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Dispositivos de Activacin para Tiristores e IGBTs

Pablo Guamn Novillo, pguamann@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, sede Cuenca.
Electrnica de Potencia.

ResumenEste informe presenta la informacin acerca de

algunos mtodos para la activacin (o disparo) de Tiristores
e IGBTs. Adems se presenta una breve introduccin de los
mismos con el motivo de facilitar la asimilacin de los dispositivos
tratados en este documento. En el desarrollo se podr encontrar
algunos circuitos correspondientes a ciertas activaciones tanto
para los diferentes tiristores presentados como para los IGBTs.
Para los IGBTs se presentan varios circuitos y drivers que son
utilizados para el disparo de stos ltimos.

I.

Con la evolucin de los semiconductores de potencia, se

ha dado a florecer una nueva gama de opciones sobre los
dispositivos semiconductores los cuales necesitan de una seal
de activacin, la cual les indican en que momento ellos deben
entrar en conduccin y para ello usan dispositivos o elementos
que proporcionan el control de la activacin de estos, a ms
de estos elementos de control tambin poseen mtodos para
que entre en conduccin. Estos semiconductores son ms
conocidos como tiristores, poseen tres terminales cuales son
nodo, ctodo, y la compuerta o gate en donde se aplica el
control, estos dispositivos tienen un amplio campo de uso en
diferentes reas tales como en el rea electrnica, comercial
e industrial, ya que con la utilizacin de estos dispositivos
nos permiten rectificar el voltaje, controlar la velocidad de un
motor, controlar la intensidad de una lmpara incandescente,
y hasta en sistemas de seguridad, todas estas aplicaciones
se deben a que estos elementos manejan mediana y alta
potencia.[5], [6]

II.

II-A.

Figura 1.

Muestra el smbolo y composicin del tiristor[4]

Figura 2.

Presenta las Caractersticas del tiristor voltaje-corriente[5]

I NTRODUCCIN .

M ARCO T ERICO .

Tiristor

Los tiristores son dispositivos semiconductores de cuatro

capas cuya estructura es pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta, la parte del nodo ctodo lo hace un elemento unidireccional y slo conduce
corriente en el sentido nodo ctodo, siempre y cuando el
elemento est polarizado en sentido directo, adems de esto
este dispositivo como cualquier semiconductor responde a su
respectiva curva caracterstica.[5]

II-A1. Funcionamiento.: Cuando el voltaje del nodo es

ms positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3, que se
muestran en la figura. 1 tenemos una polarizacin directa. La
unin J2 tiene polarizacin inversa, y slo fluir una pequea
corriente de fuga al nodo al ctodo. Se dice entonces que el
tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje nodo-ctodo VAK se incrementa
a un valor lo suficientemente grande, la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura
por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de
ruptura directa VBO, si se lo polariza inversamente es igual
que un diodo se queda bloqueado ya no conduce. Dado que
las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones,
que provocar una corriente directa del nodo. Entonces el

dispositivo est en estado de conduccin o activado.[5]

La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL , a fin de mantener la
cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin;
de lo contrario ,al reducirse el voltaje VAK , el dispositivo
regresar a la condicin de bloqueo. La corriente IL es el
valor mnimo requerida para mantener el tiristor en estado de
conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado
y se ha retirado la seal de la compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un
diodo en conduccin y no hay control sobre el dispositivo. El
tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no exista
una regin de agotamiento debida a movimientos libre de los
portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del
nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de
retencin IH, se genera una regin de agotamiento alrededor
de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar en estado de bloqueo o apagado.[5]
Hay que tener en cuenta al momento de utilizar estos
dispositivos si la corriente en sentido directo de un tiristor
debe ser mayor que su corriente de retencin, para quedarse
en su estado de conduccin; en caso contrario, el dispositivo
se regresa a la condicin de bloqueo, cuando baja el voltaje de
nodo a ctodo, si la corriente andica en sentido directo en
un tiristor se reduce a menos de la corriente de retencin, el
dispositivo deja de conducir y queda en el estado de bloqueo.

II-B.

Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT)

En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los

MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como
los MOSFET, y pocas prdidas por conduccin en estado
activo, como los BJT. Sin embargo, no tiene problema de
segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y la estructura
del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de
drenaje a fuente, RDS , para que se comporte como la de un
BJT. [1]
Este componente semiconductor de potencia tiene caractersticas optimizadas como conmutacin rpida y elevada
eficiencia. Este dispositivo posee la robustez para conducir
fuertes cargas, como un Tiristor, pero posee ventaja sobre el
tiristor ya que el tiristor exige para dispararlo un impulso de
corriente bastante fuerte, lo que representa un inconveniente
para el circuito de mando, en comparacin al IGBT que se
excita solamente con tensin elctrica, la tensin de control
de puerta es aproximadamente 15V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de
entrada muy dbil en la puerta. Su velocidad de conmutacin,
en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha
crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a
centenas de KHz, en componentes para corrientes del orden de
algunas decenas de Amperios. Este es un dispositivo utilizado
para la conmutacin en sistemas de alta tensin [5,6].

Figure 3.

Presenta el circuito equivalente del IGBT. [1]

II-B1. Funcionamiento: Cuando se aplica un voltaje VGE

a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de
colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el
valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el
tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada.
Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado
positivamente con respecto a la terminal E. La seal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta
G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 segundo, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo
se mantiene as por una seal de voltaje en el G. Sin embargo,
en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en
la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de
voltaje VG de la terminal G. La transicin del estado de
conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede
estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado
de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es
usualmente de 4V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae
a un valor bajo cercano a los 2V. Como el voltaje de estado
de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje
arriba de 15V, y la corriente IC se auto-limita.

III.
III-A.

D ESARROLLO .

Mtodos de activacin del tiristor

Un tiristor se enciende, aumentando la corriente andica.

Esto se hace de una de las siguientes maneras.
III-A1. Activacin por una tensin VAK excesiva.: Si el
voltaje en sentido directo, de nodo a ctodo, es mayor que el
voltaje de ruptura en sentido directo VBO, pasa una corriente
de fuga suficiente para iniciar la activacin re-generativa. Esta
clase de activacin es destructiva, y se debe evitar. [2,4]

regenerativa, 1 + 1 puede tender a la unidad, y el tiristor se

puede activar. Este tipo de activacin puede causar avalancha
trmica, y en el caso normal se evita. [1]

Figura 5.

Presenta un LASCR

III-A5. Activacin por dv/dt: Si la rapidez de aumento

del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede bastar para activar el tiristor. Un
valor alto de la corriente de carga puede daar al tiristor, y
se debe proteger contra una alta tasa dv/dt. Los fabricantes
especifican la tasa dv/dt mxima admisible en sus tiristores
[1].

III-B.

Drivers de disparo

Los drivers, circuitos o mecanismos de disparo de los

semiconductores como son SCRS, TRIACS u otros descritos
anteriormente se catalogan por la forma o al tipo de seal
que se aplica en el terminal de compuerta, los mtodos para
conseguir estas seales de control son las siguientes:
Figura 4.

Disparo por tensin excesiva

III-A2. Activacin por luz.: Existe un grupo de tiristores

que se activan por pulsos de luz guiados por fibra ptica hacia
una zona especialmente sensible. A este grupo de tiristores se
les denomina tiristores activados por luz (llamados LASCR o
Light Activated SCR), son de pequea potencia y se utilizan
como elementos de control todo - nada. [2,4]
En estos tiristores, si incide luz de una longitud de onda
apropiada, aumenta la generacin de pares electrn-hueco en
las uniones, por lo que la corriente de fugas en estado de
bloqueo directo alcanza un valor cada vez mayor hasta que
origina la entrada en conduccin del tiristor. [2,4]
III-A3. Activacin por Corriente de Compuerta: El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor
consiste en aplicar a un tiristor polarizado en sentido directo,
la inyeccin de corriente de compuerta al aplicar voltaje
de compuerta positivo siempre y cuando vak>0, entre las
terminales de la compuerta y el ctodo, enciende al tiristor.
Al aumentar la corriente de compuerta, disminuye el voltaje
de bloqueo en sentido directo, como se ve en la figura 4:
[1,2,4]

Figura 6.

Disparo por impulso en la compuerta.

III-A4. Activacin Trmica.: Si la temperatura de un tiristor es alta, hay un aumento en la cantidad de pares electrnhueco, que aumenta las corrientes de fuga. Este aumento en
las corrientes hace aumentar a 1 y 2. Debido a la accin

1. Disparo CD.
2. Disparo AC
3. Disparo por pulsos.
III-B1. Disparo CD.: Los circuitos de disparo en CD estn
basados en un interruptor mecnico como se observa la figura
7, que incluyen a circuitos de proteccin para evitar daos
al tiristor. este tipo de seal generada fisicamente se la puede
reeplazar por un circuito digital, un micro controlador, o desde
una computadora.

Figura 7.

Presenta el Disparo en CD.

Las seales de pulsos que se pueden generar para el control

de los diferentes tiristores, pueden actuar sobre otros elementos
antes que controlen al tiristor para as de esta manera tener
aislado al circuito de control.
Los opto-aisladores son circuitos que contienen al menos
un emisor que est pticamente acoplado a un foto-detector
a travs de un medio aislador, as la salida no afecta a la
entrada. Este aspecto es muy importante por cuanto el emisor
puede ser alimentado por bajos niveles de tensin y corriente,
mientras que el fotodetector puede alimentar niveles elevados
de DC y cargas AC. El circuito de la figura muestra como
un optoacoplador est conectado para servir de disparador de
un Rectificador Controlado de Silicio SCR, el cual a su vez
maneja una carga Resistiva.

Figura 8.

Muestra el Disparo por opto-acoplador

III-B2. Disparo AC.: El diodo es utilizado para evitar

que variaciones negativas lleguen a la compuerta, mediante
el potenciometro se retarda el angulo de disparo; teniendo en
cuenta que el angulo maximo debe ser de 90

Figura 9.

Ilustra el Disparo en AC.

En este caso tambin puede haber circuitos que aslan

elctricamente el mando con el SCR, en la figura 9 se
puede observar que el transformador permite el aislamiento
elctrico entre el tiristor y el circuito de control y precisa
menor potencia de disparo. Sin embargo son ms voluminosos
debido al tamao del transformador, con una seal oscilante
la relacin de transformacin debera ser 1:1.

Figura 11.

III-D.

Muestra la simbologa de diferentes tipod de tiristores.[3]

Mtodos de Activacin para el IGBT

Circuitos de disparo: Circuito de excitacin simple: esta

clase de circuitos se muestra en la figura 12. En estos dos
ejemplos se pueden observar dos circuitos diferentes pero con
el mismo funcionamiento.[5,6]

Figura 10.

Disparo con transformador

Adems de estos existen mdulos o tarjetas electrnicas

que realizan el control, pueden utilizar micro-controladores, y
combinacin de circuitos, que ayudan al usuario, que lo nico
que tiene que hacer es seleccionar el angulo en el cual quiere
que sea disparado.
III-C.

Tipos de tiristores.

Los tiristores se dividen en diferentes tipos segn sus

caractersticas, y propsito los principales pueden ser:[3]
Tiristores controlados por fase, tiristores de conmutacin
rpida que son SCR.
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
Tiristores apagados por compuerta (GTO).

Figura 12.

Presenta un Circuito de excitacin simple [5]

Figura 13.

Figura 16.

Presenta un Excitador para alta tensin.[5]

Figura 17.

Muestra la implementacin del driver para los IGBTs [5]

Muestra un Circuito de excitacin simple [3]

Estos dos ejemplos de circuitos de disparo tiene la ventaja

de que el control del disparo no se relaciona con la parte que
controlada, es decir es independiente.[5,6]

ello hay ms circuitos para su activacin como el siguiente:

ver figura 16[5,6]
Figura 14.

Muestra un Circuito con excitacin con aislamieto [5]

Todo este circuito es una representacin que tiene un driver

de activacin de IGBTs. [5,6]

Drivers de disparo

Como se mencion en el item anterior un driver posee todo

lo necesario para el disparo su implementacin en diagrama
de bloques se puede observar en la figura 17[5,6]

Figura 15.

