Prctica 2: CARACTERSTICAS ELECTRICAS

DE UN DIODO DE (Si) CON SEAL DE CA.

OBJETIVO: El alumno armar los circuitos que permitan obtener las caractersticas elctricas del
diodo de Si (silicio), como voltaje, corriente, resistencia interna y potencia de consumo,
e interpretar las mediciones realizadas con el multmetro y/u osciloscopio. Tambin
reportar los resultados medidos en tablas y/o grficas segn lo indique el desarrollo.
TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRCTICA
Investigar las caractersticas de funcionamiento y limitaciones del diodo de silicio (Si), en CA.
Investigar que es y cmo se obtienen la recta de carga y el punto de operacin, en un dispositivo
semiconductor en CA.
Investigar que es y cmo se calculan la resistencia esttica y dinmica, en un dispositivo
semiconductor en CA.
Investigar que es y cmo se calculan la potencia promedio y eficaz, en un dispositivo
semiconductor en CA.
Realizar la simulacin de los circuitos para obtener las caractersticas elctricas del diodo de (Si)
en CA.
Traer hojas de especificaciones del diodo de (Si), que se emplear en la prctica.
Traer los circuitos armados.
LISTA DE MATERIAL: (anotar el material utilizado en la prctica)

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DESARROLLO:
1. Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias comerciales) que se
deseen emplear en la prctica, y consultar las hojas de especificaciones del diodo (de Si) que se
utilizar para el desarrollo de la prctica. Preferentemente que los diodos y resistencias sean de I/2W
ms Watts. Empleando el diodo de Si, armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y
registrar las mediciones del dispositivo, como se indica en la tabla. Seleccionar la seal senoidal del
generador (VS), e ir variando la amplitud desde la mnima a la mxima con una frecuencia no menor
a 60Hz y no mayor a 1KHz. Observa la grfica tanto en base de tiempo como en graficador XY.
1.1 Dibujar en papel milimtrico, las grficas observadas en el osciloscopio. V D vs t, VR vs t y ID vs VD
colocando en cada una de las grficas valores medidos y unidades correspondientes a la medicin,
las mediciones se harn con la mxima amplitud y la frecuencia seleccionada.
1.2 Realizar los clculos correspondientes para obtener la medicin de ID, la resistencia esttica
mxima (RDmax), resistencia dinmica (rD), y PD, para el diodo.
1.3 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones correspondientes.

D CH1

Vs

R
CH2 inv

Nota: el voltaje del diodo se debe medir en polarizacin

directa e inversa, en mxima amplitud de la seal del
generador.
Tabla de mediciones en polarizacin directa.
D
IDmn IDmax VDmin=VU VDmx pol
rD

RDmax

PD

dir

Fig. 1 Circuito de prueba

Si
Tabla de mediciones en polarizacin inversa
Diodo
Si

IS

VDmx pol inv

2. Observar la grfica (en graficador X-Y), I D vs VD, colocar un cerillo encendido cerca del diodo y
anotar los cambios observados en la grfica, con el aumento de la temperatura.
2.1 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.
3. Observar y dibujar la grfica (en base de tiempo de) V D vs t y VR vs t, con una seal cuadrada con
una frecuencia entre 60 y un 1KHz y con una amplitud de 5Vp, posteriormente variar la frecuencia del
generador y anotar los cambios observados en la grfica, con la variacin de la frecuencia.
3.1 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

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