DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Profesor:
Duvn Fernando Garca Cedeo

Universidad del Valle Facultad de Ingeniera

Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica EIEE
Grupo de Arquitecturas Digitales y Microelectrnica GADYM

Introduccin
1.
2.
3.
4.
5.

Fenmenos del Transporte en los Semiconductores

Caractersticas de los Diodos de Unin
Caractersticas de los Transistores
Transistores de Efecto de Campo
Dispositivos de Cuatro Capas

El Fenmeno del transporte en

los semiconductores
La corriente en un metal es debida al movimiento de cargas negativas
(electrones), mientras que la corriente en un semiconductor resulta del
movimiento de los electrones y de las cargas positivas (huecos). Un
semiconductor puede ser dopado con tomos impurificadores de
manera que la corriente se deba predominantemente a los electrones o
bien a los huecos.

Movilidad y Conductibilidad
En un metal los electrones de conduccin o de valencia de un tomo
se hallan tan asociados con un ion como con cualquier otro, esto
significa que la banda ocupada por los electrones de valencia no se
pueden llenar completamente y que no hay niveles prohibidos a
energas superiores.

Carga distribuida en el interior de un metal

Esta imagen se conoce como gas electrnico de un metal

Movilidad y Conductibilidad
La teora del gas electrnico de un metal dice que los electrones estn
en continuo movimiento y que su trayectoria cambia con la colisin
con lo iones pesados. Como el movimiento es al azar es posible que
muchos electrones circulen en una direccin mientras otros en
direccin opuesta por lo cual la corriente media es cero.
La situacin cambia al aplicar un campo elctrico constante al metal,
en este caso los electrones se aceleran por las fuerzas electrostticas y
la velocidad crecera indefinidamente si no fuera por las colisiones. En
dicha colisin el electrn pierde energa y se alcanza una condicin de
equilibrio para un valor finito de la velocidad de desplazamiento .
=
donde es la movilidad de los electrones

Densidad de Corriente
El flujo dirigido de los electrones constituye una corriente.
Si tenemos un conductor de longitud L, hay N electrones, y si un
electrn tarda un tiempo T en atravesar la distancia L, el numero total
de electrones que pasan a travs de cualquier seccin del conductor
por unidad de tiempo es N/T.
Entonces la corriente ser:
y la densidad de corriente J es la corriente media
por unidad de rea en una distribucin uniforme.
donde J se expresa en ampere por metro cuadrado

Densidad de Corriente
Donde LA es el volumen que contiene N electrones, y N/LA es la
concentracin de electrones (electrones por metro cubico).
Y reemplazando obtenemos
Donde = nq que es la densidad de carga en coulomb por metro
cubico, y v esta en metros por segundo.
Esta deduccin es independiente de la forma del medio de conduccin
y ni ni deben ser necesariamente constantes, si no que pueden
variar de un punto a otro en el espacio o con el tiempo.

Conductividad
Teniendo en cuenta las ecuaciones anteriores:
Donde:
que es la conductividad del metal en (ohm-metro)-1
Se conoce como la ley de ohm, e indica que la conduccion de corriente
es proporcional a la diferencia de potencial aplicado.
La energia que ceden los electrones por las colisiones es disipada en el
interior del metal y se denomina densidad termica de potencia (Efecto
Joule)
(watt por metro cubico).

Los Huecos y los Electrones en

un Semiconductor Intrnseco
La conductividad es proporcional a la concentracin de electrones
libres n. para un buen conductor n es muy elevado (~1023
electrones/m3), para un aislante muy pequeo (~107), y para un
semiconductor n esta situado entre estos dos valores. Los electrones de
valencia de un semiconductor no estn libres en el mismo sentido en
que lo estn para los conductores, sino que estn ligados por los
enlaces entre iones adyacentes.

Los Huecos y los Electrones en

un Semiconductor Intrnseco
El enlace covalente: el germanio y el silicio constituyen los dos
semiconductores mas importantes empleados en los dispositivos
electrnicos. El germanio tiene un total de 32 electrones (14 Si) en su
estructura atmica, cada uno con 4 electrones de valencia y por tanto
es tetravalente. Estas estructuras cristalinas se representan de la
siguiente manera.

A pesar de la disponibilidad
de 4 electrones de valencia la
conductividad del cristal es
baja, porque estos sirven de
unin entre un tomo y otro
prximo y por tanto estn
ligados a los ncleos.

Estructura cristalina del germanio

Los Huecos y los Electrones en

un Semiconductor Intrnseco
El hueco: a temperaturas bajas (0K) la estructura anterior es bastante
aceptable, y el cristal se constituye en aislante, puesto que no hay
disponible ningn portador libre de electricidad. Mientras a
temperatura ambientes algunos enlaces se rompen debido a la energa
trmica y se hace posible la conduccin.
La
energa
EG
necesaria para romper
el enlace covalente es
aproximadamente de
0.72 eV para el Ge, y
de 1.1 eV para el Si.
Cristal de Germanio con un enlace covalente roto

Los Huecos y los Electrones en

un Semiconductor Intrnseco
Cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y le resulta
relativamente fcil al electrn de valencia del tomo vecino dejar su
enlace covalente y llenar este hueco, a su vez se genera otro hueco en
la posicin inicial del electrn, con lo que el hueco se mueve
efectivamente en direccin contraria al electrn y el nuevo hueco
puede ser llenado nuevamente por otro electrn vecino. Este es un
nuevo mecanismo de conduccin de la electricidad que no implica
electrones libres.

Mecanismo por el que un hueco contribuye

a la conductividad

Los Huecos y los Electrones en

un Semiconductor Intrnseco
En un conductor puro (intrnseco) el numero de huecos es igual al
numero de electrones libres. La agitacin trmica continuamente
produce nuevos pares de electrn-hueco, mientras que otros pares
desaparecen como resultado de la recombinacin. La concentracin de
huecos p debe ser igual a la concentracin de electrones n, de manera
que:
Donde ni se denomina concentracin intrnseca.

