de PF cuyas prdidas modo independiente son. La figura
3.15 muestra la ganancia y prdida de perfiles esquemticamente para un lser tal. El
modo longitudinal con la prdida cavidad ms pequea alcanza umbral primero.

Figura 3.15: perfiles de ganancia y la prdida de lseres semiconductores oscilantes


predominantemente en un nico modo longitudinal.
Y se convierte en el modo dominante. Otros modos de vecinos son discriminados por
sus prdidas ms altas, que impiden su acumulacin de emisin espontnea. La
potencia transportada por estos modos secundarios es generalmente una pequea
fraccin (<1%) de la potencia total emitida. El rendimiento de un lser SLM a menudo
se caracteriza por la relacin de supresin de modo (MSR), definida como [39].

MSR=Pmm / Psm ,

(3.4.1)
Donde

Pmm es el poder de modo principal y

Psn

es el poder del modo secundario

ms dominante. El MSR debe exceder de 1.000 (o 30 dB) para una buena lser SLM.
3.4.1 LOS LSERES DE REALIMENTACIN DISTRIBUIDA
Retroalimentacin distribuida (DFB) lseres semiconductores se desarrollaron durante
la dcada de 1980 y se utilizan rutinariamente para WDM sistemas de ondas de luz
[10] - [12]. La retroalimentacin en DFB lseres, como su nombre lo indica, no se
localiza en las facetas, pero se distribuye en toda la longitud de la cavidad [41]. Esto se
logra a travs de una rejilla incorporada interna que conduce a una variacin peridica
del ndice de modo. Realimentacin se produce por medio de difraccin de Bragg, un
fenmeno que acopla las ondas que se propagan en las direcciones hacia adelante y
hacia atrs. Modo de selectividad de los mecanismos de DFB resultados de la
condicin de Bragg: el acoplamiento se produce slo para longitudes de onda B
satisfacer

=m( B /2 ),
(3.4.2)

Donde es el periodo de red, n es el ndice de modo normal, y el nmero entero m


representa el orden de difraccin de Bragg. El acoplamiento entre las olas hacia
adelante y hacia atrs es ms fuerte para el primer orden de difraccin de Bragg (m =
1). Para un lser DFB operando a B = 1,55 m, es aproximadamente 235 nm si
usamos m = 1 y n = 3,3 en la ecuacin. (3.4.2). Tales rejillas se pueden hacer
mediante el uso de una tcnica hologrfica [2].
Desde el punto de vista de funcionamiento del dispositivo, los lseres semiconductores
que emplean el mecanismo DFB se pueden clasificar en dos grandes categoras: los
lseres DFB y distribuidos
3.4. CONTROL DE LOS MODOS DE LONGITUDINALES

n-Tipo
Figura 3.16: DFB y estructuras lser DBR. El rea sombreada muestra la regin activa
y la lnea ondulada indica la presencia de un gratinado Bragg.
Bragg reflector (DBR) lseres. Figura 3.16 muestra dos tipos de estructuras de lser.
Aunque las votaciones se producen en toda la longitud de la cavidad en los lseres
DFB, que no tiene lugar dentro de la regin activa de un lser DBR. En efecto, las
zonas extremas de un acto lser DBR como espejos cuya reflectividad es mxima para
una longitud de onda B satisface la ecuacin. (3.4.2).
Las prdidas de la cavidad son por lo tanto mnimo para el modo longitudinal ms
cercana a B y aumentar sustancialmente para otros modos longitudinales (ver Fig.
3.15). El MSR se determina por el margen de ganancia definida como el exceso de
ganancia requerida por el modo secundario ms dominante para alcanzar el umbral.
Un margen de ganancia de 3-5 cm-1 es generalmente suficiente para realizar un MSR>
30 dB para lseres DFB de funcionamiento continuo [39]. Sin embargo, un mayor
ganar se necesita margen (> 10 cm-1) cuando los lseres DFB se modulan
directamente. Cambio de fase Lseres DFB [38], en el que la rejilla se desplaza B / 4
en el medio de la lser para producir un desplazamiento de fase de / 2, se utilizan a
menudo, ya que son capaces de proporcionar margen de ganancia mucho mayor que
la de los lseres DFB convencionales. Otro diseo que ha dado lugar a mejoras en el
rendimiento del dispositivo se conoce como el acoplado de ganancia DFB lser [42] [44]. En estos lseres, tanto la ganancia ptica y el ndice de modo varan
peridicamente a lo largo de la longitud de la cavidad.

La fabricacin de lseres de semiconductor DFB requiere una tecnologa avanzada


con mltiples crecimientos epitaxia les [41]. La principal diferencia de los lseres de PF
es que una rejilla est grabado en una de las capas de revestimiento que rodea la capa
activa. Un tipo n delgada capa de gua de ondas con un ndice de refraccin intermedio
a la de la capa activa y la sustrato acta como una rejilla. La variacin peridica del
grosor de la gua de ondas capa se traduce en una variacin peridica del ndice de
modo n a lo largo de la longitud de la cavidad y conduce a un acoplamiento entre las
ondas que se propagan hacia adelante y hacia atrs a travs de Difraccin de Bragg.

Gananc

Longitud de
onda
Figura 3.17:-modo longitudinal selectividad en un lser de cavidad acoplada. Cambio
de fase en el exterior cavidad hace que la longitud de onda efectiva espejo reflectividad
dependiente y resultados en una prdida peridica perfil de la cavidad lser.
Una tcnica hologrfica se utiliza a menudo para formar una rejilla con una
periodicidad ~ 0,2 micras. Funciona mediante la formacin de un patrn de franjas en
una resina fotosensible (depositado en la superficie de la oblea) a travs de la
interferencia entre dos haces pticos. En el haz de electrones alternativo tcnica
litogrfica, un haz de electrones escribe el patrn deseado en el haz de electrones
resistir. Ambos mtodos utilizan ataque qumico para formar corrugaciones de rejilla,
con el modelada se resisten a actuar como una mscara. Una vez que la rejilla se ha
grabado sobre el sustrato, mltiples capas se cultivan mediante el uso de una tcnica
de crecimiento epitaxial. Un segundo epitaxial Se necesita rebrote hacer un dispositivo
BH tal como la mostrada en la Fig. 3.14 (b). A pesar de las complejidades tecnolgicas,
los lseres DFB se producen rutinariamente comercialmente. Ellos se utilizan en
sistemas de comunicaciones pticas casi todos 1,55 micras operando a velocidades de

bits de 2.5 Gb / s o ms. Lseres DFB son lo suficientemente fiables que se han
utilizado desde 1992 en todos los sistemas de ondas de luz transocenicos.
3.4.2 ACOPLADOS CAVIDADES SEMICONDUCTOR LASERS
En un lser de semiconductor de cavidad junto [2], la operacin de SLM se realiza por
acoplamiento la luz de una cavidad externa (ver Fig. 3.17). Una porcin de la luz
reflejada se alimenta de nuevo en la cavidad del lser. La respuesta de la cavidad
externa no es necesariamente en fase con el campo de la ptica dentro de la cavidad
lser debido al cambio de fase que ocurre en la cavidad externa. La retroalimentacin
en fase se produce slo para esos modos lser cuya longitud de onda casi coincide
con uno de los modos longitudinales de la cavidad externa. En efecto, la reflectividad
efectiva de la faceta lser frente a la cavidad externa se convierte longitud de onda
dependiente y conduce a la prdida de perfil se muestra en la Fig. 3.17. El longitudinal
modo que es ms cercano al pico de ganancia y tiene la menor prdida se convierte en
la cavidad modo dominante.
Varios tipos de esquemas de cavidades acopladas se han desarrollado para la
fabricacin de SLM lser; Fig. 3.18 muestra tres entre ellos. Parejas un esquema
simple de la luz de un lser de semiconductor a una rejilla externa [Fig. 3.18 (a)]. Es
necesario reducir el reflectividad natural de la faceta escindido hacia la rejilla a travs
de un revestimiento anti reflectante para proporcionar un acoplamiento fuerte. Tales
lseres son llamados semiconductor de cavidad externa lseres y han atrado
considerable atencin debido a su capacidad de ajuste [36]. La longitud de onda de la
SLM seleccionado por el mecanismo de cavidad acoplada se puede sintonizar a travs
de una amplia gama (tpicamente 50 nm) simplemente girando la rejilla. Durabilidad
longitud de onda es una caracterstica deseable para los lseres utilizados en los
sistemas de ondas de luz WDM. Un inconveniente del lser se muestra en la Fig. 3.18
(a) desde el punto de vista del sistema es su naturaleza no monoltica, que hace que
sea difcil para darse cuenta de la estabilidad mecnica necesaria de transmisores
pticos.
Un diseo monoltico para lseres de cavidad acoplada es ofrecido por la cavidad
troceados acoplados lser [37] se muestra en la Fig. 3.18 (b). Tales lseres son hechos
por escisin de un convencional lser de semiconductor multimodal en el medio de
modo que el lser se divide en dos secciones de aproximadamente la misma longitud
pero separados por un espacio de aire estrecho (anchura ~ 1 m). La reflectividad de
facetas escindidos (~ 30%) permite suficiente acoplamiento entre los dos secciones,
siempre y cuando la diferencia no es demasiado ancho. Es incluso posible para
sintonizar la longitud de onda de un lser tal en un rango de sintonizacin ~ 20 nm
variando la corriente inyectada en uno de las secciones de la cavidad que actan como
un controlador de modo. Sin embargo, el ajuste no es continua, ya que corresponde a
lpulo modo sucesivas de alrededor de 2 nm.
3.4.3 SINTONIZABLES SEMICONDUCTOR LASERS
Sistemas de ondas de luz WDM modernos requieren mono modo, lser estrecho
ancho de lnea cuyos restos longitud de onda fija en el tiempo. Lseres DFB satisfacen
este requisito pero su estabilidad de longitud de onda se produce a expensas de
durabilidad [9]. El gran nmero de DFB lseres utilizados en el interior de un transmisor
WDM hacen que el diseo y mantenimiento de tal sistema de onda de luz caro y poco

prctico. La disponibilidad de lseres semiconductores cuya longitud de onda se puede


ajustar en un amplio intervalo resolvera este problema [13].
Multi Seccin DFB y el lser DBR se desarrollaron durante la dcada de 1990 para
cumplir los requisitos un tanto conflictivos de la estabilidad y la capacidad de ajuste
[45] - [52] y fueron llegando a la fase comercial en 2001. Figura 3.18 (c) muestra una
estructura de lser tpica. Se compone de tres secciones, conocida como la seccin
activa, la seccin de control de fase, y la seccin de Bragg. Cada seccin puede estar
sesgado con independencia mediante la inyeccin de diferentes cantidades de
corrientes. La corriente inyectada en la seccin Bragg se utiliza para cambiar la
longitud de onda Bragg (B = 2n) a travs de los cambios inducidos por portadora en
el ndice de refraccin. La corriente inyectada en la seccin de control de fase se utiliza
para cambiar la fase de la retroalimentacin de la DBR a travs de cambios de ndice
inducida portadora en esa seccin. La longitud de onda del lser se puede ajustar de
manera casi continua sobre el rango de 10-15 nm por

Figura 3.18: estructuras lser de cavidad Acoplado: (a) con lser de cavidad externa;
(b) acoplado-escinde lser de cavidad; (c) de mltiples seccin lser DBR.
El control de las corrientes en las secciones de fase y de Bragg. En 1997, este tipo de
lseres mostraron un rango de ajuste de 17 nm y salida potencias de hasta 100 mW
con una alta fiabilidad [51].

Varios otros diseos de lseres DFB sintonizables se han desarrollado en los ltimos
aos. En un esquema, el incorporado en la rejilla dentro de un lser DBR se piense
variando el periodo de red o el ndice de modo n lo largo de la longitud de la
cavidad. Como se ve a partir de la Ec. (3.4.2), la propia longitud de onda de Bragg
luego cambia a lo largo de la longitud de la cavidad. Dado que la longitud de onda de
lser est determinada por la condicin de Bragg, tal lser se puede ajustar en un
rango de longitud de onda determinada por el pitido rejilla. En una implementacin
sencilla de la idea bsica, el periodo de red sigue siendo uniforme, pero la gua de
onda se curva para cambiar el modo de ndice efectiva n. Tales lseres DFB mltiples
seccin se pueden sintonizar a travs de 5-6 nm, mientras que el mantenimiento de un
nico modo longitudinal con supresin de modo lado de alta [47]. En otro esquema,
una rejilla de superestructura se utiliza para la seccin de DBR de una seccin de lser
de mltiples [48] - [50]. Una rejilla de superestructura consta de un conjunto de redes
(uniforme o modulada pulsada) separados por una distancia constante. Como
resultado, sus picos reflectividad a varias longitudes de onda cuyo intervalo se
determina por la separacin entre las rejillas individuales que forman la matriz. Estos
lseres DBR mltiples seccin se pueden sintonizar de forma discreta
En un rango de longitud de onda superior a 100 nm. Mediante el control de la corriente
en la seccin de control de fase, un cuasi rango de sintonizacin continua de 40 nm se
realiz en 1995 con una superestructura rejilla [48]. El rango de ajuste se puede
ampliar considerablemente mediante el uso de un dispositivo de cuatro secciones en
las que se aade otra seccin DBR en el lado izquierdo del dispositivo mostrado en la
Fig. 3.18 (c). Cada seccin DBR soporta su propio peine de longitudes de onda, pero la
separacin en cada peine no es el mismo. La longitud de onda coincidiendo en los dos
peines se convierte en la longitud de onda de salida que puede ser sintonizada sobre
un amplio rango (anlogo al efecto Vernier).
En un enfoque relacionado, la cuarta seccin de la Fig. 3.18 (c) se aade entre las
secciones de ganancia y fase: Consta de un acoplador de rejilla codireccional -asistida
con una rejilla superestructura. El acoplador tiene dos guas de ondas separadas
verticalmente y selecciona una sola longitud de onda de la longitud de onda peine
apoyado por la seccin de DBR con una rejilla superestructura. El rango de
sintonizacin ms grande de 114 nm fue producido en 1995 por este tipo de dispositivo
[49]. Estos lseres DBR ampliamente sintonizables es probable que encontrar
aplicaciones en muchos sistemas de ondas de luz WDM.
3.4.4 VERTICAL-CAVIDAD LSERES DE EMISIN SUPERFICIAL
Una nueva clase de lseres semiconductores, conocidos como con cavidad vertical de
emisin de los lseres de superficie (VCSEL), ha surgido durante la dcada de 1990
con muchas aplicaciones potenciales [53] - [60]. VCSEL operan en un modo
longitudinal nico en virtud de una longitud muy pequea cavidad (~ 1 m), para los que
el espaciado modo supera el ancho de banda de ganancia (vase la Fig. 3.11). Emiten
luz en una direccin normal al plano de la capa activa de una manera anloga a la de
un LED emisor de superficie (ver Fig. 3.8). Por otra parte, la luz emitida est en la
forma de un haz circular que se puede acoplar en una fibra de un solo nodo con alta
eficiencia. Estas propiedades dan lugar a una serie de ventajas que estn conduciendo
a una rpida adopcin de VCSEL para las comunicaciones de ondas de luz.

Como se ve en la Fig. 3,19, fabricacin de VCSEL requiere el crecimiento de mltiples


capas delgadas sobre un sustrato. La regin activa, en la forma de uno o varios pozos
cunticos, es rodeado de dos de alta reflectividad (> 99,5%) espejos DBR que se
cultivan epitaxialmente en ambos lados de la regin activa para formar una micro
cavidad de alta Q [55]. Cada DBR espejo est hecho por el crecimiento de muchos
pares de GaAs alterna y AlAs capas, cada / 4 de espesor, donde es la longitud de
onda emitida por el VCSEL. Una tcnica de obleas-unin se utiliza a veces para
VCSEL que operan en la regin 1,55-mwavelength para dar cabida a la regin activa
InGaAsP [58]. El grabado qumico o una tcnica relacionada se utiliza para formar
discos circulares individuales (cada uno correspondiente a uno VCSEL) cuyo dimetro
se puede variar en un amplio intervalo (tpicamente 5-20 micras). La matriz
bidimensional de toda VCSEL se puede probar sin necesidad de separacin de los
lseres debido a la naturaleza vertical de emisin de luz. Como resultado, el costo de
un VCSEL puede ser mucho menor que la de un lser de emisin de borde. VCSEL
tambin exhiben un umbral relativamente bajo (~ 1 m A o menos). Su nica desventaja
es que no pueden emitir ms de unos pocos milivatios de potencia a causa de un
pequeo volumen activo. Por esta razn, se utilizan sobre todo en las redes local rea
y de rea metropolitana y han reemplazado prcticamente LEDs. Los primeros VCSEL
fueron diseados para emitir cerca de 0,8 micras y operados en mltiples modos
transversales debido a sus relativamente grandes dimetros (~ 10 micras).

Sin

Sustrat
o

Figura 3.19: Esquema de un VCSEL 1,55 micras hecho mediante el uso de la tcnica
de unin de la oblea. (Despus Ref [58]? c 2000 IEEE;.. Reimpreso con permiso)
En los ltimos aos, la tecnologa ha avanzado lo suficiente VCSEL que VCSEL
pueden ser diseados para funcionar en una amplia gama de longitud de onda que se
extiende 650-1600 nm [55]. Sus aplicaciones en las ventanas de longitud de onda 1.3y 1,55-micras requieren que VCSEL operan en un solo modo transversal. Por 2001,
varias tcnicas haban surgido para controlar los modos transversales de un VCSEL,
siendo la ms comn la tcnica confinamiento de xido en el que una capa de
aluminio-xido aislante, que acta como una abertura de dielctrico, confines tanto la
corriente y el modo ptico a un <3 -m regin de dimetro. Tales VCSEL operan en un

solo modo con anchura de lnea estrecha y pueden reemplazar un lser DFB en
muchas aplicaciones de ondas de luz siempre que su potencia de salida baja es
aceptable. Son especialmente tiles para la transferencia de datos y de bucle local de
aplicaciones debido a su envasado bajo costo. VCSEL tambin son muy adecuadas
para aplicaciones de WDM por dos razones. En primer lugar, sus longitudes de onda
se pueden sintonizar en un amplio rango (> 50 nm) utilizando la tecnologa del sistema
micro-electro-mecnicos (MEMS) [56]. En segundo lugar, se puede hacer matrices de
VCSEL de dos dimensiones tales que cada lser funciona a una longitud de onda
diferente [60]. Fuentes WDM, que contienen mltiples lseres integrados
monolticamente, son necesarios para los sistemas de ondas luminosas modernas.
3.5 CARACTERSTICAS LSER
Las caractersticas de funcionamiento de lseres semiconductores estn bien descritos
por un conjunto de ecuaciones de velocidad que rigen la interaccin de fotones y
electrones dentro de la regin activa. En esta seccin utilizamos las ecuaciones de
velocidad para discutir tanto el primero de onda continua (CW) propiedades. Despus
consideramos caractersticas de modulacin de pequea y gran seal de lseres
semiconductores mono modo. Los ltimos dos subsecciones se centran en el ruido de
intensidad y anchura de banda espectral de los lseres de semiconductores.
3.5.1 CARACTERSTICAS CW
Una derivacin rigurosa de las ecuaciones de velocidad por lo general comienza en las
ecuaciones de Maxwell, junto con un enfoque de la mecnica cuntica para la
polarizacin inducida (ver seccin 2.2). Las ecuaciones de velocidad tambin se
pueden escribir heursticamente considerando diversos fenmenos fsicos a travs de
la cual el nmero de fotones, P, y el nmero de electrones, N, cambian con el tiempo
dentro de la regin activa. Para un lser de modo nico, estas ecuaciones toman la
forma [2]

dP
P
=GP+ R sp ,
dt
p
(3.5.1)

dN I N
= GP ,
dt q c
(3.5.2)
Donde

G= v g g m=G N ( N N ) .
0

(3.5.3)
G es la tasa neta de emisin estimulada y Rsp es la tasa de emisin espontnea en el
modo de accin lser. Tenga en cuenta que Rsp es mucho menor que la tasa total de
emisin espontnea-en la ecuacin. (3.1.10). La razn es que la emisin espontnea
se produce en todas las direcciones en un amplio rango espectral (~30-40 nm), pero
slo una pequea fraccin de ella, propagando a lo largo del eje de la cavidad y

emitida en la frecuencia del lser, en realidad contribuye a la Ec. (3.5.1). De hecho,


Rsp y G estn relacionados por Rsp = nspG, donde NSP se conoce como el factor de
emisin espontnea-2 y se trata para lseres semiconductores [2]. Aunque la misma
notacin se utiliza por conveniencia, la N variable en las ecuaciones de velocidad
representa el nmero de electrones en lugar de la densidad de portadores; los dos
estn relacionados por la volumen V activo. En la ecuacin. (3.5.3), vg es la velocidad
de grupo, es el factor de confinamiento, y g es la ganancia material a la frecuencia de
modo. Mediante el uso de la ecuacin. (3.3.1), G vara linealmente con N con GN =
vgg / V y N0 = NTV.
El ltimo trmino de la ecuacin. (3.5.1) tiene en cuenta la prdida de fotones dentro
de la cavidad. El parmetro p se conoce como el tiempo de vida del fotn. Se
relaciona con la prdida cav cavidad introducido en la ecuacin. (3.3.4) como

a mir + a

1
P =v g a cav =v g

(3.5.4)

Los tres trminos de la ecuacin. (3.5.2) indican las tasas a las que los electrones se
crea ni se destruye dentro de la regin activa. Esta ecuacin es similar a la ecuacin.
(3.2.8) a excepcin de la adicin de la ltima legislatura, que regula la tasa de
recombinacin electrn-hueco a travs de la emisin estimulada. El curso de la vida c
portador incluye la prdida de electrones debido tanto a la emisin espontnea y la
recombinacin no radiactiva, como se indica en la ecuacin. (3.1.18). La curva P-I
caracteriza las propiedades de emisin de un lser de semiconductor, ya que indica no
slo el nivel de umbral, sino tambin la corriente que necesita ser aplicado para
obtener una cierta cantidad de energa. Figura 3.20 muestra las curvas P-I de un lser
InGaAsP 1,3 micras a temperaturas en el rango 10-130C. A temperatura ambiente, el
umbral se alcanza cerca de 20 mA, y el lser puede emitir 10 mW de potencia de
salida de cada faceta a 100 mA de corriente aplicada. El rendimiento del lser se
degrada a altas temperaturas. La corriente umbral se encontr a aumentar
exponencialmente con la temperatura, es decir

I th ( T )=I 0 exp ( T /T 0) ,
(3.5.5)

Luz /
faceta

Corrient
e
Figura 3.20: Curvas P-I en varias temperaturas para un 1,3 micras lser he tero
estructura enterrada. (Despus Ref. [2]; ? c 1993 Van Nostrand Reinhold; reimpreso
con permiso.)
Donde I0 es una constante y T0 es una temperatura caracterstica a menudo utilizado
para expresar la sensibilidad a la temperatura del corriente umbral. Para los lseres
InGaAsP T0 est tpicamente en el rango de 50-70 K. Por el contrario, T0 es superior a
120 K para los lseres de GaAs. Debido a la sensibilidad a la temperatura de los
lseres de InGaAsP, a menudo es necesario para controlar su temperatura a travs de
un enfriador termoelctrico incorporado.
Las ecuaciones de velocidad se pueden usar para entender la mayora de las
caractersticas que se observan en la Fig. 3.20. En el caso de la operacin de CW a
una corriente constante I, los derivados de horario en las Ecs. (3.5.1) y (3.5.2) se
puede ajustar a cero. La solucin toma una forma especialmente sencilla si la emisin
espontnea se descuida configurando Rsp = 0. Para corrientes tales que G p <1, P =
0 y N = cI / q. El umbral se alcanza a una corriente para la que G p = 1. La poblacin
de soporte se fija a continuacin, el valor de umbral

Rth = N0 + ( GN p )

La corriente umbral est dada por

I th =

q N th q
1
= = N 0+
.
c
c
GN p

(3.5.6)
Porque I> Ith, el nmero de fotones P aumenta linealmente con I como

P=( P /q ) ( I I th ) .
(3.5.7)
El Pe potencia emitida est relacionada con P por la relacin

1
Pe = ( v g amir ) P .
2

(3.5.8)

La derivacin de la ecuacin. (3.5.8) es intuitivamente obvio si observamos que

v g mir

es la tasa en el que los fotones de energa h escapan de las dos facetas.

