Efecto Hall clsico en una lmina semiconductora.

Jaime Vidal Hernndez Hernndez

Laboratorio de Fsica Avanzada II, ESFM-IPN, Mxico D.F., Mxico

(Entrega 11 de junio de 2015)

En el presente trabajo se hace un estudio del efecto Hall clsico, de las tcnicas usadas para su medicin y se presentan los detalles
del sistema de medicin usado para el desarrollo experimental. Se observ el fenmeno producido por una lmina semiconductora
de 15 micras de espesor, se us como punta Hall, al ser sometida a variables como: el campo magntico en el que se encuentra
inmersa, el ngulo formado entre el plano de la lmina y el campo magntico, as como la corriente que atraviesa esta punta.
Tambin se determin la constante de Hall para la punta usada en nuestro desarrollo experimental y el signo de los portadores de
carga.
I. INTRODUCCIN
El efecto Hall provee un mtodo simple para determinar
con precisin la densidad de portadores de carga y el signo
de stos (tipo de portadores de carga), en conductores y
semiconductores; tambin permite medir el campo
magntico al que est sometida una punta Hall. Debido a su
simplicidad, bajo costo y tiempo de respuesta corto, es una
tcnica bastante empleada en la industria de
semiconductores y en laboratorios de investigacin. Por
esta razn se llevo a cabo un montaje experimental que
permiti analizar con precisin las caractersticas de una
lmina semiconductora, que se us como punta Hall. Con lo
cual se obtuvo informacin sobre el tipo y nmero de
portadores de carga as como la constante de Hall de la
lmina analizada.
II. MARCO TERICO
Si una corriente fluye por una lmina de material
(conductor o semiconductor) de forma rectangular y adems
dicho material se sita en el seno de un campo magntico
aplicado de manera perpendicular al plano de la lmina, una
fuerza (de Lorentz) acta sobre los portadores de carga del
material. Esta fuerza hace que los portadores de carga se
acumulen en el extremo de +x o x de la lmina (de acuerdo
con el sentido de la corriente y del campo aplicado), de tal
forma que aparece un voltaje, llamado voltaje de Hall, entre
dos puntos situados a un lado y a otro de la lmina, ver Fig. 1.
A una configuracin de este tipo se le conoce como punta
Hall.
Si la corriente que atraviesa la punta Hall tiene una
densidad elctrica j, y el campo magntico una magnitud B
perpendicular a la direccin de corriente, entonces acta
sobre cada carga q libre del material la fuerza de Lorentz
dada por:

F=q ( vxB ) (1 )
Es decir, por accin de esta fuerza los portadores se desvan
en direccin perpendicular a la de la densidad de corriente
elctrica y del campo magntico. Si los portadores son
cargas positivas (+q), su velocidad (v) tendr la direccin
de la corriente I, mientras que si son cargas negativas (-q)
su velocidad (-v) ser opuesta a I. Los portadores de carga
se desviarn en direccin +x y los de carga negativa en
direccin x (Fig. 1). Como hay un desplazamiento neto de
portadores de carga en una direccin y al ser el material
elctricamente neutro, aparece una carga neta igual y
opuesta en el otro lado del material, dando lugar a un
campo elctrico transversal EH, por tanto aparece una
diferencia de potencial elctrico, que recibe el nombre de
voltaje Hall (VH). Este proceso de separacin de cargas
contina hasta que la fuerza elctrica que ejerce el campo
elctrico transversal (EH) sobre los portadores de carga

Fig. 1. Esquema de una punta Hall de cuatro vas. VH es el voltaje de Hall

medido en una lmina de un material conductor o semiconductor, B es el
campo magntico aplicado, I es la corriente a travs de la punta Hall, h es
el ancho de la lmina y d es su espesor.

libres equilibra la fuerza de Lorentz, dando lugar a la

ecuacin:

q E H =qvB ( 2 )
Si el ancho de la lmina es h, la diferencia de voltaje de
Hall (VH) entre las caras opuestas est dada por la siguiente
expresin:

V H =E H h=vBh ( 3 )
Considerando que la relacin entre la densidad de
corriente j, y la velocidad promedio de portadores (v) es:

j=qnv ( 4 )
Donde n representa la densidad de portadores de carga,
entonces el voltaje de Hall se puede expresar como:

VH=

1
jBh=R H jBh ( 5 )
qn

Siendo RH el coeficiente Hall, de signo negativo cuando

los portadores son electrones y de signo positivo cuando
son huecos.
Si expresamos la densidad de corriente promedio en
trminos de la intensidad de corriente I se tiene:

j=

I
I
= (6 )
A hd

As se tiene que:

V H =RH B

I
(7 )
d

Donde h representa el ancho de la placa (como ya se

haba mencionado) y d su espesor. Con la Ecuacin (7) es
posible encontrar el coeficiente de Hall si se conocen las
variables VH, I y B as como el espesor de la muestra. De
esta forma el voltaje Hall (VH) depende del tipo de material,
de la geometra de la muestra y de los parmetros fsicos
ajustables como la corriente que circula por la muestra (I) y

la magnitud del campo magntico (B).