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

Al aadir un pequeo porcentaje de tomos trivalentes o pentavalentes
a un semiconductor intrnseco (puro), como el germanio o el silicio,
este se transforma en un semiconductor dopado, impuro o extrnseco.
Donadores: si la impureza tiene cinco electrones de valencia, los
tomos de la impureza desplazaran algunos tomos de germanio del
cristal, cuatro de estos electrones de valencia ocuparan enlaces
covalentes y el quinto electrn quedara inicialmente sin enlace
constituyendo un portador de corriente.
Red de cristal del
germanio con un
tomo impurificador
de antimonio

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

La energa necesaria para desligar este quinto electrn del tomo, es
del orden de solo 0.01 eV para el Ge y 0.05 eV para el Si. Las
impurezas pentavalentes que se emplean son antimonio, fosforo y
arsnico: estas producen un exceso de electrones portadores
(negativos), y se les denomina donadoras del tipo n. Al agregar una
impureza donadora aparecen niveles de energa permitidos a muy poca
distancia de la banda de conduccin.

Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo n

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

Si un material intrnseco se droga con impurezas del tipo n, no solo
aumenta el numero de electrones, sino que tambin el numero de
huecos disminuye por debajo del numero inicial. Esto se debe a la
cantidad de electrones presentes que aumentan la velocidad de
recombinacin.
Aceptadores: al aadir impurezas trivalentes (boro, galio o indio) a un
semiconductor intrnseco, solo se completan 3 de los enlaces
covalentes, y la ausencia del cuarto enlace constituye un hueco.
Estas
impurezas
posibilitan
portadores
positivos, con la creacin de huecos y son
conocidos como aceptadores o impurezas del
tipo p.
Red de cristal del germanio con
tomo impurificador trivalente

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

Al agregar impurezas aceptadoras, o sea de tipo p, se genera un nivel
discreto de energa permitida que esta justamente por encima de la banda
de valencia.
Diagrama de bandas de energa
de un semiconductor tipo p

Como el nivel de energa necesario para que el electrn deje la banda de

valencia y pase a la nueva banda de energa introducida por los
aceptadores es muy pequea, se generan huecos en la banda de valencia
por los electrones que la abandonan dando lugar a un elevado numero de
portadores.

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

Ley de Accin de Masas: al aadir impurezas del tipo n disminuyen los
huecos, mientras que al aadir impurezas del tipo p disminuye la
concentracin de electrones libres. En condiciones de equilibrio trmico,
el producto de la concentracin de las cargas positivas y negativas libres
es una constante independiente de la cantidad de donador y aceptador.
Esta es la ley de accin de masas:
La concentracin ni es funcin de la temperatura.
En un semiconductor tipo n, los electrones son portadores mayoritarios y
los huecos portadores minoritarios, mientras en un semiconductor tipo p
los huecos son portadores mayoritarios y los electrones portadores
minoritarios.

Densidades de Carga en un
Semiconductor
La ecuacin anterior indica la relacin existente entre la concentracin de
electrones n y de huecos p. Adems estn relacionadas por la ley de
neutralidad elctrica. Sea ND la concentracin de tomos donadores, ya
que estn totalmente ionizadas, aparecern N D cargas positivas por metro
cubico, entonces la densidad de carga positiva ser N D + p. Similarmente,
siendo NA la concentracin de iones aceptadores o cargas negativas,
entonces la densidad total de cargas negativas ser N A + n. Como el
semiconductor es elctricamente neutro entonces:
Consideremos un material tipo n con NA = 0. como el numero de
electrones es mucho mayor que el de huecos (n>>p)
En un material tipo n la concentracin de
electrones libres es aproximadamente igual a la
densidad de tomos donadores

Densidades de Carga en un
Semiconductor
La concentracin pn de huecos en el semiconductor tipo n se obtiene de la
siguiente forma:
por lo que reemplazando:
Y para un semiconductor tipo p:
Por otra parte si se aaden donadores al tipo p, o aceptadores al tipo n, y
se igualan la concentraciones, este permanece intrnseco.
;
;
y
que es la concentracin
intrnseca.
Si por el contrario la concentracin de tomos donadores excede la
concentracin de aceptadores (ND > NA), cambia del tipo p al tipo n y ND
deber reemplazarse por ND - NA

Propiedades Elctricas del Ge y del Si

La diferencia fundamental entre un metal y un semiconductor consiste
en que el primero es unipolar [conduce corriente mediante cargas de
un solo signo (electrones)], mientras que el semiconductor es bipolar
(contiene dos partculas portadoras de carga de signo opuestos).
Conductividad: uno de los portadores es negativo (electrones libres),
de movilidad n, y el otro es positivo (el hueco) de movilidad P. Estos
se mueven en sentido opuesto al campo elctrico , debido a que
tienen signo opuesto, pero la corriente de ambos tiene la misma
direccin, entonces la densidad de corriente J ser:

Propiedades Elctricas del Ge y del Si

Por lo tanto:
Y para un semiconductor puro, p = n =ni, donde ni es la concentracin
intrnseca.
Concentracin Intrnseca: con el incremento de la temperatura, la
densidad de pares electrn-hueco aumenta y se incrementa la
conductividad. Por lo que la concentracin intrnseca varia con T de la
siguiente forma:
Donde EGO es el salto de energa de la banda vaca a 0K en electrn-volt, k es la
constante de Boltzman en V/K, y Ao es una constante independiente de la
temperatura.

Generacin y Recombinacin de Cargas

La agitacin trmica genera continuamente pares de electrn-huecos, g
por unidad de volumen y por segundo, mientras que otros desaparecen
como resultado de la recombinacin. Por lo que un hueco (o un
electrn) existe durante p (n) seg antes de la recombinacin. Este
tiempo se denomina vida media de un hueco o de un electrn. Estos
parmetros son muy importantes porque indican el tiempo requerido
para que las concentraciones de huecos o de electrones que hayan
cambiado, vuelvan a sus concentraciones de equilibrio.