El factor de 1/2 hace

Pe la potencia emitida desde cada faceta para un lser FP con

reflectividades de faceta iguales. Para FP lseres con facetas o recubiertos de lseres


DFB, Ec. (3.5.8) debe ser modificado de forma adecuada [2]. Mediante el uso de las
ecuaciones. (3.5.4) y (3.5.7) en la ecuacin. (3.5.8), la potencia emitida est dada por

amir +a ( I I th )
a
,
Pe =

2q

(3.5.9)

mir

Donde la

eficiencia interna cuntica se introduce fenomenolgicamente indicar

la fraccin de electrones inyectados que se convierte en fotones a travs estimulado


emisin. En el rgimen por encima del umbral,

es casi 100% para la mayora de

semiconductores lseres. La ecuacin (3.5.9) debe compararse con la Ec. (3.2.2)


obtuvieron para un LED. Una cantidad de inters prctico es la pendiente de la curva
de P-I para I>

d Pe
=
dI

I th ; se llama la eficiencia pendiente y se define como

2 q d

amir +a
a

con

mir

d =

(3.5.10)
El d cantidad se llama la eficiencia cuntica diferencial, ya que es una medida de la
eficiencia con la que aumenta la produccin de luz con un aumento de la corriente
inyectada. Se puede definir la eficiencia cuntica externa

ext como

ext =

2P
Tasade emisin de fotones
2 q Pe
= e/ =
Caudal de inyeccin de electrones
I /q
I

(3.5.11)
Mediante el uso de las ecuaciones. (3.5.9) - (3.5.11),

y ext d se encuentran estar

relacionados por

ext =d (1I th / I ).
(3.5.12)
Generalmente,

ext < d

pero se convierte en casi el mismo para qu

I th .

Similar al caso de LEDs, se puede definir el rendimiento total cuntica (o Rendimiento


de enchufe) como tot = 2 Ped / (
relaciona con

tot =

ext

V 0 I), donde

V 0 es el voltaje aplicado. Se

como

h
Eg

,
qV 0 ext qV 0 ext

(3.5.13)
Donde

E g , donde es la energa de banda prohibida. Generalmente,

tot <ext

como el voltaje aplicado excede EG / q. Para los lseres de GaAs, d puede superar el
80% y tot puede acercarse al 50%. Los lseres de InGaAsP son menos eficientes con

d ~ 50% y ~ 20% tot .

El aumento exponencial de la corriente umbral con la temperatura se puede entender a


partir de la Ec. (3.5.6). La vida de los portadores c es generalmente N dependiente
debido a la recombinacin Auger y disminuye con N como N2. La tasa de
recombinacin Auger aumenta exponencialmente con la temperatura y es responsable
de la sensibilidad a la temperatura de los lseres de InGaAsP. Figura 3.20 tambin
muestra que la eficiencia pendiente disminuye con un aumento en la potencia de salida
(flexin de las curvas P-I). Esta disminucin puede atribuirse a la calefaccin de unin
que ocurre durante el funcionamiento CW. Tambin puede resultar de un incremento en
las prdidas internas o fuga de corriente a potencias de funcionamiento altas. A pesar
de estos problemas, el rendimiento de los lseres DFB mejor sustancialmente durante
la dcada de 1990 [10] - [12]. Lseres DFB emisores de> 100 mW de potencia a
temperatura ambiente en la regin espectral de 1,55 micras fueron fabricados por 1996
usando un diseo de MQW tensa [61]. Estos lseres exhibieron <10 mA a corriente
umbral 20C y emiten ~ 20 mW de potencia a 100C mientras se mantiene un MSR
de> 40 dB. Para el 2001, los lseres DFB capaces de transportar ms de 200 mW de
potencia disponibles comercialmente.
3.5.2 PEQUEA-SEAL DE MODULACIN
La respuesta de modulacin de los lseres semiconductores se estudi mediante la
resolucin de las ecuaciones de velocidad (3.5.1) y (3.5.2) con una corriente en funcin
del tiempo de la forma

I (t)=I b + I m f p (t),
(3.5.14)
Donde

I b es la corriente de polarizacin,

I m es la corriente, y

f p (t) representa

la forma de la impulso de corriente. Dos cambios son necesarios para obtener una
descripcin realista. En primer lugar, la ecuacin. (3.5.3) para la ganancia G debe ser
modificado para convertirse en [2]

G=N N ( N N 0 )(1 NL P) ,

(3.5.15)

Donde NL es un parmetro no lineal de ganancia que conduce a una ligera reduccin


en G como P aumenta. El mecanismo fsico detrs de esta reduccin puede atribuirse
a varios fenmenos, tales como la quema espacial agujero, la quema de agujero
espectral, calefaccin portador, y la absorcin de dos fotones [62] - [65]. Los valores
tpicos de NL son ~ 7.10. La ecuacin (3.5.15) es vlida para NLP? 1. El factor 1NLP debe sustituirse por (1 + P / Ps) -b, donde Ps es un parmetro de material,
cuando la potencia del lser supera muy por encima de 10 mW. El exponente b es
igual a 12 para la quema agujero espectral [63], pero puede variar a lo largo del rango
de 0,2 a 1, debido a la contribucin de la calefaccin de soporte [65]. El segundo
cambio est relacionado con una propiedad importante de los lseres de
semiconductores. Resulta que cada vez que la ganancia ptica cambia como resultado
de cambios en la poblacin portadora N, el ndice de refraccin tambin cambia. Desde
un punto de vista fsico, la modulacin de amplitud en lseres semiconductores
siempre acompaada de modulacin de fase debido a los cambios inducidos por
portadora en el ndice de modo n. Modulacin de fase puede ser incluida a travs de
la ecuacin [2]

d 1
1
= c Gn GN ( NN 0 )
,
dt 2
p

(3.5.16)

Donde c es el parmetro de acoplamiento amplitud-fase, comnmente llamado el


factor de mejora de anchura de lnea, ya que conduce a una mejora de la anchura
espectral asociada con un nico modo longitudinal (vase la Seccin 3.5.5). Los
valores tpicos de c para lseres de InGaAsP estn en el rango de 4-8, dependiendo
de la longitud de onda operativa [66]. Los valores ms bajos de c se producen en los
lseres MQW, especialmente para pozos cunticos tensas [5]. En general, la
naturaleza no lineal de las ecuaciones de velocidad hace que sea necesario para
resolver
Numricamente. Una solucin analtica til puede ser obtenida para el caso de
modulacin pequea seal en el que el lser est sesgada por encima del umbral (I b>
Ith) y modulada tal que Im? Ib -Ith. Las ecuaciones de velocidad pueden ser
linealizadas en ese caso y resueltos analticamente, utilizando la transformada de
Fourier tcnica, de una forma arbitraria de fp (t). El ancho de banda de modulacin de
pequea seal se puede obtener teniendo en cuenta la respuesta de los lseres
semiconductores a la modulacin sinusoidal a la frecuencia m de modo que fp (t) =
sin (mt). La salida del lser se modula sinusoidalmente tambin. La solucin general
de las ecuaciones. (3.5.1) y (3.5.2) est dada por

P(t)=P b+ p msin( m t+ m ),
(3.5.17)

(3.5.18)

N (t)=N b + nm sin( m t + m ),

Respuesta

Frecuencia
Figura 3.21: Medido (curvas continuas) y equipado (curvas de trazos) respuesta de
modulacin de un 1.55- lser DFB micras como funcin de la frecuencia de modulacin
en varios niveles de polarizacin. (Despus Ref [70];. C 1997 IEEE;. Reimpreso con
permiso)
Donde Pb y Nb son los valores de estado estacionario de la corriente de polarizacin
Ib, | pm | y | nm | son pequeos cambios que se producen a causa de la modulacin
actual y m andm rigen el retraso de fase asociada con la modulacin de pequea
seal. En particular, la tarde | pm | exp (im) viene dada por [2]

pm ( m )=

Pb G N I m / q
( R + mi R )( Rm +i R)

(3.5.19)
Donde

R=[ N Pb ( P N ) 2/4 ]1 /2, R=( P + N )/2,


P=R sp /Pb + NL GP b , N =1
C +G N Pb .

(3.5.20)
(3.5.21)

R y R son la frecuencia y el grado de amortiguacin de las oscilaciones de


relajacin. Estos dos parmetros juegan un papel importante en el gobierno de la
respuesta dinmica de lseres semiconductores. En particular, la eficiencia se reduce
cuando la frecuencia de modulacin supera R por una gran cantidad.
Similar al caso de LEDs, se puede introducir la funcin de transferencia como

2R + 2R
pm (m)
H ( m)=
=
.
pm(0) ( R + m i R )( R m +i R )
(3.5.22)
La respuesta de modulacin es plana [H (m) 1] para frecuencias tales thatm? R,
picos en m = R y luego cae abruptamente para m? R. Estas caractersticas se
observan experimentalmente para todos los lseres semiconductores [67] - [70]. Figura
3.21 muestra la modulacin respuesta de un lser DFB-1,55 micras, con varios niveles
de polarizacin [70]. La modulacin de 3-Db ancho de banda, f3dB, se define como la
frecuencia a la que | H (m) | se reduce en 3 dB (por un factor de 2) en comparacin
con su corriente directa (DC) de valor. La ecuacin (3.5.22) ofrece la siguiente
expresin analtica para f3dB:

f 3 dB=

1
2R + 2R +2( 4R + 2R 2R + 4R)1 /2 ]
[
2

1 /2

(3.5.23)

R R , y f 3 dB se puede aproximar por

Para la mayora de los lseres,

3 R 3 GN Pb
f 3 dB

2
4 2 p

(3.5.24)
Donde

1/ 2

) [
=

3 GN
4 2 q

se aproxima por

1 /2

(I bI th )

( N Pb) medio de la ecuacin. (3.5.21) y G fue

sustituido por
1/

ya ganancia es igual a la prdida en el rgimen por encima del umbral. La

ltima expresin era obtenida mediante el uso de la ecuacin. (3.5.7) en el nivel de


polarizacin.
La ecuacin (3.5.24) proporciona una expresin notablemente simple para el ancho de
banda de modulacin. Esto demuestra que f3dB aumenta con un aumento en el nivel
de polarizacin como Pb o como (Ib-Ith) 1/2. Esta dependencia de la raz cuadrada
se ha verificado durante muchos lseres DFB presentan un ancho de banda de
modulacin de hasta 30 GHz [67] - [70]. Figura 3.21 muestra cmo f3dB se puede
aumentar a 24 GHz para un lser DFB polarizando al 80 mA [70]. Un ancho de banda
de modulacin de 25 GHz se realiz en 1994 para un lser InGaAsP 1,55 micras
empaquetado diseado especficamente para la respuesta de alta velocidad [68].
3.5.3 AMPLIACIN DE SEAL DE MODULACIN
El anlisis de pequea seal, aunque til para una comprensin cualitativa de la
respuesta de modulacin, no es generalmente aplicable a sistemas de comunicaciones
pticas, donde el lser es tpicamente sesgado cerca de umbral y modulado
considerablemente por encima del umbral para obtener pulsos pticos que representan
bits digitales. En este caso de la modulacin de gran seal, las ecuaciones de
velocidad deben ser resueltas numricamente. La figura 3.22 muestra, como ejemplo,
la forma del pulso ptica emitida por un lser sesgado en

I b=1.1 I th

y modulada a 2

Gb / s utilizando impulsos de corriente rectangulares de duracin 500 ps y la amplitud I

m=

I th . El impulso ptico no tiene lder fuerte y bordes de salida debido a un ancho

de banda de modulacin limitada y presenta un aumento de tiempo ~ 100 ps y una


cada vez ~ 300 ps. El rebasamiento inicial cerca del borde de ataque es una
manifestacin de oscilaciones de relajacin. A pesar de que el pulso ptico no es una
rplica exacta del pulso elctrico aplicado, las desviaciones son lo suficientemente
pequeos que los lseres semiconductores se pueden utilizar en la prctica. Como se
ha mencionado antes, la modulacin de amplitud en lseres semiconductores se
acompaa de modulacin de fase gobernado por la ecuacin. (3.5.16). Una fase
variable en el tiempo es equivalente a cambios transitorios en la frecuencia del modo
de su valor de estado estacionario 0. Tal pulso se llama modulada pulsada. El
barrido de frecuencias (t) se obtiene mediante el uso de la ecuacin. (3.5.16) y viene
dada por

( t )=

1d
1
= c G N ( N N 0)
2 dt 4
P

(3.5.25)
La curva de trazos en la Fig. 3.21 muestra el barrido de frecuencias a travs del
impulso ptico. Los cambios de frecuencia modo hacia el lado azul cerca del borde de
ataque y hacia el lado rojo cerca del borde de salida del pulso ptico [71]. Tal
desplazamiento de frecuencia implica que el espectro de pulso es considerablemente
ms amplio que el esperado en ausencia de barrido de frecuencias.

Energa

Frecuencia pitido

Tiempo
Figura 3.22: Simulacin de la respuesta de modulacin de un lser semiconductor de
500 ps pulsos de corriente rectangular. Curva continua muestra la forma del pulso y la
curva de trazos muestra el barrido de frecuencias impuesta en el pulso (c = 5).
Se vio en la Seccin 2.4 que el barrido de frecuencias puede limitar el rendimiento de
los sistemas de comunicacin ptica, especialmente cuando 2C> 0, donde 2 es el
parmetro de dispersin ANDC es el parmetro pitido. A pesar de que los pulsos
pticos emitidos desde los semiconductores generalmente no son gaussiana, el
anlisis de la Seccin 2.4 se puede utilizar para estudiar inducida chirrido
-ensanchamiento de impulsos [72] si identificamos C con - c en la ecuacin.
(04/02/23). Resulta que los sistemas de ondas de luz 1,55 micras se limitan a
distancias inferiores a 100 kilmetros incluso a una velocidad de bits de 2,5 Gb / s
debido a la barrido de frecuencias [71] cuando se utilizan fibras convencionales (2 -

20 PS2 / km). Tasas de bits ms altas y largas distancias slo pueden realizarse
mediante el uso de un esquema de gestin de dispersin de manera que la dispersin
promedio es cercano a cero (vase el captulo 7).
Desde frecuencia claxon es a menudo un factor limitante para ondas de luz sistemas
operativos cerca 1,55 m, varios mtodos se han utilizado para reducir su magnitud
[ 73] - [ 77]. Estos incluyen la adaptacin de pulso-forma, bloqueo de la inyeccin, y los
esquemas de cavidades acopladas. Una forma directa para reducir el barrido de
frecuencias es disear lseres semiconductores con valores pequeos de la mejora de
anchura de lnea del factor c. El uso del diseo de pozo cuntico reduce c en un
factor de aproximadamente 2. Una reduccin adicional se produce para pozos
cunticos tensas [76]. De hecho, c 1 se ha medido en la modulacin dopado tensas
lseres MQW [77]. Estos lseres presentan baja chirrido bajo modulacin directa. El
barrido de frecuencias resultantes de la modulacin de corriente puede evitarse por
completo si el lser se hace funcionar de forma continua, y un modulador externo se
utiliza para modular la salida de lser [78]. En la prctica, los sistemas de ondas de luz
que funciona a 10 Gb / s o ms utilizar un monolticamente modulador electro
absorcin integrada o una externa LiNbO3 modulador (ver seccin 3.6). Uno puede
incluso disear un modulador para revertir el signo de chirrido tal que 2C <0, lo que
resulta en un rendimiento mejorado del sistema. Ondas de luz de sistema diseado
utilizando el formato RZ, ptica de multiplexacin por divisin de tiempo, o solitones a
menudo requieren lseres de modo bloqueado que generan pulsos pticos corto
(ancho ~ 10 ps) a una tasa de repeticin de alto igual a la tasa de bits. Lseres
semiconductores de cavidad externa se pueden utilizar para este propsito, y son
especialmente prctico si una rejilla de fibra se utiliza para un espejo externo. Un
modulador externo sigue siendo necesaria para imponer los datos en el tren de
impulsos de modo bloqueado; bloquea los impulsos en cada ranura bit correspondiente
a 0 bits. La conmutacin ganancia tambin se ha utilizado para generar pulsos cortos
de un lser de semiconductor. Un lser de fibra de modo bloqueado tambin se puede
utilizar para el mismo propsito [79].
3.5.4 RUIDO RELATIVO DE INTENSIDAD
La salida de un lser de semiconductor exhibe fluctuaciones en su intensidad, fase y
frecuencia, incluso cuando el lser est sesgado a una corriente constante con
fluctuaciones de corriente insignificantes. Los dos mecanismos fundamentales de ruido
son la emisin espontnea y recombinacin electrn-hueco (ruido de disparo). El ruido
en lseres semiconductores est dominada por la emisin espontnea. Cada fotn
espontneamente emitido aade al campo coherente (establecido por emisin
estimulada) un pequeo componente de campo cuya fase es aleatorio, y por lo tanto
perturba tanto en amplitud y fase de una manera aleatoria. Por otra parte, este tipo de
eventos de emisin espontnea-se producen al azar a un ritmo elevado (~ 10 12 s-1) a
causa de un valor relativamente grande de Rsp en lseres semiconductores. El
resultado neto es que la intensidad y la fase de las fluctuaciones de exhibicin luz
emitidos a travs de una escala de tiempo tan corto como 100 ps. Fluctuaciones de
intensidad conducen a una limitada seal-ruido (SNR), mientras que las fluctuaciones
de fase conducen a una anchura de lnea espectral finito cuando lseres
semiconductores se hacen funcionar a una corriente constante. Puesto que tales
fluctuaciones pueden afectar al rendimiento de los sistemas de ondas de luz, es
importante para estimar su magnitud [80]. Las ecuaciones de velocidad se pueden
utilizar para estudiar el ruido del lser mediante la adicin de un trmino de ruido,
conocida como la fuerza de Langevin, a cada uno de ellos [81]. Las ecuaciones (3.5.1),
(3.5.2), y (3.5.16), entonces convertido

dP
1
= G
P+ Rsp +F p (t) ,
dt
p

(3.5.26)

dN I N
= GP+F N (t) ,
dt q c

(3.5.27)

d 1
1
= G ( N N 0) + F (t),
dt 2 c N
p
(3.5.28)
Donde

F p (t ) , F N (t ), y F (t ) son las fuerzas Langevin. Se asume que son procesos

aleatorios Gaussianos con media cero y a tener una funcin de correlacin de la forma
(la Markoffian aproximacin).

Fi (t ) F j (t I )=2 Di j (tt I ) ,

(3.5.29)

CARACTERISTICAS LASER

Figura 3.23: espectros RIN en varios niveles de potencia para una onda tpica de 1.55
(m) de lser semiconductor.
Donde i, j = P, N, o , denotan el conjunto promedio de ngulos de soporte, y

D ij se

llama el fi coeficiente de difusin. La contribucin dominante al ruido lser proviene de


slo dos coeficientes de difusin

DPP =

Rsp P

pueden ser asumidas a ser casi cero [82].


La funcin de intensidad de autocorrelacin se define como:

C PP ( )=

( P (t ) P ( t + ) )
~
p2

(3.5 .30)

Rsp /4 P ; otros

Donde

~
p

P=P~
p

(P) es el valor medio y

C PP ( )

fluctuacin. La Transformada de Fourier de

representa una pequea

Se conoce como la intensidad

de ruido relativo (RIN) el espectro viene dado por:

RIN ( )= C PP ( ) exp (it ) dt (3.5 .31)

El RIN se puede calcular por linealizar las ecuaciones. (3.5.26) y (3.5.27) en P y


N,resolviendo las ecuaciones linealizadas en el dominio de la frecuencia, y la
realizacin del promedio con la ayuda de la ecuacin. (3.5.29). Esta dada
aproximadamente por [2].

RIN ( )=

Donde

2 Rsp ( N + ) + GN ~
p [ GN ~
p ( 1+ N / c Rsp ~p )2 N ]

P [ ( R )2+ R2 ][ ( R + ) 2+ R 2 ]

} (3.5 .32)

R y R son la frecuencia y el grado de amortiguacin de las oscilaciones

de relajacin. Se les da por la ecuacin. (3.5.21), con

Pb reemplazado por ~
p .

La Figura 3.23 muestra el espectro de RIN calculado en varios niveles de potencia


para una onda tpica de 1.55 (m) lser En GaAsP. El RIN se ha mejorado
considerablemente cerca de la relajacin
disminuye rpidamente para

frecuencia de oscilacin, pero

R , ya que el lser no es capaz de

responder a las fluctuaciones en el tipo de frecuencias altas. En esencia, el lser


semiconductor acta como un filtro de paso de banda de

R ,

el ancho de banda

para las fluctuaciones espontneas de emisiones. A una frecuencia dada, RIN


disminuye con un aumento en la potencia del lser como
pero este comportamiento cambios a
de autocorrelacin
muestra que

>

C PP ( )

C PP ( )

en potencias bajas,

dependencia a altas potencias. La funcin

se calcula usando las Ecs. (3.5.31) y (3.5.32). El clculo

sigue las oscilaciones de relajacin y se aproxima a cero para

[83]. Este comportamiento indica que la intensidad de fluctuaciones no

permanece correlacionada de veces ms que el tiempo de amortiguacin de las


oscilaciones de relajacin. La cantidad de inters prctico es la SNR define como

~
p/ p , donde

p significa la raz cuadrada del ruido (RMS). De la ecuacin

SNR=[ C pp ( 0 ) ]

(3.5.30),

1 /2

. En los niveles de potencia por encima de unos pocos

milivatios, la SNR supera 20 dB y mejora linealmente con el poder como.

NL
Rsp p

1 /2

( )

SNR=

La presencia de

~
p (3.5 .33)

NL indica que la forma no lineal de la ganancia en la ecuacin.

(3.5.15) desempea un papel crucial. Este formulario debe ser modificado a altas
potencias. De hecho, un tratamiento ms preciso muestra que la SNR eventualmente
satura a un valor de aproximadamente 30 dB y se convierte en energa independiente
[83]. Hasta ahora, el lser se ha asumido a oscilar en un modo longitudinal nico. En la
prctica, incluso los lseres DFB son acompaados por uno o ms modos
secundarios. A pesar de que los modos secundarios permanecen suprimidas por ms
de 20 dB sobre la base de la potencia media, su presencia puede afectar a la RIN
significativamente. En particular, los modos principales y secundarios puede fluctuar de
manera tal que los modos individuales exhiben gran intensidad de fluctuaciones, pero
la intensidad total permanece relativamente constante. Este fenmeno se denomina
ruido de particin modal (MPN) y se produce debido a una anticorrelacin entre los
principales y secundarios modos [2]. Se manifiesta a travs de la mejora de las RIN
para el modo principal en 20 dB o ms en el rango de bajas frecuencias 0-1GHz; el
valor exacto del factor de mejora depende del MSR [84]. En el caso de un VCSEL, el
MPN implica dos modos transversales. [85]. En ausencia de dispersin de fibras, MPN
sera inofensiva para los sistemas de comunicacin ptica, como todos los modos
permaneceran sincronizada durante la transmisin y deteccin. Sin embargo, en la
prctica todos los modos no llegan simultneamente en el receptor, ya que viajan a
velocidades ligeramente diferentes. Una desincronizacin tal no slo degrada el SNR
de la recepcin de seal sino que tambin conduce a la interferencia entre smbolos. El
efecto de la MPN en el rendimiento del sistema se discute en la Seccin 7.4.3.

3.5.5 ANCHO DE LINEA ESPECTRAL


El espectro de la luz emitida est relacionada con la funcin de autocorrelacion de
campo

EE ( )

a travs de la transformada de Fourier hay relacin similar a la

ecuacin. (3.5.31), es decir:

S ( )= EE (t)exp (i( 0 ) ) d (3.5 .34)

Donde

EE ( t )=( E ( t ) E ( t+ ) ) y E ( t )= P exp (i )

de fluctuaciones son negativas,

es el campo ptico. Si la intensidad

EE (t) estar dada por:

(i ( t ) )
()=exp [ ( 2 ( ) ) /2 ] (3.5 .35)
exp
EE ( t )=
Donde la fase de fluctuacin

( )

( t + ) (t )

Gaussiana aleatorio. La variacin de fase

se toma para ser un proceso

2
( ) ), se puede calcular por linealizar

las ecuaciones. (3.5.26) y (3.5.28) y resolver el conjunto resultante de ecuaciones


lineales. El resultado es [82].

R sp
2c b
2
( ( ) ) = ( 1+ c b ) +
cos ( 3 )e cos ( R 3 ) ] (3.5 .36)
[
2 R cos
2P
2

Donde:

b=

R
+ R2
2
R

1/ 2

y =tan 1

R
(3.5 .37)
R

( )

El espectro se obtiene mediante el uso de las ecuaciones. (3.5.34) - (5.3.36). Se


encuentra a consistir en un pico central dominante situado en
satlites situados en =

y mltiples picos

m R , donde m es un nmero entero. La amplitud

de los picos de satlite es tpicamente menor que 1% de la del pico central. El origen
fsico de los picos satlite est relacionado con las oscilaciones de relajacin, que son
responsables por el trmino proporcional a b en la ecuacin. (3.5.36). Si se descuida
este plazo, el

EE

funcin de autocorrelacin () decae exponencialmente con . La

integral de la ecuacin. (3.5.34), entonces se puede realizar analticamente, y el


espectro se encuentra que es el espectro de Lorentz. El espectro

se define

como el ancho completo a la mxima media (FWHM) de esta lnea de Lorentz y est
dada por [82].

