Equation Section 1

ndice
ndice....................................................................................................................................1
Lista de Figuras.....................................................................................................................2
1- Semicondutores................................................................................................................5
1.1 Estrutura Atmica.......................................................................................................5
1.2 Semicondutores Intrnsecos.......................................................................................11
1.3 Semicondutores Extrnsecos......................................................................................13
2-Dodo de Juno..............................................................................................................16
2.1 A Juno pn..............................................................................................................16
2.2 Polarizao do Dodo................................................................................................20
2.3 Curva Caracterstica do Dodo...................................................................................23
2.4 Especificaes de Potncia de um Dodo ..................................................................26
2.5 Anlise de Circuitos com Dodos Mtodo Grfico .................................................27
2.6 Aproximaes do Dodo ...........................................................................................29
2.7 Anlise de Circuitos Usando as Aproximaes de Dodos.........................................34
2.8 Dodo Emissor de Luz e Fotododo..........................................................................37
2.9 Dodo Zener .............................................................................................................41
2.9.1 Curva Caracterstica do Dodo Zener .................................................................42
2.9.2 Aproximaes do Dodo Zener..........................................................................46
2.9.3 Polarizao do Dodo Zener...............................................................................49
3-Circuitos com Dodos......................................................................................................51
3.1 Funo de Transferncia ...........................................................................................51
3.2 Circuitos Limitadores................................................................................................53
3.2.1 Limitador Superior .............................................................................................53
3.2.2 Limitador Inferior...............................................................................................58
3.2.3 Limitador a Dois Nveis......................................................................................61
3.2.4 Limitadores com Dodos Zener..........................................................................64
3.3 Circuitos Rectificadores.............................................................................................68
3.3.1 Rectificador de Meia Onda.................................................................................69
3.3.2 Rectificador de Onda Completa com Ponte de Dodos ......................................74
3.3.3 Rectificador de Onda Completa com Transformador com Ponto Mdio............77
3.4 Circuitos Rectificadores com Filtragem.....................................................................81
3.4.1 Rectificador de Meia Onda com Filtragem..........................................................82
3.4.2 Rectificador de Onda Completa com Filtragem..................................................87
3.5 Reguladores de Tenso com Zener............................................................................89
Anexo A .............................................................................................................................91
Anexo B..............................................................................................................................93
Anexo C..............................................................................................................................95
Exerccios Propostos ..........................................................................................................97

Lista de Figuras
Figura 1: Estrutura de um tomo de silcio.....................................................................................................................6
Figura 2: Movimento dos electres na estrutura atmica. a)Deslocamento para rbitas mais externas; b)
Deslocamento para rbitas mais internas. ......................................................................................................................6
Figura 3: Exemplo de uma estrutura cristalina. ..............................................................................................................7
Figura 4: Distribuio das bandas de energia num material condutor.........................................................................8
Figura 5: Distribuio das bandas de energia num isolador..........................................................................................9
Figura 6: Distribuio das bandas de energia num semicondutor..............................................................................10
Quadro 1: Resistncia elctrica de alguns materiais. ....................................................................................................11
Figura 7: Seco de um semicondutor intrnseco.........................................................................................................11
Figura 8: Movimento de lacunas versos movimento de electres ..............................................................................12
Figura 9: Dopagem com impurezas dadoras. ...............................................................................................................14
Figura 10: Dopagem com impurezas aceitadoras. .......................................................................................................15
Figura 11: Unio de um semicondutor tipo p a um tipo n..........................................................................................17
Figura 12: Processo de recombinao. ..........................................................................................................................17
Figura 13: Criao da zona de depleo. .......................................................................................................................18
Figura 14: Smbolo do dodo..........................................................................................................................................19
Figura 15: Fotografias de dodos....................................................................................................................................19
Quadro 2 : Nomenclatura europeia de atribuio de referncias a dodos. ..............................................................20
Figura 16: Polarizao do dodo: a) directa; b) inversa. ...............................................................................................20
Figura 17: Polarizao inversa do dodo.......................................................................................................................21
Figura 18: Diminuio da regio de depleo devido polarizao directa do dodo.............................................22
Figura 19: Curva Caracterstica associada polarizao inversa do dodo................................................................23
Figura 20: Curva Caracterstica associada polarizao directa do dodo................................................................24
Figura 21: Curva Caracterstica do dodo......................................................................................................................24
Figura 22: Dependncia da curva caracterstica do dodo face a variaes de temperatura. ...................................26
Figura 23: Resistncia Rs como limitador de corrente para o dodo. ........................................................................27
Figura 24: Recta de carga do circuito da Figura 23. .....................................................................................................28
Figura 25: Mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo.........................................................28
Figura 26: Exemplo da utilizao do mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo............28
Figura 27: Determinao da corrente e tenso no dodo............................................................................................29
Figura 28: Curva caracterstica do dodo ideal..............................................................................................................31
Figura 29: Curva caracterstica do dodo considerando pela 2 aproximao. ..........................................................32
Figura 30: Curva caracterstica do dodo segundo a 3 aproximao. ........................................................................33
Figura 31: Comparao entre a curva caracterstica do dodo real e as suas aproximaes. ...................................34
Quadro 3: Comparao entre os valores obtidos pelas 3 aproximaes. ..................................................................36
Figura 32: Smbolo do dodo emissor de luz. ...............................................................................................................37

Figura 33: Fotografia de dodos emissores de luz........................................................................................................38

Figura 34: Smbolo do fotododo...................................................................................................................................40
Figura 35: Curva caracterstica do fotododo. ..............................................................................................................40
Figura 36: Smbolo do dodo Zener. .............................................................................................................................42
Figura 37: Curva caracterstica do dodo Zener. ..........................................................................................................42
Figura 38: Dodo zener directamente polarizado. ........................................................................................................43
Figura 39: Dodo zener inversamente polarizado ........................................................................................................43
Figura 40: Curva caracterstica do dodo Zener - regio de regulao.......................................................................44
Figura 41: Curva caracterstica real do dodo zener. ....................................................................................................45
Figura 42: Curva caracterstica do dodo zener considerando a 1 aproximao......................................................47
Figura 43: Curva caracterstica do dodo zener considerando a 2 aproximao......................................................48
Figura 44: Polarizao do dodo zener. ........................................................................................................................49
Figura 45: Efeito da alterao de VS na recta de carga. ...............................................................................................50
Figura 46: Efeito da alterao de RS na recta de carga. ...............................................................................................50
Figura 47: Exemplo de uma funo de transferncia. .................................................................................................52
Figura 48: Limitador superior........................................................................................................................................53
Figura 49: Anlise de um limitador superior. ..............................................................................................................54
Figura 50: Circuito equivalente para o dodo ON num limitador superior..............................................................54
Figura 51: Circuito equivalente para o dodo OFF num limitador superior. ............................................................55
Figura 52: Funo de transferncia, sinal de entrada e sinal de sada de um limitador superior.............................56
Figura 53: Circuito de um limitador superior. ..............................................................................................................56
Figura 54: Circuito equivalente num limitador superior. a) para o dodo ON ; b) para o dodo OFF ..................57
Figura 55: Funo de Transferncia de um limitador superior...................................................................................58
Figura 56: Limitador inferior. .........................................................................................................................................58
Figura 57: Anlise de um limitador inferior.................................................................................................................59
Figura 58: Funo de transferncia de um limitador inferior. ....................................................................................60
Figura 59: Sinais de entrada e sada de um limitador inferior. ...................................................................................60
Figura 60: Limitador a dois nveis.................................................................................................................................61
Figura 61: Anlise de um limitador a dois nveis. .........................................................................................................61
Figura 62: Funo de transferncia de um limitador a dois nveis. ............................................................................63
Figura 63: Limitador de dois nveis usando um dodo zener......................................................................................64
Figura 64: Anlise de um limitador de dois nveis usando um dodo zener.............................................................64
Figura 65: Funo de transferncia do circuito da Figura 63......................................................................................65
Figura 66: Onda de sada do circuito da Figura 63 (a cheio) se na entrada se introduzir um sinal sinusoidal......65
Figura 67: Limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie. .............................................66
Figura 68: Anlise de um limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie. ....................66
Figura 69: Caracterstica de transferncia do circuito da Figura 67. ..........................................................................68

Figura 70: Esquema para obteno de uma tenso contnua a partir da tenso alternada de rede elctrica. .......69
Figura 71: Rectificador de meia onda. ...........................................................................................................................70
Figura 72: Anlise de um rectificador de meia onda....................................................................................................70
Figura 73: Funo de transferncia num rectificador de meia onda. .........................................................................71
Figura 74: Formas de onda num rectificador de meia onda. a) entrada, b) sada, c)tenso inversa do dodo,
considerando o dodo como ideal..................................................................................................................................72
Figura 75: Circuito equivalente para um dodo no ideal no estado ON(a)) e funo de transferncia (b)) num
rectificador de meia onda................................................................................................................................................73
Figura 76: Formas de onda num rectificador de meia onda usando um dodo no ideal. .....................................73
Figura 77: Rectificador de onda completa usando uma ponte de dodos. ...............................................................74
Figura 78: Esquemas equivalentes quando conduz: a) D2 e D3; b) D1 e D4. ........................................................75
Figura 79: Funo de transferncia de um rectificador de onda completa. ..............................................................75
Figura 80: Formas de onda num rectificador de onda completa com ponte de dodos. .........................................76
Figura 81: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais. ..................................77
Figura 82: Rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.............................................78
Figura 83: Anlise de um rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.....................78
Figura 84: a),b) formas de onda no secundrio do transformador. c) Onda de sada. d), e)tenso inversa
suportada pelos dodos num rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio. ..................79
Figura 85: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais. .................................80
Quadro 4: Comparao entre os trs tipos de rectificadores estudados. ..................................................................80
Figura 86: Filtro usado em circuitos rectificadores.....................................................................................................82
Figura 87: Rectificador de meia onda com filtragem..................................................................................................82
Figura 88: Formas de onda num rectificador de meia onda com filtragem.............................................................83
Figura 89: Aproximao usada no clculo da tenso de ripple, que considera carga do condensador instantnea. 85
Figura 90: rea que corresponde ao clculo do valor mdio da onda de sada num rectificador de meia onda
com filtragem. ..................................................................................................................................................................86
Figura 91: Rectificadores de onda completa com filtragem. a) usando ponte de dodos, b) usando
transformador com ponto mdio. .................................................................................................................................87
Figura 92: Formas de onda num rectificador de onda completa com filtragem. ....................................................87
Figura 93: Aproximao que considera a carga do condensador instantnea..........................................................88
Quadro 5: Comparao entre os dois tipos de rectificadores com filtragem abordados.........................................89
Figura 94: Regulador de tenso com zener..................................................................................................................90
Figura 95: Regulador de tenso com zener..................................................................................................................90
Figura 96: Formas de onda num regulador de tenso. a) tenso na sada do rectificador com filtragem. b)
tenso na carga.................................................................................................................................................................90
Figura 97: Exemplo de onda sinusoidal.......................................................................................................................91
Figura 98: Enrolamentos do transformador................................................................................................................93
Figura 99: Transformadores sem ponto mdio a) e com ponto mdio b)...............................................................94
Figura 100: Smbolo do Condensador..........................................................................................................................95
Figura 101: Exemplo de carga e descarga de um condensador. ................................................................................96

1- Semicondutores
A indstria electrnica cresceu incrivelmente desde a descoberta dos semicondutores. Antes
destes, recorrendo ao uso de vlvulas, os circuitos electrnicos ocupavam muito mais espao
e exigiam uma constante manuteno. O semicondutor actualmente um material chave na
indstria electrnica. Mesmo aps sua descoberta, a sua miniaturizao no parou, pondo
em questo se haver um limite para a micro electrnica.
Os dispositivos que utilizam semicondutores so hoje utilizados em todo tipo de circuitos.
Os exemplos mais claros so o dodo, o transstor e os circuitos integrados (CIs),
dispositivos imprescindveis na fabricao e desenvolvimento de equipamentos e sistemas
electrnicos.
Os semicondutores so um tipo de material adequado conduo. Para melhor se entender
a sua constituio ser feito um estudo sobre a sua estru tura atmica e cristalina.

1.1 Estrutura Atmica

Segundo a estrutura atmica de Bohr, um tomo constitudo por trs tipos de partculas: o
proto (carga positiva), o electro (carga negativa) e o neutro (partcula neutra do ponto de
vista elctrico). A carga de um tomo neutra, j que a carga dos protes contrabalana a
dos electres. Os electres e os protes tm a mesma carga, mas de sinal contrrio.
Um tomo formado por um ncleo central em torno do qual se movem os electres
distribudos por vrias rbitas. O ncleo constitudo por protes e neutres.
A Figura 1 representa a estrutura de um tomo de silcio. O silcio um material com
nmero atmico 14, o que significa que possui 14 electres e 14 protes. Os protes
encontram-se no ncleo e os electres encontram-se distribudos por vrias orbitas. A cada
rbita est associado um nvel de energia que varia discretamente (no continuamente).

rbita de
valncia

Electres

4+

Ncleo

Figura 1: Estrutura de um tomo de silcio.

Para um electro se deslocar para uma rbita exterior que se encontra, necessrio
fornecer-lhe energia (Figura 2 a)). Pelo contrrio, quando um electro se desloca para uma
rbita mais interna libertada energia (Figura 2 b)). Esta energia (fornecida ou libertada)
pode ser transferida sob a forma de calor, luz ou sob outra forma de radiao.
A rbita exterior designada por rbita de valncia e a que assume maior importncia no
mbito dos fenmenos qumicos e fsicos. Os electres que se encontram nesta rbita so
designados por electres de valncia. No caso do silcio (Figura 1) a sua rbita de valncia
possui 4 electres, o que significa que o silcio tem 4 electres de valncia e o faz pertencer
ao Grupo IV da tabela peridica. Por ter 4 electres de valncia o silcio diz-se tetravalente.

Energia
Luminosa

Energia
Calor ou
Electricidade

a)

b)

Figura 2: Movimento dos electres na estrutura atmica. a)Deslocamento para rbitas mais externas;
b) Deslocamento para rbitas mais internas.