Generacin y Recombinacin de Cargas

Consideremos una barra de silicio del tipo n, la concentracin de
equilibrio trmico es po y no. En el instante t=t` el conductor se
ilumina y se generan pares adicionales de electrn-huecos. Se obtienen
nuevas concentraciones
por la radiacin. La concentracin de
fotoinyectados o excedentes es
para los huecos y
para los
electrones.

Concentracin de huecos (minoritarios) en un material tipo n

debida a la generacin y recombinacin

Generacin y Recombinacin de Cargas

Cuando se elimina la radiacin, la densidad excesiva de portadores
vuelve a cero exponencialmente con el tiempo.
Tenemos que:
Y

Ninguna carga puede ser creada o destruida, lo que quiere decir que
habr un incremento por segundo dp/dt de la concentracin.
En condiciones de equilibrio dp/dt = 0 y sin radiacin la concentracin
de huecos p alcanzara su equilibrio trmico po con lo que g = po/p

Generacin y Recombinacin de Cargas

La densidad de portadores inyectados p`, se define como el incremento
de la concentracin de minoritarios sobre el valor del equilibrio. Como
p es funcin del tiempo, entonces:
Entonces la ecuacin diferencial es:
El signo menos indica que el cambio es una disminucin en el caso de
recombinacin, y es un aumento cuando la concentracin se compensa
de una disminucin temporal. Por la radiacin antes de t=0 hay un
exceso
y cuando la radiacin termina para t > 0 la solucin
ser:
La concentracin decrece con una constante de tiempo igual a la
vida media p. El mtodo del pulso de luz se emplea para medir p

Generacin y Recombinacin de Cargas

Centros de Recombinacin: la recombinacin es el proceso mediante
el cual un electrn pasa de la banda de conduccin a la banda de
valencia, haciendo que un par mvil electrn-hueco desaparezca.
La recombinacin se logra por la existencia de trampas o centros de
recombinacin, que contribuyen al equilibrio de la banda de energa
prohibida. Las impurezas metlicas o las imperfecciones del cristal son
las encargadas de introducir estados de energa en la banda prohibida.
Uno de los principales metales usados como agente recombinador es el
oro, con este el diseador puede obtener portadores de vida
determinada introducindolo en el silicio en condiciones controladas.

Difusin
Junto con la corriente de conduccin, el transporte de cargas puede
realizarse por un mecanismo denominado difusin.
Si se tiene en un semiconductor una concentracin de partculas no
uniforme, y dicha concentracin p de huecos varia con la distancia x,
existe un gradiente de concentracin dp/dx. Al trazar una lnea
imaginaria en inmediaciones de la superficie ser mayor la densidad a
un lado que al otro. Los huecos se movern de un lado a otro
constituyendo una corriente en direccin de X positiva.

Una concentracin no uniforme p(x)

origina una corriente de difusin Jp

Difusin
La densidad de corriente de difusin de huecos Jp (ampere por metro
cuadrado) es proporcional al gradiente de concentracin, y esta dada
por:
donde Dp (metros cuadrados por segundo) es
constante de difusin de huecos. Como p
disminuye con el aumento de x, dp/dx es negativa, por eso el signo
menos, entonces Jp ser positiva en la direccin positiva de x.
Para la densidad de corriente de difusin de electrones (n se reemplaza
por p y el signo menos es sustituido por el signo mas.

Difusin
Relacin de Einstein: como la difusin y la movilidad son fenmenos
estadsticos termodinmicos, D y no son independientes. Estos se
relacionan por la ecuacin de Einstein:
Donde VT es el potencial equivalente de temperatura, definido por:
donde es la constante de Boltzman en joule por
grado kelvin. Mientras que k es la constante en
electrn-volt.
= 1.60 x 10-19 k.
A temperatura ambiente (300k) VT = 0.026 V, y = 39D

Difusin
Corriente Total: Es posible que existan simultneamente un gradiente
de potencial y un gradiente de concentracin dentro del
semiconductor. En este caso la corriente de huecos total es la suma de
la corriente de desplazamiento y la corriente de difusin.

De forma similar la corriente neta de electrones ser:

La variacin de potencial en un
semiconductor
En un semiconductor en que la concentracin de huecos p es funcin
de x, es decir no esta uniformemente drogado. Se supone una
condicin de equilibrio y excitacin cero. Esta claro que en ausencia
de excitacin no puede haber movimiento de cargas estable, aunque
hay movimiento de portadores por la agitacin trmica. Por lo tanto la
corriente total de huecos debe ser cero(al igual que la corriente total de
electrones). Como p no es constante, habr una corriente de difusin,
con lo que se espera una corriente de desplazamiento igual y en
sentido opuesto, en este caso el drogado no uniforme genera el campo
elctrico en el interior necesario para la conduccin de corriente.

La variacin de potencial en un
semiconductor
Para hallar ese campo y la variacin de potencial hacemos Jp = 0 en
la ecuacin de la corriente total , adems de utilizar la relacin de
Einstein, obtenemos:
y si se conoce la concentracin p(x),
se puede hallar (x), con lo siguiente
entonces la variacin de potencial
es:
Al integrar entre x1, donde la concentracin es p1 y el potencial es V1,
y x2, donde p = p2 y V = V2, tenemos:

La variacin de potencial en un
semiconductor
Con lo anterior se observa que la diferencia de potencial solo depende
de las concentraciones en estos dos puntos y es independiente de la
separacin x2 x1, obteniendo la relacin de Boltzman de la teora
cintica de gases:
Ley de accin de masas: Y para los electrones de igual forma
empezando con Jn = 0:
Multiplicando las ecuaciones anteriores se obtiene:
Que indica que el producto np es una constante independiente x, y por
tanto de drogado, en equilibrio termico.