R sp ( 1+ 2c )
v=
(3.5 .38)
4 P
Donde b=1 se asumi como

R bajo condiciones tpicas de operacin. La

anchura de la lnea se mejora por un factor de


acoplamiento de amplitud-fase regulado por

1+ 2c

como resultado del

en la ecuacin. (3.5.28);

se

llama el factor de mejora de anchura de lnea por esta razn. La ecuacin (3.5.38)

muestra que

deberan disminuir a medida que

1
P

con un aumento en la

potencia del lser. Tal dependencia inversa se observa experimentalmente a niveles de


baja potencia (<10mW) para la mayora de semiconductores laser. Sin embargo, a
menudo el ancho de lnea se encuentra para saturar a un valor en el rango de 110MHz a un nivel de potencia sobre los 10 mW. La Figura 3.24 muestra como lnea de
conducta ancho de saturacin para varios 1.55- m lseres DFB [86]. Tambin muestra
que el ancho de lnea se puede reducir considerablemente mediante el uso de un
diseo de MQW para el lser DFB. La reduccin se debe a un valor ms pequeo de
los parmetros

realizadas por tal diseo. El ancho de lnea tambin se puede

reducir mediante el aumento de la cavidad de longitud L, desde

Rsp , disminuye y P

aumenta a una potencia de salida dada como L se incrementa. Aunque no es obvio a


partir de la ecuacin (3.5.38),

se puede demostrar que variar como

cuando se incorpora la Longitud dependiente de


3.24,

Rsp

L2

y P. Como se ve en la Fig.

se reduce en un factor de 4, cuando se duplica la longitud de la cavidad.

Los 800 m de largo del lser DFB MQW se encuentran a exhibir una anchura de lnea
tan pequeo como 270 kHz a una potencia de salida de 13,5 mW [86]. Se reduce an
ms tensas en los lseres MQW debido a valores relativamente bajos de c, y un
valor de alrededor de 100 kHz se ha medido en lseres con

1 [77]. Cabe

destacar, sin embargo, que la anchura de lnea de la mayora de los lseres DFB es
tpicamente 5-10 MHz cuando se opera a un nivel de potencia de 10 mW.
La Figura 3.24 muestra que a medida que aumenta la potencia de lser, la anchura de
lnea no slo satura sino que comienza a cubrir el borde. Varios mecanismos se han
invocado para explicar tales comportamientos; algunos de ellos son ruido de la
corriente, el ruido 1/f, la ganancia no lineal, la interaccin modo lateral, y el ndice de
no linealidad [87] - [94]. La anchura de lnea de la mayora de los lseres DFB es lo
suficientemente pequeo que no es un factor limitante para los sistemas de ondas de
luz.

Figura 3.24: Medido ancho de lnea como una funcin de la potencia emitida para
varios 1.55- m lseres DFB. Capa activa es de 100 nm de espesor para el lser a
granel y 10 nm de espesor para los lseres MQW. (Ref. [86]. 1991 IEEE. Reimpreso
con permiso).
3.6 DISEO DE TRANSMISOR
Hasta ahora este captulo se ha centrado en las propiedades de fuentes pticas.
Aunque una fuente ptica es un componente importante de transmisores pticos, no es
el nico componente. Otros componentes incluyen un modulador para la conversin de
datos elctricos en forma ptica (si no se utiliza la modulacin directa) y un circuito de
conduccin elctrica para suministrar corriente a la fuente ptica. Un modulador
externo se utiliza a menudo en la prctica a velocidades de bits de 10 Gb/s o ms para
evitar el pitido que se impone invariablemente en la seal modulada directamente. Esta
seccin cubre el diseo de transmisores pticos con nfasis en los temas de
empaquetado [95] - [105].
3.6.1 FUENTE DE FIBRA DE ACOPLAMIENTO
El objetivo de diseo para cualquier transmisor es acoplar tanta luz como sea posible
en la fibra ptica. En la prctica, la deficiencia de acoplamiento depende del tipo de
fuente ptica (LED frente al lser), as como del tipo de fibra (multimodo modo versus
individual). El acoplamiento puede ser muy eficiente cuando la luz de un LED se acopla
en una fibra de modo nico. Como se discuti y brevemente en la Seccin 3.2.1, la
eficiencia de acoplamiento para un LED cambia con la apertura numrica, y puede
convertirse en <1% en el caso de fibras monomodo. Por el contrario, la eficiencia de
acoplamiento para lseres borde emisores es tpicamente 40-50% y puede superar el
80% para VCSEL debido a su tamao de punto circular. Un pequeo trozo de fibra
(conocido como una coleta) se incluye con el transmisor de modo que la eficiencia de
acoplamiento es posible.

Figura 3.25: Transmisores empleando (a) un tope de acoplamiento y (b) los diseos de
lentes de acoplamiento. (Ref. [97]. C 1989 de AT & T. Reimpreso con permiso).
Maximizarse durante el envasado; un empalme o conector se utiliza para unirse al
cable flexible con el cable de fibra. Dos enfoques se han utilizado para el acoplamiento
de fibras fuente. En un enfoque, conocido como acoplamiento directo o trasero, la fibra
se pone cerca de la fuente y se mantiene en su lugar por conector. En la otra, conocida
como acoplamiento de la lente, una lente se utiliza para maximizar la deficiencia de
acoplamiento. Cada mtodo tiene sus propios mritos, y la eleccin depende en
general de los objetivos de diseo. Un criterio importante es que la deficiencia de
acoplamiento no debe cambiar con el tiempo; Por lo tanto, la estabilidad mecnica del
esquema de acoplamiento es un requisito necesario. Un ejemplo de acoplamiento
trasero se muestra en la Fig. 3.25 (a), cuando la fibra se pone en contacto con un LED
emisor de superficie. La eficiencia de acoplamiento para una fibra de apertura
numrica NA est dada por [96].

nc =( 1Rf ) ( NA )2( 3.6.1)


Donde

Rf es el reflectividad en la fibra parte delantera. R f es de aproximadamente

4% si existe un espacio de aire entre la fuente y la fibra, pero se puede reducir a casi
cero mediante la colocacin de un lquido a juego de indexacin. La deficiencia de
acoplamiento es de aproximadamente 1% para un LED emisor de superficie y
aproximadamente el 10% para un LED borde emisores. Algunos mejorados es posible
en ambos casos mediante el uso de fibras que estn cubiertos o tiene una punta con
lentes. Una lente externa tambin mejora la eficiencia de acoplamiento, pero slo a
expensas de la reduccin de la tolerancia mecnica. El acoplamiento de un lser de
semiconductor a un solo modo de fibra ptica es ms eficiente que la de un LED. El
acoplamiento trasero proporciona slo el 10% eficiencia, ya que no hace ningn intento
para que coincida con los tamaos modo del lser y la fibra. Tpicamente, los lseres
de InGaAsP indexacin guiadas tienen un tamao medio de alrededor de 1m,
mientras que el tamao de un modo de fibra de modo nico est en el intervalo de 6-9
m. La deficiencia de acoplamiento se puede mejorar disminuyendo la fibra extremo y
la formacin de una lente en la punta de la fibra. La figura 3.25 (a) muestra tal un
esquema de extremo-acoplamiento para un transmisor comercial. La fibra est unida a
una joya, y la joya est unido a la parte superior del lser mediante el uso de una
resina epoxi [97]. La punta fibra se alinea con la regin que emite el lser para
maximizar la eficiencia de acoplamiento (tpicamente 40%). El uso de una fibra lensed
puede mejorar la deficiencia de acoplamiento EF, y valores cercanos a 100% se han
realizado con un diseo ptimo [98] - [100].
La figura 3.25 (b) muestra un enfoque de la lente de acoplamiento para el diseo del
transmisor. La deficiencia de acoplamiento puede superar el 70% para un diseo tan
confocal en el que una esfera se utiliza para colimar la luz lser y enfocarla en el
ncleo fibra. La alineacin del ncleo de fibra es menos crtica para el diseo confocal
ya que el tamao de punto es magnificados para que coincida con el tamao del modo
de la fibra. La estabilidad mecnica del paquete est asegurada por la soldadura de la
fibra en un casquillo que est fijado al cuerpo por dos juegos de soldaduras de
alineacin lser. Un conjunto de soldaduras establece la alineacin properaxial,
mientras que el otro conjunto ofrece alineacin transversal.

El tema del acoplamiento de la fibra lser sigue siendo importante, y varios esquemas
nuevos se han desarrollado durante la dcada de 1990 [101] - [105]. En un enfoque, un
banco ptico de silicio se utiliza para alinear el lser y la fibra [101]. En otro, un
microespejo de silicio, Fabricado mediante el uso de la tecnologa de micro
mecanismo, se utiliza para la alineacin ptica [102]. En un enfoque diferente, un
acoplador direccional se utiliza como convertidor de punto-tamao para maximizar la
eficiencia de acoplamiento [103]. Acoplamiento de eficiencias > 80% se han realizado
mediante la integracin de un convertidor de punto-talla con lseres semiconductores
[105].
Un problema importante que debe ser abordado en el diseo de un transmisor ptico
que est relacionado con la extrema sensibilidad de los lseres semiconductores de
realimentacin ptica [2]. Incluso una parte relativamente pequea de una cumbre de
retroalimentacin (<0.1%) puede desestabilizar el lser y afectar el rendimiento del
sistema a travs de fenmenos como la ampliacin anchura de lnea, modo de tolva de
ping, y la mejora RIN [106] - [110]. Se han hecho intentos para reducir las perdidas en
la cavidad lser utilizando antirreflexion de revestimientos. La retroalimentacin
tambin puede reducirse mediante la reduccin de la punta de fibra en un ligero ngulo
para que la luz reflejada no golpea la regin activa del lser. Tales precauciones son
generalmente suficientes para reducir la retroalimentacin a un nivel tolerable. Sin
embargo, se hace necesario utilizar un aislador ptico entre el lser y la fibra en
transmisores diseados para aplicaciones ms exigentes. Una de estas aplicaciones
se corresponde con los sistemas de ondas de luz que funcionan a altas velocidades de
bits y que requieren un lser DFB estrecho ancho de lnea.
La mayora de los aisladores pticos hacen uso del efecto Faraday, que regula la
rotacin del plano de polarizacin de un haz ptico en presencia de un campo
magntico: La rotacin es en la misma direccin para la luz de propagacin paralela o
antiparalela a la direccin de campo magntico. Aisladores pticos consisten en una
varilla de material de Faraday, tales como granate de itrio hierro (YIG), cuya longitud se
elige para proporcionar 45 rotacin. La varilla de YIG se intercala entre dos
polarizadores cuyos ejes estn inclinados por 450 con respecto a la otra.

Figura 3.26: Circuito de conduccin de un transmisor lser con control de


retroalimentacin para mantener la constante de media potencia ptica. Un fotodiodo

supervisa la potencia de salida y proporciona la seal de control. (Ref. [95]. C 1988


Academic Press).
Luz que se propaga en una direccin que pasa a travs del segundo plano polarizador
debido a la rotacin de Faraday. Por el contrario, luz que se propaga en la direccin
opuesta est bloqueada por el primer polarizador. Caractersticas deseables de
aisladores pticos son bajas prdidas de insercin, alto aislamiento (> 30 dB), tamao
compacto y un amplio ancho de banda espectral de operacin. Un aislador muy
compacto puede ser diseado si la lente en la Fig. 3.25 (b) se sustituye por una esfera
YIG para que sirve un doble propsito [111]. Como la luz de un lser semiconductor ya
est polarizada, un polarizador seal colocada entre la esfera YIG y la fibra puede
reducir las votaciones en ms de 30 dB.
3.6.2 CIRCUITOS CONDUCTORES
El propsito de circuitos de activacin es para proporcionar energa elctrica a la
fuente ptica y para modular la salida de luz de acuerdo con la seal que se va a
transmitir. Circuitos de conduccin son relativamente simples para transmisores LED,
pero cada vez ms complicado para los transmisores pticos de alta tasa de bits que
emplean lseres semiconductores como fuente ptica [95]. Como se discuti en la
Seccin 3.5.2, lseres semiconductores estn sesgados cerca del umbral y luego
modulados a travs de una seal dependiente del tiempo de transmisin elctrica. As,
el circuito de excitacin est diseado para suministrar una corriente de polarizacin
constante, as como la seal elctrica modulada. Adems, un bucle de servo se utiliza
a menudo para mantener constante la potencia ptica promedio.
La figura 3.26 muestra un circuito de conduccin simple que controla la potencia ptica
media a travs de un mecanismo de retroalimentacin. Un fotodiodo supervisa la salida
del lser y genera la seal de control que se utiliza para ajustar el nivel de polarizacin
del lser. La entrada trasera del lser se utiliza generalmente para el propsito de
monitorizacin (vase la Fig. 3.25). En algunos transmisores de un tab frontal se utiliza
para desviar una pequea fraccin de la potencia de salida al detector. El control a
nivel de sesgo es esencial, ya que el umbral de lser es sensible a la operacin de la
temperatura.

Figura 3.27: Dos clases de moduladores externos: (a) modulador LiNbO3 en el MachZehnder configuracin; (b) un modulador del semiconductor basado en electro
absorcin.

La corriente umbral tambin aumenta con el envejecimiento del transmisor debido a la


degradacin gradual del lser semiconductor. El circuito de accionamiento se muestra
en la Fig. 3,26 ajusta el nivel de polarizacin dinmica, pero deja la corriente de
modulacin sin cambios. Este enfoque es aceptable si la pendiente esfuerzo eficiencia
del lser no cambia con el envejecimiento. Como se discuti en la Seccin 3.5.1 y se
ve en la figura. 3,20, la pendiente de eficiencia del lser generalmente disminuye con
un aumento en la temperatura. Un refrigerador termoelctrico se utiliza a menudo para
estabilizar la temperatura del lser. Un enfoque alternativo consiste en el diseo de
circuitos de conduccin que utilizan circuitos de retroalimentacin de doble bucle y
ajustan tanto la corriente de polarizacin y la corriente de modulacin automticamente
[112].
3.6.3 MODULADORES OPTICOS
A velocidades de bits de 10 Gb/s o superior, el barrido de frecuencias impuestas por
modulacin directa se vuelve lo suficientemente grande que la modulacin directa de
lseres semiconductores se utiliza muy poco. Para este tipo de transmisores de alta
velocidad, el lser est sesgado a una corriente constante para proporcionar la salida
CW, y un modulador ptico colocado junto, convierte la luz lser CW en un tren de
impulsos de datos codificados con el formato de modulacin derecha.
Dos tipos de moduladores pticos desarrollados para aplicaciones de sistemas de
ondas de luz se muestran en la Fig. 3.27. El modulador de electroabsorcin hace uso
del efecto Franz-Keldysh, segn la cual la banda prohibida de un semiconductor
disminuye cuando se aplica un campo elctrico a travs de ella. Por lo tanto, una capa
de semiconductor transparente comienza a absorber la luz cuando su banda prohibida
se reduce electrnicamente mediante la aplicacin de un voltaje externo. Una relacin
de extincin de 15 dB o ms se puede realizar para una polarizacin inversa aplicada
de unos pocos voltios a velocidades de hasta 40 Gb/s [113] - [120]. Aunque algunos
chips todava se imponen en impulsos codificados, puede hacerse lo suficientemente
pequeo como para no ser perjudicial para el rendimiento del sistema.
Una ventaja de los moduladores de electroabsorcin es que se realizan utilizando el
mismo material semiconductor que se utiliza para el lser, y por lo tanto los dos puede
ser fcilmente integrados sobre el mismo chip.
Transmisin baja de ruido a una velocidad binaria de 5 Gb/s se pudo demostrarse ya
en 1994 mediante la integracin de un modulador de electroabsorcin con un lser
DBR [114]. Para 1999, transmisores pticos 10 Gb/s con un modulador
electroabsorcin integrada estaban disponibles comercialmente y se utilizan
habitualmente para WDM sistemas de ondas de luz [119]. Para el ao 2001, tales
moduladores integrados exhibido un ancho de banda de ms de 50 GHz y tena el
potencial de funcionar a velocidades de bits de hasta 100 Gb/s [120]. Un modulador de
electroabsorcin tambin se puede utilizar para generar pulsos ultracortos adecuados
para la multiplicacin por divisin de tiempo ptico (OTDM). Un lser DFB,
especficamente monolithi- integrada con un modulador MQW, se utiliz ya en 1993
para generar un tren de pulsos de 20 GHz [113]. Los impulsos de salida 7-ps estaban
casi transformar-limitado debido a un barrido extremadamente bajo ex asociado con el
modulador. Un tren de 40 GHz de 1.6 pulsos ps fue producido en 1999 utilizando un
modulador electroabsorcin; tales impulsos pueden ser utilizados para los sistemas de
OTDM que funcionan a una velocidad de bits de 160 Gb/s [116]

La segunda categora de moduladores pticos hace uso del material LiNbO3 y un


Mach-Zehnder (MZ) interfermetro para la intensidad de modulacin [121] - [126]. Dos
guas de ondas LiNbO3 de titanio-difusa forman los dos brazos de un interfermetro
MZ (ver Fig. 3.27). El ndice de refraccin de los materiales electro-pticos tales como
LiNbO3 se puede cambiar mediante la aplicacin de un voltaje externo. En ausencia de
tensin externa, los campos pticos en los dos brazos de los cambios de fase
interferromagnetico experiencialmente MZ y interferencia constructiva. El
desplazamiento de fase adicional introducido en uno de los brazos a travs de los
cambios del ndice de tensin inducida-destruye la naturaleza constructiva de la
interferencia y reduce la intensidad transmitida. En particular, no hay luz se transmite
cuando la diferencia de fase entre los dos brazos es igual a , a causa de anillo de
interferencia destructiva ocurran, en ese caso. Como resultado, el flujo de bits elctrica
aplicada al modulador produce una rplica ptica de la corriente de bits.
El rendimiento de un modulador externo es de cuantificacin a travs de la relacin onoff (tambin llamada relacin de extincin) y el ancho de banda de modulacin. Linbo
Moderno 3 moduladores proporcionan una relacin on-off por encima de 20 y pueden
ser modulados a velocidades de hasta 75 GHz [122]. El voltaje de activacin es
tpicamente de 5 V, pero puede reducirse por debajo de 3 V con un diseo adecuado
[125]. Moduladores LiNbO3 con un ancho de banda de 10 GHz estaban disponibles
comercialmente por 1998, y el ancho de banda aumentaron a 40 GHz por 2000 [126].
Otros materiales tambin pueden ser utilizados para hacer moduladores externos. Por
ejemplo, moduladores se han fabricado utilizando polmeros electro-pticos. Ya en
1995 un modulador tal exhibi un ancho de banda de modulacin de hasta 60 GHz
[127]. En un experimento 2001, un electro-ptico polimrico modulador MZ requiere
solamente 1,8 V para desplazar la fase de una seal de 1.55- m por en uno de los
brazos del interfermetro MZ [128]. El dispositivo fue de slo 3 cm de largo y expuso
sobre las prdidas de chip 5 dB. Con un mayor desarrollo, tales moduladores pueden
encontrar aplicaciones en sistemas de ondas de luz.
3.6.4 INTEGRACIN OPTOELECTRNICA
Los componentes elctricos utilizados en el circuito de conduccin determinan la
velocidad a la que la salida del transmisor puede ser modulada. Para los transmisores
de ondas de luz funcionan a velocidades binarias superiores a 1 Gb/s, parsitos
elctricos asociados con varios transistores y otros componentes a menudo limitan el
rendimiento del transmisor. El rendimiento de los transmisores de alta velocidad se
puede mejorar considerablemente mediante el uso de la integracin monoltica del
lser con el conductor. Puesto que los dispositivos pticos y elctricos se fabrican en el
mismo chip, tales transmisores lticos mono se referredto como de circuitos
optoelectrointegrados(OEIC) transmisores. El enfoque OEIC era primer aplica a la
integracin de los lseres de GaAs, ya que la tecnologa para la fabricacin de
aparatos elctricos de GaAs es relativamente bien esta- bleci [129] - [131]. La
tecnologa para la fabricacin de InP OEIC evolucion rpidamente durante la dcada
de 1990 [132] - [136]. Un transmisor de 1,5 m OEIC capaz de operar a 5 Gb / s se
demostr en 1988 [132]. En 1995, 10 Gb / s transmisores lser eran FAB ricated
integrando 1.55- m lseres DFB con transistores fi eld-efecto realizados con el /
InAlAs sistema material InGaAs. Desde entonces, los transmisores OEIC con mltiples
rayos lser en el mismo chip se han desarrollado para aplicaciones WDM (vase el
captulo 8).

Un enfoque relacionado para OEIC integra el lser semiconductor con un lector


fotodetector [137] - [139] y/o con un modulador [117] - [120]. El fotodetector se utiliza
generalmente para monitorizar la estabilizacin de la potencia de salida del lser. El
papel del modulador es reducir el ruido dinmico de un semiconductor laser se modula
directamente (vase la Seccin 3.5.2). Los fotodetectores pueden ser fabricadas
utilizando el mismo material que el utilizado para el lser (vase el captulo 4).
El concepto de integracin monoltica se puede extender a construir de un solo chip
transmisores mediante la adicin de toda la funcionalidad en el mismo chip. Un
esfuerzo considerable se ha dirigido hacia el desarrollo de dichas SICAV, a menudo
llamados circuitos integrados fotnicos [6], que se integran en los mltiples
componentes pticos mismo chip, como lseres, detectores, moduladores,
amplificadores, filtros y guas de onda [140] - [145]. Tales circuitos integrados deben
demostrar oficialmente bastante beneficio a la tecnologa de ondas de luz.
3.6.5 FIABILIDAD Y EMBALAJE
Un transmisor ptico debe funcionar de forma fiable durante un perodo relativamente
largo de tiempo (10 aos o ms) con el fin de ser tiles como un componente
importante de los sistemas de ondas de luz. Los requisitos de fiabilidad son bastante
estrictos para los sistemas de ondas de luz submarinas, para los que las reparaciones
y reemplazo son prohibitivamente caros. Con mucho razn, la principal razn para el
fracaso de los transmisores pticos es la propia fuente ptica. Prueba considerable se
realiza durante el montaje y la fabricacin de transmisores para asegurar una vida
razonable para la fuente ptica. Es comn [95] para cuantificar el tiempo de vida por un
parmetro tF conocido como media hora de fallos (MTTF). Su uso se basa en el
supuesto de una probabilidad de fallo exponencial [PF = exp (-t / TF)]. Tpicamente, TF
debe exceder 105 horas (aproximadamente 11 aos) para la fuente ptica. La fiabilidad
de los lseres semiconductores se ha estudiado ampliamente para asegurar su
funcionamiento bajo condiciones de funcionamiento realistas [146] - [151].
Ambos LEDs y lseres semiconductores pueden dejar de funcionar repentinamente
(degradacin catastrfica) o pueden mostrar un modo gradual de degradacin en la
que la eficiencia del dispositivo se degrada con la edad [147]. Se han hecho intentos
para identificar los dispositivos que pueden degradar catastrficamente. Un mtodo
comn es operar el dispositivo a altas temperaturas y los altos niveles actuales. Esta
tcnica se conoce como burn-in o envejecimiento acelerado [146] y se basa en la
suposicin de que en condiciones de alto estrs dbiles dispositivos fallarn, mientras
que otros se estabilizarn despus de un perodo inicial de degradacin rpida. El
cambio en la corriente de funcionamiento a una potencia constante se utiliza como una
medida de la degradacin de- vice. Figura 3.28 muestra el cambio en la corriente de
funcionamiento de un 1.3 m.

Figura 3.28: cambio en la corriente como una funcin del tiempo para un 1.3- m lser
InGaAsP envejecido en 60C con 5 mW de potencia de salida. (Despus Ref [148].C
1985 de AT & T.)
El lser InGaAsP deteriorado a 60C bajo una potencia de salida constante de 5 mW
de cada faceta. La corriente de funcionamiento para este lser se incrementa en un
40% en las primeras 400 horas, pero luego se estabiliza y aumenta a un ritmo mucho
ms reducido indicativos de degradacin gradual. La velocidad de degradacin se
puede utilizar para estimar la vida til del lser y el MTTF a la temperatura elevada. El
MTTF a la temperatura de funcionamiento normal se extrapola a continuacin
mediante el uso de una relacin de tipo Arrhenius tF = t0 exp (-Ea / kBT), donde t0 es
una constante y Ea es la energa de activacin con un valor tpico de aproximadamente
1 eV [147] . Fsicamente, la degradacin gradual es debido a la generacin de diversos
tipos de defectos (defectos de lnea oscura, defectos oscuro-punto) dentro de la regin
activa del lser o LED [2].
Extensas pruebas han demostrado que los LEDs son normalmente ms fiables que los
lseres semiconductores bajo las mismas condiciones de operacin. El MTTF para
GaAs LEDs fcilmente supera 106 horas y puede ser> 107 horas a 25C [147]. El
MTTF para InGaAsP LEDs es an mayor, acercndose a un valor de ~ 109 horas. Por
el contrario, el MTTF para lseres de InGaAsP se limita generalmente a 106 horas a
25C [148] - [150]. No obstante, este valor es lo suficientemente grande que los lseres
semiconductores se pueden utilizar en transmisores pticos submarinos diseados
para funcionar de forma fiable durante un perodo de 25 aos. Debido a los efectos
adversos de las altas temperaturas en la fiabilidad del dispositivo, la mayora de los
transmisores utilizan un refrigerador termoelctrico para mantener la temperatura de la
fuente cerca de 20C incluso cuando la temperatura exterior puede ser tan alta como
80C.
Incluso con una fuente ptica fiable, un transmisor puede fallar en un sistema real, si el
acoplamiento entre la fuente y la fibra se degrada con el envejecimiento. El
acoplamiento de la estabilidad es una cuestin importante en el diseo de transmisores
pticos fiables. Depende en ltima instancia, en los envases de los transmisores.
Aunque LEDs se empaquetan a menudo non hermetically, un entorno hermtico es
esencial para lseres semiconductores. Es comn para empaquetar el lser por
separado de modo que est aislado de otros componentes del transmisor. La figura

3.25 muestra dos ejemplos de paquetes de lser. En el esquema de extremoacoplamiento, un epoxi se utiliza para mantener el lser y la fibra en su lugar. El
acoplamiento de la estabilidad en este caso depende de los cambios de cmo epoxi
con el envejecimiento de la emisora. En el esquema de la lente de acoplamiento,
soldadura lser se utiliza para mantener varias partes de la congregacin. El paquete
de lser se convierte en una parte del paquete de transmisor, que incluye otros
componentes elctricos asociados con el circuito de conduccin. La eleccin de
paquete transmisor depende del tipo de aplicacin; un paquete en lnea dual o una caja
mariposa con mltiples clavijas se utiliza normalmente.
Pruebas y envasado de transmisores pticos son dos partes importantes del proceso
de fabricacin [149], y ambos de ellos considerablemente el costo de una transmisin.
El desarrollo de los transmisores envasados bajo costo es necesario, especialmente
para aplicaciones locales y de bucle local.

