1.

Transistor Unijuno(UJT)
um dispositivo semicondutor com trs terminais e uma juno, Fig1. basicamente
uma barra de material N (P no complementar) na qual existe uma ilha de material P.

Fig1: Transistor unijuno

Um dos terminais chamado de emissor (E) e de material tipo P. Entre as
extremidades da barra existem dois terminais, a base 2 (B2) e a Base1 (B1). Entre
essas extremidades o dispositivo apresenta uma resistncia hmica chamada resistncia
interbases (RBB) cujo valor est compreendido entre 5K e 10K. Entre B2 e a juno
existe uma resistncia Rb2 e entre a juno e B1 uma resistncia Rb1. A soma dessas
duas resistncias igual a RBB= Rb1 + Rb2. O circuito equivalente e a polarizao do
UJT esto indicados na Fig2.

(a)

(b)

Fig2: ( a ) Polarizao e ( b ) circuito equivalente do UJT

Na Fig2b enquanto VE < 0,7 + VRb1
reversamente polarizado.

o UJT estar cortado, pois o diodo est

VRb1 = = .VBB onde =

outro parmetro do UJT chamado de razo intrnseca de disparo.

Tipicamente o valor de (eta) est compreendido entre 0,5 e 0,8.
Quando VE = 0,7 + .VBB = VP = tenso no ponto de pico, o diodo fica polarizado
diretamente e o UJT dispara. O termo disparo usado por analogia ao disparo de uma
arma, significando uma mudana brusca de condio. A explicao fsica para o disparo
dada pela realimentao positiva interna. Aps ter disparado, o UJT s voltar a
cortar novamente quando a tenso de emissor cair abaixo de um valor crtico chamado
tenso de vale, VV. Abaixo da tenso de vale a juno volta a ficar polarizada
reversamente novamente. A Fig3 mostra a curva caracterstica de um UJT, indicando os
principais pontos (ponto de pico e ponto de vale) e as tres regies de operao (Corte,
saturao e regio de resistencia negativa).

Fig3: Curva caracterstica de entrada

1.1Oscilador de Relaxao
Uma das principais aplicaes do UJT como oscilador de relaxao. Na Fig4a quando
a alimentao ligada a primeira vez, o capacitor se encontra descarregado, logo VC =
VE = 0, portanto o UJT estar cortado ( IE =0). Nessas condies o capacitor comea a
se carregar atravs de R, tendendo a tenso nele para +VCC com constante de tempo =
2

R.C.
Quando VC = VP = = 0,7V+ .VBB o UJT dispara fazendo o capacitor se descarregar
atravs do UJT e da resistncia RB1. Quando VC cair abaixo de VV o UJT corta e C volta
a se carregar , e o ciclo se repete.

(a)
(b)
Fig4: Oscilador de relaxao ( a ) Circuito e ( b ) formas de onda
O perodo das oscilaes calculado por : T = R.C. ln2
1.2Gerador de Dente de Serra
um circuito derivado do oscilador anterior. Da teoria de circuito sabemos que se um
capacitor se carrega atravs de uma corrente constante I, a tenso em C varia
linearmente com o tempo de acordo com a expresso
VC = .t
Quanto maior o valor da corrente (fixado C), mais rapidamente se carregar o capacitor.
Por outro lado se aumentarmos o valor de C levar mais tempo para carregar C. A
inclinao da reta na Fig5b depende da relao entre a corrente que carrega o capacitor
e o valor do mesmo.

Fig5: Carga de capacitor por corrente constante

O circuito basicamente o mesmo da Fig4a, a diferena que a corrente que carrega o
capacitor nesse caso constante, sendo igual corrente de coletor (IC).

(a)

(b)

Fig6: Gerador dente de serra ( a ) circuito com transistor ( b ) circuito com fonte de
corrente ideal
No circuito da Fig6.a, o transistor, R1, R2 e R simulam uma fonte de corrente constante,
desta forma a carga de C linear. Quando VC atingir Vp, o UJT dispara e C se
descarrega bruscamente, e quando VC for menor do que VV o UJT volta ao corte e o
ciclo recomea. A Fig6b mostra a forma de onda da tenso no capacitor.

Fig7: Forma de onda da tenso no capacitor (Dente de serra) no circuito da fig6

2. DIODO DE QUATRO CAMADAS UNILATERAL

O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a famlia, o diodo
de quatro camadas ou diodo Shockley ( no confundir com o diodo Schottky, diodo
com duas camadas e usado para altas freqncias). As figuras a seguir mostram a
estrutura, smbolo e curva caracterstica.

(a)

(b)

(c)

Fig1: Diodo de quatro camadas unilateral ( a ) Estrutura de 4 camadas ( b ) Smbolo

( c ) Curva caracterstica
Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando
altssima resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (UBK) o diodo
ser destrudo. Com polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a
tenso for menor do que um valor chamado de tenso de breakover (UBO). Acima deste
valor o dispositivo dispara passando a conduzir, somente voltando a cortar quando a
tenso (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de
manuteno, UH (IH).
Qualquer mecanismo que provoque um aumento interno de corrente pode disparar a
estrutura de 4 camadas, dentre eles temos:

Aumento de temperatura
Incidncia de radiao luminosa (LASCR)
Taxa de variao de tenso (dv/dt)
Injeo de corrente (SCR)

Para explicar o disparo da estrutura de 4 camadas usamos o modelo com dois

transistores, um NPN e outro PNP como na figura a seguir.

Fig2: Diodo de 4 camadas unilateral - Circuito equivalente com transistores

A corrente de anodo pode ser determinada em funo dos ganhos de corrente dos
transistores (1 e 2) resultando a expresso a seguir:

desta expresso conclumos que, para baixos valores de corrente (corte) como os valores
dos ganhos so tambm baixos, ento a corrente de anodo tem valor prximo da
corrente de fuga
Quando a tenso aplicada se aproxima da tenso de disparo, os valores dos ganhos
aumentam. Quando a soma tende para 1 ocorre o disparo. Esse mecanismo de disparo
por tenso. Caso seja injetada uma corrente em um terceiro terminal o disparo pode
ocorrer com valores de tenso bem abaixo da tenso de breakover.

2.1. RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO (SCR)

2.1.1 INTRODUO
Um SCR basicamente um diodo de 4 camadas unilateral no qual foi colocado
um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do
diodo por injeo de corrente.

(a)

(b)

(c)

Fig3: SCR ( a ) Estrutura de 4 camadas ( b ) Smbolo ( c ) Curva caracterstica

2.2. REGIES DE OPERAO:

O SCR tem trs regies de operao, consideradas a seguir, com IG = 0 :
2.2.1. Bloqueio Reverso: O anodo negativo em relao ao catodo, nessas condies o
SCR se comporta exatamente como um diodo comum. Se a tenso reversa aumentar
alm da tenso de breakdown (UBK ), o SCR ser destrudo pelo efeito avalanche.

Fig4: SCR polarizado reversamente - Bloqueio reverso

2.2.2. Bloqueio Direto: O anodo positivo em relao ao catodo, mas a tenso no
suficiente para disparar o SCR. Para disparar o SCR com o gate aberto (IG = 0 )
necessrio que a tenso de anodo atinja um valor chamado de tenso de breakover (UBO
). Se UA for menor do que UBO o SCR continuar cortado.

Fig5: SCR polarizado diretamente mas cortado - Bloqueio direto

2.2.3. Conduo (Disparo): Quando a tenso de anodo atingir o valor UBO, o SCR
dispara, isto , a corrente de anodo passa bruscamente de zero para um valor
determinado pela resistncia em srie com o SCR. A tenso no SCR cai para um valor
baixo (0,5V a 2V).

