Configuracin de un transistor TBJ

Paul Alejandro Romero Andrade

Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE Extensin Latacunga, Departamento de Elctrica y Electrnica,
Latacunga Ecuador
promeroandrade@hotmail.es
RES UMEN: Un transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor compuesto de tres capas dos n y una p o viceversa
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una
seal de entrada, est compuesto por tres regiones pn, base,
emisor y colector. A continuacin a configuracin de un
transistor TBJ base comn, emisor comn, colector comn, es
decir el funcionamiento de cada una de estas configuraciones en
polarizacin directa y polarizacin inversa, as tambin como la
ganancia de corriente y voltaje de los mismos.
PALABRAS CLAVE: Transistor, Emisor, colector, base,
Voltaje, corriente.

ABS TRACT: A transistor is an electronic semiconductor

device composed of three layers two po NY vice versa used to
deliver an output signal in response to an input signal, is
composed of three pn regions, base, emitter and collector. Next
to setting up a common BJT transistor base, common emitter,
common collector, ie the operation of each of these settings in
forward bias and reverse bias, as well as the current and voltage
gain thereof.
KEY WORDS : Transistor emitter, collector, base, voltage,
current.

I.

INTRODUCCIN

El transistor posee tres terminales y a pesar de ello se lo

puede estudiar como un cuadripolo, es decir, dos
terminales de entrada y dos de salida; si uno de sus
terminales es comn a la entrada y salida tenemos: Base
Comn, Emisor Comn, Colector Comn. El montaje EC
se avecina ms a un amplificador de corriente ideal, el
montaje BC permite instalar una fuente de baja resistencia
que ataca a una carga de alta resistencia, el montaje CC
adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga
de bajo valor.
II.

CONFIGURACIN EN BASE COMN

A. Comportamiento
La notacin y smbolos utilizados junto con el
transistor en la mayora de los textos y manuales
publicados en la actualidad se indican en la figura 1
para la configuracin de base comn con transistores
pnp y npn. La terminologa en base comn se deriva
del hecho de que la base es comn tanto para la
entrada como para la salida de la configuracin.
Adems, la base por lo general es la terminal ms
cercana a, o en, un potencial de tierra. [1]

Fig. N 1 Configuracin en base comn pnp y npn

Recuerde que la flecha en el smbolo del diodo defina la

direccin de conduccin de corriente convencional. Para
el transistor:
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la
corriente del emisor (flujo convencional) a travs del
dispositivo.
Todas las direcciones de la corriente que aparecen en la
figura 1 son las direcciones reales como las define el flujo
convencional. Observe en cada caso que I, y tambin que
la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es tal como
para establecer corriente en la direccin indicada en cada
rama. Es decir, compare la direccin de = +
con la polaridad de V con cada configuracin y la
direccin de IC con la polaridad de . [1]

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres

terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas:
Parmetros de entrada.
Parmetros de salida.
B. Parmetros
Parmetros de entrada
El conjunto de entrada para el amplificador en base comn
relaciona una corriente de entrada () con un voltaje de
entrada ( ) para varios niveles de voltaje de salida ( )

Un transistor esta en corte cuando:

( = = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
= 0A:
( = 0)

Fig. N 2 Caractersticas de entrada para un amplificador de transistor

de silicio en configuracin base comn

Regin de Saturacin: Tanto la unin base-colector como

la unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin
directa.
Un transistor est saturado cuando:

Parmetros de salida
El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (IC )
con un voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (IE), como se muestra en la figura 3.
La salida o conjunto de caractersticas del colector ofrece
tres regiones bsicas de inters, como se indica en la figura
3, las regiones activa, de corte y saturacin[3]

( = = )

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del

transistor es 0V.
D. Ganancia.
Ganancia de Corriente (alfa)
La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la
corriente de salida (IC) entre la de entrada (IE )
=

Fig. N 3 Salida o caractersticas del colector de un amplificador de

transistor base comn

La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la

unidad, debido a que la corriente de emisor siempre es
algo mayor que la corriente del colector. Por lo tanto,
siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.
[1]

C. Regiones operativas
Ganancia de Voltaje
Regin Activa: La unin base-colector se polariza
inversamente, mientras que la unin base-emisor se
polariza directamente.