La variacin de potencial en un
semiconductor
Unin abrupta en circuito abierto: en este caso se utiliza la unin de
un material tipo p con concentracin NA con un material tipo n con
concentracin ND, a este tipo de drogado en el que la densidad cambia
bruscamente del tipo p al tipo n, se le denomina drogado en escaln.
La unin de este drogado tiene concentracin cero. Para calcular el
diferencial de potencial de contacto Vo se utiliza lo siguiente:

electrones
ni2/ND se

con p1 = Ppo = concentracin de huecos en el equilibrio

trmico en el lado p y p2 = Pno concentracin de
en el lado n. Y reemplazando Pno = N A, Pno =
obtiene:

Resumen

Resumen

Caractersticas de los Diodos de Unin

Unin p-n en Circuito Abierto
Si en un lado de un cristal semiconductor se introducen donadores y
en el otro aceptadores, quedara constituida una unin p-n. El ion
donador se representa por un signo mas, ya que, despus de que este
tomo de impureza a dado un electrn, se transforma en un ion
positivo. El ion aceptador esta indicado con un signo menos debido a
que, despus de aceptar este tomo un electrn, se transforma en un
ion negativo. Inicialmente solo hay portadores del tipo p a la izquierda
de la unin, y portadores del tipo n a la derecha.

Unin p-n

Unin p-n en Circuito Abierto

Regin de carga espacial: como existe un gradiente de concentracin
en la unin, los huecos se difunden hacia la derecha y los electrones
hacia la izquierda. Los iones no neutralizados en las cercanas de la
unin se conocen con el nombre de cargas descubiertas. Y la densidad
de carga depende de la forma en que el diodo esta drogado. La
regin de la unin no contiene cargas mviles y se denomina regin de
desviacin de carga espacial o de transicin. Y a la izquierda de esta
regin la concentracin de portadores es de
, y a la derecha

Unin p-n en Circuito Abierto

Unin p-n en Circuito Abierto

Intensidad del campo elctrico: la densidad de carga espacial es cero
en la unin, a la derecha positiva y a la izquierda negativa. Las lneas
de flujo van de derecha a izquierda correspondiente a una intensidad
campo negativa. Existir un equilibrio cuando este campo sea lo
suficientemente fuerte para contrarrestar la difusin, es decir las
corrientes se reducen a cero por ser un sistema en circuito abierto.
Y la curva de intensidad de campo es proporcional a la integral de la
curva de la densidad de carga. Utilizando la ecuacin de Polisn:
donde es la permitividad, r la constante dielctrica
y o la permitividad del vacio, = r o.
integrando la ecuacion y

obtenemos:

Unin p-n en Circuito Abierto

Unin p-n en Circuito Abierto

Potencial: la variacin del potencial electrosttico en la regin de
transicin es la integral negativa de la funcin y constituye una
barrera de energa potencial que se opone a la difusin de huecos a
travs de la barrera.

Unin p-n en Circuito Abierto

En la siguiente figura se muestra la forma de la barrera de la energa
potencial contra la fluencia de electrones del lado n a travs de la
unin es invertida a la de los huecos, ya que la carga de los electrones
es negativa.

Unin p-n en Circuito Abierto

En condiciones de circuito abierto la corriente de huecos debe ser
cero. En el lado p la concentracin de huecos es mucho mayor, por lo
que existe una corriente de difusin que hace que los huecos tiendan a
atravesar la barrera hacia el lado n, como aparece un campo elctrico
en la unin, hay una corriente de desplazamiento de huecos del lado n
al lado p que equilibra la corriente de difusin.
De esta manera es posible calcular la altura de la barrera de potencial
Vo en funcin de las concentraciones de donadores y aceptadores.

La Unin p-n Como Rectificador

Esta es la caracterstica esencial de la unin p-n, comportarse como
rectificador, es decir permitir el paso de cargas en un sentido y
oponerse a la circulacin en direccin opuesta.
Polarizacin Inversa: sucede cuando se conecta el terminal negativo
de una batera al lado p de la unin, el terminal positivo al lado n. En
este caso la polaridad tiende a llevar los huecos del tipo p y los
electrones del tipo n a alejarse de la unin. Como resultado se tendr
una corriente cero, pero fluye una pequea corriente debido a los pares
electrn-hueco que se generan por la energa trmica, esta corriente es
la corriente inversa de saturacin del diodo Io , esta corriente aumenta
con la temperatura por lo que la resistencia interna disminuye, e Io es
independiente de la tensin inversa aplicada.

La Unin p-n Como Rectificador

Esta conduccin en sentido inverso puede describirse as:

Cuando no existe tensin aplicada la barrera de potencial es la
mostrada anteriormente, mientras que al aplicar una tensin inversa la
altura de la barrera de potencial aumenta hasta un valor de qV,
reduciendo el flujo de portadores mayoritarios. La tensin inversa
aplicada se denomina polarizacin inversa o de bloqueo.

La Unin p-n Como Rectificador

Polarizacin Directa: si se aplica una tensin con la polaridad de

la figura anterior, se reduce la barrera de potencial en la unin y los
huecos atraviesan la unin desde la regin tipo p hasta la tipo n,
constituyendo la inyeccin de portadores minoritarios. De igual
forma los electrones atravesaran la unin en sentido inverso y se
transformaran en una corriente minoritaria hacia el lado p, lo que
provoca una reduccin en el ancho de la regin de transicin
generando un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unin.

Componentes de Corriente en un diodo pn

En la inyeccin a bajo nivel la corriente de minoritarios se debe casi
enteramente a la difusin, por lo cual la corriente de desplazamiento
se puede despreciar. La corriente de difusin de los huecos en un
material del tipo n, Ipn, decrece exponencialmente con la distancia x,
disminuye a 1/ de su valor pico y a una distancia Lp (longitud de
difusin para los huecos) = (Dpp)1/2.

Tambin se observa la corriente de

difusin de electrones Inp en el lado p.
El drogado no tiene que ser
necesariamente idntico, en este caso
la concentracin de aceptadores es
mucho mayor que la de los donadores

Componentes de Corriente en un diodo pn

Entonces la corriente de difusin minoritaria de huecos en la unin
(x=0) ser:
donde A es el rea transversal, Dp constante de
difusin de los huecos y Pno concentracin de
huecos en el equilibrio trmico en el lado n.