Fig6: SCR polarizado diretamente aps o disparo

Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A
tenso de anodo cai para um valor baixo ( 0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar
quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de

manuteno, UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR (Por exemplo o TIC106 tem
IH 0,5mA enquanto o TIC116 tem IH 15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de 4 camadas pode ser representado por dois
transistores ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro
eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de 4
camadas para valores de tenso menores do que UBO. Na realidade quanto maior for a
corrente injetada menor a tenso de anodo necessria para disparar a estrutira de 4
camadas, da o nome de Diodo controlado para esse dispositivo.

Fig07: Circuito equivalente para o SCR

2.3.A Porta (Gate)

Se for injetado uma corrente na porta (gate), ser possvel disparar o SCR com tenses
de anodo bem menores do que UBO. Quanto maior a corrente de porta injetada, menor a
tenso de anodo necessria para disparar o SCR, dai o nome diodo controlado.
Aps o disparo o gate perde o controle o sobre o SCR, isto , aps o disparo o
gate pode ser aberto ou curto circuitado ao catodo que o SCR continua conduzindo. O
SCR s volta ao corte quando a corrente de anodo cair abaixo da corrente de
manuteno.
A tenso mxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no sentido direto
com IG = 0 como vimos chamada de UBO, mas muitas vezes designada de VDRM esta
informao muitas vezes vem codificada no corpo do SCR, por exemplo :

TIC 106 Y - 30V

MCR 106-1

- 30V

TIC 106 F - 50V

MCR 106-2 - 60V
TIC 106 A - 100V
MCR 106-3 100V
TIC 106 B - 200V
MCR 106 4
200V
TIC 106 C - 300V
MCR 106 5 - 300V
TIC 106 D 400V
MCR 106 6 - 400V
Outra informao importante a mxima tenso reversa que pode ser aplicada sem que
ocorra breakdown, designada por VRRM, tipicamente da mesma ordem de VDRM. Os
valores de corrente tambm devem ser conhecidos, IT, a mxima corrente que o SCR
pode manipular e pode ser especificada em termos de valor continuo ou eficaz (RMS) e
depende da temperatura e do ngulo de conduo (F). Por exemplo, o TIC 106 pode
conduzir uma corrente continua de at 5A.
A corrente de gate necessria para disparar o SCR designada I GT e pode ser da ordem
de A no caso do TIC 106.
3. CIRCUITOS COM SCR EM CC.
Em CC deve ser previsto circuito de reset aps o SCR disparar. No circuito a seguir a
chave A usada para disparar e a chave B para resetar o SCR.

Fig8: SCR - Circuitos de disparo por CC

Experincia 01: Diodo de 4 Camadas - Circuito Equivalente com Transistores
10

1) Abra o arquivo ExpEI06 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.

2) Para verificar o funcionamento do circuito use a chave D para disparar e a chave R

para desligar o circuito.
3) Concluses:
Experincia 02: SCR em CC - Disparo por CC com Carga CC
1) Abra o arquivo ExpEI07 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.
Inicialmente importante que a chave L esteja aberta (chave geral).
2) Ligue o boto de simulao e verifique o funcionamento, atravs das chaves D e R
(D1) e A e B (D2).

3) Concluses:
Experincia 03: SCR em CC - Alarme
11

1) Abra o arquivo ExpEI08 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.

Inicialmente importante que a chave L esteja aberta (chave geral).
2) Ligue o boto de simulao e em seguida a chave L, e verifique o funcionamento
atravs das chaves R, A e B.

3) Concluses:
Experincia 04: SCR em CC - Biestavel
1) Abra o arquivo ExpEI09 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.

2) Inicie a simulao e verifique o funcionamento co circuito atravs dos Push Bottom

A e B.
3) Concluses:
4. SCR - Disparo por CC - Carga CA
12

Como foi visto anteriormente, quando o disparo em CC com carga CC , necessrio

circuito de reset para cortar o SCR, ao mesmo tempo no necessrio manter corrente
no gate. Quando o disparo por corrente contnua (CC) mas a carga CA, para manter
o SCR conduzindo necessrio manter sinal no gate, pois se o sinal de gate for
retirado, o SCR cortar quando a tenso de anodo passar por zero. A Fig1a mostra um
circuito com disparo CC e carga CA e a Fig1b a forma de onda na carga quando a chave
CH fechada num instante t1 e aberta em t2.

(a)

(b)
Fig01: Disparo por CC com carga CA ( a ) circuito ( b ) forma de onda
No circuito da Fig1a observar que, ao fechar a chave o SCR s disparar se a tenso de
anodo for positiva. A partir desse instante toda a tenso da rede cair sobre a carga e a
tenso no SCR ser de aproximadamente 1V. Se a carga for resistiva podem ocorrer
picos de corrente excessivamente altos os quais podem destruir o SCR e/ou a carga.
Para evitar isso que existem circuitos que s disparam o SCR quando a tenso da rede
for prxima de zero, chamados de ZVS ( Zero Voltage Switch ).

4.1. Disparo CA - Carga CA - Retificador Controlado Meia Onda

13

No disparo por CA a alimentao de anodo e de gate obtida da mesma fonte senoidal.

O controle de disparo feito controlando-se o instante (ou o angulo de disparo) em que
o SCR gatilhado no semi-ciclo positivo. Para melhor compreenso vamos supor que o
SCR da Fig2 entra em conduo no instante que a tenso de entrada estiver passando
por um angulo de fase F, chamado de ngulo de disparo. A conduo comea nesse
ponto e termina quando a tenso de anodo cair abaixo da tenso de manuteno, UH, que
consideraremos desprezvel face tenso de pico da rede, VM.A Fig2b mostra as
principais formas de onda referentes Fig2a.

(a)

(b)
Fig02: Disparo por CA com carga CA ( a ) circuito genrico ( b ) formas de onda de entrada e carga
Tenso Media na Carga (VDC)

14

A tenso na carga tem um valor mdio (V DC) e um valor eficaz (V RMS) que podem ser
calculados usando o calculo diferencial e integral. Atravs do clculo diferencial e
integral pode-se demonstrar que a tenso mdia (contnua ) na carga calculada por :
VDC =

= tenso mdia (contnua ) na carga

Obs: A tenso mdia a tenso que ser medida por um voltmetro CC.
Por exemplo se F = 0 resulta

e a forma de onda corresponde forma de

VDC=

onda de um retificador meia onda com diodo comum.

Se F = 180 resulta VDC = 0, isto , no existe tenso na carga.
Tenso Eficaz (VRMS)
Por clculo integral tambm obtm-se a expresso que d a tem eficaz (VEF ou VRMS) na
carga:
VRMS =

= tenso eficaz na carga

Por exemplo se F = 0

VRMS =

que igual ao mesmo valor da tenso

do retificador de meia onda.

Se F = 180

VRMS = 0

Obs: A tenso eficaz est relacionada potncia dissipada na carga

Exerccio Resolvido
Considere que no circuito da Fig2a o angulo de disparo 60 e que RL=100. Calcular :
a) Tenso e corrente contnua na carga b) Potncia dissipada na carga
Dados : ve =110,

senwt(V)

F = 60,

Soluo: a)

cos60 = 0,5
logo
=

PD =

VM =110.

senwt(V

IDC = 37V/100 =0,37A

.

= 75V

= 56,25W

15

Retificador Controlado de Onda Completa em Ponte

Um melhor aproveitamento da tenso da rede ser obtido se incluirmos um retificador
de onda completa antes da carga como indicado na Fig3.

(a)

(b)
Fig03: Retificador de onda completa ( a ) circuito genrico ( b ) formas de onda de entrada e carga

16

Neste caso a tenso continua e a tenso eficaz na carga so calculadas por:

VDC =

= tenso continua na carga

VRMS =
No caso de F = 0

= tenso eficaz na carga

VDC =

VRMS =

que so os mesmos valores do circuito retificador de onda completa.

No caso de F = 180 VDC = 0
CC com Carga CA

e VRMS = 0 Experincia 01: SCR com Disparo por

1) Abra o arquivo ExpEI09 (MultiSIm2001) e identifique o circuito a seguir.