Segn se ha visto el transistor de BC no puede producir

una verdadera ganancia de corriente, pero si proporciona
ganancias de voltaje

Esta es la regin ms importante si lo que se desea es

utilizar el transistor como amplificador. [2]
La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, est
formada por la suma de la corriente de base y la de
colector:
= +
En una primera aproximacin se puede decir que:

Regin de Corte: Tanto la unin base-colector como la
unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin
inversa.

E. Ventajas y desventajas
Ventajas:
Tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de
salida, lo cual es til para adaptar fuentes de baja
impedancia como micrfonos dinmicos . [3]
Desventajas:
No apto para circuitos de baja frecuencia, debido a la baja
impedancia de entrada. [3]

F.

Aplicaciones

Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia

de salida como, por ejemplo, micrfonos
dinmicos.

No apto para circuitos de baja frecuencia, debido

a la baja impedancia de entrada. [3]

III.

CONFIGURACIN EN EMISOR
COMN
A. Comportamiento
La terminologa de EC se deriva del hecho de que el
emisor es comn tanto a la entrada como a la salida de la
configuracin.

Fig. N 5 caractersticas de base en la configuracin comn.

Parmetros de salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de
salida (VCE ) para varios niveles de corriente de entrada
(IB).

El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de

entrada como a la de salida.
El emisor es comn a la entrada (base-emisor) y a la
salida (colector-emisor).

Fig. N 6 Caractersticas corriente colector.

Fig. N 4 Configuracin Emisor comn pnp y npn

Para describir el comportamiento de la configuracin EC,

se requiere de dos conjuntos de caractersticas:
Parmetros de entrada.
Parmetros de salida.
B. Parmetros

C. Regiones operativas
Regin activa: La unin colector-emisor se polariza
inversamente, mientras que la unin base-emisor se
polariza directamente. [1]
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, est
formada por la suma de la corriente de base y la de
colector:

Parmetros de entrada
IE = IC + IB
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida
(VCE ).
Una vez que el transistor esta encendido se supondr
que el VBE es:
VBE = 0.7V

En la configuracin EC, tambin se mantiene la relacin

siguiente que se us en la configuracin BC:
IC = IE
Regin de corte: Tanto la unin base-emisor como la
unin colector-emisor de un transistor tienen polarizacin
inversa. [1]

En la regin de corte la IC no es igual a cero cuando IB es

cero.
IE = IC + IB
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor
distorsin), el corte para la configuracin EC se definir
mediante:

IE = IB + IB
Se tiene que
= ( + 1)

IC = ICEO
Para IB = 0A
Ganancia de Voltaje
La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se
requiere una seal de salida sin distorsin.
Regin de saturacin: Tanto la unin base-colector como
la unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin
directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que
las uniones estn en polarizacin directa, las corrientes se
anulan.
Un transistor est saturado cuando:
( = = )

Los amplificadores con emisor a tierra pueden

proporcionar ganancias de voltaje y de potencia mucho
mayores que los de base comn.
=

E. Ventajas y desventajas
Ventajas:
Presenta alta impedancia de entrada e impedancia de
salida mediana, por lo cual facilita el diseo de
amplificadores multi-etapa.

D. Ganancia
Ganancia de Corriente (beta)
La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la
corriente de salida (IC) entre la de entrada (IB)
=

La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido

a que la corriente de salida (IC) es mayor que la corriente
de la entrada (IB). Suele tener un rango entre 40 y 400, con
la mayora dentro del rango medio.

Fig. N 8 Determinacin de a partir de las caractersticas del colector

es un parmetro importante porque ofrece una relacin

directa entre los niveles de corriente de los circuitos de
entrada y los de salida en EC. [2]

Un amplificador emisor aumenta la seal tanto en voltaje

como corriente, por lo tanto permite mayor ganancia de
potencia.
Desventajas:
La seal de salida presenta un desfase de 180 respecto a
la seal de entrada, por lo que si se necesita trabajar con
seales en fase, es necesario implementar otro circuito con
el fin de eliminar dicho desfase. [2]
La estabilidad trmica del amplificador en emisor comn
es menor al de la base comn, razn por la cual es
necesario implementar a estos, circuitos de proteccin
F.

Aplicaciones

Es la configuracin ms usada, puesto que

amplifica tanto corriente como voltaje. [2]

El ms usado para circuitos de baja frecuencia,

debido a la alta impedancia de entrada. [2]

Usado en amplificadores de audio y de altas

frecuencias de radio.