Ley de la Unin: la polarizacin en sentido directo disminuye la

altura de la barrera de potencial y lleva mas portadores por la unin.
Entonces Pn(0) es funcin de V, en otras palabras depende
exponencialmente de V:
Da la concentracin de huecos en el borde de la regin n (en x=0
justamente fuera de la regin de transicin) en funcin de la
concentracin de portadores minoritarios Pno en equilibrio
trmico, y de la tensin aplicada V.

Componentes de Corriente en un diodo pn

Corriente total del diodo: sustituyendo las ecuaciones anteriores
obtenemos:
Para la corriente de electrones Inp(0) que atraviesa la unin hacia el
lado p, se cambian los subndices. Por lo tanto la corriente total del
diodo I en x=0 ser:
Como la corriente es la misma a lo largo de un circuito serie, I es
independiente de x, entonces:
Donde Io es la corriente inversa de saturacin

En caso de polarizacin inversa I - Io y depender tambin de T.

Componentes de Corriente en un diodo pn

Componentes de la corriente de los portadores mayoritarios.
Al igual que la corriente de portadores minoritarios, tambin debe
existir una corriente de portadores mayoritarios (electrones) Inn,
funcin de x. esta corriente mayoritaria es:
Estas corrientes mayoritarias estn constituidas por dos componentes,
una es la corriente de desplazamiento y la otra corriente de difusin.
La corriente de desplazamiento
(conduccin) Ipp de huecos es
pequea y decrece hacia la unin,
transformndose en corriente de
difusin Ipn, de igual forma con la
corriente Inn.

Componentes de Corriente en un diodo pn

La regin de transicin: como la regin de transicin contiene muy
pocas cargas mviles, se ha supuesto que cabe despreciar la
generacin y recombinacin de portadores en esta regin, para el
caso del germanio. Sin embargo para el silicio se debe multiplicar VT
por un factor , siendo
para pequeas corrientes y
para
elevadas corrientes.

Caracterstica Tensin-Corriente
Segn lo anterior la corriente I se relaciona con la tensin V por
medio de la ecuacin:
Donde VT es la tensin equivalente de la temperatura.
A (T=300K), VT = 26mV.

Vz tensin de polarizacin inversa, circula gran corriente

inversa y esta en la regin de ruptura

Caracterstica Tensin-Corriente
Tensin umbral: es por debajo la cual la corriente es muy pequea,
mientras que por encima de esta la corriente sube muy rpidamente,
denominada tambin tensin de codo. Para el germanio es
aproximadamente 0.2V y para el silicio 0.7V. La corriente de
saturacin inversa es del orden de microampere para el germanio, y
de nanoampere para el silicio.

Dependencia de la Caracterstica
Tensin-Corriente a la Temperatura
La variacin de Io con respecto a T es de 8%/C para el silicio y de
11%/C para el germanio. Experimentalmente se ha observado que Io
crece aproximadamente un 7%/C en ambos materiales.
Entonces:
se tiene que
Entonces al aumentar la temperatura, con la tensin igual aumenta la
corriente. Pero si se reduce V I puede volver a su valor inicial, por lo
cual para el silicio como el germanio se tiene que:

Resistencia del Diodo

La resistencia esttica del diodo se define como la relacin entre la
tensin y la corriente V/I. en un punto de la caracterstica V/I, R es
igual a la inversa de la pendiente de la lnea que une el punto con el
origen. Sin embargo como R esttica vari de gran forma con V e I
no es til como parmetro.
La resistencia dinmica o incremental r, es parmetro importante
para pequeas seales y se define como la inversa de la pendiente de
la caracterstica V/I,
y la conductancia
entonces:

Resistencia del Diodo

Para una polarizacin inversa superior a unas decimas de volt (|
V/VT|>>1), g es extremadamente pequeo y r muy grande, mientras
para una polarizacin directa I>>Io y r viene dada aproximadamente
por:
Aunque r vari con la corriente, en un modelo a pequea seal es
razonable emplear el parmetro r como constante.

Resistencia del Diodo

Caracterstica lineal aproximada del diodo: para grandes seales
se emplea una aproximacin que da soluciones muy satisfactorias. En
esta el punto de rotura, umbral o partida no es el origen sino V
(voltaje umbral), donde es un circuito abierto para V< V, y con una
resistencia incremental constante r=dV/dI para V> V

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
La polarizacin inversa provoca que los portadores mayoritarios se
alejen de la unin, dejando mas cargas inmviles, por lo cual el
ancho de la carga espacial aumenta con la tensin inversa. Este
aumento de carga puede considerarse como un efecto de capacidad.
La capacidad incremental CT es:
Donde dQ es el incremento en la carga provocado por el cambio de
tensin dV.
Un cambio en la tensin dV en un tiempo dt da como resultado una
corriente i=dQ/dt entonces:

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
El valor de CT se conoce como capacidad de la regin de transicin,
de la carga espacial. Esta capacidad no es constante, si no que
depende de la tensin inversa.
Unin brusca o abrupta: consideremos una unin en la que hay un
cambio abrupto de iones aceptadores en un lado de la unin, a iones
donadores en el otro. No es necesario que la concentracin de iones
aceptadores NA sea igual a la concentracin de impurezas donadores
ND. En la practica, se obtienen ventajas con una unin asimtrica.