Fluke 45 NA101930.

En la Ecuacin (7) se puede apreciar la relacin lineal que

existe entre el voltaje Hall y el campo magntico o entre el
voltaje Hall y la corriente. As mismo es importante rescatar
la dependencia inversamente proporcional del voltaje de
Hall con la concentracin de portadores, a travs de RH, y
con el espesor d. Por otro lado, como el signo del
coeficiente Hall depende del signo de q, entonces de aqu
viene su importancia en la medicin del efecto Hall; ya que
determinando este coeficiente, pueden hallarse no slo la
densidad de portadores sino tambin el tipo de portadores
del material. Si el campo magntico y el plano de la lmina
no son perpendiculares, entonces la Ecuacin (7) se expresa
como:

Para la parte experimental que consisti en rotar la punta

dentro del seno del campo magntico se necesit de un

V H =RH B

I
sen ( 8 )
d

Fig. 2. Configuracin usada para obtener los datos del experimento.

donde
es el ngulo formado entre el campo
magntico y el plano de la lmina.
III. MTODO EXPERIMENTAL
Se mont un sistema experimental como el que se
muestra en la Fig. 2. Usamos una lmina de un material
semiconductor que tiene un grosor de 15 micras como
punta Hall (ver Fig. 3), despus esta lmina se coloc (con
la ayuda de un tripi) en el seno de un campo magntico
generado por un electroimn (modificamos el campo
magntico del electroimn al variar su corriente de
alimentacin) mostrado en la Fig. 4; cabe destacar que la
punta Hall permaneci paralela y lo ms cerca posible a
una de las caras del electroimn para tener el menor error
posible durante la medicin. Durante el desarrollo del
experimento el electroimn se aliment con una fuente
Lodestar modelo 8107, NE3648A. Para medir el campo
magntico que produjo el electroimn se us una punta Hall
Yokogawa, modelo 325201 y nmero de serie 53KN0252,
previamente calibrada y se conect a un gaussmetro,
modelo 325100 y nmero de serie 53KM0099 tambin
marca Yokogawa.
Para determinar el coeficiente de Hall de la lmina
semiconductora; primero, se midi el voltaje de Hall en
presencia de un campo magntico constante de 1120 G con
una separacin entre las placas del electroimn de
0.404mm-0.426mm, mientras se vari la corriente que
circula a travs de la lmina en un intervalo de 13.13 mA201.94mA. Despus, se mantuvo la corriente fija a travs
del material y se realizaron mediciones para valores
constantes de 50.33 mA, 100.05 mA y 149.86 mA, mientras
se vari el campo magntico en un intervalo de 80G-1320G
con la misma distancia de separacin entre placas que el
caso anterior. Finalmente, fue de nuestro inters conocer la
dependencia del voltaje de Hall respecto al ngulo que
forma la lmina semiconductora y el campo magntico
incidente; por lo cual se midi el voltaje de Hall mientras se
rot la punta de 0 a 360 (en pasos de 10) inmersa en un
campo magntico constante de 1000G y una corriente
constante de 100mA; para poder rotar la punta Hall dentro
del campo magntico generado por el electroimn fue
necesario aumentar la distancia entre las placas en un
intervalo de 3.170cm-3.184cm, vase Fig. 5.
La corriente a travs de la lmina se controla con un
dispositivo marca Central Scientific Company N 80402
(Fig. 6) y se midi con un multmetro marca HP, modelo
3466. El voltaje de Hall se midi con un multmetro digital

Fig. 3. Lmina semiconductora que se us como punta Hall de cuatro vas.

Fig. 4. Electroimn implementado para generar el campo magntico

durante todo el desarrollo experimental.

instrumento capaz de medir con precisin el ngulo de

rotacin de nuestra punta Hall. Como solucin a este
problema se dise un dispositivo semejante a un
transportador el cual tiene un agujero que permite
introducir nuestra punta Hall en el centro de l, se muestra
en la Fig. 7, despus sostuvimos nuestra punta Hall y el
dispositivo en conjunto con la ayuda de un tripi y se
coloc la punta dentro del campo magntico; de esta forma
se pudo tener una medicin precisa de los ngulos con un
error de 1. As las mediciones que corresponden a esta
parte de ngulo variable se hicieron usando este dispositivo.