IV.

CONFIGURACIN COLECTOR
COMN
A. Comportamiento

La terminologa de CC se deriva del hecho de que el

colector es comn tanto a la entrada como a la salida de la
configuracin.

ha dicho anteriormente, para el diseo de circuitos de

transistores en colector comn, se utilizan las
caractersticas de emisor comn. [1]

El colector se conecta a las masas tanto de la seal de

entrada como a la de salida.

Activa, corte, saturacin.

D. Caractersticas

El colector es comn a la entrada (base-colector) y a la

salida (emisor-colector).

Con este tipo de circuitos no vamos a conseguir una

amplificacin de tensin, pero son muy buenos
amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.
Este circuito tambin se llama seguidor de emisor, nombre
que le viene porque el emisor sigue a la base, lo que quiere
decir que la tensin que le apliquemos a la base va a ser
reproducida por el emisor. [1]
Este tipo de circuitos tiene un comportamiento muy bueno
frente a las variaciones de temperatura y es debido a que
tiene conectada una resistencia, RE . [1]
El problema que puede tener este tipo de circuitos es que
disipan mucha potencia.

Fig. N 8 Configuracin colector comn pnp y npn

Para describir el comportamiento de la configuracin CC,

se requiere de dos conjuntos de caractersticas:

Parmetros de entrada
Parmetros de salida
B. Parmetros

Parmetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida
(VCE ).
Una vez que el transistor esta encendido se supondr
que el VBC es:
VBE = 0.7V
Parmetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IE ) con el voltaje de
salida (VCE ) para varios niveles de corriente de entrada
(IB).

La caracterstica ms importante de esta configuracin es

que ofrece una "alta impedancia" (o resistencia) de entrada
y una baja impedancia de salida. [1]
La corriente de entrada va a ser muy pequea, mientras
que la de salida puede llegar a ser muy grande.
D. Ventajas y desventajas
Ventajas:
La tensin que se le aplique a la base ser la misma
producida por el emisor.
Este tipo de circuitos tienen buen comportamiento frente
a las variaciones de temperatura.
Los circuitos con esta configuracin, son muy buenos
amplificadores de corriente
Desventajas:
Esta configuracin disipa mucha potencia. Con este tipo
de circuitos no se logra una ganancia de tensin
E. Aplicaciones

C. Regiones de Operacin
Desde el punto de vista de diseo de un circuito con un
transistor en la configuracin colector comn, se utilizan
las caractersticas de emisor comn. [1]
Teniendo en cuenta que debido a que = 1; IC = IE , por
tanto las caractersticas en colector comn seran casi
idnticas a las de emisor comn. Es por ello que, como se

Se usa como adaptador de impedancias, es decir,

cuando queramos obtener una baja impedancia
de salida.

Logra una muy baja distorsin sobre la seal de

salida.[3]

V.

CONCLUSIONES
Con el trabajo de investigacin he podido entender de
mejor manera el funcionamiento de un transistor y
todas sus formas de configuraciones de acuerdo como
se conecta los pines a la entrada y salida del circuito.
La ganancia en voltajes y en corrientes permite que
de acuerdo con la conexin que tenga un TBJ se
puede amplificar la seal lo que permitir tener
muchas aplicaciones.
Aunque en casos tiene desventajas se puede utilizar
circuitos para mejora eliminar estas desventajas como
un calentamiento se puede acoplar un circuito disipe
este calor y lo que los hace muy aplicativos .

VI.
[1]
[2]
[3]

REFERENCIAS
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2003). Electrnica:
teora de circuitos y dispositivos electrnicos: PEARSON
educacin.
Madrid, G. V., & Izquierdo, M. A. Z. T RANSIST ORES DE
UNION BIPOLAR (BJT).
Martnez, V. L. (1993). Transistores unipolares y
transistores de efecto campo (Vol. 23): EDITUM.

Paul Romero naci en Riobamba,

Chimborazo, en 1994. Sus estudios
secundarios los curso en el Colegio
Militar Combatientes de Tapi, form
parte del cuerpo de brigadieres en
tercero de bachillerato, tambin
conformo la liga estudiantil del del
Colegio, fue nombrado porta estandarte de la bandera de
la cuidad. Actualmente se encuentra cursando el quinto
semestre de Ingeniera Mecatrnica en la Universidad de
las Fuerzas Armadas ESPE-EL.