1.- EXPLIQUE BREVEMENTE LA TEORA ELECTRNICA.

Materia es todo lo que ocupa un lugar en el espacio y tiene masa y posee inercia, se presenta
fundamentalmente bajo 4 estados de agregacin: slido, lquido, gaseoso y plasma.
Substancia. Parte de la materia que posee las mismas propiedades fsicas y qumicas se le llama substancia.
La partcula, es la parte ms pequea en la que se puede dividir la materia por medios mecnicos como
son: pulverizacin o trituracin.
La molcula, es la parte ms pequea en la que se puede dividir la materia por medios fsicos como son:
disolucin, volitizacin, etc.
tomo, Es el lmite de divisin por medios qumicos, adems es la mnima porcin de cada cuerpo simple
que puede entrar en combinacin con otros. Est formado por un ncleo el cual contiene a los protones ( que
contienen carga positiva) y neutrones ( con carga neutra) y alrededor de el giran los electrones (con carga
negativa) en rbitas concntricas de energas diferentes .
Las rbitas concntricas sobre las cuales giran los electrones alrededor del ncleo son tambin llamadas
niveles de energa, ya que el movimiento circular de los electrones obtienen una cierta fuerza centrfuga que
compensa la fuerza de atraccin ejercida del ncleo sobre los electrones. Por todo esto la ltima rbita, que es
la de mayor energa, es tambin llamada rbita de valencia, la cual puede ser positiva o negativa.
Como la disposicin de los electrones en las rbitas es demasiado complicado y siguen ciertas normas,
solo diremos que una de ella es todos los tomos tienen cierta tendencia a tener en su ltima rbita 8
electrones. A la estructura que tienen 8 electrones se le llama configuracin estable exceptuando a los
tomos de hidrogeno y helio en los que la configuracin estable es de 2.
Por lo anterior se dice que en el tomo las valencias positivas son los electrones que un tomo posee en su
rbita de valencia para llegar a su nmero estable. Ejemplo, el fluor tiene No. Atmico 9 y su distribucin es
2, 7 por lo tanto tiene 7 valencias positivas y una negativa.
Debido al carcter electroqumico de los tomos, que es la tendencia que tienen de captar electrnes o
perderlos para obtener su estado estable cuando un tomo tiene 1, 2 3 electrones en su rbita exterior le es
ms facil perder esos electrones que el consegur 7, 6 5 quedando con esto el tomo cargado en su conjunto
positivamente. En caso contrario si en su ultima rbita le faltan 1, 2, 0 3 electrones para llegar a su estado
estable le es ms fcil adquirirlos que perder 7, 6 5, pero esto ocasionar que el tomo queda cargado
negativamente.
De aqu se desprende que los tomos que tienen 1, 2 3 electrones en su ltima rbita de valencia sean
llamados electropositivos y a esta clase pertenecen los metales; y los que tienen 5, 6 7 son llamados
electronegativos y son a los que pertenecen los no metales, y los que tienen 8 electrones no pertenecen a
ninguno de los dos lo cual los lleva a no tener tendencia a reaccionar con otros cuerpos y son los llamados
gases nobles.
Las fuerzas que ligan a los tomos en las molculas son llamados ligaduras enlaces de valencia y pueden
ser de diferentes tipos :
1) Enlace de coulomb enlace inico: son de origen electroltico y se efectan entre iones y no entre
tomos ordinarios.
2) Enlace homopolar covalente; se efectuan entre 2 electrones uno de cada tomo formando pares.
3) Metlico; son los que constituyen las molculas de los elementos metlicos
4) Van der waals; son los que se ejercen entre molculas gaseosas que se licuan solidifican por la
accin de la presin el descenso de la temperatura.