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Supongamos una densidad de impurezas aceptadoras mucho mayor
que la concentracin de donadores, puesto que la carga neta total
debe ser cero entonces :
Si NA >> ND, entonces Wp>> Wn W. la relacin entre el potencial
y la densidad de carga viene dada por:

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Las lneas del campo elctrico parten donadores positivos y terminan
en los iones aceptadores negativos. En este caso no hay lneas de
campo a la derecha del limite x=Wn, y =-dV/dx=0 en x=WnW.
integrando la ecuacin sujetas a las condiciones de limite tenemos:

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Despreciando la pequea diferencia de potencial en Wp, podemos
escoger arbitrariamente V=0 a x=0. integrando la ecuacin anterior
de acuerdo con estas condiciones, se obtiene:

Para x=W, V=Vj=potencial de

unin o barrera es:

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Como la barrera de potencial representa una tensin inversa, queda
disminuida por la tensin directa aplicada, y por lo tanto:
Donde Vd es un numero negativo para una polarizacin inversa y Vo
es el potencial de contacto. La ecuacin anterior confirma la
conclusin de que el ancho de la zona de carga de espacio aumenta
con la tensin inversa aplica. W varia con Vj1/2=(Vo-Vd)1/2
Si A es el rea de la unin, la carga en funcin de la distancia W ser:
La capacidad de transicin CT viene dada por :

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
De la ecuacin de potencial de barrera,
tanto:

por lo

Esta formula es exactamente la expresin de capacidad de un

condensador plano de placas paralelas de rea A (metros cuadrados)
y separacin entre placas W metros con un dielctrico de
permitividad . Si no se desprecia la concentracin NA, los
resultados anteriores solo se modifican ligeramente. En la ecuacin
de potencial de barrera , W representa la anchura total de la zona de
carga espacial, y 1/ND queda reemplazada por 1/NA+1/ND

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Unin gradual lineal: es cuando se forma una unin de forma que la
densidad de carga varia gradualmente (casi linealmente), como se
muestra a continuacin:

En este caso se analiza de igual forma y la ecuaciones siguen siendo

validas, donde W es la anchura total de la zona de carga espacial, y
W es ahora proporcional a Vj1/3 en lugar de a Vj1/2

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Diodos de capacidad variable (varicaps): se ha observado que la
capacidad de transicin no es constante, sino que depende de la
tensin exterior aplicada. Cuando mayor es la tensin inversa, mayor
ser la anchura W de la zona de carga espacial, y por lo tanto menor
su capacidad CT.
Variacin de la capacidad de
la barrera, con la tensin
inversa, diodos comerciales.

Capacidad de la Carga Espacial o de

Transicin CT
Esta propiedad de la unin p-n polarizada en sentido inverso, se
emplea en numerosos circuitos. Una de estas aplicaciones es la
sintonizacin por tensin de un circuito resonante LC, otra aplicacin
es en circuitos autoequilibrados y en tipos especiales de
amplificadores, denominado amplificadores paramtricos.
Estos diodos se denominan varactores o varicaps.
Diodo varicap polarizado en sentido
inverso. (a) smbolo; (b) modelo
La resistencia Rs representa la
resistencia serie del cuerpo (hmica)
del diodo.
Valores tpicos: CT=20pF, Rs=8.5

Modelo del Control de la Carga de un

Diodo

En las graficas anteriores vemos la distribucin de la densidad de

portadores minoritarios en funcin de la distancia x a la unin. A la
izquierda en polarizacin directa y a la derecha en polarizacin
inversa.

Modelo del Control de la Carga de un

Diodo
Supondremos que el lado p esta fuertemente drogado en comparacin
con el lado n, la corriente I que circula a travs de la unin se debe
enteramente a los huecos que pasan del lado p al lado n, o sea
I=Ipn(0). El exceso de carga Q debida a los minoritarios solo existir
en la regin n, y su valor vendr dado por el rea sombreada de la
regin n multiplicada por el rea de la seccin transversal del diodo
A y por la carga del electrn q.
La corriente de los huecos I viene dada por Ip(x), x=0 entonces:

Modelo del Control de la Carga de un

Diodo
Eliminando p(0) entre las ecuaciones anteriores tenemos:
Donde
la vida media de los huecos.
Esta ecuacin anterior es conocida como modelo de control de la
carga de un diodo, y establece que la corriente del diodo (los huecos
que atraviesan la unin hacia n) es proporcional a la carga Q
almacenada, de exceso de portadores minoritarios.
En el estado de equilibrio la corriente I suministra portadores
minoritarios al ritmo en que desaparecen debido al proceso de
recombinacin.

Modelo del Control de la Carga de un

Diodo
Carga almacenada en polarizacin inversa: la carga inyectada en
la polarizacin inversa viene dada por el rea sombreada . Esta carga
ser negativa cuando represente menos cargas de las posibles en
condiciones de equilibrio trmico sin tensin aplicada. Con Q
negativa la corriente I del diodo es negativa y, por lo tanto, igual a la
corriente inversa de saturacin Io.
La carga Q hace las veces de un simple parmetro, cuyo signo
determina cuando el diodo esta polarizado en directa o en inversa. El
diodo esta polarizado en directa cuando Q es positiva y en inversa
cuando Q es negativa.

Capacidad de Difusin
En caso de polarizacin directa, aparece una capacidad mucho mayor
que la capacidad de transicin CT. El origen de esta gran capacidad
tiene lugar en el almacenamiento de cargas inyectadas cerca de la
unin, fuera de la regin de transicin, se denomina capacidad de la
difusin o almacenamiento CD.
Obtencin esttica de CD:
donde
es la conductancia.
Y sustituyendo la resistencia incremental del diodo tenemos:
La capacidad de difusin es proporcional a la corriente I

Capacidad de Difusin
Para este caso hemos supuesto que la corriente I es debida solamente
a los huecos, de no cumplirse esto CDp ser la capacidad de difusin
debida nicamente a los huecos y CDn la capacidad de difusin
debida a los electrones. Entonces la capacidad de difusin total ser
la suma de CDp y CDn.
Con polarizacin inversa g es muy pequea y CD puede despreciarse
comparada con CT. Para una corriente directa CD es normalmente
mucho mayor que CT. Por ejemplo, para el germanio (n=1) con
I=26mA, g=1S(Siemens), y CD=, entonces si =20us, CD=20uF,
aproximadamente 1 milln de veces mayor que la capacidad de
transicin.

Capacidad de Difusin
A pesar del elevado valor de CD la constante de tiempo rCD
(importante en los circuitos de aplicacin), puede no ser excesiva, ya
que la resistencia dinmica r=1/g es pequea.
Por lo tanto la constante de tiempo del diodo es igual a la vida media
de los portadores minoritarios.
Capacidad de difusin para una entrada arbitraria: consideremos
la formacin de cargas inyectadas en una unin en funcin del
tiempo cuando se cambia el potencial.

