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MATRICULA
11070183
CURSO
TEMA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
INFORME
FECHAS
PREVIO
NOTA
REALIZACIN
ENTREGA
20 DE Mayo DEL
2015
27 DE Mayo
DEL
2015
NUMERO
06
GRUPO
PROFESOR
6
Jueves 2pm-4pm
INFORME PREVIO N6
TRANSISTOR BIPOLAR PNP AC128
OBJETIVOS:
MARCO TEORICO.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo BE se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En
esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se
comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo
Transistor AC128
O
A
D
D
o
o
PNP
MATERIAL: GERMANIO (Ge)
GANANCIA DE CORRIENTE () = 30
Re=330
Rc=1k
R1=56K
R2= 22K.
Vcc= -12v
Rb =
( R 1+ P 1) R 2
( R 1+ P 1)+ R 2
o
oP
L
RI
A
:
R 2 Vcc
V = ( R 1+ P 1)+ R 2
Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas.
OBSERVACIN: El transistor AC128 est hecho de GERMANIO y es PNP, entonces su VBE (activa)
y su es respectivamente:
VBE= -10v
=90.
TABLA 2
(Para P1 = 0 y R1 = 56k )
Hallando el Rb:
Rb =
R1R2
R 1+ R 2
3.384(10)
Ib= 15.794 103 + ( 90+1 ) 330
Ib = 144.365 uA
Rb =
56 K 22 K
(56+ 22) K
Rb = 15.794k
Hallando el V:
V=
R 2 Vcc
R 1+ R 2
Ic = 12.992 mA
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
V=
22 k (12)
(56+22) k
103
(1000+330)
VCE = -29.279 v
V = - 3.3846 v
Hallando VE:
Hallando Ib:
VBE = VB - VE. (VB = V)
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
VE = V - VBE
VE = - 3.3846 (-10)
VE = 6.6154 v
Valores
(R1= 56K )
IC(mA.)
Ib(uA.)
VCE(v.)
VBE(v.)
VE(v.)
Tericos
12.992
144.365
90
-29.279
-10
6.6154
TABLA 3
(Para P1 = 0 y R1 = 68k )
Hallando el Rb:
Rb =
R 1 R 2
R 1++ R 2
2.934(10)
Ib= 16.623 10 3+ ( 90+1 ) 330
Ib = 151.458 A
Rb =
68 K 22 K
(68+ 22) K
Rb = 16.623k
Hallando el V:
V=
R 2 Vcc
R 1+ R 2
V=
22 k (12)
(68+22) k
V = - 2.934 v
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
103
(1000+330)
VCE = -30.129 v
Hallando VE:
VBE = VB - VE. (VB = V)
VE = V - VBE
VE = - 2.934 (-10)
VE = 7.066 v
Valores
(R1= 68K )
IC(mA.)
Ib(uA.)
VCE(v.)
VBE(v.)
VE(v.)
Tericos
13.631
151.458
90
-30.129
-10
7.066
TABLA 5
(Para P1 = 100K y R1 = 56k )
156 K 22 K
(56+100+22)K
Rb =
Hallando el Rb:
Rb = 19.2808k
Hallando el V:
V=
R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2
V=
22 k (12)
(56+100+22)k
V = -1.483 v
Rb =
( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
1.483(10)
Ib= 19.2808 10 3+ ( 90+1 ) 330
Ib = 172.7207 A
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
103
VCE = -32.673 v
Ic = 15.544 mA
Rb =
( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
Rb =
306 K 22 K
(56+250+22) K
Rb = 20.524k
Hallando el V:
V=
R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2
V=
22 k (12)
(56+250+22)k
Hallando el Rb:
V = -0.8048 v
(1000+330)
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
0.8048(10)
Ib= 20.524 103 + ( 90+1 ) 330
Ib = 181.888 A
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
Ic = (181.888 )(90)
Ic = 16.369 mA
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
VCE = -12 (16.369
103
VCE = -33.7707 v
(1000+330)
Rb =
( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
Rb =
556 K 22 K
(56+500+22)K
Rb = 21.162k
V = -0.4567 v
Ic = (186.421 )(90)
Hallando Ib:
Ic = 16.777 mA
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
0.4567(10)
Ib= 21.162 103 + ( 90+1 ) 330
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
VCE = -12 (16.777
103
Ib = 186.421 A
VCE = -34.313 v
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
(Para P1 = 1M y R1 = 56k )
Rb =
( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
Rb =
1056 K 22 K
(56+1000+22)K
Rb = 21.551k
Hallando el V:
V=
Hallando Rb:
R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2
(1000+330)
V=
22 k (12)
(56+1000+22) k
Ic = (189.120 )(90)
V = -0.245 v
Ic = 17.0208 mA
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
0.245(10)
Ib= 21.551 103 + ( 90+1 ) 330
10
(1000+330)
VCE = -34.637 v
Ib = 189.120 A
-32.673 v
II.
P1
100K
250K
500K
1M
Ic(mA)
15.544
16.369
16.777
17.0208
Ib(uA)
172.7207
181.888
186.421
189.120
VCE (v.)
-32.673
-33.7707
-34.313
-34.637
CONCLUSIONES: