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Electrnica Bsica

Materiales Semiconductores

Profesor: Jair Villanueva D.

Introduccin
El desarrollo de la electrnica desde sus dispositivos
ms sencillos como los diodos y transistores, hasta los
circuitos integrados que pueden contener millones de
elementos en un rea muy pequea se ha producido
gracias a la capacidad de manipular los denominados
materiales semiconductores, los cuales poseen
propiedades intermedias entre los conductores y los
materiales aislantes.

Conceptos bsicos:
Cristales:.
Sus tomos estn dispuestos de una manera
peridica, llamada rejilla a cuyo volumen se le
da el nombre de celda bsica.
Los ms utilizados para construccin de diodos,
son el Germanio y el Silicio.

Segn su grado de pureza, pueden ser


de dos tipos
Cristales intrnsecos:
Llamados tambin cristales puros, ya
que poseen un alto grado de pureza.

Cristales extrnsecos:
Llamados tambin cristales
impurificados, o dopados con
tomos de sustancias ajenas
al cristal.

Veamos cmo se estructura un


cristal de Silicio.....
Un tomo de Si al centro de la
celda base......
Y 4 tomos iguales alrededor de
ste, ligados a l compartiendo
electrones entre s.
En esta representacin pueden
verse
los
electrones
perifricos de cada tomo de
Si que participan en los
enlaces covalentes.
Permitiendo que el tomo del
centro quede con 8 electrones
en su ltima rbita.

Enlaces
covalentes

El material es qumicamente estable


Es elctricamente neutro
En estas condiciones, un cristal de tal pureza es mal conductor de la
corriente elctrica.

DOPADO
Se pueden alterar las condiciones elctricas originales de un material
intrnseco mediante la impurificacin del cristal.

Esto se logra aplicndole tomos diferentes a los originales. Bien sea


de los del grupo III o del grupo V de la tabla peridica.

Al impurificar el cristal, cambiarn sus condiciones atmicas tanto


qumica como elctricas.

Dopado con Grupo V


Veamos el caso de
impurificacin
mediante tomos
pentavalentes
(grupo V), como
el Fsforo.

Si
Si
Si

Si

Si

El cristal de Silicio

Dopado con Grupo V [2]


Si
Si

Carga negativa

El elemento P da
lugar
a
que
aparezca
una
carga
negativa
dentro de la celda
de
Silicio
impurificada.

Si

Si

El cristal de Silicio

As se vera el
fenmeno de la
impurificacin del
cristal de Si con un
tomo pentavalente

Electrn perifrico que


no participa en ningn
enlace. Capaz de
liberarse de su tomo
padre......

Dejando detrs de s,
un hueco en el tomo
de Fsforo

Se convierte
en electrn
libre

Este electrn libre


viajar hasta donde
encuentre un nuevo
hueco donde alojarse,
producindose
el
fenmeno
de
recombinacin

hueco
electrn
libre

Recombinacin Hueco-electrn
electrn
libre

Otro electrn libre,


que provenga de otro
tomo, puede llegar a
ocupar el hueco que
dej el primero

hueco
electrn
libre

Si

Si

Y el fenmeno puede
repetirse sucesivamente,
mientras las condiciones
sean
propicias,
establecindose un flujo
de electrones libres a
travs del cristal.

Si

Si

Si este fenmeno se presenta, no solamente en una


celda de Silicio, sino en la pieza de cristal completa
que se ha seleccionado, se tendr un cristal de
Silicio impurificado ......
En el cual, cada tomo de impureza (Fsforo) da lugar
a la presencia de una carga negativa....
A partir del proceso explicado se obtiene un cristal de
Si en el cual existen cargas elctricas negativas
libres, capaces de transportar la energa elctrica de
un punto a otro. Esta es una razn para denominar al
cristal obtenido material extrnseco tipo n.

Dopado con Grupo III


Veamos el caso de
impurificacin
mediante
tomos
trivalentes (grupo III),
como el Boro.

Si
Si

tomo de Boro
Ocupando el lugar de
un tomo de Silicio
que,
en
otras
condiciones, debera
ubicarse en el centro.

Si

Si

El cristal de Silicio

cada tomo de impureza (Boro) da lugar a la


presencia de una carga positiva....
A partir del proceso explicado se obtiene un
cristal de Si en el cual existen cargas
elctricas positivas, capaces de transferir la
energa elctrica de un punto a otro. Esta es
una razn para denominar al cristal obtenido
material extrnseco tipo p.