Con los datos obtenidos por el experimento se llev a

cabo el tratamiento de datos correspondiente.

magntico constante cuando el ngulo es variable se

presentan en la Tabla V.
Tabla I. Datos obtenidos de la primera parte del experimento (campo
magntico fijo de 1120 G).

Fig. 5. Medicin del ngulo entre la punta Hall y el campo incidente.

Fig. 6. Dispositivo usado para controlar la corriente a travs de la punta Hall.

Fig. 7. Mecanismo diseado para medir el ngulo que forma la punta Hall
y el campo magntico en el cual se encuentra inmersa esta punta.

IV. ANLSIS
Los datos obtenidos para la parte del experimento a
campo magntico constante y corriente variable se
muestran en la Tabla I. En el caso de los datos que
corresponden a campo magntico variable y corrientes
constantes de 50.33 mA, 100.05 mA y 149.86 mA se
muestran en la las Tablas II, III y IV, respectivamente.
Finalmente, los valores medidos para corriente y campo

Corriente (mA)

Voltaje Hall (mV)

11.33

10.95

13.13

12.68

15.00

14.49

20.05

19.36

25.01

24.17

30.20

29.15

35.67

34.44

40.00

38.63

45.54

43.97

50.20

48.47

55.60

53.70

60.32

57.99

65.15

62.69

69.36

67.11

75.05

72.10

80.63

77.45

85.53

82.14

90.92

87.30

95.03

91.25

100.29

96.29

105.88

101.64

109.71

105.30

115.46

110.79

121.24

116.23

125.83

120.62

129.15

123.78

135.31

129.65

140.35

134.48

144.60

138.51

149.27

142.96

157.54

150.84

163.07

156.11

166.51

159.38

171.67

164.25

181.76

173.89

188.41

180.21

194.95

186.37

201.94

193.00

Tabla II. Datos obtenidos de la segunda parte del experimento, campo

magntico vs voltaje Hall (corriente constante de 50.33 mA).
Campo (G)
80

Voltaje (mV)
3.00

100

3.97

150

6.03

200

8.08

250

10.19

300

12.23

350

14.40

400

16.88

450

18.47

500

20.82

540

22.49

580

24.22

620

25.89

660

27.55

700

29.19

740

31.35

780

32.64

820

34.53

Campo (G)

Voltaje (mV)

860

36.47

70

9.16

900

37.88

100

13.03

940

39.47

150

19.19

980

41.46

200

25.21

1000

42.53

250

31.79

1040

44.23

300

37.63

1080

45.76

350

43.9

1120

47.77

400

50.25

1160

49.18

450

56.85

1200

51.13

500

62.83

1240

52.98

540

68.38

1280

54.71

580

73.12

1320

56.32

620

78.52

660

83.41

700

88.54

740

93.85

Tabla III. Datos obtenidos de la segunda parte del experimento campo

magntico vs voltaje Hall (corriente constante de 100.05 mA).

940.00

79.11

980.00

82.52

1000.00

84.02

1040.00

88.29

1080.00

91.68

1120.00

94.69

1160.00

98.37

1200.00

101.56

1240.00

106.47

1280.00

109.63

Tabla IV. Datos obtenidos de la segunda parte del experimento campo

magntico vs voltaje Hall (corriente constante de 149.86 mA).

Campo (G)

Voltaje (mV)

780

99.71

80.00

6.13

820

104.15

100.00

7.75

860

109.89

150.00

11.88

900

115.09

200.00

16.02

940

119.92

250.00

20.27

980

124.46

300.00

24.37

1000

126.56

350.00

28.69

1040

132.41

400.00

33.00

1080

138.29

450.00

36.92

1120

142.38

500.00

41.07

1160

146.94

540.00

44.56

1200

150.11

580.00

48.02

1240

157.83

620.00

51.36

1280

163.31

660.00

55.26

700.00

58.19

740.00

61.73

780.00

65.21

820.00

68.73

860.00

72.10

900.00

75.61

Tabla V. Datos obtenidos de la parte final del experimento (ngulo variable

respecto al campo incidente).
ngulo ()

Voltaje Hall (mV)