2) Inicie a simulao, observando as formas de onda do gerador (azul) e na carga
(vermelho). Verifique o funcionamento ligando e desligando a chave B. Ateno para
que a chave seja ligada a janela deve estar ativada (parte superior da tela azul, caso
esteja cinza clique com o mouse na rea cinza). E dar a concluso:

4. Exemplos Prticos:CIRCUITO 1: Neste circuito o angulo de disparo no mximo

90, pois a tenso de anodo e a tenso de gate esto em fase. O diodo protege o gate de
tenso reversa no semiciclo negativo. Se RV aumentar o angulo de disparo aumenta,
pois ser necessrio mais corrente ( portanto mais tenso) para disparar o SCR.

17

Fig01: Circuito

de disparo1

CIRCUIT 2: No circuito a seguir o capacitor atrasa a tenso de gate em relao

tenso de anodo , permitindo que o SCR possa disparar alm de 90 no semiciclo
positivo. No semiciclo negativo O diodo D1 impe sempre as mesmas condies
iniciais no comeo de cada semi ciclo positivo.

Fig02: Circuito

de disparo2

CIRCUITO 3: O circuito da Fig3 permite um controle de disparo de quase 0 a quase

180, permitindo um controle da potncia de aproximadamente mxima potncia a
quase zero.

5.DISPARO POR PULSO

Em algumas aplicaes importante que o angulo de disparo no se altere quando
trocamos um SCR por outro (de mesmo nome).Um exemplo em retificao polifsica

18

controlada, o angulo de disparo deve ser igual em todas as fases. Devido s diferenas
existentes nas caractersticas de gate entre SCRs da mesma famlia, se usssemos os
circuitos anteriores caso o SCR fosse trocado o angulo de disparo mudaria. A diferena
tanto maior quanto mais lenta for a variao da tenso de gate. A Fig4 mostra como a
velocidade da tenso (dv/dt ) influencia o angulo de disparo.

Fig4: Influncia da velocidade de crescimento da tenso de gate na mudana do angulo

de disparo
Podemos notar na Fig4 que o retardo introduzido (t ) quando o disparo feito por
pulso praticamente nulo, isto , caso o pulso tenha amplitude e durao suficientes ao
ser aplicado dispara todos os SCRs no instante que aplicado independentemente da
amplitude da tenso de disparo de gate (VGT). As diferenas existentes nas
caractersticas de gate no influenciam no angulo de disparo quando este feito por
pulso. A Fig5 mostra o circuito de disparo por pulso mais simples.

Fig5: Circuito de disparo por pulso.

19

Fig6: Forma de onda do circuito da Fig5

Da Fig6, importante observar que o primeiro pulso que dispara o SCR, quando
comea o semiciclo, os pulsos subseqentes no afetam mais o circuito. importante
notar tambm que no final do ciclo como a tenso no Zener (e conseqentemente no
UJT ) vai a zero, nesse instante o capacitor estar descarregado totalmente, e portanto
quando se iniciar novo semiciclo as condies iniciais sero as mesmas. Este
sincronismo importante para que o ngulo de disparo no mude de ciclo para ciclo, o
que ocorreria se a alimentao do UJT fosse obtida de um circuito parte.
6.TRANSFORMADOR DE PULSO
Deve ser usado quando houver necessidade de isolar o circuito de controle do circuito
de potncia, ou ainda quando a tenso CC em R B1 , estando o UJT cortado, for
suficiente para disparar o SCR. Os transformadores de pulso so usualmente do tipo 1:1
(um secundrio) ou 1:1:1 (dois secundrios). Uma aplicao importante desses
dispositivos quando se deseja disparar dois SCRs em anti-paralelo, como na Fig7.
Observe que no possvel a ligao do mesmo circuito de disparo no gate dos dois
SCRs pois isso colocaria em curto circuito o anodo e o catodo dos dois SCRs. A
soluo o uso de um transformador de pulso 1:1:1 como na Fig1.23b. O circuito de
disparo o mesmo da Fig1.21 com o resistor R B1 sendo substitudo pelo primrio do
transformador.

20

(a)
(b)
Fig7: Disparo de SCRs em antiparalelo usando transformador de pulso
No semiciclo positivo da tenso de entrada dispara o SCR1 para um determinado
angulo de disparo F. Observe que os dois SCRs recebem pulsos positivos, mas s
aquele com anodo positivo em relao ao catodo conduz conduzir. No semiciclo
negativo ser o SCR2 que dispara para o mesmo angulo de disparo. A Fig8 mostra a
forma de onda na carga para o circuito da Fig7b.

Fig8: Forma de onda no disparo por SCRs em antiparalelo usando transformador de

pulso 1:1:1

21

7. DIAC:
O Diodo de quatro camada bilateral (DIAC = DIode AC) um dispositivo de quatro
camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer
polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso de breakover( U BO),
voltando a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de
tenso (corrente) de manuteno , UH (IH).A Fig1 mostra a estrutura interna, o smbolo e
a curva caracterstica.

(a)

(b)
Fig1: DIAC - ( a ) Estrutura e smbolo - ( b ) Curva caracterstica
8. TRIAC
Quando necessrio controlar a potncia em uma carga AC, com corrente nos dois
sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo ou usar um
TRIAC. O TRIAC desta forma pode ser entendido como sendo equivalente a dois
SCRs ligados em anti-paralelo.

22

(a)

(b)
Fig2: Controle de potencia para carga AC - ( a ) Com dois SCRs em anti paralelo
- ( b ) Com um TRIAC
O TRIAC tambm pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um
terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tenso.
Como o TRIAC dispara com tenso positiva ou negativa no tem mais sentido em falar
em anodo ( terminal +) e catodo ( terminal - ), ao invs disso os dois terminais so
chamados de terminal principal 1 (T1) e terminal principal 2 ( T2).
O TRIAC tambm pode ser entendido como sendo um DIAC com o terminal de
controle ( gate ), permitindo desta forma controlar a tenso de disparo, pois assim
como no SCR, com IG = 0, para disparar o TRIAC necessrio uma tenso entre T2
(terminal principal 2) e T1(terminal principal 1) muito alta. Com IG 0 diminui o valor
da tenso entre T2 e T1 que dispara o TRIAC.
O TRIAC pode ser posto em conduo tanto para tenso de gate positiva ou negativa
independentemente da polaridade de T1 em relao a T2, desta forma existem quatro
modos de se disparar um TRIAC, os quais esto indicados na Fig1.27.
Como a corrente principal ( IT ) tem influencia sobre a corrente de gate, o valor da
corrente de gate necessria para disparar o TRIAC diferente, dependendo do sentido
relativo de ambas as correntes. Se a corrente principal est em concordncia com a de
gate (modos a e b), ser necessrio uma corrente menor, caso contrrio (modos c e d)

23

a corrente de gate dever ser maior. Por isso mesmo os modos preferidos so os modos
a e b
A figura a seguir mostra um exemplo de encapsulamento de TRIAC.

Fig3: TRIAC - TO-220

8.1. CIRCUITOS COM DIAC E TRIAC
1)

CHAVE ESTTICA ASSINCRONA

O uso do TRIAC como chave assncrona em circuitos CA leva algumas vantagens
em relao chave mecnica. Permite por exemplo controlar grandes potncias a
partir de potncias relativamente pequenas, TRIAC no apresenta trepidao (o
que acontece com um rel) ao conduzir, no h aparecimento de arco voltaico (o que
acontece com um rel), permitindo um grande nmero de operaes. A grande
desvantagem a dissipao de calor, sendo necessrio o uso de dissipador. Outra
desvantagem a possibilidade de aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar
o circuito a primeira vez, principalmente no caso de circuitos resistivos.

Fig4: TRIAC como chave esttica assncrona

A chave CH na Fig4 pode ser uma chave comum, um reed switch, termostato, etc. O
controle de gate pode vir de um transistor, termistor, sensor de luz ou de um circuito
lgico.