El Diodo Semiconductor
El trmino diodo, obedece al hecho de que se trata de un
dispositivo electrnico con dos terminales o electrodos.
Dispositivo formado por dos capas de material slido cristalino
(usualmente Germanio o Silicio), cuya caracterstica principal es
que puede permitir el paso de la corriente elctrica a travs de l,
en determinadas condiciones, mientras que puede interrumpirla en
otras.
Una capa llamada nodo o material tipo p, se identifica como la
terminal positiva; mientras que la segunda, es el ctodo o material
tipo n y se identifica como la terminal negativa.

nodo

n
unin

ctodo

Material tipo p
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
- - - -

+
+
+
+
+
-

Al llevarse a cabo la
unin de los dos
tipos de material,
siguiendo una
tcnica determinada.

+
-+
-+
-+
-+
+

+
+
+
+
+
-+

Material tipo n
- - - - - - - - - - + + +

Los huecos del material


tipo p y los electrones del
material tipo n, cercanos a
la unin se recombinan en
parejas.......

Material tipo p
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
- - - -

+
+
+
+
+
-

Debido a esto, en
esta zona no
puede haber
portadores de
energa, ni
negativos ni
positivos.

+
-+
-+
-+
-+
+

+
+
+
+
+
-

Material tipo n
- - - - - - - - - - + + +

A esta zona se le
denomina regin de
agotamiento o de
empobrecimiento.

Polarizacin Inversa [1]


Consiste en aplicar un voltaje al diodo, de
manera que el positivo de la fuente va al
ctodo y el negativo de la fuente se conecta
al nodo.
nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

Ctodo

Polarizacin Inversa [2]


Integraremos al diodo en un circuito elctrico simple, formado por una
fuente de voltaje de cd, una lamparita de cd y un diodo
semiconductor, complementado por un interruptor.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

Ctodo

interruptor

Fuente de cd

Polarizacin Inversa [3]


Al cerrar el interruptor suceder lo siguiente:
Los electrones libres del material tipo n son atrados por el polo
positivo de la fuente; alejndolos de la unin del diodo.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

-- - -- - -- - -- - -- - + +

-----+

Ctodo

interruptor

Fuente de cd

Polarizacin Inversa [4]


Se tiene como resultado que la zona de empobrecimiento se
ensancha, aumentando su barrera de energa, dado que cada vez
hay menos portadores en esa zona.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+ +
- - -

lmpara

-- -- -- -- -- + + + +

-----+

Ctodo

interruptor

Polarizacin directa [1]


Consiste en aplicar un voltaje externo al diodo, de
manera que el positivo de la fuente va al nodo y el
negativo de la fuente se conecta al ctodo.
nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

Ctodo

Polarizacin directa [2]


Incorporaremos al diodo en un circuito elctrico simple, formado
por una fuente de voltaje de cd, una lamparita de cd y un
interruptor.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

Ctodo

interruptor

Polarizacin directa [3]


Los electrones libres del material tipo n son atrados por el polo
positivo de la fuente; acercndolos a la unin del diodo.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

- -- - -- - -- - -- - -- + +

Ctodo

interruptor

Fuente de cd

Polarizacin directa [4]


La zona de empobrecimiento se reduce, y por consecuencia,
tambin se reduce la barrera de energa que se opone al flujo
de los portadores de carga.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

- - - - - + +

Ctodo

interruptor

Polarizacin directa [5]


Se dan las condiciones para que los electrones del material
tipo n puedan cruzar la barrera de energa en la unin y
recombinarse con los huecos del material tipo p.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

- - - - - + +

Ctodo

interruptor

Los electrones salen del diodo a travs de la terminal nodo, para


viajar por el conductor hasta llegar al polo positivo de la
fuente, pasando por la lamparita. Salen electrones del polo
negativo de la fuente y se integran al diodo a travs de la
terminal ctodo. Establecindose as, un flujo de electrones en
el circuito.

nodo

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

+
+
+
+
+
-

lmpara

+
+
+
+
+
-

- - - - - + +

Ctodo

interruptor

Curva caracterstica del diodo


semiconductor
VD = Voltaje de
polarizacin
ID = Corriente de
diodo.
ID es Negativo para
polarizacin inversa y
Positivo para directa.
IS = Corriente de
saturacin inversa
VBR
=
Breakdown
Voltage (Voltaje de
ruptura)
VT
=
Voltaje
de
conduccin

El diodo semiconductor

nodo
nodo

Terminal

Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)

Contacto metalsemiconductor

P
N

Ctodo

Oblea de
semiconductor
Contacto metalsemiconductor

Marca
sealando el
ctodo

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos
Axiales

1N4148
(Si)

DO 201

DO 204

1N4007
(Si)

Encapsulados de diodos de potencia


D 61
TO 220 AC

DOP 31

DO 5

TO 247
B 44

Concepto de diodo ideal


En polarizacin directa, la cada
de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida

i
nodo

+
V

Ctodo

curva caracterstica

V
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada

Diodo Ideal: 1a aproximacion

2a Aproximacin

3a Aproximacin

TIPOS DE DIODOS