Ilustra un Circuito 2 con excitacin separada [5]

La necesidad de manejar altas tensiones con los IGBTs hay

otra problemtica la cual es cmo dispara al IGBT?. Para

Debido a su caracterstica de disparo existen diferentes

circuitos utilizados para su activacin, estos se los pueden
comprar como drivers para IGBT, algunos se pueden ver en
la figura 18:[5,6]

ser dispositivos muy rpidos al switcheo y de fcil control.

Esta descripcin sumado a los bajos valores de tensin para
el disparo que manejan los hacen adecuados para aplicaciones
directas como en la industria, en medios de transporte como
en los trenes, y en muchas aplicaciones que manejen altas
tensiones y requieran precisin.
R EFERENCIAS

Figura 18.

Presenta Drives de IGBTs [6]

Cada uno posee diferentes caractersticas como:

a) SCiCoreDrive22 es un driver de 2 canales diseado
para controlar IGBTs de hasta 1200V. Es apto para
cualquier montaje que incluya medios puentes, puentes
monofsicos o puentes trifsicos de IGBTs con un bus
de continua de 900V. Tambin permite el manejo de 2
canales independientes [5,6].
b) SCiswitchDrive11 es un driver de MOSFETs e IGBTs
que implementa las funciones propias de un driver de
puerta y est pensado para (mediante el acoplamiento
de un MOSFET en la salida) la realizacin de rels de
estado slido DC. Provee un aislamiento galvnico entre
entrada y salida de 3000 VAC [5,6].
c) SCiCoreDrive62 es un driver de 6 canales diseado para el control de puentes inversores trifsicos + brake con
mdulos IGBT o MOSFET de hasta 1200V. Incorpora un
conversor DC-DC interno independiente para cada canal.
Incluye monitorizacin VCE del IGBT protegiendolo en
caso de fallada por apagado suave y enviando una seal
de falta opto-aislada para el control. Incluye tambin un
bloqueo al detectar una tensin demasiado baja para evitar el disparo del IGBT con tensin de puerta insuficiente
[5,6].
Uno de los fabricantes de este tipo de circuito es WEPOWER
que ofrece una completa gama de drivers para el disparo de
IGBTs de 1700 V hasta 6500 V. Drivers de canal nico y
doble canal de gran potencia plenamente compatibles con otros
drivers estndar del mercado [5,6].
IV.

C ONCLUSIONES .

Los tiristores estn basados en dispositivos semiconductores

que permiten la conduccin unidirecional de la corriente,
stos son de 4 capas. Adems dichos dispositivos tienen una
combinacin mosfet y bje que permite juntar varias ventajas de
cada caso. Para la activacin de los tiristores existen diferentes
tipos, se deber;ia considerar la mejor para cada caso pero
tambin algunas restricciones dentro de cada activacin
Las ventajas y los usos de los IGBT han tenido notable
presencia, ya que tiene utilidad en atas frecuencias,debido a

[5]

[6]

[1] Electrnica de Potencia, Muhammad Rashid, tercera edicin,

capitulo 7
[2] Formas de disparo de un tiristor, disponible en:
http://POTENCIA %20ENSAYO/5.4. %20Formas %20de %20d
isparo %20de %20un %20tiristor.htm
[3] Dispositivos de control, Rosmil Henry Diaz Zedano
[4] Electrnica de Potencia, Tiristores Caractersticas y Principios
de Funcionamiento, Antonio Nachez, Universidad Nacional de
Rosario.
Transistor
Bipolar
de
Puerta
Aislada
(IGBT).
Recurso
web
disponible
en:
http://virtual.ups.edu.ec/presencial40/file.php/2023/section25/IGBT.pdf
IGBTs,Ametrade
electronics,
disponible
en
http://www.ametrade.com/sp/electronics/products/IGBT_IGCT.shtml

Pablo Fernando Guamn Novillo, nacido en Cuenca - Ecuador 29 de Junio de 1992, realiz sus estudios secundarios
en el Colegio Tcnico Daniel Hermida obteniendo el ttulo
de bachiller en electrnica de consumo. Actualmente estudia
Ingeniera Electrnica en la Universidad Politcnica Salesiana
en la misma ciudad.