PROBLEMAS
3.1.-Demostrar que la eficiencia cuntica externa de un LED planar est dada
aproximadamente por ext = n-1 (n + 1) -2, donde n es el ndice de refraccin del aire
semiconductor-interfaz. Considere Fresnel reflexin y la reflexin total interna en la
faceta de salida. Supongamos que la radiacin interna es uniforme en todas las
direcciones.
3.2.-Demostrar que el ancho de banda ptico de 3-dB de un LED est relacionada con
el ancho de banda elctrica 3-dB por la relacin f3dB (ptico) = 3 f3dB (elctrica).
3.3.-Encuentra la composicin de la aleacin cuaternaria InGaAsP para la fabricacin
de lseres de semiconductores que operan en longitudes de onda 1.3- y 1,55 micras.
3.4.-La regin activa de un lser InGaAsP 1,3 micras es de 250 m de largo. Encuentra
la ganancia de la regin activa requerida para el lser para alcanzar el umbral.
Suponga que la prdida interna es de 30 cm-1, el ndice modo es 3,3, y el factor de
confinamiento es 0,4.
3.5.-Deducir la ecuacin de valor propio de los (TE) modos transversales elctrica de
una gua de onda plana de espesor dy ndice de refraccin n 1 intercalada entre dos
capas de revestimiento de ndice de refraccin n2. (Sugerencia: Siga el mtodo de la
seccin 2.2.2 mediante coordenadas cartesianas.)
3.6.-Use el resultado del problema 3.5 para encontrar la condicin de modo nico.
Utilice esta condicin para encontrar el espesor mximo permitido de la capa activa
para un lser semiconductor 1,3 micras. Cmo cambia este valor si el lser funciona
a 1,55 m? Asumir n1 = n2 = 3.5 y 3.2.
3.7.-Resolver las ecuaciones de velocidad en el estado estacionario y obtener las
expresiones analticas para P y N como una funcin de la inyeccin de corriente I. La
negligencia emisin espontnea por simplicidad.
3.8.- Un lser semiconductor est funcionando continuamente a una determinada
corriente. Su potencia de salida cambia ligeramente debido a una transitoria fluctuacin
actual. Demostrar que la potencia del lser alcanzar su valor original a travs de un

enfoque oscilatorio. Obtener la frecuencia y el tiempo de amortiguacin de tales


oscilaciones de relajacin.
3.9 A 250 m lser InGaAsP de largo tiene una prdida interna de 40

cm1 . Opera

en un nico modo con el ndice modal 3,3 y el ndice de grupo 3.4. Calcule cual es el
curso de la vida de fotones. Cul es el valor umbral de la poblacin de electrones?

GN

Supongamos que la ganancia vara G =

(N-

N 0 ) con

GN

103

= 6

N 0 = 1 108 .

3.10 Determinar la corriente de umbral para el lser semiconductor del Problema 3,9
por 2 ns como el portador. Cunta energa se emite desde una faceta cuando el lser
es usado dos veces por encima del umbral?
3.11 Considere el lser del Problema 3.9 operar dos veces por encima del umbral.
Calcular la eficiencia cuntica diferencial y la eficiencia cuntica externa para el lser.
Cul es el dispositivo (enchufado a la pared) eficiencia si la tensin externa es de 1,5
V? Asumir que la eficiencia cuntica interna es del 90%
3.12 Calcular la frecuencia (en unidades GHz) y el tiempo de amortiguacin de las
oscilaciones de relajacin para el lser del Problema 3.9 operar dos veces por encima

104

del umbral. Asumir que GP = -4

S1 , donde GP es la derivada de G con

respecto a P. Tambin asumir que Rsp = 2 / p.


3.13Determinar el ancho de banda de modulacin de 3-dB para el lser del Problema
3.11 transversal para operar dos veces por encima del umbral. Cul es el ancho
correspondiente de la banda elctrica de 3 dB?}
3.14 La corriente de umbral de un lser semiconductor se duplica cuando la
temperatura de funcionamiento esta incrementada por 50C. Cul es la temperatura
caracterstica del lser?
3.15Derivar una expresin para el 3-dB ancho de banda de modulacin, asumiendo
que la ganancia G en la tasa vara segn las ecuaciones con N y P como;

G ( N , P )=G ( N ) ( N N 0 )( 1+ P/ Ps )1 /2
Mostrar que el ancho de banda satura a altas potencias de funcionamiento
3.16 Resolver ecuaciones del tipo (3.5.1 ) y (3.5.2 ) numricamente usando

I ( t )=I b + I m f p (t) , donde


duracin. Suponer que
ns y

104

Rsp

= 2/

S1 ,

f p (t)

I b / I th

representa un pulso rectangular de 200-ps

= 0.8 ,

I m / I th

= 3,

= 3 ps,

p . Utilizar el ecualizador. (3.5.15 ) para la ganancia G con


N0

108 , y

NL

c
GN

=2
=

107 . Trazar la forma del pulso ptico y

la frecuencia pitido. Por qu es el pulso ptico mucho ms corto que el pulso de


corriente aplicada?

3.17 Completar la derivacin de la ecuacin. (5.3.32) para el RIN. Cmo cambia esta
expresin si la ganancia G se asume de la forma del problema 3.15?
3.18 Calcular la autocorrelacin Cpp () mediante el uso de las ecuaciones. (3.5.31) y
(3.5.32). Utilcela para derivar una expresin de SNR de la salida del lser.

CAPITULO 4

RECEPTORES OPTICOS
El papel de un receptor ptico es la de convertir la seal ptica de nuevo en forma
elctrica y recuperar los datos transmitidos a travs del sistema de ondas de luz. Su
componente principal es un fotodetector que convierte la luz en electricidad mediante
el efecto fotoelctrico. Este debera tener una alta sensibilidad, respuesta rpida, de
poco ruido, de bajo coste y alta fiabilidad. Su tamao debe ser compatible con el
tamao de la fibra de ncleo. Estos requisitos se satisfacen mejor por fotodetectores
hechas de materiales semiconductores. Este captulo se centra en fotodetectores y
receptores pticos [1] - [9]. Introducimos en la Seccin 4.1 los conceptos bsicos
detrs del proceso de fotodeteccin y discutimos en la Seccin 4.2 varios tipos de
fotodetectores de uso comn para los receptores pticos. Los componentes de un
receptor ptico estn descritos en la seccin 4.3 con nfasis en el papel desempeado
por cada componente. Seccin 4.4 se ocupa de distintas fuentes de ruido que limitan la
relacin de seal a ruido en los receptores pticos. Secciones 4.5 y 4.6 se dedican a la
sensibilidad del receptor y su degradacin en condiciones no ideales. El rendimiento de
los receptores pticos en experimentos reales de transmisin se discute en la Seccin
4.7.
4.1 CONCEPTOS BSICOS
El mecanismo fundamental detrs del proceso fotodeteccin es de absorcin ptica.
Esta seccin presenta los conceptos bsicos como la capacidad de respuesta,
eficiencia cuntica, y ancho de banda que son comunes a todos los fotodetectores y
son necesarios ms adelante en este captulo.
4.1.1 DETECTOR DE RESPONSIVIDAD
Considere la losa semiconductor mostrado esquemticamente en la Fig. 4.1. Si el hv
energa de los fotones incidentes excede la energa de banda prohibida, un par
electrn-agujero se genera cada vez que un fotn es absorbida por el semiconductor.
Bajo la influencia de un campo elctrico creado por una tensin aplicada, electrones y
huecos son barridos a travs del semiconductor, lo que resulta en un flujo de corriente
elctrica. La fotocorriente I p es directamente proporcional a la potencia ptica
incidente.

Figura 4.1: Una losa semiconductor que se utiliza como un fotodetector.

La potencia ptica incidente

P , i, e.

I p =R P (4.1.1)
Donde R es la responsividad del fotodetector (en unidades de A / W). La responsividad
R puede expresarse en trminos de una cantidad fundamental, llamada la eficiencia
cuntica y se define como;

tasa de generacion de electrones I p / p hv


=
= R( 4.1.2)
tasa de incidencia de fotones
P /hv q

Donde la Ecuacin. (4.1.1) es usada. As pues, la responsividad R est dada por:

R=

( 4.1.3)
hv 1,24

Donde c/ se expresa en micrmetros. La responsividad de un fotodetector


aumenta con la longitud de onda , simplemente porque ms fotones estn presentes
para la misma potencia ptica. No se espera una dependencia lineal Tal en continuar
para siempre, porque finalmente la energa del fotn llega a ser demasiado pequea
para generar electrones. En los semiconductores, esto sucede por
donde

hv

<

Eg ,

E g es la banda prohibida. El eficiencia cuntica luego cae a cero.

La dependencia de en entra a travs del coeficiente de absorcin . Si las facetas


de la losa de semiconductor en la Fig. 4.1 se supone que tienen un recubrimiento
antirreflectante, la potencia transmitida a travs de la losa de la anchura W es Ptr=exp
(-W) Pin. La potencia absorbida se puede escribir como:
||=P P

tr

= [ 1exp ( W ) ] P ( 4.1.4)
P

Dado que cada fotn absorbido crea un par electrn-hueco, el eficiencia cuntica
est dada por

P||
=1exp (W ) ( 4.1.5)
P
=

Figura 4.2: dependencia de la longitud de onda del coeficiente de absorcin para varios
materiales semiconductores. (Ref. [2]. C 1979 Academic Press)
Como se esperaba, se convierte en cero cuando =0. Por otra parte, se aproxima a
1 si W

1.

La figura 4.2 muestra la dependencia de la longitud de onda de durante varios


materiales semiconductores utilizados para hacer fotodetectores para los sistemas de
ondas de luz. El longitud de onda c a la que se convierte en cero se llama la
longitud de onda de corte, como que el material puede ser utilizado para un
fotodetector slo para <c. Como se ve en la Fig. 4,2, los semiconductores de banda
prohibida indirecta, tales como Si y Ge pueden ser utilizados para hacer fotodetectores
a pesar de que el borde de absorcin no es tan aguda como para materiales de banda
prohibida directa. Los valores grandes de (~

104

cm1 ) se pueden realizar para

la mayora de los semiconductores, y puede acercarse al 100% para W ~ 10 um.


Esta caracterstica ilustra la eficiencia de semiconductores para el propsito de
fotodeteccin.
4.1.2 TIEMPO DE SUBIDA Y ANCHO DE BANDA
El ancho de banda de un fotodetector se determina por la velocidad con la que
responde a las variaciones en la potencia ptica incidente. Es til introducir el concepto
de tiempo de subida Tr, definida como el tiempo durante el cual la corriente se acumula
de 10 a 90% de su valor final cuando la potencia ptica incidente se cambia
abruptamente. Claramente, Tr depender del tiempo empleado por los electrones y los
agujeros para viajar a los contactos elctricos. Esto tambin depende del tiempo de
respuesta del circuito elctrico usado para procesar la fotocorriente. El tiempo de
subida Tr de un circuito elctrico lineal se define como el tiempo durante el cual la
respuesta aumenta de 10 a 90% de su valor final de salida cuando la entrada se

cambia abruptamente (una funcin de paso). Cuando la tensin de entrada a travs de


un circuito RC cambia instantneamente de 0 a V0, los cambios de voltaje de salida
como:

V out ( t )=V 0 [ 1exp (t / RC ) ] (4.1 .6)


Donde R es la resistencia y C es la capacitancia del circuito RC. El tiempo de subida
se encuentra para ser dada por:

T r =( ln 9 ) RC 2,2 RC (4.1.7)
Donde

RC =RC

es la constante de tiempo del circuito RC. El tiempo de subida de

un fotodetector se puede escribir mediante la ampliacin de la ecuacin (4.1.7) como.

T r =( ln 9 ) ( tr + RC ) (4.1 .8)
Donde

tr

es el tiempo de trnsito y

RC

es la constante de tiempo del circuito

RC equivalente. El tiempo de trnsito se aade a RC porque toma algo de tiempo


antes de que los transportadores sean recolectados despus de su generacin a
travs de la absorcin de fotones.
El tiempo mximo de recogida es simplemente igual a la vez que un electrn se
necesita para atravesar la regin de absorcin. Claramente, tr se puede reducir
disminuyendo W. Sin embargo, como se ve a partir de la Ec. (4.1.5), el eficiencia
cuntica comienza a disminuir de manera significativa para W <3. Por lo tanto, hay
una compensacin entre el ancho de banda y la responsividad (velocidad frente
sensibilidad) de un fotodetector. A menudo, la constante de tiempo RC

RC

limita el

ancho de banda debido a parsitos elctricos. Los valores numricos de tr y RC


dependen del diseo del detector y pueden variar en un amplio rango. El ancho de
banda de un fotodetector se define de una manera anloga a la de un circuito RC y
est dada por:
1

T r =[ ( ln 9 ) ( tr + RC ) ] (4.1 .9)
Como un ejemplo, cuando

tr

RC

= 100 ps, el ancho de banda del fotodetector

est por debajo de 1 GHz. Claramente, tanto tr y

RC

deben reducirse por debajo

de 10 ps para fotodetectores necesarios para los sistemas ightwave funcionan a


velocidades binarias de 10 Gb/s o ms.
Junto con el ancho de banda y la capacidad de respuesta, la oscuridad de corriente I d
de un fotodetector es el tercer parmetro importante. Aqu, Id es la corriente generada
en un fotodetector en ausencia de cualquier seal ptica y se origina de la luz parsita
o de pares electrn-hueco generados trmicamente. Para una buena fotodetector, la
corriente oscura debe ser insignificante (Id <10 nA).

4.2 FOTODETECTORES COMUNES


La superficie de semiconductor de la fig. 4.1 es til para ilustrar los conceptos bsicos,
sino un dispositivo tan simple se utiliza muy poco en la prctica. Esta seccin se centra
en la p-n uniones polarizacin inversa que se utilizan comnmente para la fabricacin
de receptores pticos. Metlicos (MSM) fotodetectores-metal en semiconductores
tambin se discuten brevemente.

Figura 4.3: (a) A p-n fotodiodo bajo polarizacin inversa; (b) la variacin de la potencia
ptica en el interior del fotodiodo; (c) diagrama de banda de energa que muestra el
movimiento portador a travs de la deriva y difusin.

4.2.1 FOTODIODOS p-n


Una unin p-n polarizada inversamente consta de una regin, conocida como la regin
de agotamiento, es decir, esencialmente carente de portadores de carga libres en
donde un amplio campo elctrico incorporado opone flujo de electrones desde el lado
de n a la del lado p (y de agujeros de p a n).
Cuando una unin de pn se ilumina con luz en un lado, decir que el lado p (ver
Fig.4.3), pares electrn-hueco se crea a travs de la absorcin. Debido a los grandes
armarios campos elctricos, los electrones y los huecos generados dentro de la regin
de agotamiento aceleran en direcciones opuestas y la deriva a los lados p n- y,
respectivamente. El flujo resultante de la corriente es proporcional a la potencia ptica
incidente. As, una polarizacin inversa-p-n de unin acta como un fotodetector y se
conoce como el p-n fotodiodo.
Figura 4.3 (a) muestra la estructura de ap-n fotodiodo. Como se muestra en la Fig. 4.3
(b), la potencia ptica disminuye exponencialmente a medida que la luz incidente es
absorbida dentro de la regin de agotamiento. Los pares electrn-hueco generados
dentro de la regin de agotamiento experimentan un gran campo elctrico y la deriva
rpidamente hacia el lado o n-p-, dependiendo de la carga elctrica [Fig. 4.3 (c)]. El
flujo de corriente resultante constituye la respuesta fotodiodo a la potencia ptica
incidente de acuerdo con la Ec. (4.1.1). La responsividad de un fotodiodo es bastante
alta (R ~ 1 A / W) debido a una alta eficiencia cuntica. El ancho de banda de AP-n
fotodiodo es a menudo limitada por la tr el tiempo de trnsito en la ecuacin (4.1.9).
Si W es la anchura de la regin de agotamiento y vd es la velocidad de deriva, el
tiempo de trnsito est dada por:

tr =

W
( 4.2.1)
vd

Tpicamente, W~10m,

vd

optimizarse para minimizar

105

m/s, y

tr

~ 100 ps. Tanto W y

vd

puede

tr . El ancho de agotamiento de la capa depende del

aceptor y las concentraciones de los donantes y se puede controlar a travs de ellos.


El velocidad vd depende de la tensin aplicada pero alcanza un valor mximo
(denominado la velocidad de saturacin) ~

105

utilizado para el fotodiodo. El tiempo RC constante

m/s que depende del material

RC

puede ser escrita como:

Figura 4.4: Respuesta de la unin p-n fotodiodo a un pulso ptico rectangular cuando
tanto la deriva y difusin contribuyen a la corriente del detector.

RC =( R L + R S ) C p ( 4.2.2)
Donde RL es la resistencia de carga externa, Rs es la resistencia en serie interna, y Cp
es la capacitancia parsita. Tpicamente,

RC

~ 100 ps, aunque los valores ms

bajos son posibles con un diseo adecuado. De hecho, modernas p-n fotodiodos son
capaces de operar a velocidades de bits de hasta 40 Gb/s.
El factor limitante para el ancho de banda de p-n fotodiodos es la presencia de un
componente difusivo en la fotocorriente. El origen fsico del componente difusivo se
relaciona con la absorcin de la luz incidente fuera de la regin de agotamiento. Los
electrones generados en el p-regin tienen para difundir al agotamiento-regin

fronteriza antes de que puedan derivar hacia el lado n; Del mismo modo, los agujeros
generados en el n-regin deben difundirse a la deplecin de lmite de regin. La
difusin es un proceso inherentemente lento; portadores toman un nanosegundo o ms
para difundir sobre una distancia de aproximadamente 1 m. La Figura 4.4 muestra
cmo la presencia de un componente difusivo puede distorsionar la respuesta temporal
de un fotodiodo. La contribucin de difusin puede reducirse disminuyendo las
anchuras de la p-n regiones y el aumento de la anchura regin de agotamiento de
modo que la mayor parte de la potencia ptica incidente es absorbida en su interior.
Este es el enfoque adoptado para p-i-n fotodiodos, se discute a continuacin.
4.2.2 FOTODIODOS p-i-n
Una forma sencilla de aumentar la anchura de regin de agotamiento es insertar una
capa de material semiconductor dopado (o ligeramente dopado) entre la juntura p-i-n.

Figura 4.5: (a) Un p-i-n fotodiodo junto con la distribucin de campo electricidad bajo
polarizacin inversa; (b) el diseo de un InGaAs p-i-n fotodiodo.
Dado que la capa intermedia consiste en un material casi intrnseco, una estructura de
este tipo se conoce como el p-i-n fotodiodo. Figura 4.5 (a) muestra la estructura del
dispositivo junto con la distribucin de campo elctrico dentro de l bajo la operacin
de polarizacin inversa. Debido a su naturaleza intrnseca, el medio i capa ofrece una
alta resistencia, y la mayora de la cada de tensin se produce a travs de esta. Como
resultado, existe un gran campo elctrico en la capa i. En esencia, la regin de
agotamiento se extiende a lo largo del i-regin, y su anchura W puede ser controlado
cambiando el espesor medio de la capa. La principal diferencia de la p-n fotodiodo es
que la deriva el componente de la fotocorriente domina sobre el componente de
difusin, simplemente porque la mayor parte de la potencia incidente es absorbida
dentro de la regin i y de un p-i-n fotodiodo.
Dado que la anchura W agotamiento se puede adaptar en p-i-n fotodiodos, una
pregunta natural es como debe ser grande W. Como se discuti en la Seccin 4.1, el
valor ptimo de W depende de un compromiso entre velocidad y sensibilidad. La
responsividad se puede aumentar mediante el aumento de W de modo que el
eficiencia cuntica se aproxima a 100% [ver Ec. (4.1.5)]. Sin embargo, el tiempo de
respuesta tambin aumenta, ya que toma ms tiempo para que los transportistas a la

deriva a travs de la regin de agotamiento. Para los semiconductores de banda


prohibida indirecta, tales como Si y Ge, tpicamente W debe estar en el rango de 20-50
micras para asegurar una eficiencia cuntica razonable. El ancho de banda de tales
fotodiodos est entonces limitado por un tiempo de trnsito relativamente largo (

tr >

200 ps). Por el contrario, W puede ser tan pequeo como 3-5 micras para fotodiodos
que usan semiconductores de banda prohibida directa, tales como InGaAs. El tiempo
de trnsito para tales fotodiodos se

tr

~ 10 ps. Tales valores de

tr

corresponden a un ancho de banda detector F ~ 10 GHz si usamos la ecuacin. (4.1.9)


con

tr RC . El rendimiento de los p-i-n fotodiodos puede mejorarse

considerablemente mediante el uso de un diseo de doble heteroestructura. Similar al


caso de los lseres semiconductores, el medio capa de tipo i se intercala entre las
capas de tipo p y de tipo n de un semiconductor diferente cuya banda prohibida se
elige de tal manera que la luz se absorbe slo en la mitad de la capa i. Un fotodiodo pi-n de uso comn para aplicaciones de ondas de luz utiliza InGaAs para la capa media
y InP para el tipo p y tipo n capas que rodean [10].

Tabla 4.1 Caractersticas de fotodiodos comunes p-i-n

Muestra como un
InGaAs
p-i-n
fotodiodo. Dado
que la
banda prohibida
de InP
es 1,35 eV, InP
es
transparente para luz cuya longitud de onda es superior a 0,92 m. Por el contrario, la
brecha marcada de material In1-xGaxAs con x = 0.47 es aproximadamente 0,75 eV
(vase la Seccin 3.1.4), un valor que corresponde a una longitud de onda de corte de
1,65 micras. As pues, la capa de InGaAs media absorbe fuertemente en la regin de
longitud de onda de 1.3 a 1.6 micras. El componente difusivo de la corriente detector
se elimina completamente de tal
fotodiodo con hetero estructura simplemente porque los fotones son absorbidos slo
dentro de la regin de agotamiento. La faceta frontal es a menudo recubierto usando
capas dielctricas adecuadas para minimizar los reflejos. La eficiencia cuntica se
puede hacer casi el 100% mediante el uso de una capa de InGaAs de 4-5 m de
espesor. Los fotodiodos InGaAs son muy tiles para los sistemas de ondas de luz y se
utilizan a menudo en la prctica. Tabla 4.1 lista las caractersticas de funcionamiento
de tres comunes fotodiodos p-i-n.
Un esfuerzo considerable era dirigido durante la dcada de 1990 hacia el desarrollo de
fotodiodos p-i-n de alta velocidad capaces de operar a velocidades de bits superiores
a 10 Gb / s [10] - [20]. Anchos de banda de hasta 70 GHz se realizaron ya en 1986
mediante el uso de una capa de absorcin delgada (<1 m) y por la reduccin de la
capacitancia parsita Cp con una tamao pequeo, pero slo a expensas de una
menor eficiencia cuntica y responsividad [10]. Para 1995,los fotodiodos p-i-n exhiben
un ancho de banda de 110 GHz para dispositivos diseados para reducir RC a cerca
de 1 ps [15].
Varias tcnicas han sido desarrolladas para mejorar la eficiencia de alta velocidad de
fotodiodos. En un enfoque, se forma un (FP) de la cavidad Fabry-Perot alrededor de la
estructura p-i-n para mejorar la eficiencia cuntica [11] - [14], lo que resulta en una
estructura de rayo lser. Como se discuti en la Seccin 3.3.2, una cavidad FP tiene un
conjunto de modos longitudinales en la que el campo ptico interno resonante es
mejorado a travs de la interferencia constructiva. Como resultado, cuando la longitud
de onda incidente est cerca de un modo longitudinal, un fotodiodo tale exhibe alta
sensibilidad. La selectividad de longitud de onda puede incluso ser utilizado con
ventaja en aplicaciones (WDM). A casi una eficiencia cuntica del 100% se realiz en
un fotodiodo en el que se form un espejo de la cavidad FP mediante el uso de la
reflectividad Bragg de una pila de capas AlGaAs / AlAs [12]. Este enfoque se extendi
a Fotodiodos de InGaAs mediante la insercin de un InGaAs de 90 nm de espesor que
absorben capa en una microcavidad compuesto de un espejo GaAs / AlAs Bragg y un
espejo dielctrico. El dispositivo mostraba una 9eficiencia cuntica de 94% en la
resonancia de la cavidad con un ancho de banda de 14 nm [13]. Mediante el uso de un
metal de puentes areos la gua de onda junto con una estructura de mesa recortada,
una ancho de banda de 120 GHz se ha realizado [14].