Os tomos no se encontram na natureza isolados. Associam-se de modo a formarem

estruturas cristalinas. Esta associao acontece porque tomos vizinhos partilham os seus
electres de valncia atravs das denominadas ligaes covalentes.

Na Figura 3 mostra -se um extracto de uma estrutura cristalina de silcio. Cada tomo partilha
com os tomos vizinhos os seus 4 electres de valncia de tal forma que a cada ncleo esto
associados 8 electres na rbita mais externa. Forma -se assim uma estrutura cristalina
tridimensional (cada tomo est ligado a outros quatro). Os electres das camadas internas
giram em torno do ncleo.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figura 3: Exemplo de uma estrutura cristalina.

Na natureza encontramos estruturas cristalinas (materiais) constitudas por diferentes tomos

e por conseguinte com caractersticas diferentes. Do ponto de vista elctrico iremos dedicar-nos caracterstica de conduo dos materiais. Existem na natureza trs tipos de materiais:
os condutores, os isoladores e os semicondutores. A distino est relacionada com a
distribuio dos nveis de energia, nas rbitas, especialmente na rbita de valncia.
Seguidamente sero abordadas mais detalhadamente as caractersticas destes materiais.

Condutores
Os materiais condutores so materiais que oferecem pouca resistncia passagem de
corrente elctrica. Esta caracterstica advm do facto de a rbita de valncia ter um nvel
muito baixo de energia. O que significa que uma pequena quantidade de energia suficiente
para que um electro de valncia se separe do seu tomo e se torne livre. Estando neste
estado ele movimenta-se livremente no interior do material.

Um electro pode estar numa de 2 bandas de energia:

Se um electro de valncia adquiriu energia suficiente para circular livremente pela

estrutura ele encontra-se na Banda de Conduo.

Se um electro se encontra na rbita de valncia, mas partilhado com um tomo

vizinho, ele encontra-se na Banda de Valncia. Nesta situao, e dependendo se a
energia fornecida for suficiente, estes electres podero saltar para a banda de
conduo.

Existe ainda uma terceira banda de energia denominada Banda Proibida. Nesta banda no
existem electres livres.
No caso de um material condutor, no existe banda proibida. A banda de conduo e de
valncia sobrepem-se j que com facilidade um electro passa duma banda para a outra.
Assim que surgir um campo elctrico os electres esto livres para se movimentarem na
estrutura. A Figura 4 mostra a distribuio destas bandas num material condutor.

Banda de
Conduo

Banda de
Valncia

Figura 4: Distribuio das bandas de energia num material condutor.

Como exemplo de um material condutor temos o ferro e o cobre. Este ltimo tem um s
electro na banda de valncia, que se solta com facilidade. Sendo livre contribui para a
conduo no material.

Isoladores
Os materiais isoladores praticamente no permitem a passagem de corrente elctrica. A
rbita de valncia tem uma energia muito alta que leva a que os electres de valncia estejam
fortemente ligados aos seus tomos. A energia fornecida quase sempre insuficiente para
que os electres saltem para a Banda de Conduo. Como podemos observar pela Figura 5, a

Banda Proibida muito grande e de elevada energia (6eV1). Isto significa que para que um
electro passe da banda de valncia para a de conduo ter de adquirir esta energia.
Num material isolador so poucos os electres que se conseguem soltar do tomo e
tornarem-se electres livres.
O material isolante mais comum a borracha, embora seja um compsito. Na natureza
encontramos por exemplo o mrmore.

Banda de
Conduo

Eg=6eV

Banda de
Proibida
Banda de
Valncia

Figura 5: Distribuio das bandas de energia num isolador.

Semicondutores
Os materiais semicondutores encontram-se entre os condutores e os isoladores. Estes
materiais tm uma Banda Proibida relativamente pequena e de baixa energia (1eV). Se os
electres adquirirem energia suficiente para passarem banda de conduo o material fica
com as propriedades de um condutor.
A baixas temperaturas, estes materiais comportam-se como isoladores, mas com o aumento
da temperatura quebram-se algumas ligaes covalentes fazendo com que surjam electres
livres.

As energias so frequentemente expressas em unidades de "electro-volt". Um electro-volt (eV) a

energia adquirida por um electro (ou qualquer partcula com a mesma carga) quando acelerada por uma
diferena de potencial de um volt.

Banda de
Conduo

Electres
livres

Banda de
Proibida

Eg=1eV
Lacunas

Banda de
Valncia

Figura 6: Distribuio das bandas de energia num semicondutor.

Como exemplo de materiais semicondutores temos:

Silcio (Si)

Germnio (Ge)

Arsianeto de Glio (ArGa)

Inicialmente, o germnio era o material mais utilizado no fabrico de dispositivos

electrnicos. A partir da dcada de 70, com o avano da micro electrnica, o silcio passou a
ser mais utilizado devido sua abundncia e fcil extraco.

Para classificarmos um material numa das trs categorias focadas, necessrio medir a
resistncia elctrica do material em causa. A segunda lei de ohm diz que a resistncia elctrica
de um material, a uma dada temperatura dada por:
R = .

l
S

(1.1)

onde,
R a resistncia elctrica, medida em ohms [],
l o comprimento do material em metros [m],
S a rea do material em metros quadrados [m2] e
a resistividade do material [ . m2] / [m].

10

O Quadro 1 fornece alguns exemplos do valor da resistncia elctrica face ao tipo de

material. Materiais condutores tm uma resistncia elctrica muito baixa, isoladores muito
alta e semicondutores intermdia.

Material

Resistncia elctrica (.cm)

Cobre

10 -6

Ferro

10 -4

Silcio

entre 1 e 10 7

Germnio

entre 1 e 10 8

Mrmore

maior que 10 12
Quadro 1: Resistncia elctrica de alguns materiais.

1.2 Semicondutores Intrnsecos

Um semicondutor intrnseco s tem um tipo de tomos. Na Figura 7 mostra-se a seco de
um semicondutor intrnseco a baixas temperaturas.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figura 7: Seco de um semicondutor intrnseco.

temperatura ambiente quebram-se algumas ligaes covalentes (h electres que adquirem

energia suficiente para se libertarem) do tomo. Com esta quebra da ligao, no local que
existia um electro passa a existir um buraco. Este buraco denominado de lacuna uma
regio de carga positiva. Uma vez que o tomo neutro e um electro (carga negativa) o

11

abandonou, ter de surgir um elemento de carga positiva a lacuna. As lacunas fisicamente

no existem. Elas denotam a ausncia de electres em ligaes covalentes. Ento, sempre
que se quebra uma ligao covalente surge um par:

Electro livre

Lacuna

Mas, o inverso tambm pode acontecer, isto um electro preencher o lugar de uma lacuna,
restabelecendo a ligao covalente. A este processo d-se o nome de recombinao.
Atendendo a que as lacunas e os electres aparecem e desaparecem aos pares, o nmero de
electres livres igual ao nmero de lacunas, num semicondutor intrnseco.
Numa estrutura cristalina com electres livres, estes movem-se livremente na estrutura. O
seu movimento perfeitamente aleatrio e a corrente mdia que geram nula.
Pelo contrrio, quando se aplica uma diferena de potencial (ou tenso elctrica ou campo
elctrico) aos extremos de um semicondutor de silcio ou germnio os electres passam a ter
um movimento orientado. Deslocam-se no sentido do potencial elctrico maior (para o lado
positivo da fonte). Este movimento define uma corrente mdia.
Quando um electro se solta do tomo este, como fica instvel, atrai outro electro. O que
faz com que haja tambm um movimento de lacunas no sentido contrrio ao dos electres.

Figura 8: Movimento de lacunas versos movimento de electres

Por observao da Figura 8 vemos que surge uma corrente originada por dois fenmenos: o
movimento de electres livres e o movimento de lacunas, sendo o movimento das lacunas
contrrio ao movimento dos electres.

12

Uma mudana na temperatura de um material semicondutor pode alterar consideravelmente

o nmero de portadores disponveis. Com a subida da temperatura, os electres de valncia
absorvem energia trmica suficiente para quebrar as ligaes covalentes, contribuindo para o
aumento da condutividade do material. Mas, embora os electres no necessitem de uma
energia muito elevada para se libertarem do tomo e navegarem livremente na estrutura,
num semicondutor intrnseco estes electres so em nmero reduzido. Se se pretender criar
uma corrente orientada, em termos prticos no se conseguem obter resultados teis do
ponto de vista de condutibilidade usando um semicondutor intrnseco. A soluo para este
problema passa por tentar aumentar o nmero de portadores, ou seja tentar aumentar o
nmero electres livres ou lacunas.

1.3 Semicondutores Extrnsecos

Tal como referido, um semicondutor intrnseco no apresenta caractersticas de
condutibilidade aceitveis. Quando adicionamos portadores a um semicondutor intrnseco
ele adopta outra denominao a de semicondutor extrnseco. Assim, um semicondutor
extrnseco surge quando so adicionados electres livres ou lacunas ao semicondutor
intrnseco, com o objectivo que melhorar a condutibilidade do material. Estes electres livres
ou lacunas pertencem a materiais denominados impurezas. Por exemplo, a adio de um
tomo de impureza por cada 108 tomos de Silcio aumenta a condutividade do material
24.000 vezes.
Ao processo de adio de impurezas ao material intrnseco chama -se dopagem, da que uma
outra denominao de semicondutor extrnseco seja semicondutor dopado.
As impurezas usadas no processo de dopagem podem conter electres ou lacunas em
excesso dando origem a semicondutores tipo n ou tipo p, respectivamente (n est
relacionado com carga negativa e p com carga positiva). Se a impureza tem electres em
excesso ela uma impureza dadora se pelo contrrio tem lacunas em excesso uma
impureza aceitadora.

13

Semicondutor tipo n
Um semicondutor tipo n assim denominado devido a ter electres livres em excesso. Tal
conseguido atravs da dopagem do material com tomos pertencentes ao grupo V da tabela
peridica. Como o caso do:

Antimnio (Sb)

Fsforo (P)

Arsnico (As)

Os tomos do grupo V tm 5 electres na rbita de valncia (tomos pentavalentes). Ento,

o tomo pentavalente entra no cristal para o lugar de um tomo de silcio, absorvendo as
suas quatro ligaes covalentes, mas o quinto electro no tem parceiro, ficando livre, como
mostra a Figura 9.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+5

+4

Impureza

+4

+4

+4

+4

Electro livre

Figura 9: Dopagem com impurezas dadoras.

Como tm electres em excesso, os elementos do Grupo V so denominados impurezas do

tipo n ou impurezas dadoras.
Aps o processo de dopagem, o semicondutor ficou com um maior nmero de electres
livres, ento os electres so os portadores maioritrios (portadores que mais contribuem
para a conduo) no semicondutor tipo n e as lacunas so os portadores minoritrios.

14

Semicondutor tipo p
Um semicondutor do tipo p dopado com tomos do Grupo III da tabela peri dica e que
tm 3 electres na rbita de valncia. So exemplo de materiais deste grupo:

Boro (B)

Glio (Ga)

ndio (In)

Quando se ligam a tomos do Grupo IV (Si) a tomos do grupo III "falta" um electro de
valncia. Ento vai sobrar uma lacuna. A Figura 10 exemplifica a situao descrita. Como
provocam um aumento do nmero de lacunas no semicondutor, as impurezas do Grupo III
so denominados impurezas do tipo p ou aceitadoras.
Estas lacunas em excesso constituem os portadores maioritrios no semicondutor tipo p,
enquanto os electres constituem os portadores minoritrios.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+3

+4

Lacuna
+4

+4

+4

+4

Impureza

Figura 10: Dopagem com impurezas aceitadoras.

Feita a dopagem ao material semicondutor intrnseco obteve-se o semicondutor extrnseco,

este com uma condutividade muito superior ao primeiro.
No entanto a utilizao de um semicondutor extrnseco de um nico tipo (tipo n ou p) ainda
no til em termos prticos. Isto porque existem dois mecanismos de conduo:

15

Correntes de Deriva que resultam do movimento orientado de portadores no

semicondutor devido aco de um campo elctrico.

Correntes de Difuso que resultam de gradientes de concentrao de portadores

existentes na estrutura do semicondutor.

Ora, num semicondutor extrnseco apenas podemos ter correntes de deriva. Para criarmos
correntes de difuso preciso criar numa mesma estrutura cristalina duas concentraes
opostas. Uma com electres em excesso e outra com lacunas em excesso. A soluo passa
ento pela utilizao conjunta de semicondutores extrnsecos do tipo n e p. A unio de uma
placa do tipo p com outra do tipo n j permite o fluxo de correntes de difuso. A unio
destas duas placas semicondutores origina a chamada juno pn dando origem a um
dispositivo semicondutor de larga utilizao o dodo de juno.

2-Dodo de Juno
O dodo semicondutor de juno um dispositivo usado numa grande variedade de
circuitos. Tal como referido anteriormente, formado pela unio de materiais do tipo n e p
construdos a partir da mesma base de silcio ou germnio. Seguidamente faremos um estudo
do comportamento do dodo de juno.

2.1 A Juno pn
A juno pn formada pela unio de materiais do tipo n e p construdos a partir da mesma
base de silcio ou germnio (Figura 11).
No instante em que os dois materiais so unidos, os electres e lacunas prximos da juno
vo-se atrair. Cada vez que um electro atravessa a juno ele cria io neutro. medida que
este nmero de
i es cresce a regio prxima da juno fica sem electres livres e sem
lacunas, isto , cria-se uma regio sem portadores livres. Ao processo do electro preencher
uma lacuna, d -se o nome de recombinao ( Figura 12).

16

regiotipo p

regiotipo n
-

+
ies aceitadores
(-)

ies dadores
(+)

lacuna
s

electres

Figura 11: Unio de um semicondutor tipo p a um tipo n.

regio tipo p
Portadores maioritrios: lacunas
Portadores minoritrios: electres

ies aceitadores
(-)

lacuna
s

regio tipo n
Portadores maioritrios: electres
Portadores minoritrios: lacunas
ies dadores
(+)

electres

Figura 12: Processo de recombinao.