24

2)

CHAVE ESTTICA SNCRONA

O TRIAC operando no modo assncrono tem como principal inconveniente o fato da

possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o
TRIAC chaveado, principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tenso
da rede estiver passando por um pico e a carga for resistiva. No modo sncrono o
TRIAC chaveado quando a tenso da rede estiver passando prximo do zero, da os
circuitos que efetuam este tipo de controle serem chamados de Zero Voltage
Switching (ZVS). Na Fig5 o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente
quando a tenso de entrada estiver passando prximo de zero, no deixando o TRIAC
disparar se a tenso de entrada for muito alta.

Fig5: Chave sincrona

3)

Controle de Potencia - Dimmer

A luminosidade de uma lmpada pode ser controlada atravs da variao da potncia

eltrica que lhe entregue, e isso pode ser feiro alterando-se o angulo de disparo
durante cada semi ciclo.
A Fig6 mostra um circuito simples que controla a potncia de uma lmpada.

Fig6: Circuito de controle de potencia - Dimmer

25

Na Fig6, o capacitor C1 carregado ( no semiciclo positivo ou semiciclo negativo)

atravs do potencimetro de controle Rv e a resistncia R1, C2 se carrega depois
gerando um atraso.Aps um tempo o DIAC dispara quando a tenso no capacitor
C2 atingir a tenso de disparo (breakover). O capacitor C2 se descarrega atravs do
DIAC e no gate do TRIAC disparando-o para um determinado angulo de disparo.
A mudana brusca de corrente de zero para um determinado valor produz radio
freqncia (RF) que causa interferncias em aparelhos de radio colocados na
mesma rede. O indutor Lf e o capacitor Cf funcionam como um filtro que reduz
essa interferncia a um nvel aceitvel

Fig7: Circuito de controle de potencia com filtro de RF (Lf e Cf)

A figura a seguir mostra as formas de onda da tenso na carga para um determinado
angulo de disparo.

Fig8: Formas de onda da tenso na carga para um angulo de disparo

4) Luz Crepuscular
No circuito da Fig9 a luz acende automaticamente quando escurece e apaga quando
amanhece. Quando o LDR iluminado, a sua resistncia diminui desta forma
impedindo que o capacitor se carregue desta forma a tenso de disparo do DIAC no
atingida, a lmpada permanece apagada.

26

Na ausncia de luz, a resistncia do LDR aumenta permitido que a tenso no capacitor

possa atingir a tenso de disparo do DIAC desta forma disparando o TRIAC. Se o LDR
for iluminado novamente a lmpada apagar.

Fig9: Luz crepuscular com DIAC e TRIAC

9.Caractersticas dos Sensores

Um sensor ou um dispositivo de captao um transdutor que converte um parmetro
fsico, tal como calor, luz ou movimento de um ponto de teste para uma forma adequada
para medida atravs do instrumento de medida. Na maioria dos casos, a converso das
sadas do sensor feita em alguns tipos de sinais eltricos. Portanto, natural esperar
que existem circuitos eletrnicos envolvidos com o processamento dos sinais dos
sensores.
Existem vrios tipos diferentes de sensores sendo utilizados na indstria. Alm disso,
novos tipos de sensores esto sendo desenvolvidos. Os sensores so elementos chaves
em qualquer tipo de sistema de controle, automtico ou manual. Em geral, um sensor
pode ser identificado como um sensor ativo ou passivo, dependendo se o sensor
necessita ou no de uma alimentao, alm do sinal a ser medido.
O Sistema de Treinamento em Sensores SD-7110 rene todos os tipos de sensores
disponveis na indstria e apresenta-os aos usurios atravs de teorias bsicas, e
experimentos aplicativos prticos e compreensivos. A maneira como os materiais so
apresentados neste manual devem ser facilmente compreendidos e seguidos. Alm
disso, uma seo separada, Seo 2, dedicada ao detalhamento dos circuitos
eletrnicos que so especialmente envolvidos com o processamento dos sinais de sada
dos sensores para o prximo estgio.

27

9.1 Sensores de Temperatura

9.1.1Termopares
Teoria
Um termopar um par de diferentes condutores unidos em dois pontos. Uma fora
eltrica, com amplitude tipicamente em milivolts, produzida na juno devido a
efeitos termo-eltricos quando as junes esto a certa temperatura. Um exemplo de par
de condutores termopares pode ser a combinao de cobre e constantano. Cada
combinao nica de materiais precisa de uma tabela de converso para converter as
leituras de milivolts para temperaturas absolutas. Uma construo tpica e o conceito
dos efeitos termo-eltricos so mostrados na Figura 1-1.

Figura 1-1 Construo Tpica de um Termopar e o Conceito dos Efeitos Termo-eltricos

Caractersticas
Pequeno no tamanho, oferece uma ampla faixa de medida de temperatura, at vrias
centenas de C. Quando converter milivolts para graus, assegure-se de que no exista
confuso entre temperatura absoluta e aumento de temperatura.
Uso
Principalmente aplicaes industriais.
9.1.2.Termistores
Teoria
A condutividade de materiais semicondutores varia significantemente com a
temperatura. Embora tal variao , em geral, uma limitao do uso de dispositivos
semicondutores em alguns circuitos, esta propriedade dos semicondutores oferece
utilidade em medidas de temperatura. Um termistor um componente eletrnico cuja
resistncia eltrica depende da caracterstica condutividade versus temperatura do
semicondutor.
Dois tipos de termistores esto disponveis dependendo da direo da variao da
resistividade:
- Tipo NTC (Coeficiente de Temperatura Negativa): A resistncia de um termistor NTC
diminui quando a temperatura aumenta.

- Tipo PTC (Coeficiente de Temperatura Positivo): A resistncia de um termistor PTC

aumenta quando a temperatura aumenta.
28

A resistncia de um dispositivo NTC como uma funo da temperatura expressa como

a seguir:

Da equao acima, o coeficiente resistncia - temperatura definido como:

Deve ser notado que a resistncia inversamente proporcional ao quadrado da

temperatura.
Caractersticas
As curvas caractersticas dos termistores NTC e PTC so mostradas na Figura 1-2.
Devido ao fato dos termistores dissiparem calor, a especificao de potncia do
termistor deve ser considerada quando da escolha de um termistor. Potncias tpicas
esto na faixa de algumas dezenas de miliwatts a alguns watts.

Uso
Os termistores so usados em circuitos eletrnicos como elementos de compensao de
temperatura. Os termistores PTC tambm so encontrados em circuitos de controle
automtico de temperatura como uma fonte de calor controlada.

29

9.1.3.Semicondutores de Juno P-N

Teoria
As caractersticas de um dispositivo de juno P-N variam como um funo da
temperatura. Por exemplo, a corrente de emissor IE de um transistor expressa como a
seguir:

A equao acima implica na relao no linear entre a condutividade e a temperatura do

transistor. A Figura 1-3 mostra a estrutura interna de um sensor de temperatura de
juno P-N.

Caractersticas
Pequeno no tamanho, mas um sensor de temperatura de preciso. Resposta rpida. As
caractersticas de no linearidade devem ser compensadas pelo uso um amplificador
operacional apropriado. Faixa de medida relativamente estreita: O 120C.
Uso
Propsito geral. Algumas vezes para instrumentao mdica.
9.2.1 Foto Sensores
Os foto sensores respondem a incidncia de energia luminosa, e produzem um sinal
eltrico como resultado. A intensidade de um sinal de sada proporcional a intensidade
da luz. Alguns foto sensores possuem incorporados transmissores e receptores de luz.
Os foto sensores podem ser classificados em termos do sensor tico, infravermelho ou
laser dependendo dos comprimentos de onda utilizados.