4.2 FOTODIODOS COMUNES

Figura
4.6
(a)seccin transversal esquemtica de una gua de onda fotodiodo de mesa hongo y
(b) su respuesta de frecuencia medida. (AfterRef [17];1994 IEEE; reimpreso con
permiso).
El uso de tal estructura dentro de una cavidad FP debe proporcionar un fotodiodo p-i-n
con un gran ancho de banda y alta eficiencia. Otro enfoque para darse cuenta de
fotodiodos de alta velocidad eficientes hace uso de una gua de ondas ptica en la que
la seal ptica es acoplada al borde [16] - [20]. Tal estructura se asemeja a un lser de
semiconductor no bombeado excepto que diversas capas epitaxiales se optimizan de
manera diferente. En contraste con un semiconductor lser, la gua de ondas puede
hacerse amplia para soportar mltiples modos transversales con el fin de mejorarla
eficiencia de acoplamiento [16]. Dado que la absorcin tiene lugar a lo largo de la
longitud de la gua de ondas ptica (~ 10 m), la eficiencia cuntica puede ser casi
100% incluso para una capa de absorcin ultrafina.
El ancho de banda de dichos fotodiodos de gua de ondas est limitada por RC en la
ecuacin. (4.1.9), que se puede disminuido en el control de la rea de seccin cruz de
gua de ondas. De hecho, un ancho de banda de 50 GHz era realizado en 1992 por un
fotodiodo de gua de ondas [16].
El ancho de banda de fotodiodos de gua de ondas puedeser aumentado a 110 GHz
mediante la adopcin de una estructura de gua de ondas de mesa de hongo mesa
[17]. Tal dispositivo se muestra esquemticamente en la Fig. 4.6. En esta estructura, la
anchura de la capa absorbente de tipo i erareducido a 1,5 micras, mientras que las
capas de revestimiento p y tipo n se realizaron con 6 m de ancho. De esta manera,
tanto la capacitancia parsita y la resistencia en serie interna fueron minimizados,
reduciendo RC a alrededor de1 ps. La respuesta de frecuencia de un dispositivo de
este tipo en la longitud de onda de 1,55 micras tambin se muestra en la Fig. 4.6. Se
midi mediante el uso de un analizador de espectro (crculos), as como tomando la
transformada de Fourier de la respuesta a corto pulso (curva continua). Claramente, la
gua de onda de fotodiodos p-i-n pueden proporcionar tanto alta capacidad de
respuesta y un gran ancho de banda. Fotodiodos de gua de ondas se han utilizado
para receptores pticos de 40 Gb / s [19] y tienen la posibilidad de operar a
velocidades de hasta 100 Gb / s [20] bits.
El rendimiento de gua de onda de fotodiodos puede mejorarse an ms mediante la
adopcin de una estructura de electrodo diseada para soportar el viaje de ondas
elctricas que se combinan con la impedancia para evitar reflexiones. Tales fotodiodos
se llaman fotodetectores de onda progresiva. En una GaAs basado en una aplicacin
de esta idea, un ancho de banda de 172 GHz con eficiencia cuntica 45% se realiz en
un fotodetector de onda progresiva diseado con un ancho de gua de onda de 1m
[21]. Para el ao 2000, un fotodetector InP / InGaAs exhibi un ancho de banda de
310 GHz en la regin espectral de 1,55 m [22].

Figura
4.7:
Coeficientes
de
ionizacin
de impacto para
varios
semiconductores como una funcin del campo elctrico de electrones (lnea continua)
y huecos (lnea discontinua) (Despus Ref [24]; 1977 Elsevier; reimpreso con permiso.)
4.2.3 Fotodiodos de avalancha
Todos los detectores requieren una corriente mnima determinada para funcionar de
forma fiable. El requisito actual se traduce en un requisito mnimo de potencia a travs
del Pin = Ip / R. Detectores con una gran responsividad R se prefieren ya que
requieren menos potencia ptica. La capacidad de respuesta de fotodiodos p-i-n se
limita por la ecuacin. (4.1.3) y toma su valor mximo R = q / hv para = 1. El
fotodiodo de avalancha
(APD) puede tener valores mucho ms grandes de R, ya que estn diseados para
proporcionar una ganancia interna de corriente de una manera similar a tubos
fotomultiplicadores. Se utilizan cuando la cantidad de poder ptico que puede ser
ahorrado para el receptor es limitada.
El fenmeno fsico detrs de la interna ganancia de corriente se conoce como la
ionizacin por impacto [23]. Bajo ciertas condiciones, una aceleracin del electrn
puede adquirir la energa suficiente para generar un nuevo par electrn-hueco. En la
foto de la banda (Ver Fig. 3.2) el electrn energtico da una parte de su energa
cintica a otro electrn en la
banda de valencia que termina en la banda de conduccin, dejando tras de s un
agujero. El resultado neto de impacto de ionizacin es que un solo electrn primario,
generado a travs de la absorcin de un fotn, crea muchos electrones y los huecos
secundarios, todos los cuales contribuyen a la corriente de fotodiodo. Por supuesto, el
orificio primario tambin puede generar pares electrn-hueco secundarios que
contribuyen a la corriente.
La tasa de generacin se rige por dos parmetros, e y h, los coeficientes de
ionizacin de impacto de electrones y
huecos, respectivamente. Sus valores
numricos dependen del material semiconductor y en el campo elctrico

4.2. FOTODETECTORES COMUNES

Figura 4.8: (a) Un APD junto con la distribucin de campo elctrico en el interior de
varias capas bajo polarizacin inversa; (B) el diseo de un silicio para llegar a travs de
l ADP
que acelera los electrones y agujeros. Figura 4.7 muestra e y h para varios
semiconductores [24]. Se obtienen valores ~ 1 104 cm-1 para los campos elctricos
en el rango de 2 a 4 105 V / cm. Tales campos grandes se pueden realizar mediante
la aplicacin de un voltaje alto (~ 100 V) al APD.
Los APD difieren en su diseo de los fotodiodos p-i-n principalmente en un aspecto: se
aade una capa adicional en el que pares electrn-hueco secundarios se generan a
travs de ionizacin por impacto. Figura 4.8 (a) muestra la estructura APD junto con la
variacin del campo elctrico en diversas capas. Bajo polarizacin inversa, existe un
campo elctrico de alta en la capa de tipo p intercalada entre capas de los de tipo i y
de tipo n +.Esta capa se conoce como la capa de multiplicacin, ya que los pares
electrn-hueco secundaria son
generados aqu a travs de ionizacin por impacto. El capa an acta como la regin
de agotamiento en el cual la mayora de los fotones incidentes son absorbidos y pares
electrn-hueco primarias se generan. Los electrones generados en la regin i cruzan la
regin de ganancia y generan pares electrn-hueco secundarios responsables de la
ganancia de corriente.
La ganancia de corriente para APDs se puede calcular mediante el uso de los dos
ecuaciones de velocidad que regulan el flujo de corriente dentro de la capa de
multiplicacin [23]:
die/dx = e ie + h ih,
(4.2.3)
-dih dx = e ie + h ih,
(4.2.4)
donde ie es decir, es la corriente de electrones y i h es la corriente de huecos. El menos
en la ecuacin. (4.2.4) es debido a la direccin opuesta de la corriente de huecos. La
corriente total,
I = = ie (x)+ ih(x),
(4.2.5)
permanece constante en todos los puntos dentro de la regin de multiplicacin. Si
reemplazamos ih en la ecuacin. (4.2.3) por I - ie , obtenemos
die / dx = (e h) ie + hI,

(4.2.6)

En general, e y h son x dependientes si el campo elctrico a travs de la regin de


ganancia es no uniforme. El anlisis se simplifica considerablemente si asumimos un
campo elctrico uniforme y tratamos e y h como constantes. Tambin suponemos
que e> h. El proceso se inicia por la avalancha de electrones que entran en la regin

de ganancia de espesor d en x = 0. Mediante el uso de la condicin i h (d) = 0


(solamente
electrones cruzan la frontera para entrar en la regin n), la condicin de contorno para
la ecuacin. (4.2.6) es ie (d)= I. Mediante la integracin de esta ecuacin, el factor de
multiplicacin define como M = ie (d) / ie (0) dada por
M =1-kA / exp [- (1 kA) ed] -KA,

(4.2.7)

donde kA = h / e. La ganancia APD es muy sensible a la relacin de los coeficientes


de impacto-ionizacin. Cuando h = 0 de manera que slo los electrones participan en
el
proceso de avalancha, M = exp (ed), y la ganancia de APD aumenta
exponencialmente con d. En el otro lado, cuando h = e, para que kA = 1 en la
ecuacin. (4.2.7), M = (1 e d)-1. La ganacia de la APD se convierte en infinita para e
d = 1, una condicin conocida como la ruptura de avalancha. Aunque una mayor
ganancia APD puede ser realizada con una regin de ganancia ms pequea cuando
e y h son comparables, el rendimiento es mejoren la prctica para APD en el que
cualquiera de los dos e >>h o h >>e para que el proceso de avalancha est
dominado por slo un tipo de portador de carga. La razn detrs de este requisito se
discute en la Seccin 4.4, donde se consideran aspectos relacionados con el ruido del
receptor. Debido a la ganancia de corriente, la responsividad de un APD se ve
reforzada por el factor de multiplicacin M y est dada por
RADP = MR =M (q / hv),

(4.2.8),

donde la ecuacin. (4.1.3) se utiliz Cabe mencionar que el proceso de avalancha en


APD es intrnsecamente ruidosa y se traduce en un factor de ganancia que flucta
alrededor de un valor medio.
La cantidad M en la ecuacin. (4.2.8) se refiere a la ganancia promedio de APD. Las
caractersticas de ruido de APD son consideradas en la Seccin 4.4. El ancho de
banda intrnseca de un APD depende del factor de multiplicacin M. Esto se
comprende fcilmente observando que el tr , el tiempo de trnsito para una APD ya no
est dada por la Ec.(4.2.1), pero aumenta considerablemente simplemente porque la
generacin secundaria de pares electrn-hueco toman tiempo adicional. La ganancia
APD disminuye a altas frecuencias debido a tal aumento en el tiempo de trnsito y
limita el ancho de banda. La disminucin de M () se puede escribir
como [24]
H () = M0 [1+ (eM0) 2]-1/2 ,
(4.2.9)

donde M0 = M (0) es la ganancia de baja frecuencia y e es el tiempo de trnsito


eficaz que depende de la relacin de coeficiente de ionizacin k A = h / e. Para el
caso h <e, e = cA kA tr ,donde CA es una constante (cA ~ 1). Suponiendo que RC e,
el ancho de banda del APD est dada aproximadamente por

f = (2 e M0)-1 . Esta

relacin muestra el equilibrio entre


Tabla 4.2 Caractersticas de APDs comunes

la

ganancia

y el ancho de banda

APD M0

F (Velocidad frente sensibilidad). Tambin muestra la ventaja

de utilizar un material semiconductor para los cuales kA << 1.


Tabla 4.2 compara las caractersticas de funcionamiento de APD de Si, Ge y
InGaAs. Como kA <<1 para Si, un APD de silicio puede ser diseado para proporcionar
un alto rendimiento y son tiles para los sistemas de ondas de luz operando cerca de
0,8 m, con tasas de bits ~ 100 Mb / s. Un diseo particularmente til, se muestra en
la Fig. 4.8 (b), es conocido como alcance a travs de APD porque la capa de
agotamiento llega a la capa de contacto a travs de las regiones de absorcin y
multiplicacin. Puede proporcionar una alta ganancia (M 100) con bajo nivel de ruido
y un ancho de banda relativamente grande. Para los sistemas de ondas de luz que
operan en el rango de longitud de onda de 1.3 a 1.6 m , Ge o InGaAs APDs deben ser
utilizados. La mejora en la sensibilidad para tales APDs se limita a una factor de por
debajo de 10 debido a un aumento de APD relativamente bajo (M ~ 10) que se debe
utilizar para reducir el ruido (vase la Seccin 4.4.3).
El rendimiento de APD de InGaAs se puede mejorar a travs del diseo de
modificaciones adecuadas a la estructura APD bsica mostrada en la Fig. 4.8. La razn
principal para un relativamentepobre desempeo de APDs de InGaAs est relacionado
con los valores numricos comparables con los coeficientes de ionizacin de impacto
e y h (ver Fig. 4.7). Como resultado, el ancho de banda se reduce
considerablemente, y el ruido tambin es relativamente alto(vase la Seccin
4.4). Adems, debido a una relativamente estrecha
banda prohibida, InGaAs sufre ruptura de tneles en los campos elctricos de
aproximadamente 1 x 105 V / cm, un valor es decir por debajo del umbral para la
multiplicacin de avalancha. Este problema
puede ser resuelto en APD de
heteroestructura utilizando una capa InP para la regin de ganancia porque muchos
campos elctricos elevados (>5 10 5 V / cm) pueden existir en InP sin desglose de
tnel. Dado que la regin de absorcin (de tipo i InGaAs capa) y la regin de
multiplicacin (capa de InP de tipo n) estn separados en un dispositivo tal, que esta
estructura se conoce como SAM, donde SAM significa regiones de absorcin y
multiplicacin separadas.
Como h> e para InP (ver Fig 4.7.), la APD est diseado de tal manera que los
agujeros inician el proceso de avalancha en una capa de InP de tipo n, y kA se define
como kA = e / h. Figura 4.9 (a) muestra un tipo de estructura de mesa APD SAM
Un problema con la APD SAM est relacionada con la gran diferencia de banda
prohibida entre InP (Eg = 1,35 eV) y InGaAs (Eg = 0,75 eV). Debido a un paso de
banda de valencia de aproximadamente 0,4 eV, agujeros generados en la capa de
InGaAs estn atrapados en la interfaz de heterounin y son considerablemente
ralentizados antes de que alcancen la regin de multiplicacin (capa InP). Tal APD
tiene una extremadamente lenta respuesta y un ancho de banda relativamente
pequeo.

Figura 4.9: Diseo de (a) y SAM (b) APDs SAGM contienen regiones separadas, de
absorcin , multiplicacin y clasificacin
El problema puede ser resuelto mediante el uso de otra capa entre la absorcin y las
regiones de multiplicacin cuya banda prohibida es intermedia a las capas de InP y
InGaAs. El material cuaternario InGaAsP, el mismo material usado para los lseres de
semiconductores, se puede adaptar a tener una banda prohibida en cualquier lugar en
el rango de 0,75 a 1,35 eV y es ideal para este propsito. Es incluso posible la
composicin de InGaAsP sobre una regin de 10-100 nm de espesor. Tales APDs se
llaman SAGM APD, donde SAGM indica separada las regiones de absorcin, la
clasificacin, y multiplicacin [25]. Figura 4.9 (b) muestra el diseo de un APD InGaAs
con la estructura SAGM. El uso de una capa de clasificacin InGaAsP mejora el ancho
de banda considerablemente. Ya en 1987, un SAGM APD exhibi un producto con
ganancia de ancho de banda Mf = 70 GHz para M> 12 [26]. Este valor se aument a
100
GHz en 1991 mediante el uso de una regin de carga entre los de calificacin y
multiplicacin regiones [27]. En tal SAGCM APDs, la capa de InP multiplicacin es sin
dopar, mientras que la capa de carga InP es fuertemente n- dopado. Los agujeros se
aceleran en la capa de carga debido a un fuerte campo elctrico, pero la generacin de
pares electrn-hueco secundaria tiene lugar en la capa de InP dopado. SAGCM APDs
mejor considerablemente durante la dcada de 1990 [28] - [32]. Un producto con
ganancia-ancho de banda de 140 GHz se realiz en 2000 usando una capa de 0,1
micras de espesor de multiplicacin que requiere <20 V, a travs de este.[32]. Tales
APD son muy adecuados para la fabricacin de un receptor t10-Gb / SAPD compacto.
Un enfoque diferente para el diseo de APDs de alto rendimiento hace uso de una
estructura de enrejado superior [33] - [38]. La principal limitacin ADP de InGaAs
resulta de los valores comparables de e y h. Un diseo superred ofrece la posibilidad
de reducir la proporcin kA = h / e de su valor estndar casi de la unidad. En un
esquema, las regiones de absorcin y multiplicacin alternativo consisten en capas
delgadas (~ 10 nm) de materiales semiconductores con diferentes bandas
prohibidas. Este enfoque se demostr primero para APDs
GaAs / AlGaAs
multiquantum (MQW) y result en una mejora considerable del coeficiente de impacto
de ionizacin por electrones [33].Su uso es menos exitoso para el sistema material
InGaAs / InP. No obstante, se ha avanzado considerablemente a travs de los
llamados APDs escalera, en el que la capa de InGaAsP se marcan compositivamentes
para formar una especie de diente de sierra de la estructura en el diagrama de bandas
de energa que se parece a una escalera bajo polarizacin inversa.
Otro esquema para la fabricacin de APDs de alta velocidad

Figura
4.10: (a) la estructura del dispositivo y (b) medir el ancho de banda de 3 dB en funcin
de M para una APD superred. (Despus de Ref [38]; C IEEE 2000;. Reimpreso con
permiso)
utiliza capas alternas de InP y InGaAs para la regin de clasificacin [33]. Sin embargo,
la relacin de las anchuras de las capas de InP a InGaAs vara desde cero cerca de la
regin de absorcin a casi infinito cerca de la regin de multiplicacin. Dado que el
intervalo de banda efectiva de un pozo cuntico depende de la anchura de pozo
cuntico (espesor de la capa InGaAs), un compuesto clasificado "pseudo-cuaternario"
se forma como resultado de la variacin en el espesor de la capa.
El diseo ms exitoso para InGaAs APD utiliza una estructura de superred para la
regin de multiplicacin de un APD SAM. La superred consta de una estructura
peridica de tal manera que cada perodo se hace usando dos capas ultrafinas (~ 10
nm) con diferentes bandas prohibidas. En el caso de APDs de 1,55m, se utilizan
capas alternas de InAlGaAs y InAlAs, actuando este ltimo como una capa de barrera.
Una capa campo-buffer InP a menudo separa la regin de absorcin InGaAs de la
regin de multiplicacin de la superred. El espesor de esta capa tampn es bastante
crtico para el rendimiento de APD. Para una capa campo-buffer-52 nm de espesor, el
producto ganancia-ancho de banda se limita a Mf = 120 GHz [34], pero aument a
150 GHz cuando el espesor se redujo a 33,4 nm [37]. Estos dispositivos utilizan
principios de una estructura de mesa. Durante la dcada de 1990, una estructura plana
fue desarrollado para mejorar la fiabilidad del dispositivo [38]. Figura 4.10 muestra un
dispositivo tal esquemticamente junto con su ancho de banda de 3-dB medido como
una funcin de la ganancia de APD.
El producto ganancia-ancho de banda de 110 GHz es lo suficientemente grande como
para hacer que el APD opere a 10 Gb / s. De hecho, un receptor tal APD se us para
un sistema de ondas de luz 10-Gb / s con un excelente rendimiento.
La limitacin de ganancia de ancho de banda de APDs InGaAs result principalmente
de usar el sistema de material de InP para la generacin de pares electrn-hueco
secundarios. Un enfoque hbrido en el que se incorpora una capa de multiplicacin de
Si al lado de una capa de absorcin de InGaAs puede ser til siempre que los
problemas heterointerface pueden ser superados. En un experimento de 1997, un
producto de la ganancia de ancho de banda de ms de 300 GHz se realiz mediante el
uso de un enfoque hbrido [39]. La APD exhibi un ancho de banda de 3 dB de ms de
9 GHz para valores de M tan alto como 35, manteniendo una eficiencia cuntica de
60%.
La mayora de APDs utilizan una capa absorbente lo suficientemente gruesa
(aproximadamente 1 m) para que la eficiencia cuntica supere el 50%. El espesor de
la capa absorbente afecta al tr, tiempo de trnsito y la tensin de polarizacin Vb. De
hecho, dos de ellos se puede reducir significativamente mediante el uso de una capa
absorbente fina (~ 0,1 micras), resultando en la mejora de APDs siempre que una alta
eficiencia cuntica pueda ser mantenida.

Dos enfoques se han utilizado para cumplir con estos requisitos de diseo algo
contradictorios. En un diseo, se forma una cavidad FP para mejorar la absorcin
dentro de una capa delgada a travs de mltiples idas y vueltas. Una eficiencia
cuntica externa de ~ 70% y un producto de la ganancia de ancho de banda de 270
GHz se realizaron en un APD de 1,55m, utilizando una capa absorbente 60 nm de
espesor con una capa de multiplicacin de espesor 200-nm [40]. En otro enfoque, una
gua de ondas ptica se utiliza en el que la luz incidente es emparejada en etapa
[41]. Ambos enfoques reducen la tensin de polarizacin a cerca de 10 V, para
mantener una alta eficiencia, y reducir el tiempo de trnsito a ~ 1 ps. Tales APD son
adecuados para la fabricacin de receptores pticos de 10 Gb / s.
4.2.4 Fotodetectores HSH
En fotodetectores metal-semiconductor-metal (MSM), una capa de absorcin de
semiconductor se intercala entre dos metales, formando una barrera Schottky en cada
interfase metal-semiconductor que evita el flujo de electrones desde el metal al
semiconductor. Similar al fotodiodo p-i-n, pares electrn-hueco son generados a travs
de flujo de fotoabsorcin hacia los contactos de metal, resultando en una fotocorriente
que es una medida de la potencia ptica incidente, como se indica en la
ecuacin. (4.1.1). Por razones prcticas, los dos contactos de metal se realizan en el
mismo lado (superior) de la capa de absorcin de crecimiento epitaxial mediante el uso
de una estructura de electrodos interdigitada con una separacin de aproximadamente
1 m [42]. Este esquema resulta en una estructura plana con una capacitancia parsita
inherentemente baja que permite la operacin de alta velocidad (hasta 300 GHz) de
fotodetectores MSM. Si la luz incide desde el lado del electrodo, la capacidad de
respuesta de un fotodetector MSM se reduce debido a su bloqueo por los electrodos
opacos. Este problema puede ser resuelto por la iluminacin de nuevo si el sustrato es
transparente para la luz incidente.
Excelentes caractersticas de funcionamiento de fotodetectores HSH basados en GaAs
se desarrollaron a lo largo de la dcada de 1980 [42]. El desarrollo de fotodetectores
HSH con basados en InGaAs, adecuado para sistemas de ondas de luz que operan en
el rango de 1.3 a 1.6 micras, comenz a finales de 1980, con la mayora de los
progresos realizados durante la dcada de 1990 [43] - [52]. El principal problema de
InGaAs es su relativamente baja altura Schottky con una barrera (aproximadamente
0,2 eV). Este problema fue resuelto mediante la introduccin de una fina capa de InP o
InAlAs entre la capa de InGaAs y el contacto de metal. Tal capa, llamada la capa de
barrera de mejora, alcanza el rendimiento de fotodetectores InGaAs HSH
drsticamente. El uso de una capa de barrera InAlAs mejorada de 20 nm de espesor
se tradujo en 1992 en fotodetectores HSH de 1,3m que mostraban una eficiencia
cuntica de 92% (a travs de retorno de iluminacin) con una baja corriente oscura
[44]. Un dispositivo de envasado tena un ancho de banda de 4 GHz a pesar de un
gran de dimetro de 150 m. Si la iluminacin superior es deseable por razones de
procesamiento o de envasado, la responsividad se puede mejorar mediante el uso de
contactos de metal semitransparente. En un experimento, la responsividad a 1,55
micras aument desde 0,4 hasta 0,7 A / W cuando el espesor de contactos de oro se
reduca desde 100 hasta 10 nm [45]. En otro enfoque, la estructura se separa del
sustrato husped y es unido a un sustrato de silicio con el contacto interdigitado en la
parte inferior. Tal fotodetector HSH "invertido" entonces presenta una alta capacidad de
respuesta cuando se ilumina desde la parte superior [46].
La respuesta temporal de fotodetectores HSH es generalmente diferente bajo la
iluminacion de la parte posterior y la parte superior [47]. En particular, el ancho de
banda f es mayor en un factor de 2 para la iluminacin de la parte superior, aunque la
capacidad de respuesta se reduce a causa de sombras de metal
4.3. DISEO DE RECEPTOR

Figura
4.11: Diagrama de un receptor ptico digital que muestra diversos
componentes. Lneas verticales discontinuas de grupo en tres secciones.
El rendimiento de un fotodetector MSM puede mejorarse an ms mediante el uso de
una estructura de superred graduada. Estos dispositivos presentan una baja densidad
oscura de corriente, una respuesta de alrededor de 0.6 A / W a 1,3 m, y un tiempo de
subida de unos 16 ps [50]. En 1998, un fotodetector MSM de 1,55 m exhibi un ancho
de banda de 78 GHz [51]. Por 2001, el uso de una configuracin de onda progresiva
aument el ancho de banda ms all de 500 GHz para un dispositivo basado en GaAs
[52]. La estructura plana de fotodetectores MSM tambin es adecuado para la
integracin monoltica, un tema cubierto en la siguiente seccin.
4.3 Receptor Diseo
El diseo de un receptor ptico depende del formato de modulacin utilizado por el
transmisor. Como la mayora de los sistemas de ondas de luz emplean la modulacin
de intensidad binario, nos centramos en este captulo sobre receptores pticos
digitales. Figura 4.11 muestra un diagrama de bloques de un receptor tal. Sus
componentes pueden estar dispuestos en tres grupos-el extremo frontal, el canal lineal,
y el circuito de decisin.
4.3.1 El Extremo Frontal
El extremo delantero de un receptor consiste en un fotodiodo seguido de un
preamplificador. La seal ptica se acopla sobre el fotodiodo mediante el uso de un
esquema de acoplamiento similar a la utilizada para los transmisores pticos (vase la
Seccin 3.4.1); en el acoplamiento trasero que se utiliza a menudo en la prctica. El
fotodiodo convierte el flujo de bits pticos en una seal elctrica variable en el
tiempo. El papel del preamplificador es amplificar la seal elctrica para su posterior
procesamiento. El diseo de la parte delantera requiere un equilibrio entre la velocidad
y la sensibilidad. Dado que el voltaje de entrada al preamplificador se puede aumentar
mediante el uso de una gran resistencia de carga RL, un extremo frontal de alta
impedancia se utiliza a menudo [ver Fig. 4.12 (a)]. Por otra parte, como se discuti en
la Seccin 4.4, una gran RL reduce el ruido trmico y mejora la sensibilidad del
receptor. El principal inconveniente de extremo frontal de alta impedancia es su bajo
ancho de banda dado por f = (2R L CT) -1, donde se supone que RS<< RL en la
ecuacin. (4.2.2) y CT = Cp + CA es la capacitancia total, que incluye las contribuciones
de los fotodiodos (C p) y el transistor utilizado para la amplificacin (CA).