Os electres difundem-se da regio de maior concentrao (n) para a regio de menor

concentrao (p), deixando para trs tomos dadores positivamente ionizados que perderam
um electro para a regio p, e ionizam negativamente os tomos aceitadores do lado p. A
difuso de lacunas corresponde ao processo equivalente, com as lacunas difundindo-se para
regio n.
Assim, com a movimentao dos portadores maioritrios de ambos os lados da juno, no
processo de recombinao a regio prxima a juno fica sem portadores. Esta regio
chamada zona de depleo (Figura 13) e onde passam apenas a existir ies. Esta zona cria

17

uma barreira de potencial. O campo elctrico gerado aponta das cargas (ies) positivas para
as negativas. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
Zona de depleo

regio tipo p

regio tipo n
+

ies aceitadores
(-)

lacuna
s

iesneutros

ies dadores
(+)

electres

Figura 13: Criao da zona de depleo.

Ora se existe uma barreira de potencial favorece-se o processo de deriva que se ir opor ao
processo de difuso.
As correntes de deriva permitem que um portador minoritrio cruze a juno atrado pela
barreira de potencial de carga oposta, isto , um electro livre do lado p (portador minoritrio
do lado p) pode cruzar a juno e chegar ao lado n. Este movimento cria uma corrente de
electres do lado p para o lado n. A corrente de difuso tem o sentido oposto. a corrente
que surge quando os electres atravessam a juno vindo do lado n para o lado p por haver
um gradiente de concentrao de portadores diferentes de ambos os lados da juno.. H um
instante em que as correntes de deriva e difuso se equilibram, terminando com a
movimentao de cargas e formando um dispositivo estvel no estado slido.
Este dispositivo, que no mais que a juno pn descrita, adquire vulgarmente a
denominao de dodo semicondutor de juno ou mais simplesmente dodo de juno.
O smbolo usado para o dodo mostrado na Figura 14. O nodo corresponde parte da
juno do tipo p e o ctodo do tipo n.
Devido barreira de potencial existente este dispositivo tem polaridade. A corrente elctrica
desloca-se do lado p para o lado n. Se for feita uma analogia entre o smbolo do dodo e uma

18

seta ser fcil perceber que a corrente se desloca no sentido em que a seta aponta (da
esquerda para a direita).

nodo

Ctodo

Figura 14: Smbolo do dodo.

Existem no mercado inmeros tipos de dodos, variando a sua cor e caractersticas. Na

Figura 15 apresentam-se fotografias de vrios dodos. A extremidade tem uma barra de uma
cor diferenciada que corresponde ao ctodo do dodo.

Figura 15: Fotografias de dodos.

Para denominar dodos existem no mercado duas nomenclaturas: a europeia e a americana.

A nomenclatura americana baseia-se somente na atribuio a cada dodo de uma referncia,
constituda por um dgito seguido de uma letra e um nmero de srie. Por exemplo, a
referncia 1N4007 corresponde a um dodo de juno de silcio da srie 4000.
A nomenclatura europeia bastante mais explcita permitindo aos utilizadores saberem mais
detalhes do dispositivo que utilizam. No Quadro 2 apresenta-se a descrio da norma
europeia.

19

1 Letra

2 Letra

N de Srie

A : Dodo de baixa potncia

B : Transstor de potncia para aplicaes de
alta frequncia

3 algarismos:

A : Dispositivo de
Germnio

C : Transstor para baixa frequncia

aplicaes em
aparelhos domsticos

D : Transstor de potncia para baixa

frequncia
B : Dispositivo de Silcio

F: Transstor para alta frequncia

1 letra + 2 algarismos:

N : Opto-acoplador
-

S : Transstor de potncia para aplicaes de

comutao

C : Dispositivo de
Arsenieto de Glio

aplicaes em aparelhos
profissionais

Y: Dodo rectificador
Z: Dodo zener

Quadro 2 : Nomenclatura europeia de atribuio de referncias a dodos.

2.2 Polarizao do Dodo

Para que um dodo adquira determinada funo num circuito elctrico, necessrio que seja
polarizado. Polarizar um dodo significa aplicar uma diferena de potencial (fonte de tenso
ou bateria) s suas extremidades. Se o terminal positivo desta fonte de tenso ligar ao nodo
e o negativo ao ctodo o dodo encontra-se directamente polarizado (Figura 16 a)), caso
contrrio estar inversamente polarizado (Figura 16 b)).

Contactos
hmicos
P

Contactos
hmicos

V
I

V
I

a)

b)
Figura 16: Polarizao do dodo: a) directa; b) inversa.

20

Polarizao Inversa
Tal como referido, um dodo encontra-se inversamente polarizado quando o terminal
positivo da fonte de tenso ligar ao ctodo e o negativo ao nodo (Figura 16 b)). A fonte
montada desta forma favorece o aumento da zona de depleo. As lacunas do lado p atraem
ao terminal negativo da fonte de tenso e os electres do lado n atraem ao terminal positivo
da fonte. Desta forma os portadores maioritrios so afastados da juno, o que diminui o
fluxo de portadores maioritrios atravs da juno e aumenta a regio de depleo. Por outro
lado esta situao favorece a movimentao de portadores minoritrios. Os electres, que
so portadores minoritrios do lado p, tendem agora a atravessar a juno para se afastar do
terminal negativo da fonte de tenso. Esta movimentao dos portadores minoritrios forma
uma pequena corrente denominada por corrente inversa de saturao (ou corrente de fuga).
A Figura 17 mostra um dodo de juno inversamente polarizado.

Zona de depleo

regiotipo p

regio tipo n
+

ies aceitadores
(-)

lacuna
s

ies neutros

ies dadores
(+)

electres

V
Figura 17: Polarizao inversa do dodo.

Quando uma fonte de tenso polariza um dodo inversamente, origina no s um aumento

da regio de depleo (Figura 17) mas tambm um aumento da velocidade com que os
portadores minoritrios atravessam a juno. A partir de um dado valor de tenso aplicada ao
dodo, os electres adquirem tal energia que no seu deslocamento destroem o semicondutor.
21

Surgem choques entre os electres livres e os electres das ligaes covalentes que provocam
a destruio da estrutura cristalina. O valor de tenso a partir do qual se d a destruio do
dispositivo chama-se tenso de ruptura e depende de dodo para dodo.

Polarizao Directa
Um dodo encontra-se directamente polarizado quando o terminal positivo da fonte de
tenso ligar ao nodo e o negativo ao ctodo (Figura 16 a)). A fonte montada desta forma
provoca uma diminuio da zona de depleo, j que os electres do lado n so repelidos
pelo terminal negativo da fonte de tenso e empurrados para a juno e as lacunas do lado p
so encostadas juno e tendem a penetrar nesta. Esta diminuio da zona de depleo
favorece o fluxo de portadores maioritrios. A Figura 18 mostra este fenmeno.
Zona de depleo

regio tipo p

regio tipo n
+

ies aceitadores
(-)

lacuna
s

ies neutros

ies dadores
(+)

electres

Sentido convencional da corrente

V
Figura 18: Diminuio da regio de depleo d evido polarizao directa do dodo.

Este tipo de polarizao cria um campo elctrico na juno pn em sentido contrrio ao

campo criado pela camada de depleo. Se a tenso externa que gera este campo for menor
que a tenso da barreira de potencial, ainda existe uma grande resistncia passagem de
electres e lacunas na juno, pois o campo elctrico resultante ainda no sentido do campo

22

criado pela zona de depleo. Mas quando a tenso externa atinge a tenso da barreira de
potencial, vencida a barreira de potencial e isto possibilita um fluxo intenso de electres do
lado n para o p.
Assim, o fluxo livre de electres de um lado para o outro s ter efeito quando a tenso da
fonte atingir o valor da tenso criada pela zona de depleo. Ou seja quando a tenso da
fonte for 0.7 Volts se se tratar de um dodo de silcio e 0.3 Volts se for de germnio. Assim
que a fonte atingir este valor portadores maioritrios (electres livres e lacunas) comeam a
atravessar a juno em grandes quantidades, dando origem a uma corrente no sentido p - n
(corrente directa). A tenso a partir da qual a corrente aumenta rapidamente denominada
tenso de arranque, de limiar ou tenso de joelho e toma o valor de 0,7 Volts para o silcio e
de 0,3 Volts para o germnio.

2.3 Curva Caracterstica do Dodo

A curva caracterstica de um dodo um grfico que relaciona o valor da tenso aplicada ao
dodo (VD) com a corrente elctrica que atravessa o dodo (ID).

Polarizao Inversa
Quando o dodo est inversamente polarizado a corrente praticamente nula. Existe
somente uma corrente de fugas de valor muito baixo, assinalada na Figura 19.

a)

b)

Figura 19: Curva Caracterstica associada polarizao inversa do dodo.

23

Polarizao Directa
Tal como referido, quando o dodo se encontra directamente polarizado, a partir da tenso
de arranque (V) a corrente aumenta rapidamente. Este aumento do fluxo de portadores
maioritrios na juno exponencial, tal como mostra a Figura 20 b).

a)

b)

Figura 20: Curva Caracterstica associada polarizao directa do dodo.

A curva caracterstica completa do dodo ser ento a dada pela Figura 21.
Ao contrrio de outros dispositivos elctricos, como o caso das resistncias, o dodo no
tem um comportamento linear.

Figura 21: Curva Caracterstica do dodo.

A expresso matemtica que descreve a curva caracterstica do dodo no 1 quadrante dada

pela equao (1.2).

qVd
.

I D = I 0 e.K .T 1

(1.2)

24

em que,
ID a corrente total no dodo,
I0 a corrente inversa de saturao, Ifugas
q a carga do electro,
V D tenso aplicada ao dodo,
uma constante emprica que toma o valor 1 para o Germnio e 2 para o Silcio,
K a constante de Boltzmann e
T - temperatura em Kelvin.
Considerando V T como uma tenso equivalente de temperatura dada por:
VT =

T
11600

(1.3)

onde T temperatura (em Kelvins) a equao (1.2) passa a ser equivalente equao (1.4).

VD
I D = I0 e VT

(1.4)

Comportamento Perante Variaes de Temperatura

Tal como visto em seces anteriores a temperatura influi no nmero de portadores livres
nos semicondutores e por conseguinte no dodo. Assim sendo, a tenso de arranque vai
tambm ser influenciada pela temperatura.
Cada vez que a temperatura aumenta 1C a tenso V diminui 2.2mV2 (equao (1.5))
dV
= 2.2mV / C
dt

(1.5)

A Figura 22 ilustra a alterao na curva caracterstica do dodo face a variaes de

temperatura.

Este valor 2.2 temperatura ambiente e decresce com o aumento da temperatura.

25

ID
T2

T1

-2mV/C
T 2>T 1

VD
Figura 22: Dependncia da curva caracterstica do dodo face a variaes de temperatura.

Por outro lado, cada vez que a temperatura aumenta 10C a corrente I0 duplica. Conhecida I0
temperatura T1 (I01) pode calcular-se I0 a qualquer temperatura T usando a expresso (1.6).

I 0 (T ) = I 01 2(T T1)/10

(1.6)

onde I01 a corrente inversa de saturao para a temperatura T 1.

2.4 Especificaes de Potncia de um Dodo

Para que um dodo no se danifique, o fabricante ter de fornecer informao quanto
tenso de ruptura, quando potncia mxima e corrente mxima suportadas pelo dodo.
A potncia dissipada por um dodo dada pela equao (1.7).
P=VI

(1.7)

onde V a tenso aos terminais do dodo e I a corrente que o percorre. Em situao alguma
a potncia mxima poder ser ultrapassada j que alm de provocar um aquecimento
excessivo do dispositivo, altera a estrutura do material e por conseguinte as suas
propriedades.
As potncias mximas dos dodos no variam muito de dodo para dodo dentro da mesma
categoria. Os dodos esto divididos em duas categorias, os dodos de pequenos sinais, em
que a potncia mxima est abaixo de 0,5W e os dodos rectificadores3, que suportam
potncias bastante acima de 0,5W.

O tema rectificadores ser abordado ainda neste texto.

26

2.5 Anlise de Circuitos com Dodos Mtodo Grfico

Tal como foi visto na seco 2.3 quando um dodo est polarizado directamente a pequenas
variaes na tenso aplicada correspondem grandes variaes na corrente que percorre o
dodo. Na verdade esta relao , de acordo com a equao (1.2), exponencial. Assim, e
teoricamente o dodo poderia ser percorrido por uma corrente infinita! Para anular esta
possibilidade, j que provocaria a destruio do dispositivo, normalmente usada uma
resistncia em srie com o dodo, que tem como objectivo limitar a corrente elctrica que
passa atravs dele. Esta situao mostrada na Figura 23. A resistncia limitadora de
corrente foi denominada Rs e quanto maior for o seu valor menor ser a corrente que
atravessa o dodo. Podemos relacionar esta resistncia com a corrente se escrevermos a
equao da malha do circuito.

RS

ID
Vi

+
VD
-

Figura 23: Resistncia Rs como limitador de corrente para o dodo.

Assim, a equao da malha do circuito da Figura 23 ser:

Vi + RS I D + VD = 0

(1.8)

o que equivale a dizer que,

ID =

+Vi VD
RS

(1.9)

Pela expresso da equao (1.9) verificamos que quanto maior for RS menor ser ID.
As expresses das equaes (1.8) e (1.9) correspondem a uma recta, denominada recta de
carga do circuito e mostrada na Figura 24.

27

ID
Vi/ RS

VD

Vi

Figura 24: Recta de carga do circuito da Figura 23.

Atendendo a que a curva caracterstica do dodo no linear (Figura 21), a determinao do

valor exacto de tenso e corrente no dodo algo complexa. A soluo passa por usar um
mtodo grfico (Figura 25) que sobrepe a curva caracterstica do dodo com a recta de
carga do circuito. O valor exacto de corrente e tenso no dodo corresponder ao ponto de
interseco Q.

Vi/ RS
Q

ID

VD

Vi

VD

Figura 25: Mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo

Se for dado o valor da tenso Vi e da resistncia Rs ser ento possvel determinar a corrente
e a tenso no dodo. Vejamos o seguinte exemplo, onde fornecido o circuito e a curva
caracterstica do dodo.

Figura 26: Exemplo da utilizao do mtodo grfico para determinao da corrente e tenso no dodo.