30

9.2.2. LEDs e Foto Transistores

Teoria
Na Figura 1-4, duas tcnicas diferentes de deteco de um objeto so mostradas. No
primeiro mtodo, Figura 1-4 (a), o sinal de luz transmitida a partir da fonte
interrompida pelo objeto. Portanto, a deteco de um objeto representada pela no
existncia da energia luminosa no receptor (foto transistor). De modo oposto, o segundo
mtodo baseado na existncia do sinal de luz na extremidade receptora. Na Figura 1-4
(c), a fonte de luz e o receptor so posicionados de tal modo que a partir ca reflexo no
objeto, a luz alcance o receptor.

Caractersticas
Sensores infravermelho ou laser so mais preferidos do que os sensores que trabalham
com espectros de luz visveis, devido a performance superior dos sinais infravermelho
ou laser na presena de luz visvel no desejada. Algumas vezes, a modulao de pulso
com uma deteco sincronizada usada quando uma aplicao no pode tolerar nenhum
erro. O mtodo (b) acima mais fcil de se configurar do que o mtodo (c). Entretanto,
o mtodo (c) oferece melhor sensibilidade de distncia com relao ao mtodo (b). Em
geral, os foto sensores so menos sensveis a temperatura ambiente. Entretanto, eles so
mais sensveis a sujeira e vibrao mecnica.
Uso
Foto sensores so usados em chaves de proximidade, e na deteco de um objeto em
movimento. Os foto sensores tambm so usados nas medidas de distncia.
1-2-2 CdS e Clulas Solares
Teoria
Clulas CdS e Solar so usadas para detectar a intensidade de energia luminosa. Quando
uma aplicao precisa capturar imagens, um Videocon ou um dispositivo CCD pode ser
usado como foto sensor. Estes dispositivos so mais freqentemente encontrados em
cmeras de vdeo. Mais informaes sobre Clulas CdS e Solar so dadas na Figura 1-5.
Caractersticas
Clulas CdS so disponveis nas potncias de algumas dezenas de miliwatts a alguns
watts. Algumas vezes este nvel de potncia alto o bastante para que os sinais
detectados possam drenar um rel diretamente.

31

Os ingredientes bsicos das clulas solar so silcio e glio de alta pureza. A eficincia
de energia tpica de uma clula solar de cerca de 7 15%, e a densidade de potncia
de aproximadamente 100mW ,2.
Uso
As clulas CdS so encontradas em chaves de controle automticas na iluminao de
ruas. Outras reas de aplicaes so como foto chaves em dispositivos de medida de
intensidade luminosa assim como em controladores de iluminao interiores
automticos.
9.3.1Sensores de Rotao
Encoders de rotao so usados tanto na deteco de posio angular de um disco
rotativo, como para ler a velocidade angular (em RPM) de um objeto em rotao. A
deteco de um movimento rotativo feito por vrios mtodos diferentes: contato,
magntico ou tico. Os tipos magntico ou tico de detectores so discutidos nesta
seo.
9.3.2. Encoder Tipo Magntico Teoria
Como mostrado na Figura 1-6 (b), um encoder rotativo tipo magntico faz uso de um
sensor HalI e um tambor magntico. O tambor magntico possui um certo nmero de
pequenos ms colocados numa certa ordem. O sensor HaIl est localizado prximo ao
tambor. Quando o tambor gira, e os campos magnticos dos plos N- e S- do m
passam pelo sensor Hali, a resistncia do sensor HalI varia e a variao detectada,
indicando que o tambor est em movimento de rotao. Algumas vezes, este tipo de
sistema projetado para incluir sinais de fase para determinar a direo de rotao
tambm.
Caractersticas
O sensor Hali sensvel as variaes de temperatura. Portanto, um circuito de deteco
necessita possuir um amplificador diferencial, ou um circuito ponte. A vantagem deste
tipo de encoder a durabilidade versus a vibrao mecnica, alm da performance
superior em alta velocidade. Alm disso, enquadra-se bem em circuitos de servo
controle do tipo digital porque a sada normalmente digital.
Uso
Deteco de velocidade de servo motores AO / DC. Medidas de RPM de motores em
geral.

32

9.3.3. Encoder Tipo tico Teoria

Um encoder rotativo tico um disco com um certo nmero de pequenos cortes
retngulos colocados ao redor do disco como mostrado na Figura 1-7. A luz emitida pela
fonte recebida pelo sensor atravs do corte retngulo somente quando o corte est
alinhado com a fonte e o sensor. Um pulso gerado quando a luz alcana o receptor.
Como o disco gira, a velocidade de rotao interpretada pelo nmero de pulsos que
ocorrem por minuto ou segundo. Portanto, bvio que quando mais cortes no disco, a
resoluo da leitura de velocidade melhor. Entretanto, a contagem de pulso no
transporta nenhuma informao relacionada a direo de rotao. Tal informao
usualmente proporcionada por um outro sinal no encoder.

Caractersticas
Encoders ticos rotativos no so muito sensveis a temperatura ou vibrao mecnica.
O disco leve, e portanto, ele pode comear a girar e parar sem atraso. Isto minimiza
erros nos dados. Alm disso, fcil girar o disco.
Uso
Deteco de velocidade e posio de pequenos motores DC e mquinas rotativas.

33

9.4.1Sensores de Vibrao
Qualquer dispositivo que responda a vibrao e produza um sinal que possa ser
utilizado considerado como sensor de vibrao. Por exemplo, um microfone e um
transreceptor ultrasnico so sensores de vibrao. Devido ao fato do ouvido humano
no poder responder ao sinal ultra-snico, um sensor ultra-snico vantajoso quando a
interferncia de sinais audveis torna-se um problema. Por outro lado, um sensor
ssmico que responde a freqncias muito baixas de um terremoto tambm um sensor
de vibrao.
9.4.2.Sensor Ultra-snico Teoria
A estrutura interna e um circuito equivalente de um sensor ultra-snico mostrado na
Figura 1-8. Os elementos vibrantes so feitos de duas placas finas. Estas placas podem
ser tanto elementos piezoeltricos como a combinao de um piezoeltrico e uma placa
de metal. Estas placas comeam a vibrar quando um sinal eltrico com uma freqncia
prxima a freqncia caracterstica do elemento piezoeltrico aplicada as placas.
Como as placas vibram, a energia propagada atravs da tela.
O processo de recepo o oposto do processo de transmisso. Quando um sinal sonoro
ultra-snico atinge o elemento piezoeltrico, o elemento gera um sinal eltrico que
idntico freqncia do sinal recebido. A faixa de freqncia tpica da operao de um
sensor ultrasnico de 38kHz 45kHz.

Caractersticas
Sinais ultra-snico no interferem com outros sinais acsticos na faixa de udio de
50Hz a 15kHz. Alm disso, sinais ultra-snicos so menos susceptveis a sinais que
operem em 20kHz ou abaixo. Sinais ultra-snicos exibem excelentes caractersticas de
reflexo e so insensveis a presena de sujeira.
Uso
Os sensores ultra-snicos so usados na identificao de objetos, e em dispositivos de
medida de distncia. Alm disso, os sensores ultra-snicos so encontrados em
controladores remotos, e em alguns equipamentos mdicos.
9.4.3.Sensor de Vibrao
Teoria

34

Os sensores de iibrao respondem s ondas propagadas atravs do ar ou em outros

meios. Um exemplo o microfone, que um transdutor eletro acstico que responde as
ondas sonoras e as convertem para ondas eltricas. A estrutura interna de um microfone
mostrada na Figura 1-9 (b).
Um dispositivo similar ao microfone mas operando a uma freqncia muito baixa (faixa
de alguns Hz) tambm um tipo de sensor de vibrao. Quando um dispositivo deste
tipo submetido a uma onda de choque, uma bobina mvel colocada dentro de um
campo magntico produz uma fora eletromotriz. Este tipo de dispositivo usado em
levantamento topogrfico.
Um sensor de choque construdo baseado no efeito piezoeltrico. Uma tenso
piezoeltrica, que proporcional a intensidade da onda de choque de entrada,
produzida na freqncia caracterstica do sensor.