0.00

0.00

10.00

-3.24

20.00

-6.83

30.00

-10.15

40.00

-13.28

50.00

-16.10

60.00

-18.20

70.00

-19.74

80.00

-20.57

90.00

-20.68

100.00

-20.19

110.00

-19.06

120.00

-17.33

130.00

-15.32

140.00

-12.81

150.00

-10.01

160.00

-6.79

170.00

-3.34

180.00

0.25

190.00

3.92

200.00

7.42

210.00

10.92

220.00

13.92

230.00

16.49

240.00

18.53

250.00

19.90

260.00

20.63

270.00

20.68

280.00

20.16

290.00

18.99

300.00

17.33

310.00

15.39

320.00

13.08

330.00

10.28

340.00

7.33

350.00

3.81

360.00

0.41

R4H=1.2712e-4.

Grfica 1.- Ajuste a los datos de la Tabla I.

Grfica 2.- Ajuste a los datos de la Tabla II.

En las Grficas 1, 2, 3, 4 se muestran los datos que

corresponden a las Tablas I, II, III y IV, respectivamente. La
Grfica 5 muestra los datos de la Tabla V, con los ngulos
expresados en radianes y un desfase de ngulo igual a pi.
Para la Grfica 1 se obtuvo un ajuste de la forma:

V H =0.958 I ( 9 )
con una correlacin de 0.999992, si comparamos este
resultado con la Ecuacin (7) obtenemos:

R H =0.958

d
( 10 )
B

sustituyendo d y B se tiene que R1H=1.283e-4

electrones*C/m3. En las Grficas 2, 3 y 4 los ajustes fueron:

V H =0.04234 B ( 11 )
V H =0.08431 B ( 12 )
V H =0.127 B ( 13 )
respectivamente. Usando nuevamente la Ecuacin (7) se
tiene que la magnitud de la constante de Hall calculada para
cada grfica es: R2H=1.2619e-4, R3H=1.264e-4 y

Grfica 3.- Ajuste a los datos de la Tabla III.

Grfica 4.- Ajuste a los datos de la Tabla IV.

De los valores R1H, R2H, R3H y R4H obtenidos a partir de los

ajustes a las Grficas 1,2,3 y 4, se tiene que el promedio
para el valor de RH es: 1.270025e-4 electrones*C/m3. Sin
embargo, la Grfica 6 muestra claramente que la
distribucin para los valores que puede tomar RH est
desplazada a la izquierda de la media. As el valor que se
encontr para R H es: 1.2699e-4 electrones*C/m3 con
una desviacin estndar de 0.009523e-4 electrones*C/m3.

Al sustituir los valores d, B e I se obtuvo que

R H =3.105 10 4 electrones C /m3 . El valor
encontrado difiere al calculado anteriormente esto se debe a
que aun cuando el campo generado por el electroimn es de
1000 G en cada una de sus caras, el campo inducido en la
punta Hall es menor que 1000G (por la separacin entre las
placas). Como la separacin entre las placas oscila en una
distancia comprendida entre 3.170 cm y 3.184 cm, entonces
podemos suponer que la punta Hall la punta Hall se
encuentra a la mitad de la distancia media de separacin
entre placas, es decir, la punta Hall est a una distancia de
1.5885 cm de cualquier de las dos caras del electroimn.
Usando el software de simulacin Solenoide 2.1(este
programa calcula el campo magntico integrando la
expresin de Biot y Savart por el mtodo del trapecio) que
permite calcular el campo magntico generado por un
solenoide o electroimn, cuyo eje principal coincide con el
eje de las zetas, a una distancia arbitraria de una de sus
caras; se simularon las caractersticas del electroimn usado
en las mediciones y se obtuvo que el campo magntico al
cual estuvo sometido la punta Hall fue de 696.3 G. Por
tanto al hacer las correcciones necesarias en la Ecuacin
R H es: 2.058e-4
(17) se obtuvo que el valor de

Para la Grfica 5 se obtuvo un ajuste que est dado por:

V H =20.7 sen ( 1.003 ) ( 14 )

Si aproximamos el argumento de la funcin seno a
1.0 se tiene lo siguiente:

V H =20.7 sen (15 )

al comparar este resultado con la Ecuacin (8) se tiene que:

I
R H B =20.7 ( 16 )
d
as:

R H =20.7 d

B
( 17 )
I

Grfica 5.- Ajuste a los datos de la Tabla V.

electrones*C/m3, el cual sigue siendo un valor muy alejado

del calculado por medio del ajuste a los datos de las Tablas
I, II, III y IV.