28

Para calcular a tenso (VD) e a corrente (ID) que passam pelo dodo, teremos de escrever a
equao da recta de carga. Esta ser:

2 + 0,1k I D +VD = 0

(1.10)

Se V D =0, ID ser 20mA e se ID =0, VD ser 2V. Sobrepondo esta recta curva caracterstica
do dodo verificamos que a interseco se verifica para VD=1,75V e ID= 2,5mA, que so
respectivamente a tenso e corrente no dodo.

Figura 27: Determinao da corr ente e tenso no dodo.

O mtodo grfico, para a anlise de circuitos, pouco utilizado. Geralmente utilizam-se

modelos aproximados que descrevem o funcionamento do circuito. Repare -se que se
aproximarmos a curva caracterstica do dodo a uma recta, bastaria intersectarmos duas
rectas para encontrar a soluo. A seco seguinte descreve as aproximaes para o dodo
usadas na resoluo de problemas.

2.6 Aproximaes do Dodo

O projecto ou anlise de circuitos com dodos atravs da expresso (1.4) ou atravs do
mtodo grfico, descrito na seco anterior, envolve alguma complexidade nomeadamente
quando se pretende determinar valores exactos como o da tenso e corrente no dodo. Da
que para facilitar os clculos existam aproximaes curva caracterstica do dodo chamadas
de aproximaes do dodo ou modelos equivalentes do dodo. So 3 as aproximaes usadas.
Sendo a primeira a mais grosseira e a terceira a mais rigorosa. Em qualquer destas
aproximaes so tomadas em considerao trs variveis:

29

Tenso de arranque V - tenso a partir da qual se considera que o dodo est em

conduo (estado ON);

Resistncia directa do dodo, ron - resistncia a que equivalente o dodo quando

est em conduo;

Resistncia inversa do dodo, roff - resistncia a que equivalente o dodo quando

este no est em conduo (estado OFF).

Seguidamente apresentam-se as 3 aproximaes.

1 Aproximao
A 1 aproximao define o dodo como ideal. O que significa que quando este se encontra a
conduzir se comporta como um dispositivo ideal. Se est a conduzir (ON) o seu
comportamento o de um curto circuito, o que equivale a uma resistncia directa4 nula. Se
no est a conduzir (OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou seja tem uma
resistncia inversa infinita5. As figuras seguintes elucidam o exposto.

Dodo ON

ron =0

roff =

Dodo OFF

Resistncia que surge quando aplicada uma tenso no dodo no sentido de conduo deste. geralmente
um valor muito baixo (da ordem dos poucos s).
5
Resistncia que surge quando aplicada uma tenso no sentido contrrio ao de conduo do dodo. Tem
normalmente um valor muito elevado (da ordem dos Ms) e diminui medida que a tenso aplicada se
aproxima da tenso de ruptura.

30

Na 1 aproximao considera-se que o dodo conduz a partir de 0 Volts (V=0). Ou seja o

dodo ir conduzir para VD 0 .

Ento o dodo estar ON para VD 0 e OFF para VD < 0 . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 28. Comparando esta curva com a curva real, apresentada
na Figura 21, verifica-se que esta somente uma aproximao grosseira. Assim, esta
aproximao deve ser aplicada somente quando se faz uma anlise pouco rigorosa ao
comportamento dos circuitos.

Figura 28: Curva caracterstica do dodo ideal.

2 Aproximao
A 2 aproximao difere da 1 na medida em que considera o facto de o dodo necessitar no
de zero Volts para iniciar a conduo mas sim de 0,7 Volts. Quando o dodo se encontra a
conduzir (ON) equivalente a uma fonte de tenso de valor igua l ao da tenso de arranque
V (0,6 ou 0,7 Volts no caso do silcio e 0,2 ou 0,3 Volts no caso do germnio), no sentido
nodo-ctodo. Quando no est a conduzir (OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou
seja tem uma resistncia inversa infinita.

31

Dodo ON

ron =0

roff =

Dodo OFF

Na 2 aproximao considera -se que o dodo conduz a partir de V. Ou seja o dodo ir

conduzir para VD V .

Ento o dodo estar ON para VD V e OFF para VD < V . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 29.

Figura 29: Curva caracterstica do dodo considerando pela 2 aproximao.

3 Aproximao
Esta a aproximao mais real. a que apresenta um menor desvio face apresentada na
Figura 21. Esta aproximao considera a resistncia interna do dodo no seu modelo. Assim,
quando o dodo se encontra a conduzir (ON) ser equivalente a uma fonte de tenso de
valor igual ao da tenso de arranque V, em srie com uma resistncia di recta (resistncia
interna do dodo). semelhana das aproximaes anteriores, quando no est a conduzir
(OFF) comporta-se como um circuito aberto, ou seja tem uma resistncia inversa infinita.

32

Dodo ON

Dodo OFF

roff =

Na 3 aproximao tambm se considera que o dodo conduz a partir de V. Ou seja o dodo

ir conduzir para VD V . A diferena em relao 2 aproximao que o aumento da
corrente no dodo, a partir do momento em que entra em conduo ir variar consoante o
valor da resistncia interna do dodo.

Ento o dodo estar ON para VD V e OFF para VD < V . O que corresponde curva
caracterstica mostrada na Figura 30. De notar que quanto menor for o valor da resistncia
interna do dodo mais inclinada ser a recta obliqua na figura. Se esta resistncia for prxima
de zero a curva da 3 aproximao assemelha-se da 2 aproximao.

Figura 30: Curva caracterstica do dodo segundo a 3 aproximao.

Na Figura 31 apresenta-se a curva caracterstica do dodo real e as suas aproximaes. Como

se pode constatar medida que a ordem da aproximao aumenta o erro da aproximao
diminui face curva real.
33

Curva do dodo real

1 Aproximao

2 Aproximao

3 Aproximao

Figura 31: Comparao entre a curva caracterstica do dodo real e as suas aproximaes.

2.7 Anlise de Circuitos Usando as Aproximaes de Dodos

Na anlise ou projecto de circuitos com dodos e, dependendo da aplicao e do rigor da
anlise pode-se adoptar qualquer uma das aproximaes descritas. A anlise deve cumprir as
seguintes etapas:

comear por identificar, face tenso aplicada no circuito, os intervalos em que o

dodo est ON e OFF;

desenhar para cada um destes intervalos o circuito equivalente usando uma

aproximao;

analisar cada circuito desenhado atravs de qualquer mtodo de anlise de circuitos.

34

Veja-se o seguinte exemplo:

No circuito da figura o dodo est directamente polarizado, j que o nodo liga ao terminal
positivo da fonte e o ctodo ao negativo. Mas o facto de estar directamente polarizado no
significa que o dodo esteja ON. Ele pode estar directamente polarizado e no ter aos seus
terminais uma tenso suficiente para vencer a tenso de arranque.
Para verificar o estado do dodo retiramo-lo do circuito e calculamos a tenso aos seus
terminais VD.

Estando o circuito aberto no existe corrente no circuito (repare que no existe nenhuma
malha fechada e por isso a corrente no pode circular do terminal positivo ao negativo), e
no havendo corrente, no existe queda de tenso na resistncia Rs. Assim, VD ter os
mesmos 10V de Vs (VD = VS ).
Se usarmos a 1 aproximao, sabemos que o dodo conduz a partir de zero volts. Como

VD 0 o dodo vai estar ON se Vs=10V.

Se pretendermos determinar a corrente do circuito usando a 1 aproximao do modelo do
dodo, basta substituir o dodo pelo seu equivalente que no caso da 1 aproximao
simplesmente um curto-circuito.

De acordo com o circuito obtido, e usando lei das malhas para o analisar vem que:
35

VS + RS I D = 0 I D =

VS 10
=
= 2mA
RS 5k

A corrente que atravessa o dodo de 2mA.

Usando agora a 2 aproximao, com V = 0.7 V, obtemos o seguinte circuito:

Onde,

VS + RS I D + V = 0 I D =

VS V 10 0,7
=
= 1,86mA .
RS
5k

Usando a 3 aproximao, com V = 0,7V e ron=50, o circuito fica:

VS + RS I D + V + ron I D = 0 I D =

VS V 10 0,7
=
= 1,84mA .
RS + ron 5 k + 50

Os resultados obtidos com as 3 aproximaes so apresentados no Quadro 3.

Aproximao

ID

2mA

1,86mA

1,84mA

Quadro 3: Comparao entre os valores obtidos pelas 3 aproximaes.

36

O resultado mais prximo do real ser com certeza o fornecido pela 3 aproximao, mas o
resultado mais fcil de obter, devido a simplificar fortemente a anlise do circuito o da 1
aproximao. No entanto apresenta um desvio significativo em relao 3 aproximao
(2mA-1,84mA=0,16mA).
Repare que o resultado da 2 aproximao est muito prximo do da 3 aproximao
(1,86mA-1,84mA=0,02mA), e a anlise pela 2 aproximao substancialmente mais
simples. Por isso a aproximao mais usada na anlise de circuitos com dodos a 2.

2.8 Dodo Emissor de Luz e Fotododo

O dodo emissor de luz (LED- Light Emitting Diode) um dodo que quando polarizado
directamente emite luz.
No LED a energia libertada quando se quebra uma ligao covalente no cristal, no toda
dissipada sob a forma de calor. Parte da energia libertada aparece sob a forma de radiao.
Existem determinados materiais em que esta libertao de energia efectuada sob a forma
de luz (fosforeto de glio (GaP), arsenofosforeto de glio (GaAsP)).
Ao contrrio dos dodos comuns o LED no feito de silcio, que um material opaco, mas
sim, destes materiais. O processo de produo de luz por aplicao de uma fonte de energia
elctrica designa-se por electroluminiscncia.
O smbolo usado para o dodo emissor de luz mostrado na Figura 32. O smbolo
semelhante ao de um dodo de juno normal tendo a mais setas apontando para fora que
simbolizam a emisso de luz.

Figura 32: Smbolo do dodo emissor de luz.

37

Existem LED's de vrias cores tais como amarela, verde, vermelha, al ranja ou azul. Na
Figura 33 apresenta-se uma fotografia com alguns LEDs de cor. Os LEDs tm polaridade.
O encapsulamento do LED circular tendo junto a uma extremidade um corte. A esse corte
corresponde o lado positivo (nodo). Normalmente tambm a extremidade mais comprida
indica o nodo.

Figura 33: Fotografia de dodos emissores de luz.

Tal como referido um LED s emite luz quando directamente polarizado. O seu
comportamento semelhante ao de um dodo normal, i.e, a curva caracterstica do LED
tambm a mostrada na Figura 21, no entanto existe uma diferena na tenso de arranque.
Dependendo da cor do LED a tenso de arranque (tenso a partir da qual o LED conduz)
est compreendida entre 1,5V e 2,5V. J a corrente que atravessa um LED deve variar entre
10 e 50mA. Como esta corrente depende da tenso de alimentao aplicada, normalmente
necessrio dimensionar uma resistncia que limite a corrente. Assim, a polarizao de um
LED semelhante de um dodo normal e dada pelo esquema da Figura 23.
Para analisar circuitos com LEDs usa-se normalmente a 2 aproximao. O dodo estar ON
para valores de tenso aos seus terminais iguais ou superiores tenso de arranque, e neste
caso ser equivalente a uma fonte de tenso de valor igual a esta. E star OFF para valores de
tenso aos seus terminais inferiores tenso de arranque, sendo equivalente a um circuito
aberto.
Os LEDs tm diversas aplicaes no campo da electrnica, essencialmente devido a
necessitarem de uma tenso de arranque relativamente baixa, a apresentarem grande
durabilidade e a possurem uma resposta rpida em circuitos de comutao (nanosegundos).

38

Encontramos vulgarmente LEDs:Em substituio de pequenas lmpadas piloto de

incandescncia e de gs (ex: semforos);
Em sistemas electrnicos de pequena potncia (como indicadores de luz), fabrico de
mostradores luminosos (por ex. displays de sete segmentos, usados nos mostradores das
mquinas calculadoras);
Em aparelhos de medida;
Em receptores de rdio, etc.

Um fotododo um dodo com encapsulamento transparente, que quando polarizado

inversamente sensvel luz. Pode ser usado para converter sinais luminosos em sinais
elctricos. medida que aumenta da intensidade luminosa, aumenta tambm a corrente
inversa (corrente de fugas) no fotododo.
Os fotododos so fabricados utilizando semicondutores compostos por arsnio de glio.
Num dodo polarizado inversamente, a corrente deve-se somente circulao de portadores
minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica fornece energia suficiente
para alguns electres de valncia sarem das suas rbitas e gerarem electres livres e lacunas,
que contribuem assim para a corrente inversa. Quando uma fonte luminosa incide numa
juno pn, est a fornecer mais energia aos electres de valncia e com isto gerar mais
electres livres. Ou seja, os pares electro-lacuna num fotododo inversamente polarizado,
variam com a luz incidente. Por isso o fotododo pode ser visto como uma fonte de
corrente, embora normalmente os circuitos que utilizam fotododos sejam projectados de
forma a obter-se uma tenso de sada proporcional ao aumento da luz incidente.
Um fotododo funciona normalmente inversamente polarizado porque nesta zona tem uma
maior velocidade de resposta e uma maior gama de tenso de sada proporcional luz
incidente.
O smbolo do fotododo mostrado na Figura 35.. O smbolo semelhante ao de um dodo
de juno normal tendo a mais setas apontando para dentro que simbolizam a absoro de
luz.

39

Figura 34: Smbolo do fotododo.

A curva caracterstica de um fotododo mostrada na Figura 35. Quanto mais intensa for a
luz na juno, maior ser a corrente inversa no dodo.

Figura 35: Curva caracterstica do fotododo.

fotododo

um

componente

importante

na

optoelectrnica.