Caractersticas
A sada tpica de um microfone cerca de 1 mV 1 0mV numa faixa de freqncia de
50Hz~15kHz. A freqncia e a intensidade do sinal variam de acordo com as ondas
sonoras. A sada de freqncia de um microfone uma representao exata da
freqncia de uma fonte sonora.
A freqncia de sada de um sensor de choque baseado em piezoeltrico a
caracterstica de freqncia do prprio elemento piezoeltrico. Somente a amplitude do
sinal varia dependendo da amplitude da onda de choque de entrada. Um detector de
choque requer um detector de pico, porque encontrar o pico de um choque o objetivo
principal. A resposta em freqncia tpica de um elemento sensor de algumas centenas
de Hz a alguns kHz, e a amplitude pode ser to alta quanto algumas centenas de mV em
nvel de choque de 40G.
Uso

9.5.1.Sensores de Gs
Existe um certo nmero de diferentes sensores de gs disponveis no mercado. O
mtodo de deteco varia dependendo do tipo de sensor usado. Nesta seo, um sensor
de gs baseado em semicondutor explicado.

35

Teoria
O principio de operao do sensor semicondutor TGS-813 baseado nas propriedades
dos elementos Irdio (lr-)e Paldio (Pd). Como mostrado na Figura 1-lO(a), o elemento
sensor essencialmente uma construo de uma bobina aquecedora embutida em Sn02.
A bobina aquecedora feita de Ir e Pd. Quando a corrente flui na bobina aquecedora em
uma dada temperatura, o oxignio retira os eltrons do doador na superfcie do elemento
semicondutor, criando uma barreira de potencial. Devido a barreira de potencial
dificultar o movimento dos eltrons livres, a resistncia eltrica do elemento aumenta.

Figura 1-10 Construo e Caractersticas do Sensor de Gs

Caractersticas
O sensor de gs apresenta uma resistncia eltrica em uma dada concentrao de gs
num ambiente limpo. A sensibilidade do sensor pode ser afetada pela temperatura e
umidade relativa ambientes. Portanto, a rede de compensao necessria quando uma
deteco precisa necessria, O sensor tipo TGS requer cerca de 2 3 minutos de
aquecimento para melhorar a preciso. Tipicamente, o resistncia do elemento aumenta
cerca de 20% aps o tempo de aquecimento.
Uso
Deteco de LNG, LPG, gs metano, CO, H, etc.
9.6.1.Sensores de Umidade Teoria
A construo de um dos mais populares sensores de umidade mostrada na Figura 1-11
(a). No centro est o elemento sensor construdo em furos microscpicos. Estes furos
so feitos de xidos de metal de MgCr2O4 e TiO2. O elemento sensor est posicionado
entre dois eletrodos que so fabricados de RuO2. Finalmente, um elemento aquecedor
limpante cobre a estrutura toda.

36

O tamanho dos furos na superfcie do elemento sensor da ordem de 1 mm ou menor. A

condutividade entre dois eletrodos varia quando estes furos atraem misturas. A taxa de
variao da condutividade devido a alterao da umidade no linear, e isto requer um
amplificador de compensao. O objetivo do aquecedor Hmpante remover partculas
indesejveis coletados pelo sensor.
Caractersticas
O elemento sensor conectado a uma fonte de tenso AC em srie com um resistor. O
sinal de entrada usualmente obtido em um ponto do divisor de tenso. Um
amplificador logartmico usado para linearizar a sada do sensor.
Uso
Instrumentos de medida de umidade, sistema de controle de umidade e controle de
umidade em aplicaes mdicas.
9.7.1.Sensores de Presso
Dois tipos de sensores de presso esto disponveis neste momento: o primeiro tipo a
clula de carga que normalmente usada em balanas eletrnicas. O outro tipo um
sensor baseado em tecnologia de estado slido que usado em medida de presso de
gs e lquido. O sensor do tipo semicondutor de estado slido coberto nesta seo.
Teoria
Sensores de presso baseados em semicondutor fazem uso do efeito piezeltrico do
material semicondutor que exibe variao de resistncia para uma dada presso
aplicada. A Figura 1-12 mostra um tipo de sensor de presso semicondutor no qual um
diafragma de ao inoxidvel transmite a presso para o chip semicondutor na
extremidade. Na Figura 1-13, o circuito mostrado usado com o sensor para produzir
um sinal detectvel.
37

Caractersticas
Este sensor mecanicamente compacto e destinado a uma ampla faixa de aplicaes.
Particularmente, o sensor trabalha muito bem na deteco de presso de gases e
lquidos. Este sensor tem resposta rpida tipicamente na faixa de 1 a 10 milisegundos.
Uso
Aplicaes de controle de fluido, teste de fuga de fluido, verificao do nvel e presso
de um tanque de armazenamento.
9.8.1. Sensores de Proximidade
A sada de um sensor de proximidade do tipo liga e desliga o sinal. Por esta razo, um
sensorde proximidade essencialmente uma chave de proximidade. Uma chave de
proximidade gera sinais de liga / desliga sem nenhum contato direto de um objeto.

38

Tipos e Caractersticas
(1) Chave de Proximidade Tipo Capacitncia
Teoria
Este tipo de sensor detecta uma variao na reatncia capacitiva dos eletrodos do sensor.
Como mostrado na Figura 1-14 (b), uma ponte balanceada com capacitores de
referncia (Cs) e de deteco (Cd), comuta para um estado de desbalanceamento quando
Cd varia devido a proximidade de um objeto. Uma vez que a ponte drenada para um
estado de desbalanceamento, a sada da ponte direcionada aos terminais a e b.

Na Figura 1-14 (a), a capacitncia entre o objeto e o eletrodo calculada pela seguinte
equao quando a rea da superfcie de aproximao do objeto muito maior que a rea
do eletrodo.

Onde:
A = rea do eletrodo em cm2
D = distncia entre o objeto e o eletrodo em cm
Caractersticas
A faixa de deteco do sensor tipicamente de alguns milmetros. Alm disso, somente
objetos metlicos podem ser detectados. Um objeto com tamanho grande que apresente
um alto valor de capacitncia com relao ao terra detectado mais facilmente. Pelo
motivo da constante dieltrica do meio poder ser afetada pela umidade, operaes
errneas podem ocorrer quando este tipo de sensor usado em ambiente com alta
umidade.
(2) Sensores de Proximidade Tipo Oscilador Teoria
Este tipo de sensor possui um oscilador que oscila em uma freqncia constante.
Quando um objeto aproxima, a indutncia da bobina de deteco varia e portanto, a
freqncia do oscilador tambm varia. Uma chave de proximidade tipo oscilador
mostrada na Figura 1-15.
39

A freqncia do oscilador e o Q do circuito so calculados pelas seguintes equaes:

Caractersticas
- Sensvel a materiais magnticos. Um sensor hermeticamente selado pode ser usado em
lquidos tal como leos.
- Pode detectar pequenos objetos. No caso do objeto ser do tipo magntico, o sensor
pode
detectar objetos com dimenses de 10 x 10 x 1 mm.
- Resposta de freqncia relativamente rpida (100 900Hz).
1-8-2 Consideraes no Uso de Sensores de Proximidade
Os seguintes parmetros podem ser considerados quando um sensor de proximidade
considerado em uma aplicao.
Vantagens dos Sensores de Proximidade
- Por no existir desgaste mecnico, a vida til de uma chave de proximidade muito
longa.
- Quando o objeto estiver bem posicionado dentro da faixa de deteco, o sensor pode
40

detectar no somente a presena, mas tambm o movimento do objeto.