Figura
4.12:
Circuito
equivalente para (a) de alta impedancia y (b) frente transimpedancia termina
enreceptores pticos. El fotodiodo se modela como una fuente de corriente en ambos
casos.
El ancho de banda del receptor est limitada por su ms lento componente. Un
extremo delantero de alta impedancia no se puede utilizar si f es considerablemente
menor que la tasa de bits. Un ecualizador se utiliza a veces para aumentar el ancho de
banda. El ecualizador acta como un filtro que atena los componentes de baja
frecuencia de la seal ms que los componentes de alta frecuencia, lo que aumenta de
manera efectiva el ancho de banda para el usuario. Si la sensibilidad del receptor no
afecta, uno puede simplemente disminuir RL para aumentar el ancho de banda, lo que
resulta en un extremo delantero de baja impedancia.
El frente de transimpedancia termina proporcionando una configuracin que tiene una
alta sensibilidad junto con un gran ancho de banda. Su gama dinmica tambin se ha
mejorado en comparacin con el frente de alta impedancia con el que termina. Como
se ve en la Fig. 4.12 (b), la resistencia de carga est conectado como una resistencia
de realimentacin alrededor de un amplificador inversor. A pesar de que R L es grande,
el negativo de la retroalimentacin reduce la impedancia de entrada efectiva por un
factor de G, donde G es la ganancia del amplificador. El ancho de banda est por lo
tanto mejorado por un factor de G en comparacin la impedancia de extremo frontal.
Los extremos delanteros de alta impedancia se utilizan a menudo en receptores
pticos debido a sus caractersticas mejoradas. Una cuestin importante de diseo
est relacionada con la estabilidad del bucle de realimentacin. Ms detalles se
pueden encontrar en las Refs. [5] - [9].
4.3.2 Canal Lineal
El canal lineal en receptores pticos consta de un amplificador de alta ganancia (el
amplificador principal) y un filtro de paso bajo. Un ecualizador se incluye a veces justo
antes del amplificador para corregir el ancho de banda limitado de la parte delantera.
La ganancia del amplificador es controlada automticamente para limitar la tensin
media de salida a un nivel fijo independientemente de la potencia ptica promedio
incidente en el receptor. El filtro de paso bajo oculta al pulso de voltaje. Su propsito es
reducir el ruido sin introducir mucho entre smbolos

4.3. DISEO RECEPTOR 151


Interferencia (ISI). Como se discuti en la Seccin 4.4, el ruido del receptor es
proporcional al ancho de banda del receptor y se puede reducir mediante el uso de un
filtro de paso bajo cuyo ancho de banda f es menor que la tasa de bits. Dado que
otros componentes del receptor estn diseados para tener un ancho de banda mayor
que el ancho de banda del filtro, el ancho de banda del receptor se determina por el
filtro de paso bajo utilizado en el canal lineal. Para f <B, el impulso elctrico se
extiende ms all de la ranura bit asignado. Una difusin tal puede interferir con la
deteccin de bits vecinos, un fenmeno conocido como ISI.
Es posible disear un filtro de paso bajo de tal manera que se minimiza ISI [1].
dado que la combinacin de preamplificador, amplificador principal, y el filtro actan
como un sistema lineal (de ah el nombre de canal lineal), la tensin de salida se puede
escribir como:

V out ( t ) zT ( tt ) I p ( t ) d t ,

(4.3.1)

donde Ip (t) es la fotocorriente generada en respuesta a la potencia ptica incidente (Ip


= RPin). En el dominio de la frecuencia,
Vout( )=ZT () Ip(),
(4.3.2)
donde ZT es la impedancia total en el frecuencia y una tilde representa la
transformada de Fourier. Aqu, ZT () es determinada por las funciones de
transferencia asociados a diversas componentes del receptor que puede escribirse
como [3]

ZT ()=Gp( )GA ( )HF ()/Yin(),

(4.3.3)

donde Yin () es la admitancia de entrada y Gp (), GA () y HF () son funciones de


transferencia del preamplificador, el amplificador principal, y el filtro. Es til para aislar
la dependencia de la frecuencia de V~OUT () y ~Ip () a travs de las funciones
espectrales normalizados Hout () y Hp (), que se relaciona con la transformada de
Fourier de la salida y la entrada con formas de pulso, respectivamente, y escribir la
ecuacin. (4.3.2) como
Hout()=HT()Hp(),

(4.3.4)

donde HT () es la funcin de transferencia total del canal lineal y se relaciona con el


total impedancia como HT () = ZT () / ZT (0). Si los amplificadores tienen un ancho
de banda mucho ms grande que el filtro de paso bajo, HT () se puede aproximar por
HF ().El ISI se minimiza cuando Hout () corresponde a la funcin de transferencia
de un filtro de coseno elevado y viene dada por [3]

(
)
[
{ ]

1
f
H out 2 1+cos B , f <B ,
0, f B ,

(4.3.5)

donde f = / 2 y B es la velocidad de bits. La respuesta al impulso, que se obtiene


mediante la adopcin de la Transformada de Fourier de Hout (f), viene dada por

hout ( t )=

sin ( 2 Bt )
1
,
2 Bt 1( 2 Bt )2 (4.3.6)

La forma funcional de Hout (t) corresponde a la forma del pulso de tensin Vout (t)
recibida por el circuito de decisin. En el instante t = 0 decisin, Hout (t) = 1, y el

Figura 4.13: patrones oculares Ideal y degradados para el formato NRZ


la seal es mxima. Al mismo tiempo, hout (t) = 0 para t = m / B, donde m es un
nmero entero.Desde t = M / B corresponde a la decisin instantnea de los bits
vecinos, el voltaje pulso de la ecuacin. (4.3.6) no interfiere con los bits vecinos.
La funcin de transferencia de canal lineal H T () que se resultar en la produccin de
formas de pulso de la forma (4.3.6) se obtiene de la ecuacin. (4.3.4) y viene dada por
HT (f) = Hout (f) / Hp (f).

(4.3.7)

Para un formato de flujo de bits ideal (NRZ) (pulsos de entrada rectangular de no


retorno a cero de duracin TB = 1 / B), HP (f) = Bsin ( f / B) / f, y HT (f) se convierte
en
HT (f) = ( f / 2B) cot ( f / 2B).

(4.3.8)

La ecuacin (4.3.8) determina la respuesta de frecuencia del canal lineal que hara
producir una salida con forma del impulso dado por la Ec. (4.3.6) en condiciones
ideales. En la prctica, la forma del pulso de entrada est lejos de ser rectangular. La
forma del pulso de salida tambin se desva de la ecuacin. (4.3.6), y algunos ISI se
producen invariablemente.
4.3.3 Circuito de Decisin
La seccin de recuperacin de datos de receptores pticos consta de un circuito de
decisin y un circuito de recuperacin de reloj. El propsito de este ltimo es aislar un

componente espectral en f = B de la seal recibida. Este componente proporciona


informacin acerca de la ranura de bit (TB = 1 / B) para el circuito de decisin y ayuda
a sincronizar el proceso de decisin. En el caso de formato RZ (retorno a cero), un
componente espectral en f = B est presente en la seal recibida; un filtro de paso de
banda estrecha tal como un filtro--onda acstica de superficie puede aislar fcilmente
este componente. La recuperacin de reloj es ms difcil en el caso del formato NRZ
porque la seal recibida carece de un componente espectral en f = B. Una tcnica
comnmente utilizada genera un componente tal elevando al cuadrado y la
rectificacin de la componente espectral en f = B / 2 que se puede obtener por pasar la
seal recibida a travs de un filtro de paso alto.
El circuito de decisin compara la salida desde el canal lineal a un nivel de umbral, en
tiempos de muestreo determinados por el circuito de recuperacin de reloj, y decide si
la seal corresponde al bit 1 o el bit 0. El mejor tiempo de muestreo corresponde a la
situacin en la que la diferencia de nivel de seal entre 1 y 0 bits es mxima. Puede
determinarse a partir del diagrama de ojo formado por la superposicin de secuencias
elctricas 2-3 bits de largo en el flujo de bits en la parte superior de la otra. El patrn
resultante se llama un diagrama de ojo debido a su aspecto. Figura 4.13 muestra un
diagrama de ojo ideal junto con un uno degradados en los que el ruido y la punta de la
fluctuacin de fase de temporizacin a un cierre parcial del ojo. El mejor tiempo de
muestreo corresponde a la abertura mxima del ojo.
Debido al ruido inherente en cualquier receptor, siempre hay una probabilidad finita de
que un bit haya sido identificado incorrectamente por el circuito de decisin. Los
receptores digitales estn diseados para funcionar de tal manera que la probabilidad
de error es bastante pequea (tpicamente <10 -9). Las cuestiones relacionadas con el
receptor de errores de ruido y de adopcin se discuten en las secciones 4.4 y 4.5. El
diagrama principal proporciona una forma visual de monitorear el rendimiento del
receptor: Al cerrar este es una indicacin de que el receptor no est funcionando
correctamente.

4.3.4 Receptores Integrados


Todos los componentes del receptor mostrado en la Fig. 4.11, con la excepcin del
fotodiodo, son componentes elctricos estndar y pueden ser fcilmente integrados en
el mismo chip mediante el uso de la tecnologa de circuito integrado (IC) desarrollado
para dispositivos microelectrnicos. La integracin es particularmente necesaria para
los receptores que operan a altas velocidades de bits. Por 1988, las tecnologas tanto
de Si y GaAs IC se han utilizado para hacer receptores integrados hasta un ancho de
banda de ms de 2 GHz [53]. Desde entonces, el ancho de banda se ha extendido a
10 GHz.
Un esfuerzo considerable se ha dirigido al desarrollo de receptores pticos monolticos
que integran todos los componentes, incluyendo el fotodetector, en el mismo chip
mediante el uso de la tecnologa de circuitos integrados optoelectrnicos (OEIC) [54] [74]. Tal integracin completa es relativamente fcil para los receptores de GaAs, y la
tecnologa detrs de GaAsbased SICAV est bastante avanzada. El uso de fotodiodos
MSM ha demostrado ser especialmente til, ya que son estructuralmente compatible

con la tecnologa bien desarrollada de efecto de campo-transistor (FET). Esta tcnica


se utiliz ya en 1986 para demostrar un chip de cuatro canales OEIC receptor [56].

Para los sistemas de ondas de luz que operan en el rango de longitud de onda de 1.3 a
1.6 m, los InP-basados en receptores OEIC son necesitados ya que la tecnologa IC
para GaAs es mucho ms desarrollada que para InP, un enfoque hbrido se utiliza a
veces para los receptores de InGaAs. En este enfoque, llamado flip-chip tecnologa
OEIC [57], los componentes electrnicos estn integrados en un chip de GaAs,
mientras que el fotodiodo se hace en la parte superior de un chip de InP.
Los dos chips se conectan entonces por voltear el chip InP en el chip de GaAs, como
se muestra en la Fig. 4.14. La ventaja de la tcnica de flip-chip es que el fotodiodo y los
componentes elctricos del receptor se pueden optimizar de forma independiente,
manteniendo los parsitos (por ejemplo, la capacitancia de entrada efectiva) a un
mnimo.

La tecnologa IC basada en InP ha avanzado considerablemente durante la dcada de


1990, por lo que es posible el desarrollo de los receptores de InGaAs OEIC [58] [74]. Varios tipos de transistores se han utilizado para este propsito. En un enfoque,
de fotodiodo p-i-n que est integrado con los FETs o transistores de alta movilidad de
electrones (HEMT) de lado a lado en un sustrato de InP [59] - [63]. Por 1993, los
receptores basados en HEMT eran capaces de funcionar a 10 Gb / s con alta
sensibilidad [62]. El ancho de banda de este tipo de receptores se ha aumentado a> 40
GHz, por lo que es posible el uso de ellos a velocidades superiores a 40 Gb / s [63]

Figura 4.14: La tecnologa OEIC flip-chip para receptores integrados. El fotodiodo de


InGaAs se fabrica sobre un sustrato de InP y luego unido al chip de GaAs a travs de
contactos elctricos comunes. (Despus Ref [57]; C 1988 IEE;. Reimpreso con
permiso)

Una gua de onda de fotodiodo p-i-n tambin se ha integrado con HEMTs para
desarrollar un receptor OEIC de dos canales.
En otro enfoque [64] - [69], la tecnologa de transistores (HBT)-heterounin bipolar se
utiliza para fabricar el fotodiodo p-i-n dentro de la estructura HBT a travs de una
configuracin de colector comn. Estos transistores son a menudo llamados

fototransistores de heterounin. Receptores OEIC que funcionan a 5 Gb / s (ancho de


bandaf = 3 GHz) se hicieron en 1993 [64]. Para 1995, los receptores OEIC que hacen
uso de la tecnologa HBT exhiben un ancho de banda de hasta 16 GHz, junto con una
alta ganancia [66]. Tales receptores pueden ser utilizados a velocidades de bits de ms
de 20 Gb / s. De hecho, se utiliz un mdulo receptor OEIC de alta sensibilidad en
1995 a una velocidad binaria de 20 Gb / s en un sistema de onda de luz de 1,55 m
[67]. Incluso un circuito de decisin puede ser integrado dentro del receptor OEIC
mediante el uso de la tecnologa HBT [68].
Un tercer enfoque a los receptores OEIC basados en InP integra un MSM o un
fotodetector de gua de ondas con un amplificador HEMT [70] - [73].En 1995, un ancho
de banda de 15 GHz dio cuenta de una OEIC utilizando modulacin dopada FET
[71]. Para el ao 2000, estos receptores exhiben anchos de banda de ms de 45 GHz
con el uso de fotodiodos de gua de onda [73]. Figura 4.15 muestra la respuesta de
frecuencia junto con la estructura epitaxial-capa de un receptor tales OEIC. Este
receptor tena un ancho de banda de 46,5 GHz y exhibi una responsividad de 0,62 A /
W en la regin de longitud de onda de 1,55 micras. Se tena ya velocidades de hasta
50 Gb / s.
Al igual que en el caso de los transmisores pticos (seccin 3.4), el embalaje de los
receptores pticos es tambin un problema importante [75] - [79]. La cuestin de
acoplamiento fibra-detector es bastante crtica ya que slo una pequea cantidad de
potencia ptica es tpicamente disponible en el fotodetector. El tema pticoretroalimentacin tambin es importante ya que los reflejos involuntarios alimentan de
nuevo en la fibra de transmisin y esto puede afectar el rendimiento del sistema y
deben ser minimizados. En la prctica, la punta de fibra se corta en un ngulo para
reducir la realimentacin ptica. Varias tcnicas diferentes han sido utilizados para
producir receptores pticos envasados capaces de operar a tasas tan altas como 10
Gb / s bits. En un enfoque, un APD InGaAs se une a la IC basado-Si mediante el uso
de la tcnica de flip-chip [75]. El acoplamiento eficiente de fibra-APD se realiz
mediante el uso de una fibra de inclinacin de composicin y un microlente
monolticamente fabricado en el fotodiodo

4.4. RECEPTOR DE RUIDO

Figura 4.15: (a) la estructura epitaxial-capa y (b) respuesta de frecuencia de un


mdulo receptor OEIC hechos usando un fotodetector gua de ondas
(GTDP). (Despus Ref [73];C 2000 IEEE; reimpreso con permiso.).
La frula de fibra era directamente lser soldada a la pared del envase con una
estructura de doble anillo para la estabilidad mecnica. El mdulo receptor resultante
resisti las pruebas de choque y vibracin y tena un ancho de banda de 10 GHz.
Otro enfoque hbrido hace uso de una plataforma plana-onda de luz-circuito que
contiene guas de ondas de slice sobre un sustrato de silicio. En un experimento, un
receptor OEIC a base de InP con dos canales era flip-chip unido a la plataforma [76]. El
mdulo resultante podra detectar dos canales de 10 Gb / s con la diafona
insignificante. Circuitos integrados de GaAs se han utilizado tambin para fabricar un
mdulo receptor compacto capaz de funcionar a una velocidad de bits de 10 Gb / s
[77]. Para el ao 2000, totalmente empaquetados de 40 Gb / s receptores estaban
disponibles en el mercado [79]. Para aplicaciones de bucle local se necesita un
paquete de bajo costo. Tales receptores operan a velocidades de bits ms bajas, pero
que deben ser capaces de funcionar bien en un amplio rango de temperatura que se
extiende desde -40 a 85C.

4.4 Receptores de ruido


Receptores pticos convierten la potencia ptica Pin incidente en corriente elctrica a
travs de un fotodiodo. La relacin Ip = RPin en la ecuacin. (4.1.1) supone que tal
conversin es libre de ruidos. Sin embargo, este no es el caso incluso para un receptor
perfecto. Dos mecanismos fundamentales de ruido, ruido disparado y el ruido trmico
[80] - [82], conducen a fluctuaciones en la corriente incluso cuando la seal ptica
incidente tiene una potencia constante. La relacin Ip = RPin an se mantiene si
interpretamos Ip como la corriente media. Sin embargo, el ruido elctrico inducido por
las fluctuaciones de corriente afecta al rendimiento del receptor. El objetivo de esta
seccin es revisar los mecanismos de ruido y luego discutir la relacin de seal a la
nariz (SNR) en receptores pticos. Los receptores p-i-n y APD se consideran en
subsecciones separadas, como la SNR tambin se ve afectada por el mecanismo de la
ganancia de avalancha en APDs.

4.4.1 Mecanismos de Ruido


El ruido de disparo y el ruido trmico son los dos mecanismos de ruido fundamentales
responsables de las fluctuaciones de corriente en todos los receptores pticos, incluso
cuando la Pin potencia ptica incidente es constante. Por supuesto, el ruido adicional
se genera si Pin es en s fluctuante debido al ruido producido por los amplificadores
pticos. En esta seccin se considera slo el ruido generado en el receptor; ruido
ptico se discute en la Seccin 4.6.2.

Ruido de Disparo

El ruido de disparo es una manifestacin del hecho de que una corriente elctrica
consiste en una corriente de electrones que se generan en momentos aleatorios. Fue
estudiado por primera vez por Schottky [83] En 1918 y haya sido investigado a fondo
desde entonces [80] - [82]. el fotodiodo corriente generada en respuesta a una seal
ptica constante se puede escribir como

I (t)=Ip+ is(t) ,

(4.4.1)

donde Ip = rpin es la corriente media y es (t) es una fluctuacin actual relacionada con
disparo ruido. Matemticamente, es (t) es un proceso aleatorio estacionario con las
estadsticas de Poisson (aproximado a menudo por las estadsticas de Gauss). La
funcin de autocorrelacin de i s (t) est relacionada a la densidad espectral Ss (f) por
el teorema de Wiener-Khinchin [82]

( i s ( t ) i s (t + ) )= S s ( f ) ex p ( 2 if ) df ,(4.4 .2)

Donde parntesis angulares indican una media de conjunto sobre las fluctuaciones. La
densidad espectral del ruido de disparo es constante y est dada por Ss (f) = QIP (un
ejemplo de ruido blanco). Tenga en cuenta que Ss (f) es la densidad espectral de dos
caras, como se incluyen frecuencias negativas en la ecuacin. (4.4.2). Si slo las
frecuencias positivas se consideran cambiando el lmite inferior de la integracin a
cero, la densidad espectral de un solo lado se convierte en p 2qI. La varianza del ruido
se obtiene mediante el establecimiento de = 0 en la ecuacin. (4.4.2), es decir

4.4 .3

2
2
s=( i s ( t ) )= S s ( f ) df =2 q I p f , )

donde f es el ancho de banda de ruido efectiva del receptor. El valor real de f


depende de diseo del receptor. Se corresponde con el ancho de banda fotodetector
intrnseca si las fluctuaciones en la fotocorriente se miden. En la prctica, un circuito de
decisin puede utilizar voltaje o alguna otra cantidad (por ejemplo, seal integrada
sobre la ranura de bit). Uno tiene entonces considerar las funciones de transferencia
de otros componentes del receptor, tales como el preamplificador y el filtro de paso
bajo. Es comn considerar fluctuaciones de corriente e incluir la HT total de funcin de
transferencia (f) mediante la modificacin de la ecuacin. (4.4.3) como
2

|H T (f )| df = 2 q I p f ,

=2q I p
2
s

(4.4.4)

donde

|H T (f )| df

y HT (f) viene dada por la ec. (4.3.7). Puesto que la corriente

oscura Id tambin genera ruido tiro, su contribucin se incluye en la ecuacin. (4.4.4)


mediante la sustitucin de p I por Ip + Id. El ruido total tiro entonces dada por
2

s=2q ( I p + I d ) f , (4.4.5)

4.4. RECEPTOR DE RUIDO


La cantidad s es la raz cuadrada media (RMS) Valor de la corriente de ruido inducido
porruido de disparo.ruido trmico. A una temperatura finita, los electrones se mueven al
azar en cualquier conductor. Random trmica movimiento de los electrones en una
resistencia se manifiesta como una corriente fluctuante incluso en ausencia de un
voltaje aplicado. La resistencia de carga en el extremo delantero de un receptor ptico
(ver Fig. 4,12) aade tales fluctuaciones a la corriente generada por el fotodiodo. Este
adicional componente de ruido se denomina ruido trmico. Tambin se conoce como
ruido de Johnson [84] o ruido de Nyquist [85] despus de los dos cientficos que
primero estudiaron experimentalmente y tericamente. El ruido trmico se puede incluir
mediante la modificacin de la ecuacin. (4.4.1) como

I ( t )=I p+ i s ( t ) +i T (t) ,

(4.4.6)

Donde (t) es una fluctuacin de corriente inducida por el ruido trmico.


Matemticamente, i T (t) se modela como un proceso aleatorio gaussiano estacionario
con una densidad espectral que es independiente de la frecuencia hasta f ~ 1 THz
(ruido casi blanco) y viene dada por

i ( t )=

2 kB T
RL

(4.4.7)

donde kB es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta, y RL es la carga


resistor. Como se ha mencionado antes, ST (f) es la densidad espectral de dos caras.
La funcin de autocorrelacin de iT (t) viene dada por la Ec. (4.4.2) si reemplazamos el
subndice s por T. La varianza del ruido se obtiene mediante el establecimiento de = 0
y se vuelve

2s=( i 2T ( t ) ) = ST ( f ) df =(4 k B / R L ) f ,

(4.4.8)

Donde Df es el ancho de banda de ruido efectiva. El mismo ancho de banda aparece


en el caso de tanto disparo y ruidos trmicos. Tenga en cuenta que 2 T no depende
de la corriente media I p, mientras que 2 s hace. La ecuacin (4.4.8) incluye ruido

trmico generado en la resistencia de carga. Un receptor real contiene muchos otros


componentes elctricos, algunos de los cuales aadir ruido adicional. Por ejemplo, el
ruido es invariablemente aadido por amplificadores elctricos. La cantidad de
ruidoaadida depende del diseo front-end (ver Fig. 4.12) y el tipo de amplificadores
usados.
En particular, el ruido trmico es diferente para de efecto de campo y los transistores
bipolares. Considerable se ha trabajado para estimar el ruido del amplificador para
diferentes front-end diseos [5]. Un enfoque simple representa el ruido del amplificador
mediante la introduccin de una cantidad Fn, referido como la figura de ruido del
amplificador, y la modificacin de la ecuacin. (4.4.8) como

2T =( 4 k B T / R L ) F n f .