Os

circuitos

optoelectrnicos combinam sinais pticos com sinais electrnicos para processamento,

armazenamento e transmisso de sinais.
Os fotododos em conjunto com os LEDs so vulgarmente usados para transmisso de
sinais de televiso, telefone e de dados atravs de fibra ptica.
As junes PN no polarizadas e expostas luz solar funcionam como clulas solares.
Usando fotododos possvel converter luz em energia elctrica. A juno de vrias clulas
forma os painis solares elctricos.
A combinao LED-fotododo tambm vulgarmente utilizada em dispositivos ptico
isoladores ou ptico acopladores. O LED converte um sinal elctrico aplicado ao ptico
isolador num sinal de luz, e o fotododo detecta-o e converte-o num sinal elctrico que
disponibilizado na sada do ptico isolador. Este circuito usado para isolar electricamente
dois circuitos. Este isolamento reduz significativamente as interferncias elctricas na

40

transmisso de sinais entre dois sistemas. O acoplamento ptico entre o LED e o fotododo
tanto pode ser feito dentro de um circuito integrado como distncia, como o caso de
quando um colocado no incio de uma ligao em fibra ptica e o outro no final da mesma
ligao.

2.9 Dodo Zener

De acordo com a anlise feita polarizao inversa do dodo na seco 2.2, quando uma
fonte de tenso polariza um dodo inversamente origina um aumento da regio de depleo
(Figura 17) e um aumento da velocidade com que os portadores minoritrios atravessam a
juno. A partir de um dado valor de tenso aplicada ao dodo, haver choques dos electres
livres com os electres das ligaes covalentes, resultando na retirada destes da estrutura
cristalina. Estes choques do origem a um efeito multiplicativo, aumentando
consideravelmente o nmero de electres disponveis para a conduo. Esse efeito,
denominado de avalanche, faz com que a corrente aumente rapidamente para qualquer novo
acrscimo de tenso inversa aplicada ao dodo.
Se ambos os lados da juno forem muito dopados, a regio de depleo ser estreita e isso
far com que os electres no tenham condies de ganhar energia cintica suficiente para
retirar outros electres das ligaes covalentes. Porm o prprio campo elctrico pode retirar
os electres, fazendo com que haja um aumento considervel da corrente para qualquer
novo acrscimo de tenso. A esse mecanismo de aumento da corrente inversa de conduo
chama-se efeito Zener.
Existem dodos especiais que sustentam a conduo no sentido inverso sem se danificarem
como o caso dos dodos Zener.
So dodos desenhados para operar quer directamente quer inversamente polarizados, mas
construdos especialmente para trabalhar na zona inversa, atravs dos efeitos de zener ou
avalanche.
So dodos de juno pn, mas onde as concentraes de impurezas so substancialmente
maiores que as dos dodos normais. So vulgarmente aplicados em circuitos de regulao de

41

tenso, ou noutras aplicaes onde se exige uma tenso de referncia constante. Possuem
tambm capacidades de dissipao de potncia melhoradas em relao aos dodos normais.
A Figura 36 mostra o smbolo utilizado para o dodo Zener.

Figura 36: Smbolo do dodo Zener.

2.9.1 Curva Caracterstica do Dodo Zener

Para melhor se entender o funcionamento do dispositivo apresenta-se na Figura 37 a curva
caracterstica do dodo zener. Esta curva relaciona o valor da tenso aplicada aos terminais
do dodo (VD) com a corrente elctrica que o atravessa (ID).
Quando directamente polarizado o dodo zener comporta-se como um dodo comum, mas
ao contrrio de um dodo convencional, suporta tenses inversas prximas a tenso de
ruptura.

Figura 37: Curva caracterstica do dodo Zener.

O dodo zener pode estar em 3 estados distintos.

ON Directamente Polarizado

ON Inversamente Polarizado

OFF

42

Estar directamente polarizado quando a tenso Vi estiver aplicada no sentido de

conduo directa do dodo (terminal positivo ligado ao nodo e negativo ao ctodo), numa
configurao semelhante apresentada na Figura 38.

Figura 38: Dodo zener directamente polarizado.

O dodo ir conduzir desde que seja superada a sua tenso de arranque V ( VD V ). Nesta
situao ele ir comportar-se como um dodo normal e o seu comportamento o descrito
pelo 1 o quadrante da curva caracterstica da Figura 37.
Estar inversamente polarizado quando a tenso Vi tiver aplicada no sentido de conduo
inversa do dodo (terminal positivo ligado ao ctodo e negativo ao nodo), numa
configurao semelhante apresentada na Figura 39.

Figura 39: Dodo zener inversamente polarizado

O dodo ir conduzir desde que seja superada a sua tenso de zener Vz. A tenso Vz,
tambm denominada tenso de zener uma caracterstica de cada dodo zener e por isso
existe um nmero limitado de tenses Vz. Existem, por exemplo, zeners de 3.3V, 3.9V,
6.2V, 9.1V 16V, 18V, etc.

43

Quando VD VZ o comportamento do zener o descrito pelo 3o quadrante da curva

caracterstica da Figura 37. O componente fica polarizado inversamente e mantm uma
diferena de potencial aos seus terminais aproximadamente igual a Vz.
No entanto tal no acontece com a corrente, que varia. De acordo com a Figura 40 se a
corrente IZ se mantiver dentro de certos limites (entre IZmin e IZmax) a tenso aos terminais do
zener ser praticamente constante e igual a Vz e encontramo-nos na regio de regulao.
Assim, IZmin ser a corrente mnima que dever existir aos terminais do dodo zener para
podermos considerar que este se encontra com uma tenso invarivel aos seus terminais.
IZmax ser a corrente mxima suportada pelo zener na regio de regulao. Esta corrente
limitada pelo ponto de mxima dissipao de potncia e por isso obtida a partir da potncia
mxima do dodo zener (PZmax). Normalmente IZmin 10% de IZmax. Assim, os zeners so
normalmente escolhidos em funo de dois parmetros:

a tenso de zener (V z);

a potncia nominal ( PZ = VZ IZ max )

Se por exemplo um dodo zener de 12V (Vz=12V) admite como potncia mxima 400mW,
ele suportar uma corrente mxima, a I Z max =

400mW
= 33,3mA .
12

Se se pretender que o zener funcione com um dado valor de corrente, basta dimensionar a
resistnci a R. da Figura 39. em funo de Vi e Vz.

Figura 40: Curva caracterstica do dodo Zener - regio de regulao.

44

Como qualquer dispositivo electrnico tambm o dodo zener oferece uma pequena
resistncia passagem de corrente. A esta resistncia chamamos resistncia dinmica do
zener (rz) ou simplesmente resistncia de zener.
Foi anteriormente referido que o zener quando se encontra inversamente polarizado
mantm uma diferena de potencial aos seus terminais aproximadamente fixa e igual a Vz,
mas percorrido por uma corrente varivel. Na realidade a tenso no fixa porque existe
uma pequena variao dada por rz I z . Se num dado circuito a corrente variar de um valor

I z esta variao ter associada uma variao de tenso VD = rz I z . Esta variao

encontra-se representada na Figura 41. Conclumos, ento, que na zona em que o zener se
encontra inversamente polarizado a tenso aos seus terminais no absolutamente fixa, mas
varia a uma taxa de

1
devido resistncia dinmica do zener.
rz

Quanto menor o valor de rz, mais constante ser a tenso de zener com as variaes da
corrente.
Se a tenso aos terminais do dodo zener no o polarizar nem directamente nem
inversamente, diz-se que o dodo est OFF, o que acontece para VZ < VD < V .

Figura 41: Curva caracterstica real do dodo zener.

45

2.9.2 Aproximaes do Dodo Zener

Para permitir uma anlise simplificada de circuitos contendo dodos zener so tambm
usadas aproximaes curva caracterstica do dodo zener. O dodo zener pode estar em 3
estados distintos: ON Directamente Polarizado, OFF e ON Inversamente Polarizado.
Consoante o estado em que se encontra iram ser usadas diferentes aproximaes, que se
passaro a descrever de seguida.

APROXIMAES ESTADO ON DIRECTAMENTE P OLARIZADO

Quando o dodo se encontrar nesta zona as aproximaes descritas na seco 2.6 so vlidas,
j que o comportamento do zener nesta zona semelhante ao de um dodo normal.
1 Aproximao quando o dodo est no estado ON equivalente a um curto circuito.

ron =0

2 Aproximao quando o dodo se encontra no estado ON equivalente a uma fonte de

tenso de valor igual tenso de arranque.

ron =0

3 Aproximao quando o dodo est a conduzir equivalente a uma fonte de tenso de

valor igual ao da tenso de arranque V em srie com a resistncia interna do dodo, ron.

APROXIMAO - ESTADO OFF

Caso o dodo se encontre com uma tenso VD aos seus terminais insuficiente para o
polarizar quer directamente, quer inversamente, ele vai estar OFF e neste caso o seu modelo
equivalente ser um circuito aberto.

roff =

46

APROXIMAES - ESTADO ON INVERSAMENTE P OLARIZADO

1 Aproximao do Zener
A 1 aproximao do dodo zener considera que caso o dodo esteja inversamente polarizado
ele ser equivalente a uma fonte de tenso de valor igual sua tenso de zener. Neste caso
considera -se que a resistncia dinmica do zener nula.

rz =0

O que significa considerar a curva caracterstica representada na Figura 42.

Figura 42: Curva caracterstica do dodo zener considerando a 1 aproximao.

2 Aproximao do Zener
A 2 aproximao do dodo zener considera que caso o dodo esteja inversamente polarizado
ele ser equivalente a uma fonte de tenso de valor igual sua tenso de zener em srie com
a sua resistncia dinmica.

47

Neste caso a tenso aos terminais do zener (Vtotal) ir variar em funo da corrente que o
percorre j que Vtotal = VZ + rZ I Z . A curva caracterstica correspondente 2 aproximao
representada na Figura 43.

Figura 43: Curva caracterstica do dodo zener considerando a 2 aproximao.

Na maioria dos casos utilizada a 1 aproximao, j que como rz toma normalmente valores
muito baixos no muito grave negligenciar-se a queda de tenso que provoca. Vejamos o
seguinte exemplo.

No circuito considerado vamos calcular Vo para Vs=20 V usando:

a) A 1 aproximao do dodo zener.
b) A 2 aproximao do dodo zener.
O zener nunca ir estar ON directamente polarizado porque a fonte Vs tem o seu terminal
positivo ligado ao ctodo do dodo e o negativo ao nodo. Assim, o dodo ou est OFF ou
est ON inversamente polarizado. Se assumirmos que est OFF, no existe nenhuma malha
fechada no circuito e a queda de tenso em Rs nula. Assim, a queda de tenso aos terminais
do zener ser a mesma da fonte Vs que so 20V.

48

Para estar ON inversamente polarizado, o zener precisa que a queda aos terminais seja pelo
menos 10V que o valor da sua tenso de zener. Como 20V conclumos que ele vai estar
ON inversamente polarizado.
a) substituindo o dodo por uma fonte de tenso de valor Vz, verificamos facilmente que
Vo=Vz=10V.
b) substituindo o dodo por uma fonte de tenso de valor Vz em srie com a resistncia rz,
verificamos que VO = VZ + rZ I Z . Fazendo uma malha do circuito calculamos facilmente a
corrente IZ.

VS + RS I Z + VZ + rZ I Z = 0 I Z =

VS VZ
= 12,1 mA
R S + rZ

Ento, VO = VZ + rZ I Z = 10 + 7 12.1mA = 10,085V

Se compararmos o valor obtido para Vo usando a 1 e 2 aproximaes verificamos que a
diferena muito baixa (cerca de 85mV), e que usando a 2 aproximao os clculos so
substancialmente mais trabalhosos. Por estes dois motivos a 1 aproximao mais utilizada
quando o zener se encontra ON inversamente polarizado.

2.9.3 Polarizao do Dodo Zener

O dodo zener, como qualquer dodo deve ser polarizado para operar num circuito elctrico.
A forma de polarizao usual de um zener a apresentada na Figura 44.

Figura 44: Polarizao do dodo zen er.

Se Vs ou Rs variarem, a corrente no zener, Iz, vai variar entre IZmin e IZmax, mantendo a
tenso Vz praticamente constante aos seus terminais.

49

 semelhana da anlise feita para dodo semicondutores, tambm nos circuitos elctricos
com zeners podemos traar a recta de carga do circuito. Que no caso do circuito da Figura
44 :
VS = RS I Z + V Z

(1.11)

Nas figuras seguintes mostra-se o efeito que a variao de VS (Figura 45) e RS (Figura 46)
provoca na recta de carga. A tenso aos terminais do zener mantm-se praticamente
constante mas a corrente que o percorre varia.

Figura 45: Efeito da alterao de V S na recta de carga.

Figura 46: Efeito da alterao de RS na recta de carga.

50

Polarizar um zener consiste ento em calcular o valor da resistncia RS que garanta a

operao do dispositivo dentro dos seus limites, isto , mantendo a tenso Vz praticamente
constante e no excedendo os seus limites de potncia.

3-Circuitos com Dodos

So inmeras as aplicaes com dodos no campo da electrnica. Neste captulo iremos
abordar algumas destas aplicaes.
Quando pensamos numa aplicao pensamos essencialmente na funo dessa aplicao.
Fazemos vrias questes. O que que este circuito faz? Se eu tiver um dado sinal na entrada
de um sistema como vai ser o sinal de sada?
A resposta a esta questo dada pela funo de transferncia.

3.1 Funo de Transferncia

A funo de transferncia ou caracterstica de transferncia de um circuito representa
graficamente a funo desse circuito.
Se conhecermos a funo de transferncia de um circuito sabemos sempre qual a sada
para uma dada entrada.
Consideremos o seguinte exemplo:

Analisando o circuito vemos que:

VO =

R2
Vi
R1 + R2

(1.12)

51

Se

R2
= k ficamos com:
R1 + R2

VO = k Vi

(1.13)

que se trata de uma equao de 1 grau.

Se o sinal de entrada, for por exemplo uma tenso sinusoidal de amplitude mxima Vmax. A
tenso de sada tambm ser sinusoidal, mas com uma amplitude k vezes superior.
A funo de transferncia da Figura 47 mostra a relao entre o sinal de entrada e o sinal de
sada no caso de k=1, ou seja VO = Vi . Esta relao dada pela bissectriz dos quadrantes
impares, que uma recta com inclinao 45. Esta recta indica-nos qual ser o valor de Vo
para qualquer Vi.
Por facilitar a anlise de circuitos elctricos, e para permitir conhecer a funo de um dado
circuito, a caracterstica de transferncia faz, normalmente, parte da anlise dos circuitos com
dodos.
Vo

Vo
m=1

Vi

Vi

Figura 47: Exemplo de uma funo de transferncia.