- Por no existir partes em movimento, muito fcil selar o sensor, protegendo-o do
ambiente.
- Certos tipos de chaves de proximidade respondem somente a materiais especficos. Tal
propriedade pode ser utilizada para detectar tipos especficos de materiais.
Desvantagens dos Sensores de Proximidade
- O desvio da temperatura ambiente pode causar falsa deteco.
- Susceptividade a rudo externo.
- Para controlar corrente ou tenso elevada, um buffer, tal como um rel, necessrio.
- Requer alimentao para energizar o circuito sensor. A confiabilidade reduzida
devido ao aumento do nmero de componentes na unidade sensora.
Consideraes no Uso de um Sensor de Proximidade
- A fonte de alimentao usada po circuito sensor deve ter uma boa regulao.
- Quando um sensor deve ser instalado em uma rea quente, ou numa rea com
flutuao de temperatura significante, assegure-se de escolher o tipo correto de sensor
para o dado ambiente.
- Quando necessrio instalar um sensor prximo a uma rea com pulsos de alta tenso.
ou campos intensos de RF, assegure-se de que as medidas necessrias contra
interferncias tenham sido feitas. O sensor selecionado deve ter urna boa imunidade a
rudo.
- Para o tipo magntico se sensores de proximidade, assegure-se de no existir outros
materiais magnticos ao redor do sensor, porque estes materiais podem causar falsas
deteces.
- Assegure-se de que os sensores usados estejam dentro dos seus limites de
especificaes.
- A melhor prtica para garantir a confiabilidade da operao limitar a faixa de
deteco ao mxima em cerca da metade das especificaes do sensor.
- Algumas chaves podem apresentar histerese - a distncia de operao do liga e do
desliga pode no ser a mesma.
9.9.1Sensores de Efeito Hall
Teoria
Se um objeto (metal ou semicondutor) transportando uma corrente i colocada
transversalmente no campo magntico B, um campo eltrico, chamado tenso HalI,
induzida sobre a e b na Figura 1-16 (b). Este campo eltrico perpendicular em
direo tanto com relao a 1 como para B. Este fenmeno conhecido como efeito
HaIl.
Um elemento de resistncia magntica um semicondutor transportando corrente
colocado em um campo magntico. Uma fora exercida nos portadores de corrente
apesar do portador de corrente ser eltrons ou lacunas livres. Esta fora modificar o
caminho de deslocamento das portadoras de tal modo que o comprimento do caminho
ser extendido. Por este motivo as portadoras de corrente percorrero uma distncia
maior, portanto o objeto apresentar uma resistncia maior.

41

Dispositivos de efeito 1-lalI so usados em uma configurao de 4 terminais

balanceados, ou com uma rede de compensao como mostrado na Figura 1-17.

Caractersticas
- Sensores HaH so sensveis a temperatura, portanto, um detector ponte ou uma
rede de compensao necessria.
- Fcil de ser miniaturizado. Ideal como um componente perifrico de um computador.
- A sada mostra uma boa linearidade ao campo magntico.
Uso
Medidores de fluxo, FDD e HDD, deteco de rotao de motor, VTR, medidas de
corrente.
9.10.1.Chaves Sensoras
Chave Reed
Teoria
Como mostrado na Figura 1-18 (b), uma chave reed possui dois contatos magnticos
colocados dentro de um vidro que selado com algum tipo de gs inerte ou vcuo.
Quando um im aproximado da chave, os contatos que so fabricados de material
magntico atraem-se mutuamente. Algumas vezes, os contatos reed so envolvidos por
uma bobina como mostrado a Figura 1-18 (c). Neste caso, uma corrente DC necessria
para fechar os contatos. Este tipo de dispositivo chamado de rel reed. Uma chave
reed e um m so normalmente usados como sensor de proximidade.

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Caractersticas
- A performance do sensor no crtica temperatura e umidade ambiente.
- Confiabilidade com relao ao bom contato.
- Baixo custo.
- Mantm o im permanente livre de entulhos de metal para evitar operao errnea.
9.11.1.Chave de Mercrio
Teoria
A chave de mercrio faz uso da propriedade do mercrio que condutivo na forma
liquida. Como ilustrado na Figura 1-19, uma chave de mercrio contm vrios contatos
eltricos e uma pequena quantidade de mercrio em um tubo de vidro selado.
Dependendo do ngulo do tubo, o mercrio pode proporcionar conexo eltrica entre os
dois contatos.

Caractersticas
- Excelente longevidade dos contatos.
- Excelentes caractersticas de liga / desliga.
Controle de posio horizontal, controle de posio em montagem de parede. 1-10-3
Chave de Limite
Teoria
Chaves de limite so similares as micro chaves. Quando a alavanca sensora
pressionada pelo movimento, os contatos internos fecham.

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Caractersticas
No necessrio fonte de alimentao para operar as chaves de limite. Os contatos
podem transportar correntes elevadas. Alm disso a operao liga 1 desliga mais
precisa que as chaves push button normais.
Uso
Circuitos de intertravamento, chaves de segurana em mquinas eltricas e mecnicas.

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2-1 Circuitos com Amplificadores Operacionais

Um amplificador operacional (Amp. OP) um circuito integrado analgico que executa
uma variedade de funes em circuitos eletrnicos. Aplicaes tpicas dos Amp. OP so
como amplificador de uso genrico, comparador, retificador de preciso, integrador,
diferenciador e amplificador de instrumentao.
Como os sinais de sadas da maioria dos sensores so fracos, eles precisam ser
amplificados antes de serem processados por circuitos eletrnicos. Os Amp. OP so
usados para amplificar sinais fracos.
2-1-1 Amplificadores Inversores e No Inversores
A Figura 2-1 mostra o diagrama esquemtico dos amplificadores bsicos inversor e
noinversor. Observe a relao de fase entre a entrada e a sada de cada amplificador.
Como o nome sugere, a sada do amplificador no-inversor est em fase com a entrada,
enquanto oxiste inverso de fase no amplificador inversor.

Para o amplificador inversor da Figura 2-1 (b), os seguintes parmetros so definidos

assumindo um amplificador ideal.

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Exemplo
Qual deve ser a tenso de sada V0 quando os seguintes parmetros so dados para o
circuito da Figura 2-1 (b)?

2-1-2 Offset da Sada DC

A sada de um Amp OP ideal deve ser zero quando a entrada zero. Entretanto, existe
urna pequena sada DC que aparece na sada de um Amp. OP prtico mesmo que a
entrada seja zero. Isto porque um Amp. OP possui vrios amplificadores com
acoplamento DC internos, e a performance destes amplificadores so afetados pelo
desvio na temperatura de operao e na tenso de alimentao. Alm disso, para um
amplificador inversor com a entrada no inversora aterrada, existe uma pequena
corrente de polarizao fluindo atravs do terminal de entrada (R1) e pelo resistor de
realimentao (R2) como mostrado na Figura 2-2. Isto na verdade o mesmo que
aplicar uma pequena tenso no terminal de entrada.
A Figura 2-3 mostra uma rede de compensao de offset DC pela adio de R3 na
entrada no inversora. O valor de R3 deve ser igual a associao em paralelo dos
resistores R1 e R2.

Tcnicas adicionais de compensao de offset DC so mostradas na Figura 2-4 (a) e (b).

Estes circuitos possuem ajuste varivel do offset DC, e podem ser usados como
circuitos Clipper ou de Clamping tambm.

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2-1-3 Amplificador Diferencial

Como o nome indica, um amplificador diferencial amplifica somente a diferena entre
as duas entradas (inversora e no inversora). Portanto, quando ambos os sinais de
entrada so aumentados ou diminudos na mesma direo, a sada do amplificador
diferencial mantm-se a mesma. Os amplificadores diferenciais so crticos na deteco
de sinais de fuga na presena do rudo ou outros sinais de interferncia que aparecem
em ambas as entradas. Um amplificador diferencial tpico mostrado na Figura 2-5.

O sinal de entrada aplicado s entradas inversora e no inversora. O amplificador

diferencial pode ser analisado observando uma entrada de cada vez. Quando o ponto
V2 aterrado e a entrada V2 est em zero, o amplificador essencialmente o mesmo da
Figura 2-1 (b). A sada do amplificador nestas condies :

47

Este resultado indica claramente que a sada do amplificador diferencial a diferena

entre as duas entradas, O amplificador diferencial de ganho unitrio pode ser
considerado como um subtrator analgico.
2-1-4 Comparador
Um circuito comparador de tenso compara os valores de duas tenses de entrada e
produz uma sada que indica a amplitude relativa das duas entradas. A indicao dos
resultados pode ser expressa em nveis lgicos O ou 1.
Comparadores usando Amp. OP so mostrados na Figura 2-6.

