MATERIALES ELECTRICOS

TRABAJO PRCTICO N 4

MATERIALES SEMICONDUCTORES

1- Qu quiere decir que un slido es policristalino? Qu es un monocristal?

2- Cul es la diferencia entre un slido cristalino y uno amorfo?
3- Cul es la diferencia entre un conductor y un semiconductor a cero grado Kelvin (0 K)?
4- Explicar porqu un semiconductor acta como un aislante a 0 K y porqu su conductividad aumenta con la
temperatura.
5- Para un semiconductor de Silicio Intrnseco, calcular a las siguientes temperaturas T = -50C, 0C, 50C,
100C, 150C y 200C: a) la densidad de electrones y huecos (Concentracin Intrnseca), b) Movilidades
de huecos y electrones, c) la resistividad del Silicio intrnseco. Recomendamos que use una planilla Excel.
Graficar
6- Para un semiconductor de Silicio Intrnseco a)Cunto vale la relacin entre las conductibilidades de
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electrones y huecos? b) Qu campo elctrico debera aplicar para que circulara 1 mA/cm ? d)A partir de
qu densidad de corriente, en Silicio Intrnseco, la velocidad de deriva no aumenta ms (satura)? (de
Millman y Halkias prrafo 2-5)
7- Calcule para qu temperaturas (en K) ni (concentracin intrnseca) adopta los siguientes valores:
-3
-3
-3
1E14 cm
1E15 cm
1E16 cm
-3
-3
-3
1E17 cm
1E18 cm
1E19 cm
Nota: por el tipo de funciones, recomendamos que haga iteraciones con la planilla Excel.
8- Calcular el nivel de Fermi (EF) para el Silicio intrnseco.
9- Que error cometo si considero que en el Silicio intrnseco el nivel de Fermi se encuentra en la mitad de la
banda prohibida.
2
2
10- En un alambre de Cobre de 1 mm de seccin, para aproximadamente J = 100 A/cm el material se funde.
El campo necesario para fusin es del orden de 20 mV/cm. Por qu el silicio soporta campos muchos
mayores sin fundirse?
11- Para un semiconductor de Silicio Extrnseco: Calcular la resistividad si se contamina con impurezas
-3
-3
-3
donadoras a)ND = 1E14 cm , ND = 1E15 cm , ... hasta ND = 1E19 cm Todo a 300K
CARACTERSTICAS DEL SILICIO EN FUNCIN DE LAS CONTAMINACIONES, A 300 K
NA ND cm-3
1E14
1E15
1E16
1E17
3E17
1E18
3E18
Mayoritarios
1E14
1E15
1E16
1E17
3E17
1E18
3E18
Minoritarios
1E6
1E5
1E4
1E3
333
100
33
n cm2/V*seg
1358
1345
1248
801
521
270
158
p cm2/V*seg
461
458
437
331
242
148
93

1E19
1E19
10
115
68

12- Calcular la resistividad del Si Extrnseco contaminado con impurezas aceptoras con a) NA = 1E14 cm-3,
-3
-3
NA = 1E15 cm ,... hasta NA = 1E19 cm .
13- Corregir por temperatura entre -50C y 200C las expresiones anteriores.
14- Usando los resultados de los problemas anteriores, hacer un grafico de resistividad del Si extrnseco en
funcin de la temperatura destacando: a) la temperatura a la cual se ionizan las impurezas extrnsecas b) la
zona de funcionamiento extrnseca o metlica y c) la temperatura intrnseca.