(4.4.9)

Fsicamente, Fn representa el factor por el cual el ruido trmico se ve reforzada por


varios resistencias utilizadas en los amplificadores pre y principales. El ruido de la
corriente total puede obtenerse sumando las contribuciones de ruido de disparo y ruido
trmico. Dado que es (t) Y (t) en la ecuacin. (4.4.6) son procesos aleatorios
independientes con las estadsticas, aproximadamente de Gauss, la varianza total de
las fluctuaciones de corriente,? I =Yo -ip = es + iT, se puede obtener simplemente
aadiendo variaciones individuales. El resultado es

4kB
F n f .( 4.4 .10)
RL

( )

=( ( I ) )= S + T =2 q ( I p + I d ) f +

La ecuacin (4.4.10) se puede utilizar para calcular la SNR de la fotocorriente.


4.4.2 Receptores p-i-n
El rendimiento de un receptor ptico depende de la SNR. La SNR de un receptor con
un p-i-n fotodiodo se considera aqu; Receptores de APD se discuten en la siguiente
subseccin. La SNR de cualquier seal elctrica se define como
2

average signal power I p


SNR =
= 2 (4.4 .11)
noise power

Donde hemos utilizado el hecho de que la energa elctrica vara con el cuadrado de la
corriente. Por usando la Ec. (4.4.10) en la ecuacin. (4.4.11) junto con I p = rpin, el
SNR est relacionado con el potencia ptica incidente como

R 2 P2
SNR=
2 q ( RP + I d ) f + ( 4 k B T /R L ) F n f ,
(4.4.12)

Donde

R=q/hv

es la capacidad de respuesta del fotodiodo p-i-n

Lmite Trmico-Ruido
En la mayora de los casos de inters prctico, ruido trmico domina el funcionamiento
2

del receptor ( ( T S) ). Despreciando el trmino disparo-ruido en la ecuacin.


(4.4.12), la SNR se vuelve

R L R2 P2
SNR=
,(4.4 .13)
4 k B T Fn f
Por lo tanto, la SNR vara como en

P2 en el lmite trmico-ruido. Tambin se puede

mejorar mediante el aumento de la resistencia de carga. Como se discuti en la


Seccin 4.3.1, esta es la razn por qu la mayora receptores utilizan una alta
impedancia o parte delantera de transimpedancia. El efecto de la trmica el ruido es a
menudo cuantificado a travs de una cantidad llamada la potencia de ruido equivalente
(NEP). La NEP se define como la potencia ptica mnima por unidad de ancho de
banda requerido para producir SNR = 1 y viene dada por.

NEP=P / f =((4 k B TF n)/ (R L R 2))(1/ 2)=h V /q ((4 k B TF n)/ R L )exp1 /2(4.4 .14)
Otra cantidad, llamado detectividad y se define como (NEP) -1, tambin se utiliza para
este propsito. La ventaja de especificar NEP o la detectividad para ap-i-n receptor es
que se puede ser utilizado para estimar la potencia ptica necesaria para obtener un
valor especfico de SNR si el ancho de banda f es conocido. Los valores tpicos de
NEP estn en el rango

110 pW / Hz 1/ 2

Lmite de Ruido de Disparo


Considere el lmite opuesto en el que el rendimiento del receptor est dominado por el
ruido de disparo ( 2 2). Desde 2 aumenta linealmente con el Pin, el lmite de tiroruido puede ser logrado haciendo que la potencia incidente grande. La corriente oscura
Id se puede descuidar en esa situacin. La ecuacin (4.4.12) proporciona entonces la
siguiente expresin para SNR:
SNR =

RPin
Pin .
=
2q f
2h
f

(4.4.15)

Los aumentos de SNR linealmente con Pin en el lmite de disparo silencioso y slo
depende de la cuntica eficiencia, el ancho de banda f, y la energa del fotn hv.
Puede ser escrito entrminos del nmero de fotones Np contenida en el bit "1". Si
utilizamos Ep=Pin hp(t) dt=Pin/ B para la energa de impulso de un bit de

duracin 1/B, donde B es la tasa de bits, y tenga en cuenta que Ep = Nphv, podemos

escribir como Pin como Pin = NphvB. Al elegir f = B / 2 (un valor tpico para el ancho
de banda), la SNR est simplemente dado por Np. En el lmite de disparo de ruido, un
SNR de 20 dB se puede realizar si Np 100. Por el contrario, se necesitan varios miles
de fotones para obtener SNR = 20 dB cuando el ruido trmico domina al receptor.
Como referencia, para un receptor 1,55-m operando a 10 Gb / s, N p = 100 cuando
Pin 130 nW.

4.4.3. Receptores APD


Receptores pticos que emplean un APD generalmente proporcionan un SNR ms
alto para la misma potencia ptica incidente. La mejora se debe a la ganancia
interna que aumenta la fotocorriente por un factor multiplicacin M de modo que
I p = MRPin = RAPD Pin ,

(4.4.16)

Donde RAPD es la APD responsividad, mejorado por un factor M comparado con los
fotodiodos pin (R APD = MR). El SNR debe mejorar por un factor de M 2 si
el ruido del receptor no se ve afectado por la ganancia interna de los APDs.
Desafortunadamente, este no es el caso, y la mejora de SNR se reduce
considerablemente.
Mejora del ruido de disparo
El ruido trmico se mantiene el mismo para los receptores de APD,El ruido trmico
se mantine para los receptores APD, ya que se origina en los componentes
elctricos que son parte del APD.Este no es el caso para el ruido de disparo.
La ganancia del APD resulta de la generacin de los pares secundarios de
electrn-hueco a travs de un proceso de ionizacin de impacto. Puesto que
tales pares se generan en momentos aleatorios, se aade una
contribucin adicional al ruido de disparo asociado con la generacin
de pares de electrones huecos primarios. En efecto, el factor de
multiplicacin en si es una variable aleatoria , y M apareciendo en la Eq.
(4.4.16) Representa la ganancia promedio del APD. El ruido total de disparo puede ser
calculado usando las ecuaciones Eqs. (4.2.3) and (4.2.4) y tratando a i e y ih como
variables aleatorias [86]. E l r e s u l t a d o e s
2=2 qM FA (RPin + Id ) f .

(4.4.17)

Donde FA es el factor de ruido de exceso del APD y est dado por [86]
FA (M) = kA M + (1 kA)(2 1/M).

(4.4.18)

Figura 4.16: Factor de exceso de ruido como funcin de la ganancia promedio del
APD M para varios valores de radio k A del coeficiente de ionizacin.

El parmetro adimensional k A = h /e if h < e est definido como kA = e


/h Cuando h > e . En otras palabras, k A est en el rango 0 < k A < 1.
L a figura 4.16 muestra la ganancia de FA para varios valores de k A . En
g en er a l , FA se incrementa con M . Sin embargo, aunque FA is como mximo 2
para kA = 0, est o m ant ien e un incr em ent o lin eal (FA = M) cuando kA =
1. El radio kA Debe ser tan pequeo como sea posible para lograr el mejor
rendimiento de un APD[87].
Si la ganancia de avalancha estuviese libre de ruido (FA = 1), ambas I p y s
se incrementar por el mis factor M, y el SNR no ser afectado en toda la longitud
concerniente al ruido de disparo. E n l a p r c t i c a , e l S N R d e l o s
r e c e p t o r e s d e u n A P D e s p e o r q u e l o s r e c e p t o r e s pin
cuando el ruido de disparo domina por el exceso de ruido generado en el APD.
Esto es la dominancia del ruido trmico en los receptores lo que lo
que hace atractivos a los APDs . De hecho el SNR de un receptor APD puede
ser escrito como
2qM FA (RPin + Id ) f + 4(kB T /RL )Fn f

Donde Eqs. (4.4.9), (4.4.16), y (4.4.17) fueron usadas. En el l m it e del r uido


t r m ico ( s <<T ), El SNR se convierte en
SNR = (RL R2 /4kB T Fn f )M 2in
P2

(4.4.20)

Y es mejorado, como se ha esperado por un factor de M 2 comparado con los receptores


pin .
[ver Eq. (4.4.13)]. En contraste, en el lmite del ruido de disparo ( s
T ), el SNR
est dado por
SNR =

RPin
=
2qFA f

Pin
2h FA
f

(4.4.21)

Figura 4.17: Ganancia ptima Mopt de un APD como funcin de poder ptico incidente Pin
para varios valores de kA . L o s v a l o r e s d e p a r m e t r o s c o r r e s p o n d e n a u n t p i c o
1.55- m InGaAs APD receptor fue usado.

Y es reducido exceso de factor de ruido FA comparado con el de los receptores


pin [ver Eq. (4.4.15)].
Ganancia ptima de un APD
La ecuacin (4.4.19) muestra que para una Pin dada, El SNR del receptor APD
es mxima para n valor ptimo M opt de la ganancia M del APD. Es fcil
mostrar que el SNR is mximo cuando Mopt satisface el siguiente cubo
polinomial:

El valor ptimo Mopt depende de un largo nmero de parmetros del receptores,


in
como lo es la corriente oscura, la responsividad R, y el coeficiente de ionizacin k A .
S i n e m b a r g o , es independiente del ancho de banda del receptor. L a
c a r a c t e r s t i c a m s n o t a b l e d e l a e c u a c i n (4.4.22) es que
Mopt decrece con un incremento en Pin . La figura 4.17 muestra la variacin de
M opt con Pin para varios valores de k A usando los valores del parmetro tpico
R L = 1 k, Fn = 2, R = 1 A/W, e Id = 2 nA correspondiente a 1.55- m receptor
InGaAs . La ganancia ptima de un APD es muy sensible al radio del coeficiente de
ionizacin k A . Para kA = 0, Mopt decrece inversamente con Pin , fcilmente
puede deducirse de la ecuacin Ec. (4.4.22) notando que la contribucin de I d es
1/3
prcticamente despreciable. En contraste, M opt vara como P
para kA =
1, y esta forma de dependencia aparece para mantener incluso para k A
tan pequeo como 0.01 a lo largo de Mopt > 10. D e h e c h o , por descuido del
segundo trmino en la ecuacin Eq. (4.4.22), M opt est bien, aproximada por
Para kA en el rango 0.011. E s t a e x p r e s i n m u e s t r a e l r o l e c r t i c o d e l
r a d i o d e l c o e f i c i e n t e d e i o n i z a c i n o k A . Para Si APDs, para lo cual k A
<< 1, Mopt puede ser tan largo como 100. En contraste, Mopt est en el
vecindario de 10 para los receptores InGaAs, desde kA 0.7. Los r ecept or es

AP D InGaAs son no obstante muy usados para los sistemas de


comunicaciones pticas simplemente por su gran sensibilidad. La
sensibilidad del receptor es un muy importante valor en el diseo delos sistemas
de longitudes de onda de luz y ser discutida luego

4.5

Sensibilidad del receptor

Entre un grupo de receptores pticos, Un receptor se dice que es ms sensible si se logra


el mismo rendimiento con menos potencia ptica incidente sobre el mismo. El criterio de
rendimiento para los receptores digitales se rige por la tasa de error de bit (BER), que se define
como la probabilidad de identificacin incorrecta de un bit por el circuito de decisin del receptor. Por
lo tanto un BER de 2 106 corresponde a un promedio de 2 errores por milln de
bits.

Un criterio comnmente usado para

receptores ptico digitales


requiere que el BER sea debajo de 1 10 9. E l l a s e n s i b i l i d a d d e l
receptor es definida luego como el mnimo promedio de poder
r e c i b i d o r Prec requerido por el receptor para operar a un BER de 10 9 .
Prec dependiente del BER, djenos empezar calculando el BER.
4.5.1

Bit-Error Rate

La figura 4.18(a) muestra la fluctuacin de seales recibidas por el circuito de decisin,


la cual muestre estas en el momento de decisin t D determinado a travs
de la recuperacin de reloj. El valor muestreado I flucta de bit a bit alrededor de
un valor promedio I 1 o I0 , dependiendo si el bit corresponde a 1 o 0 en la
corriente de bit. EL circuito de decisin compara el valor muestreado con
un valor umbral I D y lo llama a este bit 1 si I > ID o el bit
0 si I < ID . U n er r o r o c u r r e s i if I < I D para el bit 1causado por el ruido del
receptor. Un erro tambin ocurre si I > ID para el bit 0. Ambas fuentes de
error pueden ser incluidas definiendo el error probablemente como
BER = p(1)P(0/1) + p(0)P(1/0),

(4.5.1)

BER = 21 [P(0/1) + P(1/0)].

(4.5.2)

Luego

La figura 4.18(b) muestra como P(0/1) y P(1/0) depende de la probabilidad de la


densidad de la funcin p(I) d e l
funcional
fuentes

de
de

p(I)
ruido

depende

valor
de

las

responsables

corriente. El ruido trmicoi T

muestreado

de

I.

La forma

estadsticas
la

fluctuacin

de
de

las
la

en Eq. (4.4.6) est descrita por las

estadsticas Gaussianas con cero lo que implica una 2.

95

Figure 4.18: (a) Seal fluctuante generada en el receptor. (b) La probabilidad Gaussiana de 1
y 0 bits.

Las estadsticas de la contribucin de ruido de disparo i s en la Ec. (4.4.6) es


tambin aproximadamente Gaussiana para los receptores pin aunque ese no es
el caso para los APDs [86][88]. U n a a p r o xi m a c i n c o m n t r a t a is como
s
una variable randmica Gaussiana
para los receptores pin and APD pero con
2
diferente variacin
dado por la Ec. (4.4.5) y (4.4.17), respectivamente. S i n
embargo, el promedio y la variacin son diferentes para 1 y 0
desde Ip en la ecuacin (4.4.6) iguales I1 o I0, dependiendo en
el bit recibido. Si la variacin 1 y la variacin 2 son las
varianzas correspondientes, la probabilidad condicional est
dada por

Donde el ERFC est definido como

Sustituyendo las ecuaciones (4.5.4) en la ecuacin (4.5.2) est dada por

La ecuacin (4.5.6) muestra que el BER depende del umbral de decisin I


D . E n l a p r c t i c a , ID es optimizada para minimizar el BER.
El ltimo trmino en esta ecuacin es poco importante en la mayora de los casos e Id es
aproximadamente obtenida de

(ID I0 )/0 = (I1 ID)/1 Q.

96

(4.5.8)

Una expresin explcita para Id es

Cuando 1 = 0 , ID = (I1 + I0 )/2, la cual corresponde a la configuracin


de decisin de umbral en el medio . sta es la situacin para la mayora
de los receptores pin en los cuales su ruido es dominado por el ruido trmico
1
s
( T
s ) y es independiente de la corriente promedio.
Por otro lado, El ruido de
disparo is ms largo para un bit 1 q para un bit 0, desde 2 vaa linealmente
con la corriente promedio. En el caso de los receptores APD, el VER puede ser
minimizado configurando el umbral de decisin acorde a la ecuacin (4.5.9). El VER con una
ptima configuracin del umbral de decisin se obtiene usando las ecuaciones
(4.5.6) y (4.5.8) y depende solo de el parmetro Q

Donde el parmetro Q fu obtenido de las ecuaciones (4.5.8) y (4.5.9) y est dado


por

La forma aproximada
de BER es obtenida usando la expansin asinttica [89]

de ERFC(Q/ 2) y es razonablemente dada por Q > 3. La Figura 4.19 muestra


como el VER vara con el parmetro Q. El BER mejora con el incremento de Q y se
hace ms bajo que 1012 para Q > 7. La sensibilidad del recpetor
corresponde al poder ptico promedio para lo cual Q 6, desde BER
10 9 cuando Q = 6. El siguiente seccin le proporciona un expresin
explcita para la sesibilidad del receptor.
4.5.2

Poder mnimo recibido

La ecuacin (4.5.10) puede ser usada para calcular el poder ptico mnimo que el
receptor necesita para operar confiablemente con el BER como un valor especfico.
P a r a e s t e p r o p s i t o e l p a r m e t r o Q debe estar relacionado al poder ptico
incidente. Para simplemente, considerar el caso en el cual el bit 0 no
lleva poder ptico por eso P0 = 0, y adems I0 = 0. El poder P1 en 1 bit
est relacionado a to I1 de la siguiente manera
I1 = MRP1 = 2MRPrec ,
(4.5.12)

97

Figure 4.19: Bit-error rate versus el parmetro Q .

Donde Prec es el promedio de poder recibido definido como Prec = (P1 +


P0 )/2.La ganancia M del APD est incluida en la ecuacin (4.5.12). E l c a s o
d e l o s r e c e p t o r e s pin pueden ser considerados dando el valor de 1 a M.
La corriente de ruido RMS 1 y 0 incluye la contribucin de los dos ruidos de
disparo y el ruido trmico y pueden ser escritos de la siguiente manera

Para un valor especfico de BER, Q est determinada por la Ec. (4.5.10) y la


sensibilidad del receptor Prec se encuentra en la ecuacin (4.5.16). Una expresin
analtica simple para Prec se obtiene solucionando la ecuacin (4.5.16) para un
valor dado de of Q y est dado por [3]

La ecuacin ( 4.5.17 ) muestra cmo PREC depende de varios parmetros del receptor
y cmo puede ser optimizado . Consideremos primero el caso de ap- i- n receptor
mediante el establecimiento de M = 1. Puesto que el ruido trmico T generalmente
domina para un receptor tal, PREC est dada por la simple expresin
(Prec )pin QT /R.

(4.5.18)

De la ecuacin. (4.5.15), 2 depende no slo de parmetros del receptor tales como


RL y Fn, sino tambin en la velocidad de bits a travs de la f ancho de banda del
receptor (tpicamente, f = B / 2). Por lo tanto, aumenta PREC como B en el lmite
trmico-ruido. Como ejemplo, considere un 1,55 m p-i-n receptor con R = 1 A / W. Si
utilizamos t = 100 nA como un valor tpico y Q = 6 corresponde a una BER de 10 -9,
la sensibilidad del receptor est dada por PREC = 0,6 W o -32,2 dBm.
La ecuacin (4.5.17) muestra cmo receptor sensibilidad mejora con el uso de
receptores de APD. Si el ruido trmico sigue siendo dominante, PREC se reduce por
un factor de M, y la sensibilidad recibida se mejora por el mismo factor. Sin embargo,
dispar ruido aumenta considerablemente por APD y la Ec. (4.5.17) se debe utilizar en
el caso general en el que ruido de disparo y trmico ruido contribuciones son
comparables. Similar al caso de SNR discute en la Seccin 4.4.3, la sensibilidad del
receptor se puede optimizar ajustando la APD ganar M. Mediante el uso de FA a partir
de la Ec. (04/04/18) en la ecuacin. (4.5.17), es fcil verificar que PREC es mnimo
para un valor ptimo de M dada por [3]

Y el valor mnimo est dado por

La mejora en la sensibilidad del receptor obtenido por el uso de un APD se puede


estimar acoplado mediante la comparacin de las ecuaciones. (4.5.18 ) y ( 4.5.20 ) .
Depende de la proporcin de ionizacin - coeficiente kA y es mayor para APDs con un
valor ms pequeo de k A. Para los receptores InGaAs APD , la sensibilidad se mejora
tpicamente por 6-8 dB; tal mejora se llama a veces la ventaja APD. Tenga en cuenta
que PREC para receptores APD incrementa linealmente con la velocidad de bits B ( f
B / 2 ), en contraste con su dependencia B para p -i- n receptores. La la
dependencia lineal de PREC en B es una caracterstica general de los receptores tiro
ruido limitado. Para un receptor ideal para que T = 0 , la sensibilidad del receptor se
obtiene mediante el establecimiento de M = 1en la ecuacin . ( 4.5.17) y viene dada por
(Prec )ideal = (q f /R)Q2 .
(4.5.21)

Una comparacin de las ecuaciones. ( 4.5.20 ) y ( 4.5.21 ) muestra la degradacin


causada por la sensibilidad el factor de exceso de ruido en los receptores APD .Se
utilizan a veces medidas alternativas de la sensibilidad del receptor. Por ejemplo, el
BER puede estar relacionada con la SNR y para el nmero medio de fotones N p
contenida dentro del bit " 1 " . En el lmite trmico ruido 0 1 . Mediante el uso de I0
= 0 , la ecuacin ( 4.5.11 )proporciona Q = I1 / 21 . Como SNR = I2 / 2 , que est
relacionado con Q por la sencilla relacin SNR =4Q 2 . Dado que Q = 6 para una BER
de 10-9, la SNR debe ser al menos 144 o 21,6 dB para lograr BER 10-9. El valor
requerido de cambios SNR en el lmite de disparo silencioso. En ausencia de ruido
trmico, 0 0 , ya que el ruido de disparo es insignificante para el bit "0" si se
descuida la contribucin oscuro actual. Desde Q = I 1 / 1 = (SNR ) medio en el lmite
de disparo silencioso , una SNR de 36 o 15.6 dB es suficiente para obtener la BER = 1
10 -9 . Se mostr en la Seccin 4.4.2 que SNR Np [ver la Ec . ( 4.4.15 ) y la
siguiente discusin ] en el lmite de disparo silencioso . Mediante el uso de Q = ( N p)
medio de la ecuacin. ( 4.5.10 ) , el REC est dada por

Para un receptor con eficiencia cuntica 100 % ( = 1 ) , BER = 1 10 -9 cuando Np =


36. En la prctica, la mayora de los receptores pticos requieren N p ~ 1000 para
lograr una BER de 10 -9 , ya que su rendimiento es severamente limitada por el ruido
trmico .
4.5.3

Lmite cuntico de foto-deteccin

La expresin BER ( 4.5.22 ) obtenido en el lmite de disparo - ruido no es totalmente


exacta , ya que su derivacin se basa en la aproximacin gaussiana para los tics del
ruido del receptor estados- . Para un detector ideal (sin ruido trmico, no corriente
oscura, y 100 % eficiencia cuntica) , 0 = 0 , como el ruido de disparo se desvanece
en la ausencia de potencia incidente , y por lo tanto el umbral de decisin se puede
establecer bastante cerca del 0 seal -nivel . De hecho, para un receptor tan ideal, 1
bits se pueden identificar sin error, siempre y cuando se detecta incluso un fotn. Se
comete un error slo si un bit 1 no produce ni un solo par electrn-hueco. Para un
pequeo nmero de fotones y electrones tales, las estadsticas ruido de disparo no
pueden ser aproximadas por una distribucin Gaussiana, y las estadsticas de Poisson
exactas deben ser utilizadas. Si Np es el nmero medio de fotones en cada bit 1, la

probabilidad de generar m pares electrn-hueco est dada por la distribucin de


Poisson [ 90 ]
Pm = exp(N p )Npm /m!.
(4.5.23)

El BER se puede calcular mediante el uso de las ecuaciones. ( 4.5.2) y ( 4.5.23 ) . la


probabilidad P ( 1/0) que un 1 se identifica cuando se recibe 0 es cero, ya que no se
genera ningn par electrn-hueco cuando N p = 0. La probabilidad P ( 0/1 ) se obtiene
mediante el establecimiento de m = 0 en la ecuacin . (4.5.23) , ya que un 0 se decide
en este caso a pesar de que se recibe 1 . Puesto que P (0/1 ) = exp ( -Np ) , la BER
est dada por la simple expresin
BER = exp(N p )/2.
(4.5.24)

Para BER < 10-9 , Np debe exceder 20. Desde este requisito es un resultado directo
de fluctuaciones cunticas asociadas a la luz entrante, que se conoce como el lmite
cuntico. Cada 1 bit debe contener al menos 20 fotones para ser detectado con una
BER < 10 -9 . Este requisito se puede convertir en energa usando P1 = Np hv B,
donde B es la velocidad de bits y la energa del fotn hv . La sensibilidad del receptor ,
definida como PREC = (P1 + P0) / 2 = P1 / 2 , est dada por
Prec = N p h B/2 = N p h B.