Na Figura 2-6 (a), quando a entrada maior que o sinal de referncia, a sada ir para +
V, ou ficar prxima da tenso + de alimentao. De modo oposto, quando a entrada
menor que a referncia, a sada ir para -V, ou ficar prxima da tenso - de
alimentao. A polaridade da sada do circuito na Figura 2-6 (b) ser o oposto do
circuito da Figura 2-6 (a).
48

A sada do Amp. OP na Figura 2-6 (c) alimenta um diodo zener. Portanto, a sada do
zener representa o resultado da comparao. Este tipo de circuito vantajoso quando a
sada do comparador fai interface com um circuito TTL. A tenso +V na circuito +5V
na aplicao TTL.
2-2 Circuitos Ponte
Um circuito ponte faz uso da tcnica baseada no estado balanceado e no balanceado da
ponte. Um circuito ponte mostrado na Figura 2-7.

Para encontrar o valor de R, a ponte deve ser primeiramente balanceada. Uma vez no
estado de balanceamento, R pode ser encontrado a partir da relao acima.
Portanto:

O estado desbalanceado do circuito ponte produz informaes igualmente teis. Por

exemplo, o valor de R na ponte balanceada teve um pequeno aumento devido a
alterao na temperatura ambiente. Isto aumenta o potencial em a, e produz uma
corrente I que flui de a para b. No caso de R ter decado, a direo de 19 deve ser de
b para a. Portanto, monitorando-se o galvanmetro, qualquer modificao no
circuito pode ser detectado.
Exemplo
Calcule o resistor de balanceamento R5 com os seguintes parmetros para obter o
estado balanceado.
49

Se a resistncia a medir R variar para 800, qual deve ser a tenso sobre a b

No exerccio acima, no caso de todos os resistores serem expostos s mesmas variaes

ambientais e todos os resistores possurem o mesmo coeficiente de temperatura, ento
no existir erro no circuito ponte.
2-3 Conversores A/D e D/A
2-3-1 Conversor A/D
As sadas eltricas da maioria dos sensores so sinais analgicos. Para que sinais
analgicos sejam aceitos pelo sistema digital ou controladores micro processados, os
sinais analgicos devem ser convertidos em sinais digitais. Um conversor AID usado
para este objetivo.
Mtodos de Converso AID
{1) Tipo Comparao Paralela
Teoria
Um conversor ND tipo comparao paralela mostrada na Figura 2-8. Este tipo de
tcnica converso, que tambm chamada de converso rpida, a tcnica de
converso mais rpida disponvel. Alm disso, a teoria operacional muito simples e
fcil de ser compreendida.

50

O divisor de tenso fornece uma referncia para uma entrada de cada comparador de
tenso. O valor de referncia para cada comparador a tenso total entre +Ref e -Ref
dividido por n, que o nmero de comparadores. Portanto, o valor de cada ponto do
divisor de tenso representa uma faixa especfica do total de tenso fornecida. Todos os
valores de resistores de R0 a R devem ser idnticos. A chave de entrada colocada para
operar na velocidade do clock do sistema.
A tenso de entrada analgica vinda da chave de entrada aplicada primeiramente ao
capacitor A mostrador / Retentor (Sample / Hold - S/H). A tenso de S/H comparada
com o valor de referncia em cada comparador. Como resultado, as sadas daqueles
comparadores em que o valor de referncia menor que a entrada analgica tornam-se
alta. As sadas de todos os outros comparadores mantm-se em zero. As sadas
resultantes dos comparadores so encaminhados para um encoder (circuitos lgicos)
para gerar um sinal digital equivalente. Uma comparao entre uma entrada analgica e
uma forma de onda na Amostragem e Reteno mostrada na Figura 2-9 (a) e (b).

- Como o conversor AID paralelo a tcnica de converso mais rpida disponvel,

usada onde a velocidade o item prioritrio.
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- O nmero de comparadores necessrios para produzir uma sada digital de n-bits

igual
a 21. Isto significa que o conversor A/D paralelo prtico para pequenos nmeros de
bits em aplicaes reais.
- Conversores A!D paralelo so caros.
Caractersticas
2) Tipo Dupla Integrao Teoria
Como mostrado na Figura 2-10 (a), um conversor A!D de dupla integrao consiste de
um seletor de entrada, um comparador e um contador! controlador lgico centralizado
ao redor de um integrador. A temporizao e a forma de onda do integrador so
mostradas na Figura 2-10 (b).

Para entender a operao do circuito, assuma que a chave S1 esteja habilitada quando a
do capacitor seja zero. Quando a integrao comea e decorre-se um perodo de T
segundos, a carga coletada no capacitor dada por:

Onde V. a tenso de entrada em voits e R a resistncia de entrada em ohms.

A seguir, desabilite S1 e habilite S2, e aplique uma tenso de referncia que possui
polaridade oposta at que a carga seja drenada para zero. Assumindo que o tempo deste
processo seja segundos, a quantidade de carga drenada expressa como:

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Caractersticas
- Circuito simples com alta resoluo. Conveniente como medidores de painel digital
em multmetros.
- Ruido de alta freqncia removido com perodos de integrao relativamente longos.
- Este circuito adapta-se somente a entradas DC. Quando um sinal AC deve ser medido,
um circuito retificador preciso necessrio.
3) Tipo Aproximao Sucessiva
Teoria
Um conversor AID do tipo aproximao sucessiva consiste de um comparador, um
conversor D/A, registrador de aproximao sucessiva (SAR) e circuitos de controle Tal
conflgurao mostrada na Figura 2-1 1.

Quando o conversor habilitado e o sinal iniciar converso habilitado, o processo

de converso comea. Primeiramente, o SAR gera um cdigo que equivalente a 1/2 do
fundo de escala da entrada analgica e envia o cdigo para o conversor D/A. A seguir, o
comparador compara a entrada analgica e a sada do DIA. Se o sinal de entrada
maior que a sada do 0/ A, 1 armazenado no SAR como o bit mais significativo
(MSB). Caso contrrio, o SAR mantm O em seu registrador. Neste momento, a
unidade de controle habilita o prximo bit, e o comparador repete o mesmo processo,
armazenando 1 ou O. Este processo continua at que o bit menos significativo
(LSB) seja examinado, O processo de converso passo-a-passo de um conversorA/D de
aproximao sucessiva de 6 bits mostrada na Figura 2-12.

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2-3-2 Conversor D/A

Os conversores D/A so mais simples que os conversores AJD, e no existem muitos
tipos diferentes. Alm disso, o custo praticamente o mesmo independentemente do
nmero de bits do sinal de entrada.
Os conversores DIA so necessrios onde os sinais dgitalizados pelos conversores AID
precisam ser convertidos de volta para sinais analgicos.
Teoria
Um conversor D/A ponderado mostrado na Figura 2-13. O conversor consiste de
circuitos chaveadores de entrada, um amplificador somador de corrente e um buifer de
sada.

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A entrada digital de 5 bits na Figura 2-13 est em cdigo binrio, e o somador de

corrente na entrada do Amp. OP tambm deve trabalhar em formato binrio. Portanto,
quando a corrente atravs do LSB (bit-a) i, os valores dos resistores de Ra a R devem
ser determinados para satisfazerem as seguintes relaes de corrente.

Uma vez que as correntes so somadas na entrada do amplificador, a corrente total Is

convertida para tenso na sada do amplificador operacional. A tabela na Figura 2-14
ilustra a converso decimal para binria analgica.

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Caractersticas:
O conversor D/A nesta seo possui velocidade de converso similar ao conversor A/D.
por aproximao sucessiva, mas com um circuito muito mais simples.

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