52

3.2 Circuitos Limitadores

Um circuito limitador destina -se, como o nome indica, a limitar sinais acima ou abaixo de
um determinado nvel. So normalmente aplicados em circuitos de sinalizao (como por
exemplo acender um LED quando excedido um limite de velocidade) ou proteco (por
exemplo disparar um sinal sonoro quando o nvel da gua de uma piscina atinge o mximo).
Os limitadores podem fixar um valor superiormente, inferiormente ou superiormente e
inferiormente denominando-se respectivamente,

Limitador SuperiorLimitador InferiorLimitador a dois nveis

Seguidamente estudam-se em detalhe cada um destes circuitos.

3.2.1 Limitador Superior

O circuito da Figura 48 tem como funo limitar superiormente uma onda Vi. Assim, o sinal
de sada, Vo ser uma rplica de Vi limitada superiormente.

Figura 48: Limitador superior.

Para se entender o funcionamento do circuito apresentado comeamos por retirar o dodo

do circuito e marcar aos seus terminais uma tenso VD no seu sentido de conduo, i.e. do
nodo para o ctodo. O circuito resultante o apresentado na Figura 49.
Se considerarmos o dodo como ideal ele conduzir desde que a tenso aos seus terminais,
V D, atinja zero volts. Caso contrrio estar OFF. Ento podemos escrever que:

VD 0 Diodo ON
Se
VD < 0 Diodo OFF

(1.14)

53

Figura 49: Anlise de um limitador superior.

A queda de tenso VD dada pela diferena de potencial entre o ponto A e o ponto B

(VA-V B). Observando a Figura 49 conclumos que VB = Vi e que VA = VR + VRef . Como no
existe nenhuma malha fechada no circuito, no existe corrente a circular atravs da
resistncia R, ento VR = 0 e consequentemente V A = V Ref . Ento,

VD = VA VB = VRef Vi

(1.15)

Substituindo o valor de V D na equao (1.14) vem:

VRef Vi 0 Diodo ON
Vi VRef Diodo ON
Se
Se
Vi > VRef DiodoOFF
VRef Vi < 0 Diodo OFF

(1.16)

Ento o circuito ir comportar-se de forma distinta consoante Vi seja maior ou menor que
V Ref. Caso Vi VRef o dodo estar ON e substituindo-o pelo seu modelo equivalente (1
aproximao) o circuito fica:

Figura 50: Circuito equivalente para o dodo ON num limitador superior.

Nesta situao a tenso de sada, Vo igual tenso de entrada, Vi. Isto ,

54

VO = Vi

(1.17)

Caso Vi > VRef o dodo estar OFF e substituindo-o pelo seu modelo equivalente o circuito
fica:

Figura 51: Circuito equivalente para o dodo OFF num limitador s uperior.

Nesta situao a tenso de sada, Vo no depende da tenso de entrada, Vi uma vez que
existe um circuito aberto a separar as duas tenses. A tenso Vo ser simplesmente a tenso
de referncia, VRef uma vez que no havendo corrente no circuito a queda de tenso na
resistncia R nula. Podemos, ento escrever:
VO = VRef

(1.18)

As equaes (1.17) e (1.18) vo permitir a construo da funo de transferncia do circuito.

Na funo de transferncia o eixo dos xx representa a tenso de entrada, Vi enquanto o eixo
dos yy representa a tenso de sada, Vo. Ento, a equao (1.17), que ocorre para Vi VRef ,
representa a recta y=x que a bissectriz dos quadrantes mpares. Esta recta faz um angulo de
45 com os dois eixos e tem inclinao unitria (m=1). Por seu lado, a equao (1.18), que
ocorre para Vi > VRef , representa uma recta horizontal y=VRef. A funo de transferncia do
circuito limitador superior e os sinais de entrada e sada do circuito analisado so mostrados
na Figura 52.

55

Vo
Vo
Va
VRef
VRef

t0 t 1 t2

Vi

t3

-Va

Va

-Va
t0 t 1 t 2

Vi

t3

t
Figura 52: Funo de transferncia, sinal de entrada e sinal de sada de um limitador superior.

Observando a forma de onda do sinal de sada, Vo, verificamos que o sinal se apresentar
limitado superiormente, tomando o limite o valor de VRef.
O circuito da Figura 53, embora diferente do apresentado na Figura 48, tambm um
limitador superior.
R
D
Vi

VL

Vo

Figura 53: Circuito de um limitador superior.

Considerando o dodo como ideal, se a tenso aplicada entrada inferior a VL, o dodo
estar OFF, sendo equivalente a um circuito aberto. Nesta situao a tenso de sada ser
56

igual de entrada. Se a tenso aplicada entrada for superior a VL o dodo ser equivalente a
um curto-circuito e a tenso de sada Vo ser igual a VL. O circuito ter igualmente como
funo de transferncia a apresentada na Figura 52.
Se no considerarmos o dodo ideal e usarmos a 2 aproximao a anlise ser em tudo
semelhante que foi feita para o circuito da Figura 48. Comeamos por retirar o dodo e
marcar a tenso VD.
Se considerarmos a 2 aproximao do dodo ele conduz desde que a tenso aos seus
terminais, VD, atinja a tenso de arranque V. Caso contrrio estar OFF. Ento podemos
escrever que:

VD V Diodo ON
Se
VD < V Diodo OFF

(1.19)

A queda de tenso VD dada pela diferena entre Vo e VL. Como no existe corrente no
circuito, no existe queda de tenso na resistncia R e Vo=Vi. Ento,
VD = Vi VL

(1.20)

Substituindo o valor de V D na equao (1.19) vem:

Vi VL V Diodo ON
Se
Se
Vi VL < V Diodo OFF

Vi VL + V Diodo O N

Vi < VL + V DiodoOFF

(1.21)

Ento iro surgir dois circuitos equivalentes. Um quando o dodo est ON (Figura 54 a)) e
outro quando est OFF (Figura 54 b)).

a)

b)

Figura 54: Circuito equivalente num limitador superior. a) para o dodo ON ; b) para o dodo OFF

57

A tenso de sada, Vo ser ento:

Diodo ON VO = V L + V

(1.22)

Diodo OFF VO = Vi

A equao (1.22) vai permitir a construo da funo de transferncia do circuito que dada
pela Figura 55.
Vo

V L+V
V L+V

Vi

Figura 55: Funo de Transferncia de um limitador superior.

3.2.2 Limitador Inferior

O circuito da Figura 56 tem como funo limitar inferiormente uma onda Vi. Assim, o sinal
de sada, Vo ser uma rplica de Vi limitada inferiormente.

Figura 56: Limitador inferior.

Seguindo uma anlise semelhante efectuada para o limitador superior comeamos por
retirar o dodo do circuito e marcar aos seus terminais uma tenso VD. O circuito resultante
o apresentado na Figura 57.

58

Se considerarmos o dodo como ideal ele conduzir desde que a tenso aos seus terminais,
V D, atinja zero volts. Caso contrrio estar OFF. Ento podemos escrever que:

V 0 Diodo ON
Se D
VD < 0 Diodo OFF

(1.23)

Figura 57: Anlise de um limitador inferior.

A queda de tenso VD dada por V B-V A. Ora, VB = Vi e que VA = VR + VRef . Como no

existe nenhuma malha fechada no circuito, no existe corrente a circular atravs da
resistncia R, ento VR = 0 e consequentemente V A = V Ref . Ento,
VD = VB VA = Vi VRef

(1.24)

Substituindo o valor de V D na equao (1.23) vem:

Vi VRef 0 Diodo ON
Vi VRef Diodo ON
Se
Se
Vi < VRef Diodo OFF
Vi VRef < 0 Diodo OFF

(1.25)

Caso Vi VRef o dodo estar ON e substituindo-o pelo seu modelo equivalente

(1 aproximao) o circuito fica semelhante ao da Figura 50.
Nesta situao a tenso de sada, Vo igual tenso de entrada, Vi.
VO = Vi

(1.26)

Caso Vi < Vref o dodo estar OFF e substituindo-o pelo seu modelo equivalente o circuito
fica igual ao da Figura 51.

59

Nesta situao, uma vez que no h corrente no circuito e a queda de tenso na resistncia R
nula e Vo dado por,
VO = VRef

(1.27)

As equaes (1.26) e (1.27) vo permitir a construo da funo de transferncia do circuito

que apresentada na Figura 58.
Vo
m=1
VRef

VRef

Vi

Figura 58: Funo de transferncia de um limitador inferior.

Na Figura 59 mostra-se os sinais de entrada e sada do circuito analisado.

Vi
VRef
t

Vo
VRef
t
Figura 59: Sinais de entrada e sada de um limitador inferior.

O sinal de sada encontra -se cortado (limitado) a um valor mnimo de V Ref.

60

3.2.3 Limitador a Dois Nveis

Um limitador a dois nveis um circuito, que dado um sinal de entrada apresenta na sua
sada esse mesmo sinal, mas limitado superiormente e inferiormente. O circuito apresentado
na Figura 60 limita o sinal Vi, a um valor mximo de VR2 (limitao superior) e a um valor
mnimo de VR1 (limitao inferior).
VR2>VR1
R
D1
Vi

VR1

D2
Vo

VR2

Figura 60: Limitador a dois nveis.

De forma anloga ao que se tem feito para os limitadores estudados anteriormente,

comearemos por retirar D1 e D2 do circuito e marcar duas tenses VD1 e VD2.
R

Vi

V D1
VR 1

V D2
VR 2

Vo

Figura 61: Anlise de um limitador a dois nveis.

Se considerarmos os dodos como ideais iro conduzir desde de que a tenso aos seus
terminais, VD, atinja zero volts. Caso contrrio estaro OFF. Ento podemos escrever que:

V 0 Diodo1 ON
Se D 1
VD 1 < 0 Diodo1 OFF
VD 2 0 Diodo2 ON
Se
VD 2 < 0 Diodo2 OFF

(1.28)

61

Analisando o circuito da Figura 61, verificamos que VD1 = VR 1 Vi e que VD 2 = Vi VR 2 , uma

vez que no existindo nenhuma malha fechada no circuito no existe corrente a circular
atravs da resistncia R e por conseguinte a queda de tenso aos terminais de R nula.
Substituindo V D1 e V D2 na equao (1.28) vem:

VR 1 Vi 0 Diodo1 ON
Vi VR 1 Diodo1 ON
Se

VR 1 Vi < 0 Diodo1 OFF
Vi > V R1 Diodo1 OFF
Vi VR 2 0 Diodo2 ON
Vi VR 2 Diodo2 ON
Se

Vi VR 2 < 0 Diodo2 OFF
Vi < VR 2 Diodo2 OFF

(1.29)

Ento o circuito ir comportar-se de trs formas distintas consoante o valor de Vi.

Diodo1 ON
Situaao 1
Vi VR1
Diodo2 OFF

Diodo1 OFF
Se VR 1 < Vi < VR 2
Situaao 2
Diodo 2 OFF

Diodo1 OFF
Vi VR 2
Situaao 3
Diodo2 ON

(1.30)

Na situao 1, em que D1 est ON e D2 OFF, o circuito equivalente ao da Figura 60

o da figura seguinte e VO = VR1 :
R

Vi

VR1

VR2

Vo

Na situao 2, em que D1 e D2 esto OFF, o circuito equivalente ao da Figura 60

apresentado na figura seguinte e pelo circuito, VO = Vi :

62

Vi

VR1

VR2

Vo

Na situao 3, em que D2 est ON e D1 OFF, o circuito equivalente ao da Figura 60

o da figura seguinte e VO = VR 2 :
R

Vi

VR1

VR2

Vo

Atravs nas 3 situaes descritas ser possvel construir a funo de transferncia do circuito
que dada pela Figura 62. Nesta mesma figura apresenta-se o sinal de sada, Vo quando se
introduz na entrada do sistema um sinal sinusoidal.
Vo

Vo
m=1

VR2

Vo

VR1
VR1 VR2

Vi

Vi

Figura 62: Funo de transferncia de um limitador a dois nveis.

O sinal Vo possui somente valores entre V R1 e V R2.

63

3.2.4 Limitadores com Dodos Zener

Utilizando apenas um dodo zener possvel construir um limitador de dois nveis (Figura
63). Um dos nveis fixado pela tenso Vz, dependendo apenas do zener escolhido,
enquanto o outro nvel imposto pela polarizao directa do zener e consequentemente
fixado pela tenso V.

Figura 63: Limitador de dois nveis usando um dodo zener.

Fazendo a anlise do circuito, comeamos por retirar o dodo e marcar uma tenso VD aos
seus terminais.

Figura 64: Anlise de um limitador de dois nveis usando um dodo zener.

O dodo zener pode estar em 3 estados: ON directamente polarizado, ON Inversamente

polarizado e OFF. Vai estar:

ON directamente polarizado quando VD V ;

ON inversamente polarizado quando VD VZ ;

OFF quando VZ < VD < V ;

Pela Figura 64, conclumos que VD = Vi (a queda de tenso em R nula, j que no existe
no circuito nenhuma malha fechada), ento se:

64

 D ON Directamente Polarizado (Situaao 1)

Vi V

V < Vi < Vz D OFF (Situaao 2)

D ON Inversamente Polarizado (Situaao 3)

Vi Vz

(1.31)

Os circuitos equivalentes e expresses de VO sero ento:

Situao 1

Situao 2

Situao 3

VO = V

VO = Vi

VO = VZ

A funo de transferncia do circuito apresentada na Figura 65.

Vo
m=1
Vz
-V
-V

Vz

Vi

Figura 65: Funo de transferncia do circuito da Figura 63.

Na Figura 66 apresenta-se a onda de sada do circuito da Figura 63 caso na entrada se

encontre uma onda sinusoidal. A onda de sada encontra-se limitada superiormente pela
tenso de zener, Vz, e inferiormente pela tenso de arranque, V.

