Curso:

Circuitos electrnicos I

Tema:
polarizacion

Transistor bipolar de juntura,

Tipo de informe:

Informe Previo

PROFESOR:

E.Morales

INTEGRANTES:

Martnez Gmez Alvaro Andr

2014

1. Defina a un transistor bipolar. Explique su funcionamiento y sus

principales caractersticas. Dar caractersticas de 4 transistores.
Averiguar los precios respectivos del mercado de artculos
electrnicos.

Definicin: El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction

Transistor, o sus siglas BJT) GART es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dosuniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Funcionamiento: En una configuracin normal, la unin base-emisor se

polariza en directa y la unin base-colector en inversa.1 Debido a la
agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la
regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin baseemisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una
tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta
en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la
base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Aqu tenemos 4 tipos de transistores , de los cuales el primero tiene

un costo de $0.30 , en segundo $3.50 , el tercero $0.50 , y el cuarto
que es el enchapado cuesta $1.50.

2.Dar conceptos y destaque la importancia de Punto de operacin Q

, recta de carga DC , recta de carga AC, polarizacin del
transistor,Estabilizacion del punto Q , alfa , beta , Icbo , Vceo,
Vcbo , V ebo.

es la corriente de colector.

es la corriente de base.

es la corriente de emisor.

es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998)

es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios)

es el voltaje trmico
300 K).

es la tensin base-emisor.

(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

es la tensin base-colector.
Punto Q , punto de trabajo del transistor.

Recta de Carga Ac: La Recta de Carga Dinmica se obtiene al analizar

la malla de salida del circuito equivalente de AC. Est formada por la
sucesin de los pares de valores (vCE, iC). Notar que a diferencia del
caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna
ms continua) tanto de tensin como de corriente. Para obtener la
ecuacinmate mtica de esta recta f(vCE,iC) = 0, analizamos la malla de
salida del circuito equivalente en alterna.
Recta de Carga Dc: La Recta de Carga Esttica representa la sucesin
de los infinitos puntos de funcionamiento que puede tener el transistor.
Su ecuacin se obtiene al analizar la malla de salida del circuito
equivalente en continua. La Recta de Carga Esttica est formada por los
pares de valores (VCE, IC) que podra tener el transistor con esa malla de
salida. Para obtener su ecuacin matemtica f(VCE,IC) = 0, planteamos
las tensiones en la
malla de salida del
circuito
equivalente en DC.

3.Explique las 3 formas bsicas de polarizacin de un transistor:

Polarizacin fija.

Es la polarizacin o
circuito ms
inestable de los 3
porque el punto de
reposo vara con
el (BETA ganancia del
transistor) y con la
temperatura.
No nos conviene
porque si debemos
cambiar el transistor
por otro igual se

movera el punto
de reposo debido a
que la ganancia del
nuevo no va a ser
exactamente igual al
del que sacamos.

Polarizacin Colector-base

Esta polariz
unarealimen
de Rb y la v
interferencia

Auto polarizacin

Este circu
reposo ape
eso es ms
Para que e
10 veces m
(RE).

4. Es cierto que a mayor valor de Re mejor es la estabilidad? Que

limita el valor de Re?
Si , en cuanto ms grande sea la fraccin de la tensin mejor es su estabilidad.
La resistencia emisor , tiene que ser 10 veces menor o menos que la resistencia
colector, para que el transistor trabaje en la recta de carga.

BIBLIOGRAFIA

https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitoselectronicos-analogicos/transparencias/tema-3
http://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-deltransistor-bjt/polarizacion-del-transistor-bjt.shtml
http://onepiece.wocial.com/general/1598052/logra_tocar_l
uffy_enel
http://www.buenastareas.com/ensayos/Construccion-DeLa-Recta-De-Carga/6325421.html
http://mx.answers.yahoo.com/question/index?
qid=20101121132211AAF7nq0