Capacidad de Difusin

El incremento de la carga dQ en el tiempo dt es proporcional al rea

sombreada y la inyeccin de cargas dQ en estado de equilibrio,
debida al incremento de la tensin dV, es proporcional al rea
sombreada total. Como dQ es la carga inyectada por la unin en un
tiempo dt, la corriente viene dada por:
Donde CD se define como capacidad de difusin a pequea
seal, siendo CDdQ/dV

Capacidad de Difusin
La corriente del diodo no viene dada por la carga en equilibrio Q o la
capacidad esttica CD.
Como dQ<dQ, entonces CD<CD.
La capacidad de difusin dinmica CD depende de la variacin de la
tensin de entrada con el tiempo. Para encontrar C D, la ecuacin de
continuidad debe resolverse para la forma de onda de la tensin dada.
Si la entrada varia con el tiempo de forma arbitraria, no se puede
definir la capacidad de difusin de una forma nica.

Capacidad de Difusin
Capacidad de difusin para una entrada senoidal: en este caso
especial en que la excitacin varia senoidalmente con el tiempo, C D
es funcin de la frecuencia. Para bajas frecuencias:
Que es la mitad del valor encontrado en la obtencin esttica C D.
Para altas frecuencias, CD disminuye con el incremento de la
frecuencia y viene dado por:

Tiempo de Conmutacin del Diodo de

Unin
Cuando un diodo pasa de las condiciones inversas a las directas y
viceversa, la respuesta del diodo va acompaada de un periodo de
transicin, y transcurre un intervalo antes de que recupere el estado
de equilibrio. El tfr de recuperacin en directa es la diferencia de
tiempo entre el instante en que la tensin del diodo vale el 10% y el
instante en que esta tensin alcanza y permanece dentro del 10% de
su valor final. Este tfr no suele constituir un serio problema en la
practica.

Tiempo de Conmutacin del Diodo de

Unin
Tiempo de recuperacin en inversa del diodo trr: si la tensin
exterior pasa a tener sentido inverso, en un circuito de un diodo que
este aportando corriente en directa, la corriente no pasara
inmediatamente al valor que corresponde a la tensin inversa. La
corriente no puede bajar su valor de equilibrio hasta que la
distribucin de portadores minoritarios, que en el momento de
invertir la tensin era la del lado izquierdo en la grafica anterior, pase
a ser la del lado derecho. Hasta el instante en que la densidad de
portadores mayoritarios o inyectados pn-pno (o np- npo) hay cado a
cero, el diodo seguir conduciendo fcilmente, y la corriente quedara
determinada por las resistencias exteriores del circuito del diodo.

Tiempo de Conmutacin del Diodo de

Unin
Tiempos de transicin y de almacenamiento: a un circuito con RL
y diodo se aplica una secuencia de tensin que pasa del sentido
directo al inverso, con RL suficientemente grande para que la cada
de tensin sea elevada comparada con la del diodo.

Tiempo de Conmutacin del Diodo de

Unin
En este caso iVF/RL.
En t=t1, v=-VR, pero la corriente no baja a cero, sino que se invierte
y permanece a un valor i-VR/RL hasta t=t2. en este momento la
densidad de portadores minoritarios pn a x=0 ha alcanzado su estado
de equilibrio pno. Si la resistencia del diodo es Rd, la tensin del diodo
hasta t1 cae lentamente [debido a (IF+IR)Rd] pero no se invierte. Para
t=t2 cuando el exceso de portadores minoritarios en las inmediaciones
de la unin ha pasado a travs de ella, la tensin del diodo empieza a
invertirse y la corriente a decrecer.

Tiempo de Conmutacin del Diodo de

Unin
El intervalo de t a t

en el que la
carga de minoritarios llega a cero,
se
denomina
tiempo
de
almacenamiento ts, y el tiempo
entre t2 y el momento en que el
diodo
se
ha
recuperado
totalmente, se denomina tiempo
de transicin tt.
Este intervalo se completa cuando
los portadores minoritarios que
hay cerca de la se difunden y la
atraviesan, adems la capacidad
de transicin de la unin
polarizada se carga a VR a travs
de RL
1

Diodos de Avalancha
Cuando se disean diodos con capacidad adecuada de disipacin de
potencia para trabajar en la zona de ruptura, aparece la caracterstica
de la tensin inversa de un diodo. Estos diodos se conocen como
diodos zener, de avalancha o de ruptura y se emplean como
dispositivos de tensin de referencia o de tensin constante.

Diodos de Avalancha
Inicialmente se selecciona V y R para que el diodo pueda funcionar
en la regin de avalancha. El diodo regulara la tensin de carga
oponindose a las variaciones de corriente y de la tensin de
alimentacin V, ya que en la regin de avalancha grandes cambios de
la corriente del diodo solo producen pequeos cambios en la tensin.
La corriente del diodo se ajusta por si misma hasta que este por
debajo de IZK dejando de regular la tensin en RL.
El limite superior de la corriente lo determina la potencia de
disipacin mxima del diodo.

Diodos de Avalancha
Multiplicacin de la avalancha: se deben admitir dos mecanismos
para que se produzca la avalancha del diodo. Consideremos lo
siguiente: un portador generado trmicamente cae en la barrera de la
unin y adquiere energa suficiente a partir del potencial aplicado.
Estos portadores chocan con los iones y liberan energa suficiente
para romper un enlace covalente. Se genera un par electrn-huecos
que se suman a los portadores, estos pueden adquirir energa
suficiente del campo elctrico, chocando contra otros iones y
generando mas pares de electrn-huecos, generando nuevos
portadores reiteradamente. Este proceso acumulativo se denomina
multiplicacin por avalancha, dando como resultado una gran
corriente inversa.