2.- EXPLIQUE LA TEORA DE LA ESTRUCTURA DE UN TOMO DE SILICIO

Es uno de los diferentes tipos de cristal que existen en la naturaleza con estructura tridimensional de
diamante por lo cual se le denomina estructura mono/cristalina.
El tomo aislado de silicio tiene 14 protones en el nucleo, lo cual nos lleva a decir que tiene tambin 14
electrones girando en sus rbitas concntricas ; representando esta estructura en un modelo de bhor se podr
observar que tiene2 electrones en su primera rbita, 8 en la segunda y 4 en la tercera que es la de valencia.
Los 14 electrones neutralizan la carga de los 14 protones de tal forma que el tomo se comporta
elctricamente neutro a cierta distancia. Y por el hecho de tener 4 electrones en su ltima rbita ( de valencia)
es llamado tetravalente.
3.- EXPLIQUE LA TEORA DE LA ESTRUCTURA DE UN TOMO DE GERMANIO.
La respuesta es similar a la anterior solo que en lugar de tener 14 electrones orbitando tiene 32 pero
tambin en su ltima rbita tiene solo 4 por lo que tambin es tetravalente. La distribucin de sus electrones
queda de la siguiente manera: 2 electrones en su primera rbita, 8 electrones en la segunda rbita 18
electrones en su tercera rbita y 4 en la cuarta rbita (la de valencia).
4.- PROPORCIONE EL NOMBRE DE UN ELEMENTO Y DE UN COMPUESTO QUE SE UTILICEN
COMO MATERIAL CONDUCTOR .
Elemento: Oro, plata, cobre, Aluminio y todos los metales
Compuesto:disoluciones acuosas de acidos por ejemplo acido clorihidrico, hidroxido de sodio agua con
cloruro de sodio (Agua con sal).
5.- PROPORCIONE LA DEFINICIN DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.
Tambin llamados metaloides y tienen propiedades que los sitan entre los conductores y los no
conductores, de ah como su nombre lo indica, semiconductor esta compuesta por el prefijo semi y la
palabra conductor, basandonos en esto, y sabiendo que el prefijo semi es aplicado normalmente a cualquier
cosa intermedia entre dos limites, podemos decir que es un material que tiene un nivel de conductividad entre
los extremos de aislador ( muy baja conductividad) y un conductor (alta conductividad); La caracterstica
principal es que no tiene ni ms ni menos de 4 electrones de valencia sino justamente 4 (entre ellos se
encuentran el germanio y el silicio) . Otra caracterstica es que conducen (a nivel microscpico) corriente de
electrones en un sentido y corriente de huecos en sentido contrario, a diferencia de los metales y no metales
que solo conducen corriente de electrones. Existen tres tipos de semiconductores; Intrnsecos (puros y en los
cuales la conduccin es por electrones y huecos), Extrnsecos tipo N (semiconductor tipo N y en los que la
conduccin es solo por electrones) y Extrnsecos tipo P ( semiconductor tipo P y en los que la conduccin es
solo por huecos).
6.- PROPORCIONE EL NOMBRE DEL ELEMENTO QUE SE UTILIZA COMO IMPUREZA DONANTE
PARA FORMAR UN CRISTAL TIPO N.
Algunos de los elementos pentavalentes o impurezas donantes que son utilizados para formar un
semiconductor tipo N son: El arsnico As, el antimonio Sb y el fsforo P.
7.- DE EL NOMBRE DEL ELEMENTO QUE SE UTILIZA COMO IMPUREZA RECEPTORA
ACEPTORA PARA FORMAR UN CRISTAL TIPO P.
Algunos de los elementos trivalentes o aceptoras, receptoras que son utilizadas para formar un
semiconductor tipo P son: El Aluminio, Boro, Galio.
8.- QU ES UNA LIGADURA COVALENTE?
Es el enlace en el cual dos tomos se unen mediante la ligadura que comparte uno o ms electrones.
Existen 3 tipos:
Polar.- Cuando comparten de una manera desigual a los electrones ejemplo H2O

