ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA: INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERIA EN ELECTRONICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

GUA DE LABORATORIO DE ELECTRNICA II

SEMESTRE Y PARALELO

PRCTICA No.5
(Transistor BJT, parmetros. Polarizacin en DC del transistor BJT, punto de
operacin.)

1. DATOS GENERALES:
NOMBRE: (estudiante(s) )
CODIGO(S): (de estudiante(s)
Poner aqu los nombres de los estudiantes con sus respectivos cdigos

GRUPO No.: Poner el nmero de Grupo

FECHA DE REALIZACIN:

FECHA DE ENTREGA:

Poner la fecha en que se realiz la prctica y como fecha de entrega la

fecha de la clase siguiente
2. OBJETIVO(S):
2.1.

GENERAL

Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo

funcionamiento depende del tipo de configuracin de polarizacin en que se
conecte.

2.2.

ESPECFCOS

Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)

Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.
Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles
lgicos.
3. METODOLOGA
Describir la metodologa utilizada para el desarrollo de la prctica, que incluye
una descripcin secuencial de los pasos a seguir.

4. EQUIPOS Y MATERIALES:
MATERIALES:
DESCRIPCION
Transistor

CANTIDIAD
2

Resistencias
Potencimetro
Diodo LED

1
1
1

VALOR
Poner nmero de transistor
NPN
Poner nmero de transistor
PNP
Poner valor de las
resistencias
5K Ohm
Poner color de LED

EQUIPOS:
DESCRIPCION
MULTMETRO
PAR DE PUNTAS PARA
MULTMETRO
PELACABLES

CANTIDIAD
1
1

VALOR

5. MARCO TEORICO:
Introducir marco terico sobre transistores y sus configuraciones en base
comn, emisor comn y colector comn.

6. PROCEDIMIENTO:
Listar las actividades o etapas en forma secuencial para el desarrollo de la
prctica, generalmente se utilizar entre otras:
Observacin y reconocimiento de instrumentos y equipos
Manejo de instrumentos y equipos
Toma y recoleccin de datos
Ordenamiento y procesamiento de datos
Clculos y resultados
Anlisis, graficacin e interpretacin de resultados
Observaciones
a) Con el multmetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los
solicitados en la prctica, posteriormente dibuje cada terminal.
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN
b) Construya el circuito que se muestra en la siguiente figura

c) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con
la perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500
Ohm; para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al
valor mximo del potencimetro.
d) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP
e) Construya el circuito que se muestra en la figura

f) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con
la perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500
Ohm; para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al
valor mximo del potencimetro.
g) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los
parmetros de polarizacin de emisor mxima, mida V EB, VCB y VCE, anote sus
resultados.
h) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.
CORTE Y SATURACIN
i) Construya el circuito de la figura, ponga un diodo LED en el colector.

j) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC.y RB para corte y

saturacin, escriba los clculos realizados.
k) Tome una foto del circuito funcionanado
l) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del
voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
m) Con los datos obtenidos de IB e IC, calcule Beta(). Mida tambin con el
multmetro y observe con el proporcionado en el datasheet. Antelos.
n) Utizando el Multsim o el Pspice haga la grfica de las caractersticas de entrada
y salida del transistor configurado en emisor comn.

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
Poner sus conclusiones sobre la prctica
8. BIBLIOGRAFA:
Poner la bibliografa consultada
ANEXOS

Poner datasheet con los valor escogidos