(4.5.25)

La cantidad p expresa la sensibilidad del receptor en trminos del nmero medio de


fotones / bit y se relaciona con Np como p = Np / 2 0 bits cuando no llevan energa.
Su como una medida de la sensibilidad del receptor es bastante comn. En el lmite N
cuntica p = 10. La potencia se puede calcular de la ecuacin. ( 05/04/25 ) . Por
ejemplo, para un receptor 1,55 m - ( hv = 0,8 eV) , PREC = 13 nW o -48,9 dBm a B =
10 Gb / s . La mayora de los receptores operan lejos del lmite cuntico por 20 dB o
ms. Esto es equivalente a decir que n p normalmente excede 1.000 fotones en
receptores prcticas.
4.6 Sensibilidad de degradacin
El anlisis de sensibilidad en la Seccin 4.5 se basa en la consideracin de slo el
ruido del receptor. En particular, el anlisis supone que la seal ptica incidente en el
receptor consta de un flujo de bits ideales de tal manera que los bits 1 consisten de un
impulso ptico de la energa constante, mientras que la energa no est contenida en 0
bits. En la prctica, la seal ptica emitida por un transmisor se desva de esta
situacin ideal. Adems, puede ser degradado durante su transmisin a travs del
enlace de fibra. Un ejemplo de tal degradacin es proporcionada por el ruido aadido
en amplificadores pticos. La potencia ptica promedio mnimo requerido por el
receptor aumenta a causa de tales condiciones no ideales. Este aumento en la
potencia recibida media se conoce como la penalizacin de potencia. En esta seccin
nos centramos en las fuentes de sanciones de energa que pueden conducir a la
degradacin de la sensibilidad, incluso sin la transmisin de seales a travs de la
fibra. Los mecanismos de alimentacin de prdida relacionada con la transmisin se
discuten en el Captulo 7.
4.6.1 Relacin de extincin
Una simple fuente de una penalizacin de potencia est relacionada con la energa
transportada por 0 bits. Algunos bits de energa se emiten por la mayora de los

transmisores incluso en el estado apagado. En el caso de los lseres de


semiconductores, el P0 el poder fuera de estado depende de la corriente de
polarizacin Ib y el umbral Ith . Si Ib < Ith , la potencia emitida durante 0 bits se debe a
la emisin espontnea , y en general P0 P1, donde P1 es el poder en el estado. Por el
contrario, P0 puede ser una fraccin significativa de P1 si el lser est cerca sesgada a
pero por encima del umbral. La relacin de extincin se define como
rex = P0 /P1 .
(4.6.1)
La penalizacin de potencia se puede conseguir mediante el uso de la ecuacin.
( 4.5.11 ) . Para ap- i- n receptor I1 = RP1 y I0 = RP0, donde R es la responsividad
(ganancia de la APD puede ser incluido mediante la sustitucin de R con MR).
Mediante el uso de la definicin PREC = (P1 + P0) / 2 para la sensibilidad del receptor,
el parmetro Q est dada por

En general, 1 y 0 dependen de PREC debido a la dependencia de la contribucin


ruido de disparo en la seal ptica recibida. Sin embargo, ambos de ellos se pueden
aproximar por la T ruido trmico cuando el rendimiento del receptor est dominado
por el ruido trmico. Mediante el uso de 1 0 T en la ecuacin. ( 4.6.2 ) , PREC
est dada por

Figura 4.20: Consecuencia del poder versus la relacin de extincin rex .

4.6. SENSITIVITY DEGRADATION

169

Esta ecuacin muestra que PREC aumenta cuando rex = 0. La penalizacin de


potencia se define como la relacin ex = PREC ( rex ) / PREC ( 0 ) . Se expresa
habitualmente en decibelios (dB) unidades utilizando
La figura 4.20 muestra cmo la pena de potencia aumenta con rex. Una pena de 1 dB
se produce para rex = 0,12 y aumenta a 4,8 dB para r ex = 0,5. En la prctica, para los
lseres sesgados por debajo del umbral, rex es tpicamente por debajo de 0,05, y la
pena de potencia correspondiente (< 0,4 dB ) es insignificante. Sin embargo, puede
llegar a ser importante si el lser semiconductor est sesgada por encima del umbral.
Una expresin de PREC ( rex ) se puede obtener [ 3 ] para receptores APD incluyendo
la ganancia APD y la contribucin shot- ruido para 0 y 1 en la ecuacin . ( 4.6.2 ) .
La ganancia ptima APD es menor que en la Ec. ( 4.5.19 ) cuando r ex = 0. La
sensibilidad tambin se reduce debido a la menor ganancia ptima. Normalmente, la
penalizacin de potencia para un receptor de APD es mayor en un factor de 2 para el
mismo valor de rex .
4.6.2

Intensidad de ruido

El anlisis de ruido de la Seccin 4.4 se basa en la suposicin de que la potencia


ptica incidente sobre el receptor no flucta. En la prctica, la luz emitida por cualquier
transmisor exhibe fluctuaciones de energa .Estas fluctuaciones, llamadas ruido de
intensidad, se discuten en la Seccin 3.3.8 , en el contexto de los lseres
semiconductores . El receptor ptico convierte fluctuaciones de energa en las
fluctuaciones de corriente que se suman a las que resultan de ruido de disparo y el
ruido trmico. Como resultado, el receptor SNR es degradado y es menor que la dada
por la ecuacin. (4.4.19) . Un anlisis exacto es complicado, ya que implica el clculo
de estadsticas fotocorriente [ 91 ] . Un mtodo sencillo consiste en la adicin de un
tercer mandato a la varianza corriente dada por la Ec.(4.4.10 ) , de modo que

I = R (Pin2 )

1/2

= RPin rI .

(4.6.6)

Donde
El parmetro rI , definida como rI = ( P2 )1/2/ Pin , es una medida del nivel de ruido de
la seal ptica incidente. Est relacionado con el ruido de intensidad relativa (RIN ) del
transmisor como

Donde RIN ( ) viene dada por la ec. ( 3.5.32 ) . Como se discute en la Seccin 3.5.4,
r I es simplemente el inverso de la SNR de la luz emitida por el transmisor.
Tpicamente, la SNR transmisor es mejor que 20 dB , y Ri < 0,01 .Como resultado de la
dependencia de 0 y 1 en el parmetro rI , el parmetro Q en Eq . (4.5.11) se reduce
en presencia de ruido de intensidad, Desde Q debe mantenerse con el mismo valor
para mantener el BER, es necesario aumentar la potencia recibida. Este es el origen
de la pena de energa inducida por el ruido de intensidad. Para simplificar el siguiente
anlisis, la relacin de extincin se supone que es cero, de modo que 0 = 0 y 0 = T .
Mediante el uso de I1 = RP1 = 2RPrec y Eq. ( 4.6.5 ) para 1 , Q est dada por

4.6. SENSITIVITY DEGRADATION

170

donde

s = (4qRPrec f )1/2 ,
(4.6.9)

I = 2rI RPrec,

y T est dada por la Ec(4.4.9) . La ecuacin (4.6.8) se resuelve fcilmente para


obtener la siguiente expresin para la sensibilidad del receptor:

La penalizacin de potencia, que se define como el aumento en PREC cuando rI = 0 ,


est dada por
2 2
I = 10 log10 [Prec (rI )/Prec (0)] = 10 log
I 10 (1 r Q ).

(4.6.11)
Figura 4.21 muestra la penalizacin de potencia como una funcin de r I para el
mantenimiento de Q = 6 correspondiente a una BER de 10-9. La pena es insignificante
para rI < 0,01 cmo? I est por debajo de 0,02 dB. Dado que este es el caso para la
mayora de transmisores pticos, el efecto de ruido del transmisor es despreciable en
la prctica. La penalizacin de potencia es casi 2 dB para r I = 0,1 y se convierte en
infinito cuando rI = Q - 1 = 0.167. Una pena de poder infinito implica que el receptor no
puede operar en el BER especfica, incluso si la potencia ptica recibida se incrementa
indefinidamente. En el diagrama de BER mostrado en la Fig. 4,19, una penalizacin de
potencia infinita corresponde a una saturacin de la curva de BER por encima del nivel
10 -9, una caracterstica conocida como el suelo BER. En este sentido, el efecto del
ruido de intensidad es cualitativamente diferente

Figura 4.21: Consecuencia del poder contra la intensidad del


parmetro de ruido rI .

4.6. SENSITIVITY DEGRADATION

171

Que la relacin de extincin, para el cual la penalizacin de potencia sigue siendo finito
para todos los valores de r ex de tal manera que rex < 1 .
El anlisis anterior supone que el ruido de intensidad en el receptor es el mismo que en
el transmisor. Esto no es normalmente el caso cuando la seal ptica se propaga a
travs de un enlace de fibra. El ruido de intensidad aadida por los amplificadores
pticos en lnea a menudo EST el viene un factor limitante para la mayora de los
sistemas de ondas de luz de larga distancia (vase el Captulo 5 ) . Cuando se utiliza
un lser semiconductor multimodo, dispersin de la fibra puede conducir a la
degradacin de la sensibilidad del receptor a travs del ruido modo de particin. Otro
fenmeno que puede aumentar el ruido de intensidad es realimentacin ptica de las
reflexiones parsitas que se producen a lo largo del enlace de fibra. Tales mecanismos
de potencia de pena inducida transmisin - son considerar en el captulo 7.
4.6.3

Tiempo Jitter

El clculo de la sensibilidad del receptor en la Seccin 4.5 se basa en la suposicin de


que la seal se muestrea en el pico del pulso de voltaje. En la prctica, el instante de
decisin se determina por el circuito de recuperacin de reloj (vase la Fig. 4.11).
Debido a la naturaleza ruidosa de la entrada al circuito de recuperacin de reloj, el
tiempo de muestreo flucta de bit a bit. Estas fluctuaciones se denominan momento de
trepidacin [92] - [ 95 ] . La SNR se degrada debido a las fluctuaciones en el tiempo de
muestreo de plomo a las fluctuaciones adicionales en la seal. Esto se puede entender
por sealar que si el bit no se muestrea en el centro de bits, el valor muestreado se
reduce en una cantidad que depende de la fluctuacin de fase de temporizacin Dt.
Desde Dt es una variable aleatoria

la reduccin en el valor muestreado tambin es aleatorio. La SNR se reduce como


resultado de tales fluctuaciones adicionales, y se degrada el rendimiento del receptor.
La SNR se puede mantener mediante el aumento de la potencia ptica recibida. Este
aumento es la penalizacin de potencia inducida por el momento jitter.
Para simplificar el siguiente anlisis, consideremos ap- i- n receptor dominado por el
ruido trmico T y asumimos una relacin nula la extincin. Mediante el uso de I 0 = 0
en la ecuacin. ( 4.5.11 ), el parmetro Q est dada por
Donde
ij es el valor medio y j es el valor RMS de la fluctuacin de la corriente inducida por
ij de temporizacin jitter Dt. Si fuera h (t) rige la forma del impulso de corriente,

i j = I1 [hout (0) hout(t )],

(4.6.13)

donde se toma el instante de muestreo ideal para estar t = 0


Claramente, j depende de la forma del pulso de la seal en la corriente de decisin.
Una eleccin sim- ple [92] corresponde a h a cabo (t ) = cos2 ( Bt / 2 ) , donde B es la
velocidad de bits. Aqu Eq . (4.3.6) se utiliza como muchos receptores pticos estn
diseados para proporcionar esa forma de pulso. Desde Dt es probable que sea
mucho menor que el periodo de bit TB = 1 / B, se puede aproximar como

i j = (2 2 /3 4)(Bt )2I1

(4.6.14)

Suponiendo que Bt 1. Esta aproximacin proporciona una estimacin razonable de la


pena de energa siempre que la pena no es demasiado grande [92] . Esto se espera
que sea el caso en la prctica. Para calcular j, la funcin de densidad de probabilidad
de la fluctuacin de fase de tiempo (variacin de T) se supone que es gaussiana, de
modo que

donde j es el valor RMS ( desviacin estndar) de Dt . La densidad de probabilidad


de ij se puede conseguir mediante el uso de las ecuaciones. (4.6.14 ) y ( 4.6.15 ) y
observando que ij es proporcional a ( Dt ) 2 . El resultado es

Dnde

b = (4 2 /3 8)(B j )2 .

la ecuacin ( 4.6.16 ) se utiliza para calcular ij y j = ( ij ) 2 1/2


sobre ij es fcil de hacer para obtener la integracin

(4.6.17)

Figure 4.22: Consecuencia de la fuente contra el parmetro Jitter B j .

Mediante el uso de las ecuaciones.(4.6.12) y ( 4.6.18 ) y observando que I = 1 2RPrec


, donde R es la responsividad, la sensibilidad del receptor est dada por

La penalizacin de potencia, que se define como el aumento de PREC, est dada por
La Figura 4.22 muestra cmo la penalizacin de potencia vara con el parmetro B j,
que tiene el significado fsico de la fraccin del perodo de bit sobre las que el tiempo
de decisin flucta (una desviacin estndar). La pena de energa es insignificante
para B j <0,1, pero aumenta rpidamente ms all B j = 0,1. Una pena de 2 dB se
produce para B j = 0,16. Al igual que en el caso del ruido de intensidad, la pena
inducida jitter-vuelve infinita all B j = 0,2. El valor exacto de B j en los que la pena se
hace infinito depende del modelo utilizado para el clculo de la penalizacin de
potencia inducida jitter. La ecuacin (4.6.20) se obtiene por utilizando una forma de
impulso especfico y una distribucin especfica de fluctuacin de fase. Tambin se
basa en el uso de las ecuaciones. (4.5.10) y (4.6.12), que asume las estadsticas de
Gauss para el actual receptor. Como es evidente a partir de la Ec. (06/04/16),
fluctuaciones de corriente inducida jitter-no son Gauss en la naturaleza. Un clculo
ms preciso muestra que la ecuacin. (06/04/20) subestima la pena de poder [94]. El
comportamiento cualitativo, sin embargo, sigue siendo el mismo. En general, el valor
RMS de la fluctuacin de fase de temporizacin debe ser inferior a 10% del perodo de
bit para una penalizacin de potencia insignificante. Una conclusin similar se
mantiene para los receptores APD, cuya pena es generalmente ms grandes [95].

Figura 4.23: Sensibilidades del receptor de medida frente a la tasa de bits de p- i- n

(crculos) y APD (tringulos) receptores en experimentos de transmisin cerca de


1.3- y 1,55 - m longitudes de onda . Tambin se muestra el lmite cuntico de la
sensibilidad del receptor para la comparacin (lneas continuas).

4.7

Receiver Performance

El rendimiento del receptor se caracteriza por la medicin de la BER en funcin de la


potencia ptica media recibida. La potencia ptica media correspondiente a una BER
de 10-9 es una medida de la sensibilidad del receptor. Figura 4.23 muestra la
sensibilidad del receptor se mide en varios experimentos de transmisin [96] - [107]
mediante el envo de una larga secuencia de bits pseudoaleatorios (tpica longitud de
la secuencia febrero 15 a 1) sobre una fibra de modo nico y luego detectar mediante
el uso de cualquiera de AP- i-n o un receptor de APD. Los experimentos se realizaron
en el 1.3- o 1,55- m de longitud de onda, y la tasa de bits vari de 100 MHz a 10 GHz.
El lmite cuntico terica en estas dos longitudes de onda tambin se muestra en la
Fig. 4,23 mediante el uso de la ecuacin. (05/04/25). Una comparacin directa muestra
que la sensibilidad del receptor de medicin es peor en 20 dB o ms en comparacin
con el lmite cuntico. La mayora de la degradacin es debido al ruido trmico que es
inevitable a temperatura ambiente y, en general predomina el ruido tiro. Alguna
degradacin es debido a la dispersin de la fibra, lo que conduce a sanciones de
energa; fuentes de dichas sanciones se discuten en el siguiente captulo.
La degradacin de la sensibilidad inducida dispersin depende tanto de la velocidad de
bits B y la fibra de longitud L y aumenta con BL. Esta es la razn por la cual la
sensibilidad degradacin del lmite cuntico es mayor (25-30 dB) para los sistemas que
operan a altas velocidades de bits. La sensibilidad del receptor a 10 Gb / s suele ser
peor que -25 dBm [107]. Se puede mejorar por 5-6 dB mediante el uso de receptores
de APD. En trminos del nmero de fotones / bit, receptores APD requieren casi 1.000
fotones / bit en comparacin con el cuntica

175

Figura 4.24: Curvas BER medidos por tres longitudes de fibra de enlace en iment un

1,55 m - riencia de transmisin a 10 Gb / s . El recuadro muestra un ejemplo de


diagrama en ojo en el receptor. ( Despus de Ref [ 110 ] . ; c IEEE 2000 ; reimpreso
con permiso. )

Lmite de 10 fotones / bit. El rendimiento del receptor es generalmente mejor para


longitudes de onda ms cortas en la regin cerca de 0,85 m, donde se pueden
utilizar APDs de silicio; que realizan satisfactoriamente con cerca de 400 fotones / bit;
un experimento en 1976 alcanz una sensibilidad de slo 187 fotones / bit [108]. Es
posible mejorar la sensibilidad del receptor mediante el uso de esquemas de
codificacin. Una sensibilidad de 180 fotones / bit se realiz en un experimento sistema
m-1,55 [109] despus de 305 kilmetros de transmisin a 140 Mb / s.
Es posible aislar el alcance de la degradacin de sensibilidad se producen como
resultado de la propagacin de la seal dentro de la fibra ptica. El procedimiento
comn es realizar una medicin separada de la sensibilidad del receptor mediante la
conexin del transmisor y el receptor directamente, sin la fibra intermedia. Figura 4.24
muestra los resultados de una medicin de este tipo para un 1,55- m experimento de
campo en el que la seal RZ-formato que consiste en un flujo de bits pseudoaleatoria
en forma de solitones (longitud de la secuencia febrero 23-1) se propag a travs de
ms de 2000 km de fibra [110]. En ausencia de la fibra (0-km curva), una BER de 10-9
se realiza para -29,5 dBm de potencia recibida. Sin embargo, la seal de marcha se
degrada considerablemente durante la transmisin, lo que resulta en alrededor de una
pena de 3- dB para un enlace de fibra-2040 km. La pena de energa aumenta
rpidamente con ms propagacin. De hecho, el aumento de la curvatura de las curvas
BER indica que la BER de 10-9 sera inalcanzable despus de una distancia de 2.600
kilmetros. Este comportamiento es tpico de la mayora de los sistemas de ondas de
luz. El diagrama de ojo ve en la Fig. 4,24 es cualitativamente diferente que aparece en
la figura. 4.13. Esta diferencia est relacionada con el uso del formato RZ.

176

El rendimiento de un receptor ptico en los sistemas de ondas de luz reales puede


cambiar con el tiempo del rendimiento del receptor y se asocia con un aumento
correspondiente en la BER. Las figuras 4.13 y 4.24 muestran ejemplos de los
diagramas de ojo para los sistemas de ondas de luz que hacen uso de los formatos de
NRZ y RZ, respectivamente. El ojo es muy abierta en ausencia de fibra ptica, pero se
convierte parcialmente cerrada cuando la seal se transmite a travs de un enlace de
fibra larga. Cierre del ojo es debido al amplificador de ruido, dispersin de la fibra, y
diversos efectos no lineales, todo lo cual conduce a una distorsin considerable de
pulsos pticos medida que se propagan a travs de la fibra. El seguimiento continuo
del patrn de ojo es comn en los sistemas reales como una medida de rendimiento
del receptor.
El rendimiento de los receptores pticos que operan en el rango de longitud de onda
de 1.3 a 1.6 m est severamente limitada por el ruido trmico, como se ve
claramente a partir de los datos en la Fig . 4.23. El uso de receptores de APD mejora la
situacin, pero slo en una medida limitada, debido al factor de ruido asociado con el
exceso de InGaAs APD. La mayora de los receptores operan lejos del lmite cuntico
por 20 dB o ms. El efecto del ruido trmico puede reducirse considerablemente
mediante el uso de tcnicas de deteccin coherente en el que la seal recibida se
mezcla de manera coherente con la salida de un lser de ancho de lnea estrecho. El
rendimiento del receptor tambin se puede mejorar mediante la amplificacin de la
seal ptica antes de que sea incidente sobre el foto detector. Nos dirigimos a los
amplificadores pticos en el prximo captulo
Dado que no es posible medir la BER directamente para un sistema en
funcionamiento, se necesita una alternativa para supervisar el rendimiento del sistema.
Como se discuti en la Seccin 4.3.3, el diagrama de ojo es el ms adecuado para
este fin; cierre del ojo es una medida de la degradacin en el receptor.

177

Problemas
4.1 Calcular la capacidad de respuesta de un fotodiodo p- i- n en el 1,3 y 1,55 m si la
eficiencia cuntica es del 80 %. Por qu el fotodiodo ms sensible a 1,55 m?
4.2 Los fotones a una velocidad de 1010 / s inciden en una APD con la capacidad de
respuesta de 6 A / W .Calcular la eficiencia cuntica y la fotocorriente en la longitud de
onda de funcionamiento de 1,5 m para una ganancia de 10 APD.
4.3 Mostrar resolviendo las ecuaciones. (4.2.3) y (4.2.4) que el factor de multiplicacin
M se da por la ecuacin. (4.2.7) para una APD en el que los electrones inician el
proceso de avalancha. Tratar e y h como constantes.
4.4 Dibuje un diagrama de bloques de un receptor ptico digital que muestra sus
diferentes componentes. Explicar la funcin de cada componente. Cmo se utiliza la
seal por el circuito de decisin relacionada con la potencia ptica incidente?
4.5 La forma de impulso - coseno elevado de la ecuacin. (4.3.6) puede generalizarse
para generar una familia de tales impulsos definiendo

Donde el parmetro vara entre 0 y 1. Deducir una expresin para la funcin de


transferencia Hout (f) dado por la transformada de Fourier de hout (t). Hout Terreno (t) y
Hout (f) para = 0, 0,5 y 1.
4.6 Considere un m receptor de 0,8 con una silicona p-i-n fotodiodo. Asumir el ancho
de banda de 20 MHz, la eficiencia cuntica 65%, 1 nA corriente oscura, 8 pF unin
capacitancia distancia, y 3 dB Factor de ruido del amplificador. El receptor se ilumina
con 5 W de potencia ptica. Determinar las corrientes de ruido RMS debido al ruido
de disparo, el ruido trmico, y el ruido del amplificador. Tambin el clculo de la SNR.
4.7 El receptor de Problema 4.6 se utiliza en un sistema de comunicacin digital que
re- requiere una SNR de al menos 20 dB para un rendimiento satisfactorio. Cul es la
mnima potencia recibida cuando la deteccin est limitada por (a) el ruido de disparo y
(b) el ruido trmico? Tambin el clculo de la potencia de ruido equivalente en los dos
casos.
4.8 El factor de ruido superiores a fotodiodos de avalancha a menudo se aproxima por
M x en lugar de la ecuacin. (4.4.18). Encuentra la gama de M para los que la Ec.
(4.4.18) se puede aproximada dentro del 10% de FA (M) = Mx eligiendo x = 0.3 para el
Si, 0,7 para InGaAs, y 1,0 para Ge. Uso kA = 0,02 para el Si, 0,35 para InGaAs, y 1,0
para Ge.
4.9 Derivar la ecuacin. (04/04/22). Terreno Mopt frente kA resolviendo el polinomio
cbico en un ordenador mediante el uso de RL = 1 kW, Fn = 2, R = 1 A / W, Pin = 1
W, y Id = 2 nA. Comparar los resultados con la solucin analtica aproximada dada por
la ecuacin. (04/04/23) y hacer comentarios sobre su validez.
4,10 derivar una expresin para el valor ptimo de M para los que el SNR se hace
mxima mediante el uso de FA (M) = Mx en la ecuacin. (4.4.19).

178

4.11 Demostrar que la tasa de error de bit (BER) dada por la ecuacin. (4.5.6) es
mnimo cuando el umbral de decisin se encuentra cerca de un valor dado por la
ecuacin. (4.5.9).
4.12 Un 1,3 m receptor digital est funcionando a 100 Mb / s, y tiene un ancho de
banda de ruido efectiva de 60 MHz. El p-i-n fotodiodo tiene insignificante corriente
oscura y
90% de eficiencia cuntica. La resistencia de carga es de 100 y el factor de ruido del
amplificador es de 3 dB. Calcular la sensibilidad del receptor correspondiente a una
BER de 10 -9. Cunto cambia si el receptor est diseado para funcionar de forma
fiable hasta una BER de 10-12?
4.13 Calcular la sensibilidad del receptor (a una BER de 10 -9) para el receptor en el
problema
4,12 en los lmites de tiro de ruido y trmico-ruido. Cuntos fotones son poco
incidente durante 1 en los dos lmites si el impulso ptico se puede aproximar por un
pulso cuadrado?
4,14 derivar una expresin para la ganancia M ptima de un receptor de APD que
maximizara la sensibilidad del receptor tomando el factor de exceso de ruido como M
x. Terreno Mopt como funcin de x para T = 0,2 mA y f = 1 GHz y estimar su valor
de InGaAs APD (vase el problema 4.8).
4,15 derivar una expresin para la sensibilidad de un receptor de APD por teniendo en
cuenta una relacin de extincin finita para el caso general en el que tanto el ruido de
disparo y de ruido trmico contribuyen a la sensibilidad del receptor. Usted puede
descuidar la corriente oscura.
4,16 derivar una expresin para la penalizacin de potencia inducida por ruido de
intensidad de AP- i- n receptor teniendo en cuenta una relacin de extincin finita. Tiroruido y ruido intensidad- contribuciones pueden ambos ser descuidado en comparacin
con el ruido trmico en el estado de apagado, pero no en el de Estado.
4.17 Use el resultado del problema 4.16 para trazar la pena de potencia en funcin del
parmetro de intensidad de ruido rI [ver la Ec . (4.6.6) Para su definicin ] para varios
valores de la relacin de extincin . Cuando la fuga de poder se convierte en infinito?
Explicar el significado de una pena de poder infinito.

4,18 Derivar una expresin para la penalizacin de potencia inducida timing- jitter asumiendo una forma de impulso parablico I ( t) = I p ( 1 - B2t 2 ) y una distribucin
gaussiana con una fluctuacin de fase desviacin estndar (valor RMS). Se puede
suponer que el rendimiento del receptor est dominado por el ruido trmico. Calcular el
valor tolerable de B que mantendra la potencia inferior a 1 dB.