Vi

Vz

Vo
-V t

Figura 66: Onda de sada do circuito da Figura 63 (a cheio) se na entrada se introduzir um sinal sinusoidal.

65

O circuito que se apresenta de seguida (Figura 67) tambm um limitador a dois nveis, mas
que recorre a dois dodos zener ligados em anti-srie para estabelecer os patamares de corte
inferior e superior.

Figura 67: Limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie.

Seguindo um raciocnio anlogo ao que tem sido feito para os circuitos anteriores, para
analisar este circuito comearamos por retirar cada dodo do circuito e marcar uma tenso
V D aos seus terminais. No entanto no circuito em questo um dodo no pode estar ON sem
que o outro tambm esteja. Analisando a Figura 67 vemos que se a corrente atravessar os
dodos de cima para baixo o dodo 1 vai estar ON inversamente polarizado e o dodo 2 vai
estar ON directamente polarizado. Por outro lado se a corrente atravessar os dodos de
baixo para cima o dodo 1 vai estar ON directamente polarizado e o dodo 2 vai estar ON
inversamente polarizado. Caso no haja corrente no circuito os dodos esto ambos OFF.
Assim, no faz sentido marcar uma tenso aos terminais de cada um dos dodos, mas sim
uma tenso no conjunto dos dois dodos como mostra a Figura 68.

Figura 68: Anlise de um limitador de dois nveis usando dois dodos zener ligados em anti-srie.

Ento, VD representa o conjunto dos dois dodos e no um s dodo como hbito!

Quando que os dodos iro conduzir? J foi visto que quando um estiver ON directamente
polarizado (ON DP) o outro estar ON inversamente polarizado (ON IP) e vice-versa.
Ento, o dodo 1 necessita de uma tenso VZ1 para estar ON inversamente polarizado e o

66

dodo 2 necessita de V para estar ON directamente polarizado. Como VD representa os dois

dodos podemos dizer que isto acontece para VD VZ1 + V .
Se a corrente tiver sentido contrrio, o dodo 1 necessita de V para estar ON directamente
polarizado e o dodo 2 necessita de V Z2 para estar ON inversamente polarizado, o que
acontece para VD VZ 2 + V VD VZ 2 V .
Existe ainda a situao em que os dodos esto ambos OFF.

Por observao da Figura 68 conclumos que VD = Vi

Podemos ento descrever o comportamento dos dodos do circuito da Figura 67 face ao
sinal de entrada Vi atravs da equao (1.32).

D1 ON DP
Situaao 1
Vi V Z 2 V
D
ON
IP
2

VZ 2 V < Vi < VZ 1 + V D1 ,D2 OFF Situaao 2

V V + V D1 ON IP
Situaao 3
Z1

i
D 2 ON DP

(1.32)

Os circuitos equivalentes e expresses de VO sero ento:

Situao 1

Situao 2

Situao 3

VO = VZ1 + V

VO = Vi

VO = V VZ 2

O comportamento do circuito da Figura 67 descrito atravs da equao (1.33).

67

VZ 2 V

VO = Vi

VZ1 + V

,Vi V Z 2 V
, VZ 2 V < Vi < VZ1 + V

(1.33)

,Vi VZ 1 + V

A funo de transferncia do circuito apresentada na Figura 69.

Vo
m=1
V z1 +V
-(V z2+V )
V z1+V
-(V z2+V )

Vi

Figura 69: Caracterstica de transferncia do circuito da Figura 67.

Conclumos, ento, que usando dois dodos zener iguais (com a mesma tenso de zener, VZ),
os limites inferiores e superiores da tenso de sada so simtricos. Para valores da tenso de
entrada entre estes dois limites, os dodos no conduzem e o sinal de sada segue a entrada.
Trata-se portanto de um limitador a dois nveis.

3.3 Circuitos Rectificadores

A maioria dos circuitos electrnicos includos em electrodomsticos, telemveis,
computadores, etc., necessitam de ser alimentados por uma tenso contnua (positiva ou
negativa). No entanto nas tomadas elctricas domsticas disponibilizada uma tenso
alternada com aproximadamente 220Volts RMS6, valor mdio nulo 7 e com uma frequncia
de 50Hz. Assim, torna-se necessrio converter a tenso alternada disponvel em tenso

RMS significa tenso mdia quadrtica ou tenso eficaz. A relao entre amplitude RMS e a amplitude da

onda :
7

VRMS =

Vmax
2

O Anexo A refere -se a formas de onda sinusoidais e valores caractersticos.

68

contnua, para que seja possvel alimentar uma carga8. Esta converso, ilustrada pela Figura
70 comea por passar a tenso alternada atravs de um transformador 9, cuja funo
fornecer no secundrio uma tenso alternada com uma amplitude menor que a tenso da
rede e simultaneamente isolar os circuitos da rede. No entanto a tenso sada do
transformador tem ainda um valor mdio nulo. O estgio que se segue, denominado por
rectificao, tem como objectivo obter uma tenso com um s sinal e de valor mdio no
nulo. Para tal elimina um semi ciclo da onda. Caso se pretenda uma tenso contnua positiva
eliminada a parte negativa da onda sinusoidal e caso se pretenda uma negativa eliminada a
parte positiva da onda. A onda resultante embora j com um valor mdio no nulo, oscila
ainda entre zero e um valor mximo (ver onda de sada do bloco rectificador na Figura 70).
Para diminuir esta oscilao introduz-se um filtro, cujo objectivo suavizar a onda, para que
esta oscile s ligeiramente em torno do valor de tenso contnua desejado. O ltimo bloco,
denominado regulador de tenso, diminui a pequena oscilao ainda existente e fornece sua
sada uma tenso contnua capaz de alimentar qualquer circuito.
Nesta seco iremos estudar com detalhe o bloco de rectificao e o de filtragem.

220Volts
50Hz

Figura 70: Esquema para obteno de uma tenso contnua a partir da tenso alternada de rede elctrica.

Existem dois tipos de rectificadores

os rectificadores de meia onda e

os rectificadores de onda completa.

3.3.1 Rectificador de Meia Onda

Um rectificador de meia onda circuito basicamente formado por um transformador e por
um dodo rectificador, como mostra a Figura 71. Nesta figura no se apresenta o
8
9

Chamamos carga ao circuito que pretendemos alimentar com tenso contnua.

O Anexo B descreve sucintamente a constituio e funcionamento de um transformador.

69

transformador completo, mas assinala-se a tenso no secundrio como Vi. A resistncia RL

indicada no circuito representa a carga hmica acoplada ao rectificador. Esta carga tanto
pode ser uma simples resistncia como um circuito complexo.
D1
Vi

RL

Vo

Figura 71: Rectificador de meia onda.

Fazendo a anlise ao circuito, comeando por retirar o dodo e marcando uma tenso VD aos
seus terminais (Figura 72a)), conclumos que:
V 0 Diodo ON
Se D
VD < 0 Diodo OFF

(1.34)

caso o dodo seja ideal.

Os circuitos equivalentes para o dodo ON e OFF, no caso de o dodo ser ideal, esto
tambm representados na Figura 72 a) e b), repectivamente.
VD
Circuito de teste

Vi

RL

Vo

a)

Vo=Vi

b)

V
Circuito Equivalente
dodo ON

Vi

RL

Vi

RL

Circuito Equivalente
dodo OFF

Vo=0

c)

Figura 72: Anlise de um rectificador de meia onda.

Como VD = Vi , podemos escrever:

70

Vi ,
VO =
0,

Vi 0
Vi < 0

(1.35)

A funo de transferncia ser a dada pela Figura 73.

vo
m=1

vi

Figura 73: Funo de transferncia num rectificador de meia onda.

Pela funo de transferncia verificamos que o dodo conduz sempre que o sinal de entrada
seja positivo, ou seja vai conduzir nas alternncias positivas de V i.
Durante o semi ciclo positivo o dodo est a funcionar e actua como um curto-circuito e
aplicando a lei das malhas, ser facilmente verificado que toda a tenso Vi cai na resistncia
RL. Durante o semi ciclo negativo o dodo est polarizado inversamente e no h corrente no
circuito. Sem corrente elctrica a circular no circuito, no h tenso na resistncia, Vo=0 e
por isso toda a tenso cai em VD. O dodo deve ento ser escolhido de forma a suportar esta
tenso denominada tenso inversa.
O circuito estudado conhecido por rectificador de meia onda porque s o meio ciclo
positivo aproveitado na rectificao. A Figura 74 mostra as formas de onda deste
rectificador. O rectificador de meia onda tem na sua sada uma tenso cuja frequncia igual
de entrada ( f saida = f entrada ). A onda embora no tome valores negativos, apresenta ainda
uma variao que vai de 0 at VOmax. Esta variao toma a designao de tenso de
ondulao ou tenso de ripple.

71

Vi(t)
V imax

wt

-Vimax
Vo(t)
Vomax

wt

wt

VD(t)

-Vimax
Figura 74: Formas de onda num rect ificador de meia onda. a) entrada, b) sada, c)tenso inversa do dodo,
considerando o dodo como ideal.

Enquanto a tenso de entrada tem um valor mdio nulo a tenso VO apresenta agora um
valor mdio positivo, cujo valor dado pela equao (1.53) (Anexo A). Ento:

1
VO ( t ) dt =
T T
2
VO
1
=
V
sin

+
0 = max
(
)
Omax

2 0
2

VODC =

VOmax

VOmax

sin ( ) d =
0

VO

cos ( ) 0 = max cos ( ) ( cos ( 0 )) =

2
2
VOmax
2VO max
=
( 1) ( 1) =
2
2

(1.36)

72

A corrente mdia a circular atravs da carga ser ento,

I ODC =

VO DC
RL

VO max
V
= = O max
RL
RL

(1.37)

A anlise efectuada considera o dodo como ideal. No caso de este no ser ideal e necessitar
de uma tenso V para conduzir, preciso ter em conta que o dodo passar a estar ON para

Vi V e neste caso o circuito equivalente, usando a 2 aproximao, o dado pela Figura 75

a). VO tem agora como valor mximo Vi V . A funo de transferncia apresentada na
Figura 75 b) e a onda de sada na Figura 76.

vo

m=1

RL

Vi

Vo=Vi-V

V
a)

vi

b)

Figura 75: Circuito equivalente para um dodo no ideal no estado ON(a)) e funo de transferncia (b)) num
rectificador de meia onda.

V i(t)
V imax
V

wt

-Vimax
V o(t)
V omax

wt

Figura 76: Formas de onda num rectificador de meia onda usando um dodo no ideal.

73

No caso estudado (Figura 71), apenas existe conduo durante o semi ciclo positivo da onda
de entrada, mas se invertermos a polaridade do dodo, passaremos a ter conduo durante o
semi ciclo negativo. Este tipo de rectificador usado quando se pretende obter uma tenso
contnua de valor negativo.
Existem ainda rectificadores capazes de rectificar completamente a onda de entrada (ciclo
positivo e ciclo negativo). So denominados rectificadores de onda completa e so descritos
em seguida.

3.3.2 Rectificador de Onda Completa com Ponte de Dodos

Os circuitos rectificadores de onda completa aproveitam os dois semi ciclos da onda para a
rectificao, obtendo assim um desempenho superior aos de meia onda. Existem dois tipos
de circuitos rectificadores de onda completa: os que usam uma ponte de dodos para fazer a
rectificao e os que usam um transformador com ponto mdio.
Na Figura 77 apresenta-se o esquema de um rectificador de onda completa usando uma
ponte de dodos. A ponte constituda por 4 dodos.
A

Vi
B

D1

D2
D3 D4
RL

VRL

Figura 77: Rectificador de onda completa usando uma ponte de dodos.

Durante o semi ciclo positivo da tenso Vi, o dodo D2 tem um potencial positivo a ligar ao
nodo, e o D3 tem um potencial negativo a ligar ao ctodo. Nesta situao, a corrente ir sair
pelo ponto A, atravessa o dodo D2, RL, o dodo D3 chegando por fim ao ponto B. Assim,
os dodos D2 e D3 esto directamente polarizados e vo conduzir, enquanto D1 e D4 ficam
inversamente polarizados. O circuito equivalente o dado pela Figura 98 a) de onde se
conclui que todo o semi ciclo positivo aparecer aos terminais da carga RL.
74

Durante o semi ciclo negativo, ocorre o contrrio, estando directamente polarizados os

dodos D1 e D4 e inversamente polarizados os dodos D2 e D3. A corrente sai do ponto B,
atravessa D4, RL, D1 e chega ao ponto A. O circuito equivalente agora, o dado pela Figura
98 b) de onde se conclui que a corrente percorre a carga no mesmo sentido que no semi
ciclo positivo, portanto a tenso de sada sempre positiva! A tenso aos terminais da carga
RL ser agora uma onda simtrica do semi ciclo negativo, i.e. uma onda igual do semi
ciclo positivo.
Ento, o sinal de sada ser dado pela equao (1.38) e ter a funo de transferncia
representada na Figura 79:

D2
Vi

D1
Vi

D3

D4

VRL

RL

RL

a)

VRL

b)

Figura 78: Esquemas equivalentes quando conduz: a) D2 e D3; b) D1 e D4.

Vi
VO =
Vi

, no semi ciclo positivo

, no semi ciclo negativo

(1.38)

vo
m=-1

m=1

vi
Figura 79: Funo de transferncia de um rectificador de onda completa.

Na Figura 80 b) apresenta-se a forma de onda da tenso rectificada, enquanto na

Figura 80 c) e d) apresentam-se as tenses inversas suportadas respectivamente, pelos dodos
D2 e D3 e D1 e D4.

75

Vi(t)

V D2,D3 (t)

Vimax

a)

c)

wt

-Vimax

wt

wt

-Vimax

Vo(t)

V D1,D4 (t)

Vomax
b)

wt

d)

-Vimax
Figura 80: Formas de onda num rectificador de onda completa com ponte de dodos.