No polar.- Cuandos 2 atomos del mismo elemento se unen. Ejemplo: O2

Coordinado o dativo.- cuando uno de los atomos aporta el par de electrones libres y comparte con otro
atomo para formar sus 8 en la rbita de valencia
Un tomo aislado de silicio tiene cuatro electrones en su ltima rbita de valencia, estos tomos se
combinan de modo que llegan a tener ocho electrones en la rbita de valencia. Para que esto se cumpla, cada
tomo debe situarse entre otros cuatro: De esta manera cada vecino comparte un electrn con el tomo
central, lograndose de esta forma que cada tomo capte cuatro electrones , haciendo con ello un total de ocho
en su rbita de valencia. Realmente los electrones ya no pertenecen a un solo tomo sino que estn
compartidos por los tomos adyacentes. A este mecanismo de distribucin es a lo que se llama Enlace
covalente ligadura covalente.
9.- EXPLICAR EN QUE CONSISTE UN CRISTAL TIPO N
Un cristal o semiconductor tipo N es aquel que se forma por la contaminacin (o dopaje) de un
semiconductor intrnseco tetravalente, el cual contiene 4 electrones en su ltima rbita la cual es llamada de
valencia, como el silicio germanio con un material pentavalente como el fsforo, el cual tiene 5 electrones
libres en su ltima rbita llamada de valencia, estos ltimos tomos que los centrales al realizar sus enlaces
covalentes con sus vecinos tiene un electrn extra que no interviene en el enlace, y como la rbita de valencia
no puede acomodar ms de ocho electrones, el electrn adicional debe de desplazarse a una rbita de
conduccin; por todo lo anterior se tiene una gran cantidad de electrones en la banda de conduccin
producidos en mayor parte por la contaminacin y solo hay poco huecos de donde: a los electrones se les
denominan Portadores Mayoritarios y a los huecos Portadores Minoritarios.
10.- EXPLICAR EN QUE CONSISTE UN CRISTAL TIPO P
Es similar a la anterior solo que aqu se dopa con un material trivalente como el aluminio, boro galio,
el cual en su ltima rbita tiene solo tres electrones por lo cual al realizar los enlaces covalentes aparecera un
hueco nen cada uno de los tomos, y por lo tanto aqu los Portadores Mayoritarios son los huecos y los
minoritarios los electrones.
11.- EXPLIQUE A LO QUE LE LLAMA UNA UNIN P-N.
La unin cristalina no es un lmite bien definido entre dos regiones de tipo distinto de un semiconductor,
sino ms bien la regin cristalina donde existe una variacin en el tipo de impurezas encontrado cuando se
pasa de un tipo de semiconductor a otro. Tomando en consideracin lo anterior podemos decir que una unin
P-N es la unin de un material semiconductor tipo P (con todas sus caractersticas ya mencionadas) y un
material tipo semiconductor tipo N. De hecho si se desplaza de un semiconductor a otro, se pasar de una
concentracin en impurezas trivalentes (Indio) a una concentracin en impurezas pentavalentes (arsnico)
viceversa, y la regin en la cual se opera este cambio de concentracin se le denomina regin de unin P-N
N-P y el conjunto de estos dos semiconductores as formados se llama Diodo Semiconductor.
12.- DIBUJE Y EXPLIQUE EL EFECTO DE UN VOLTAJE DIRECTO EN LA UNIN P-N.
Cuando el diodo es polarizacin en forma directa como se muestra en la figura los huecos que son los
portadores mayoritarios del semiconductor tipo P se repelen a las cargas positivas proporcionadas por la
fuente de alimentacin ( batera) concentrandose de esta forma hacia el centro de la unin, es decir, hacia la
juntura regin de unin, y por otra parte los electrones que son los portadores mayoritarios del
semiconductor tipo N se repelen por las cargas negativas proporcionadas por la fuente de alimentacin y de
igual forma se concentran o desplazan hacia la regin de unin; Esto da lugar a que solo se requiera aplicar
una diferencia de potencial pequea, superior a el volteje de ruptura o conduccin ( promedio 0.7 V) para que
los electrones del semiconductor tipo N pasen a fusionarse con los huecos del semiconductor tipo P y de esta
forma exista un movimiento de electrones en un sentido y un movimiento de huecos en el sentido contrario y
el diodo conduzca, y de esta forma el diodo se comporte como un conductor interruptor cerrado.