Diodos de Avalancha
Ruptura Zener: en ocasiones si los portadores asequibles
inicialmente no adquieren suficiente energa para romper los enlaces,
se puede iniciar la avalancha con una ruptura directa de los enlaces.
El campo elctrico en la unin puede ejercer una fuerza
suficientemente elevada sobre un electrn, rompiendo su enlace, el
nuevo par electrn-hueco aumenta la corriente inversa. Este proceso
no implica la colisin con los iones. La intensidad del campo
elctrico aumenta con las impurezas, para una tensin aplicada fija.
La avalancha zener sucede con un campo aproximadamente 2x107
V/m, y este valor se alcanza con tensiones cercanas por debajo de los
6V.

Diodos de Avalancha

Comparacin entre diodos semiconductores de Ge y Si

Diodos de Avalancha
Caractersticas de temperatura: el coeficiente de temperatura
viene dado por el porcentaje de cambio de la tensin de referencia
para una variacin de un grado centgrado de la temperatura en el
diodo. Si la tensin de referencia es de alrededor de 6V, el
mecanismo corresponde a la multiplicacin por avalancha, tiene
coeficiente de temperatura es positivo. En cambio, por debajo de 6V
tiene lugar una verdadera ruptura zener y el coeficiente de
temperatura es negativo.

Diodos de Avalancha
Para una unin que tenga una zona de transicin estrecha, y por tanto
una intensidad de campo elevada, se romper por el mecanismo de
zener. Un aumento en la energa de los electrones de valencia debido
a la temperatura, facilita el escape de los electrones de los enlaces
covalentes. Por lo tanto, se precisa menos tensin para liberar los
electrones y convertirlos en electrones libres. En consecuencia, la
tensin de ruptura zener disminuir con la temperatura.

Diodos de Avalancha
Para una unin con zona de transicin ancha, y por lo tanto con una
intensidad de campo pequea, la ruptura se producir por efecto de
avalancha. En este caso los portadores chocaran con los electrones de
valencia y crearan la multiplicacin por avalancha. Cuando la
temperatura aumenta, el desplazamiento vibratorio de los tomos lo
hace, generando mayor cantidad de colisiones. En este caso los
electrones y huecos libres tienen menos oportunidad de ganar la
energa suficiente para provocar la avalancha. Por lo tanto, el valor
de tensin de avalancha debe aumentar con el incremento de la
temperatura.

Diodos de Avalancha
Resistencia y capacidad dinmicas: la resistencia dinmica r es
, con lo cual un cambio en la corriente produce un cambio
en la tensin
. El valor ideal de r=0, la variacin de r con
la corriente presenta un valor mnimo entre 6 a 10V, siendo de unos
pocos ohm, y puede ser de unos cientos de ohm para tensiones
menores a 6V y mayores a 10V. Para corrientes menores de IZK la
regulacin ser pobre.
La capacidad de un diodo de avalancha es la de transicin, y por lo
tanto varia inversamente con la tensin. Como CT es proporcional al
rea de la seccin transversal del diodo, los diodos de potencia
elevada tienen capacidades mucho mayores, CT de 10 a10000pF.

Diodos Tunel
La concentracin normal de impurezas en un diodo de unin es
aprox. 1 parte por 108,en cambio si la concentracin se aumenta de
forma extraordinaria aprox. 1 parte por103 la caracterstica cambia
por completo y se crea el diodo tnel. La anchura de la barrera varia
inversamente con la raz cuadrada de la concentracin de impurezas.
Ip=corriente de pico
Vp=pico de tensin
Iv=corriente de valle
Vv=tensin de valle
VF=pico de tensin positivo

Diodos Tunel
Es un excelente conductor en sentido inverso, como para tensiones
pequeas directas(hasta 50mV para Ge) la resistencia permanece del
orden de 5. La conductancia es cero en Vp para I=Ip, si la tensin
aumenta por encima de Vp, la corriente disminuye y la conductancia
g=dI/dV es negativa. La corriente es negativa entre Ip e Iv. A tensin
Vv para I=Iv, la conductancia vuelve a ser cero, y despus de Vv la
corriente vuelve a ser positiva y sigue aumentando.
a) Smbolo
b) Modelo a pequea seal en
regin de resistencia negativa.
Valores tpicos a Ip=10mA,
-Rn=-30, Rs=1, Ls=5nH y
C=20pF.

Diodos Tunel
Es un excelente conductor en sentido inverso, como para tensiones
pequeas directas(hasta 50mV para Ge) la resistencia permanece del
orden de 5. La conductancia es cero en Vp para I=Ip, si la tensin
aumenta por encima de Vp, la corriente disminuye y la conductancia
g=dI/dV es negativa. La corriente es negativa entre Ip e Iv. A tensin
Vv para I=Iv, la conductancia vuelve a ser cero, y despus de Vv la
corriente vuelve a ser positiva y sigue aumentando.
Una de las aplicaciones interesantes es conmutador de alta velocidad,
puesto que el efecto tunel tiene lugar a la velocidad de la luz, es decir
el tiempo de conmutacin varia entre nanosegundos e incluso
50pseg.

Fotodiodo Semiconductor
Si se ilumina la unin p-n polarizada en sentido inverso, la corriente
varia casi linealmente con el flujo luminoso.
Caractersticas tensin corriente: cuando una luz acta sobre una
unin p-n, se forman pares electrn-huecos adicionales. La corriente
de saturacin inversa Io es proporcional a la concentracin de
portadores minoritarios pno y npo, pero si iluminamos la unin,
polarizada inversamente, el numero de nuevos pares electrn-huecos
es proporcional al numero de fotones incidentes. Para una fuerte
polarizacin inversa I=Io+Is, donde Is es la corriente en corto circuito,
proporcional a la luz.

Fotodiodo Semiconductor

Construccin de fotodiodo semiconductor

Caracterstica tensin-corriente de un
fotodiodo de germanio 1N77

Fotodiodo Semiconductor
Variacin de la sensibilidad: si la radiacin esta enfocada sobre una
pequea superficie alejada de la unin, los portadores minoritarios
inyectados pueden recombinarse antes de difundirse en ella,
resultando una corriente mucho menor que si fuesen inyectados cerca
de la unin.

Sensibilidad de un foto-diodo en funcin de la distancia

del punto de impacto a la unin