Gua de estudio
Semiconductores Intrnsecos
15- Cual es el origen de las bandas en un slido?
16- Cual es la diferencia en la estructura de bandas de un: aislador, semiconductor, metal? Dibujar diagrama
y dar ordenes de magnitud de EG.
17- Explicar que se entiende por funcin de distribucin de Fermi-Dirac
18- Definir el nivel de Fermi.
19- Para que tipo partculas se aplica la funcin de probabilidad de Fermi Dirac.
20- Cual es la diferencia entre un metal y un semiconductor intrnseco desde el punto de vista de la ubicacin
del nivel de Fermi, bandas de energa, densidad de portadores y conductividad?
21- Explicar conceptualmente que es un semiconductor intrnseco.
22- Explicar conceptualmente que es un hueco en un semiconductor. Utilizar el modelo de bandas de energa y
el modelo corpuscular.
23- De que manera vara la densidad de estados permitidos N(E) con E para los electrones en un
semiconductor? Compare con un metal.
24- Como calcula la densidad de portadores en un semiconductor. Explique.
25- Explicar el significado de ni y su dependencia con T.
1

Semiconductores Extrnsecos
26- Explicar conceptualmente que es un semiconductor extrnseco. Aclarar que son Impurezas donadoras y
aceptoras. Cules son las ms utilizadas? Explicar quienes son los portadores mayoritarios y los
portadores minoritarios.
27- Cmo vara la concentracin de mayoritarios y minoritarios en un semiconductor extrnseco cuando
aumenta la concentracin de impurezas? por qu?
28- Cmo vara la concentracin de mayoritarios y minoritarios en un semiconductor extrnseco cuando
aumenta la temperatura? por qu?
29- Cmo varia la concentracin de electrones en un conductor, cuando aumenta la temperatura? por qu?
30- Cmo vara el tiempo medio entre choques con el aumento de la temperatura en un semiconductor?
por qu?
31- Cmo vara el tiempo medio entre choques con el aumento de la contaminacin de impurezas en un
semiconductor? por qu?
32- Cmo vara la movilidad con el aumento del campo elctrico? por qu? Hacer un grafico
33- Cmo vara la movilidad con la temperatura? por qu? Hacer un grafico con los valores de la tabla
34- Cmo justifica la gran diferencia de conductibilidad entre el Cobre y el Silicio intrnseco?
35- En los semiconductores tenemos dos fenmenos de generacin de portadores: generacin intrnseca y
generacin extrnseca. Cules son las diferencias entre ambos? Qu genera cada uno? Cul
mecanismo predomina y por qu?
36- De la interaccin entre generacin intrnseca, extrnseca y recombinacin, se llega a concentraciones de
mayoritarios y minoritarios en equilibrio trmico. Cuando se producen aumentos de temperatura a partir de
la temperatura de equilibrio: qu concentracin de portadores aumenta ms rpido, la de mayoritarios o la
de minoritarios? Por qu?
37- Cul es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y un extrnseco desde el punto de vista de la
ubicacin del nivel de Fermi?
38- Cmo es el grado de ocupacin del diagrama de bandas a cero grado Kelvin en conductores, aisladores y
semiconductores? Por qu?
39- Para qu temperatura un semiconductor extrnseco se comporta como intrnseco? por qu?
40- Hacer un grafico de variacin de la resistividad de un semiconductor extrnseco con la temperatura. Mostrar
la ionizacin de las impurezas y la temperatura intrnseca.
41- Si aumento la contaminacin de un semiconductor, la temperatura a la que se comienza a comportar
como intrnseco aumenta o disminuye? por qu?
42- Qu concentracin de portadores crece ms rpido cuando aumenta la temperatura: mayoritarios o
minoritarios? por qu?
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43- Qu relacin existe entre el Calor de Joule (P = R*I ) y el modelo de conduccin por movilidad? por
qu?
44- Distintos materiales, (Cu y Si) mostrarn diferentes movilidades ante el mismo campo elctrico aplicado?
por qu?
45- En qu casos se manifiesta la saturacin de velocidad de deriva por influencia del campo elctrico? por
qu?
46- Por qu midiendo la corriente con un ampermetro, no puedo distinguir si est producida por electrones o
por huecos? qu mtodo de medicin debera usar para detectar la diferencia de portador?