13.- DIBUJE Y EXPLIQUE EL EFECTO DE UN VOLTAJE INVERSO EN LA UNIN P-N.

La explicacin es similar a la anterio solo que ahora en lugar acercarse a la regin de unin juntura, se
alejan de ella, provocando con ello que la regin de unin ( regin de agotamiento) se expanda y de esta
forma se requiera una diferencia de potencial muy grande para que los huecos y electrones se fusionen,
logrando con ello que el diodo no conduzca o se considere como un circuito abierto o no conductor.
(Normalmente cuando el voltaje aplicado en forma inversa al diodo, como lo es este caso, es demasiado
grande si llega a conducir pero porque el diodo se destruye y se pone en corto normalmente.).

14.- DIBUJE EL SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR E INDIQUE EL NOMBRE DE SUS

PARTES Y EL SENTIDO EN QUE FLUYE LA CORRIENTE ELCTRICA A TRAVS DE EL.

15.- CUAL ES LA FUNCIN DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.?

Su funcin es la de solo conducir en un solo sentido y en el sentido contrario comportarse como un
circuito abierto, esto ocaciona que pueda ser ocupado como un interruptor electrnico o tambin como
rectificador, es por ello que tambin se le conoce como diodo rectificador
16.- DIGA TRES TCNICAS O MTODOS PARA CONTAMINAR UN CRISTAL SEMICONDUCTOR.
a) De punta de contacto
b) De crecimiento cristalino
c) De aleacin
d) De difusin.

17.- QU ES UN ELECTRODO EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES? Es el contacto

metlico que permite conectar al dispositivo con otros componentes en un circuito.

18.- QUE ES UNA TERMINAL EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES?

Es un contacto metlico que se deposita por lo regular por evaporacin, puede ser aluminio, oro, plata,
etc y tiene la finalidadad de servir como conexin del dispositivo con otros dispositivos.

19.- EN QUE SE EMPLEAN LOS DIODOS DE CRISTAL O DE CORRIENTES PEQUEAS?

Normalmente son diodos de punta de contacto y sirven para rectificar corrientes de baja potencia y alta
frecuencia pero principalmente como detectores.
El diodo de germanio es de dimensiones muy reducidas pues su tamao semeja a un resistor de 1/8 de
watt, tambin son llamados bigote de gato.
20.- EN QUE SE EMPLEAN LOS DIODOS DE POTENCIA?
Normalmente son diodos de silicio y generalmente son del tipo de dos masas de juntura y sirven como
rectificadores de corriente en circuitos en los cuales se manejan grandes corrientes y voltajes de polarizacin
lo cual quiere decir que son usados para rectificar seales de gran potencia.
21.- DIBUJE
PRINCIPAL?

EL SIMBOLO DE UN DIODO ZENER

Y MENCIONE SU CARACTERSTICA

LA caracterstica principal es que el diodo zener se utiliza como tal en polarizacin inversa porque en
polarizacin directa se comporta como un diodo normal, de ah que sea utilizado como regulador de voltaje y
sea de este nodo considerado la piedra angular de los reguladores de voltaje, es decir este tipo de diodo
trabajan precisamente en la regin zener que se encuentra en la regin de polarizacin inversa.
22.- DIBUJE EL SIMBOLO DE UN DIODO VARACTOR Y DIGA CUAL ES SU FUNCIN PRINCIPAL.
Son diodos que operan en la regin de polarizacin inversa, empleando la regin de agotamiento como el
ancho de un aislante en un capacitor. Al cambiar el voltaje de polarizacin, el ancho de la regin de
agotamiento se modifica y con ello modifica la capacitancia del dispositivo. A mayor voltaje inverso menor
capacitancia.
C= (A)/W
Wes el ancho de la regin de agotamiento
AArea de la seccin transversal del diodo.
--- permitividad del material semiconductor.