A frequncia da onda de sada do rectificador de onda completa dupla da do sinal de

entrada ( f saida = 2 f entrada ), uma vez que se comea a repetir T/2 mais cedo.
O valor mdio da tenso VO agora:

1
VO ( t ) dt =
T T
2

1
1
=
2 VOmax sin ( ) d =
VO sin ( ) d =
2 0 max
2
0

VODC =

=
=

2VOmax

4VOmax

cos ( ) 0 =
2
2
2VOmax

(1.39)

A corrente mdia a circular atravs da carga ser ento,

I ODC =

VO DC
RL

2VO max
2V
= = O max
RL
RL

(1.40)

76

Comparando com o rectificador de meia onda, verifica-se que o valor mdio da onda
duplicou o que significa que com esta configurao se obtm resultados mais prximos do
desejado. Relembra-se que o objectivo obter na sada uma tenso contnua o mais prximo
possvel de Vimax, uma vez que isto significa uma diminuio das perdas no circuito.
Analisando o caso de os dodos no serem ideais e necessitarem de uma tenso V para
conduzir de notar que agora os dodos passaro a conduzir para Vi 2V uma vez que
conduzem dois dodos de cada vez. Desenhando o circuito equivalente usando a
2 aproximao, verifica-se que o valor mximo de VO agora igual a Vi 2V . A onda de
sada apresentada na Figura 81.
Vi(t)
Vi max
2V
-2V

wt

-Vi max
Vo(t)
Vomax
wt

Figura 81: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais.

3.3.3 Rectificador de Onda Completa com Transformador com Ponto Mdio

Um rectificador de onda completa que utilize um transformador com ponto mdio10,
necessita somente de dois dodos para fazer a rectificao da onda. Na Figura 82 apresenta-se o circuito deste rectificador. As tenses V1 e V2 tm amplitude e fase iguais, mas como
esto marcadas em sentido contrrio, quando uma est no semi ciclo positivo a outra est no
negativo e vice-versa.
10

O Anexo B contm informao sucinta sobre transformadores.

77

V D1
D1

V1
V2

RL

VR L

V D2
D2

Figura 82: Rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.

O circuito funciona de forma anloga a um rectificador de meia onda. V1 com D1 rectificam

o semi ciclo positivo da onda enquanto V2 com D2 rectificam o semi ciclo negativo. Durante
o semi ciclo positivo de V1, V2 negativo. O dodo D1 estar a conduzir, j que est
directamente polarizado enquanto que no mesmo instante D2 estar sem conduzir. Nesta
situao, aos terminais da carga RL estar uma tenso igual a V 1.
Durante o semi ciclo negativo de V1, V2 est no semi ciclo positivo. Agora o dodo D1 vai
estar ao corte e D2 a conduzir. Aos terminais da carga RL vai aparecer a tenso V2. A Figura
83 mostra os esquemas equiva lentes referentes s duas situaes descritas.
A
V1

RL

RL

VRL
V2

b)

a)

Figura 83: Anlise de um rectificador de onda completa usando transformador com ponto mdio.

Ento,
V1
VO =
V2

, no semi ciclo positivo de V1

, no semi ciclo positivo de V2

(1.41)

A forma da onda Vo apresentada na Figura 84 c). Esta forma de onda igual apresentada
na Figura 80b) pelo que a tenso e corrente mdias da onda obedecem igualmente s
equaes (1.39) e (1.40) respectivamente. A frequncia da onda de sada deste rectificador
tambm dupla da do sinal de entrada ( f saida = 2 f entrada ).

78

Neste tipo de rectificador, durante o tempo em que um dodo conduz, o outro vai estar
submetido a uma tenso inversa, que deve suportar. Observando a Figura 83 a) ou b)
verifica-se que essa tenso inversa ser a tenso total no secundrio do transformador, isto ,
ter o dobro da amplitude de V1 e V2. A Figura 84 d) e e) mostram, respectivamente, as
tenses inversas suportadas pelos dodos D1 e D2. Durante o perodo de conduo os dodos
so equivalentes a curto-circuito (pela 1 aproximao), enquanto no perodo em que esto
OFF a tenso aos seus terminais a tenso total no secundrio do transformador.
V1(t)

V D1(t)

V1max

a)

wt

wt

-V1max

d)
-2Vimax

V 2(t)
V D2(t)

V2max

b)

wt

wt

-V2max
Vo(t)

V1max V max
2

-2Vimax

e)

V omax

c)

wt

Figura 84: a),b) formas de onda no secundrio do transformador. c) Onda de sada. d), e)tenso inversa
suportada pelos dodos num rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio.

Analisando agora o circuito para o caso de os dodos no serem ideais verifica-se que os
dodos passaro a conduzir para Vi V , em contraponto com o rectificador de onda
completa com ponte de dodos em que os dodos s entravam em conduo para Vi 2V .
Desenhando o circuito equivalente usando a 2 aproximao, obtemos para valor mximo de
V O o valor de Vi V . A onda de sada apresentada na Figura 85.
79

Vi(t)
Vi max
V

-V

wt

-Vi max
Vo(t)
Vomax

wt

Figura 85: Formas de onda num rectificador de onda completa usando dodos no ideais.

No Quadro 4 feita uma comparao entre os trs tipos de circuitos rectificadores estudados.

Rect. Onda Completa

Rect. Onda Completa

Ponte de Dodos

Transformador Ponto Mdio

Vimax

V imax

V imax

V imax-V

V imax-2V

V imax-V

Tenso Mdia de Sada

VO max

2VO max

2VO max

Tenso Inversa Mxima

- Vimax

-V imax

-2 Vimax

Frequncia de Sada

fentrada

2fentrada

2fentrada

Rect. Meia Onda

N de Dodos
Tenso de Pico de Sada
(Caso Ideal)
Tenso de Pico de Sada
(Caso No Ideal)

Quadro 4: Comparao entre os trs tipos de rectificadores estudados.

80

As diferenas entre um rectificador de onda completa com transformador com ponto mdio e
sem ponto mdio so essencialmente ao nvel de:

nmero de dodos utilizados,

valor mximo da amplitude da tenso de sada,

tenso inversa a que est sujeito cada dodo.

Embora tendo j um valor mdio diferente de zero, a tenso sada de um rectificador de

meia onda ou onda completa ainda tem um nvel de ondulao (ripple) elevado. Este nvel pode
ser minimizado passando este sinal por um filtro. Este filtro no mais que um condensador
colocado aos terminais da carga. Devido sua capacidade de carga e descarga, este
condensador vai manter a tenso aos seus terminais e por conseguinte, aos terminais da carga,
diminuindo assim a ondulao ainda existente.
O tema filtragem abordado de seguida.

3.4 Circuitos Rectificadores com Filtragem

A tenso de sada de um rectificador de meia onda ou de onda completa tem,
respectivamente, a forma de onda mostrada na Figura 74 b) e na Figura 80 b). A tenso de
sada coincide com a tenso na carga e, durante cada ciclo esta tenso varia entre zero e o
valor de pico (VOmax) e depois torna a diminuir voltando novamente a zero ( VO = VO max ).
Tal como referido no incio desta seco a maioria dos circuitos electrnicos necessitam de
ser alimentados por uma tenso contnua. A tenso de sada dos rectificadores apresenta uma
variao elevada cujo valor VOmax. Para diminuir esta variao recorre-se ao uso de um
filtro. O tipo mais comum de filtro para circuitos rectificadores um filtro constitudo
unicamente por um condensador, de capacidade C, colocado em paralelo com a carga, como
mostra a Figura 86. Pode ser usado em rectificadores de meia onda e de onda completa.

81

...
C

RL

Vo

...
Figura 86: Filtro usado em circuitos rectificadores.

3.4.1 Rectificador de Meia Onda com Filtragem

O circuito da Figura 87 representa um rectificador de meia onda com filtragem. Para analisar
o funcionamento do circuito podemos comear por assumir que o condensador se encontra
descarregado antes de se ligar o circuito.
D1
Vi

RL

Vo

Figura 87: Rectificador de meia onda com filtragem.

De acordo com a forma de onda da Figura 74 b) verifica-se que durante o primeiro quarto
de ciclo da tenso de entrada do circuito o dodo se encontra ON, sendo equivalente a um
curto-circuito. Nesta situao o condensador ir estar directamente ligado tenso de
entrada e ir carregar at ao valor mximo(Vi max no caso de se considerar o dodo como ideal
e Vi max-V no caso de se considerar o dodo no ideal). Nesta situao o condensador fica
totalmente carregado e com uma tenso aos seus terminais de valor VOmax. Aps o primeiro
quarto de ciclo do sinal de entrada, Vi, o dodo ir parar de conduzir, uma vez que no
segundo quarto de ciclo a tenso de entrada baixa e por isso a tenso no ctodo fica maior
que no nodo. Com o dodo OFF e criando um circuito aberto, o condensador ir
descarregar a carga acumulada para a massa atravs da resistncia RL. Esta descarga deve ser
lenta, i.e. deve ser muito maior que o perodo da onda, para que quando o dodo ligue
novamente o condensador ainda no tenha descarregado a totalidade da carga acumulada. A
taxa a que o condensador descarrega est directamente ligada constante de tempo

82

 = RLC 11. No tendo descarregado totalmente a tenso aos seus terminais baixou s
ligeiramente, o que significa que durante o perodo em que o dodo est OFF o condensador
s permite que a tenso de sada (tenso aos terminais de RL e do condensador) baixe
ligeiramente. O dodo passar a ligar logo que a tenso de entrada iguale a do condensador.
Nesta situao o condensador ir carregar novamente at VOmax.
O comportamento de carga e descarga sucessivas do condensador faz com que a tenso de
sada nunca chegue a baixar at zero, o que leva a onda de sada a aumentar o seu valor
mdio e a aproximar-se a uma onda contnua.
Ao tempo em que o condensador carrega chamamos tempo de carga e durante este tempo
existe corrente a atravessar o dodo. O resto do tempo o tempo de descarga e a corrente no
dodo zero, uma vez que este est OFF.

vi

VRipple

Vo
VOmax

t1

t2

tempo de descarga

idodo

tempo
de carga

Vo

VO max

DON

DOFF

Figura 88: Formas de onda num rectificador de meia onda com filtragem.

Na Figura 88 so apresentadas as formas de onda da tenso na carga, VO e da corrente no

dodo, idodo . Constata-se que a tenso na carga agora praticamente contnua permanecendo,
no entanto uma pequena oscilao denominada tenso de Ripple, VRipple, com origem na carga

11

O Anexo C contm informao sucinta sobre condensadores.

83

e descarga do condensador. A tenso de sada pretende-se o mais contnua possvel pelo que
a tenso de ripple deve ser o mais baixa possvel.
Num condensador a carga acumulada, Qacumulada dada por Q = CV , sendo C a capacidade
do condensador e V a difere na de potencial entre as placas do condensador. No caso do
circuito em questo esta diferena de potencial a tenso de ripple . Ento,

Qacumulada = CVRipple

(1.42)

Por outro lado, a carga acumulada igual carga libertada sendo esta ltima dada por
t2

Qlibertada = idt = I t , sendo t o tempo de descarga do condensador (intervalo de

t1

tempo em que o condensador fornece corrente carga). Durante este tempo o condensador
descarrega com uma corrente constante, IDC. Assim,

t2

Qlibertada = idt = I DC t

(1.43)

t1

e como Q acumulada=Qlibertada vem que:

CVRipple = I DC t
VRipple =

I DC t
C

(1.44)

sendo C a capacidade do condensador, IDC a corrente mdia com que o condensador

descarrega para a carga e t o tempo de descarga do condensador.
Sabemos que o tempo de carga somado com o tempo de descarga completa um perodo
completo da onda de entrada, sendo o tempo de descarga bastante superior ao tempo de
carga. O clculo do tempo de carga do condensador complexo pelo que comum usar
uma aproximao em que se considera o tempo de carga muito menor que o de descarga, o
que o mesmo que considerar a carga do condensador instantnea. Com esta aproximao o

84

tempo de carga passa a ser nulo e o tempo de descarga coincide com o perodo da onda
(t=T). A Figura 89 mostra o efeito desta aproximao.

vi

Vo
VO max

tempo de descarga

tempo
de carga

Figura 89: Aproximao usada no clculo da tenso de ripple, que considera a carga do condensador instantnea.

Usando a aproximao, a equao (1.44) para um rectificador de meia onda vem:

VRipple =

I DCT
I
VRipple = DC
C T=1
fC
f

(1.45)

Assim, uma forma de reduzir a ondulao da tenso de sada, Vripple ser atravs do aumento
da constante de tempo de descarga do condensador que se consegue aumentando o valor do
prprio condensador.
Por outro lado, como I DC =

VO DC
RL

, conseguimos diminuir V ripple diminuindo a corrente de

descarga, o que se consegue aumentando o valor da carga RL.

A escolha do condensador para o filtro, depende ento, do valor da tenso de Ripple que
permitida para o circuito em questo. Quanto menor for esta tenso, melhor. No entanto
no se consegue que a ondulao seja zero, porque teramos de utilizar um condensador de
valor muito alto, o que em tamanho seria incomportvel12. Quando o projecto no impe
uma ondulao mxima utiliza-se como regra de projecto, atribuir tenso de Ripple o valor
de 10% da tenso de pico do sinal a ser rectificado.

12

Condensadores de valor muito elevado atingem grandes tamanhos o que em electrnica problemtico
uma vez que normalmente se pretende minimizar a ocupao dos circuitos.

85

O valor mdio da tenso de sada usando a aproximao referida igualmente dado pela
1
T

equao (1.53) que atribui a VODC o valor de

V ( t ) dt . Este integral corresponde soma

T

da rea 1 (A1) com a rea 2 (A2) assinaladas a sombreado na Figura 90. A rea 1 e 2
correspondem, respectivamente, a reas de um tringulo e um rectngulo.
vi

VRipple

Vo
A1

VO max

A2

Figura 90: rea que corresponde ao clculo do valor mdio da onda de sada num rectificador de meia onda
com filtragem.

Assim,
1
1
VO ( t ) dt = ( A1 + A2 ) =

T T
T

1 T VRipple
=
+ T (VO max VRipple ) =
T
2

VODC =

VRipple
2

+( VO max VRipple ) =

= VO max

(1.46)

VRipple
2

Substituindo V ripple na equao (1.46) pela expresso dada na equao (1.45) vem que,

VO DC = VO max

2 fRL C
2 f RL C + 1

(1.47)

A tenso mdia, VODC deve ser o mais alta possvel e, como j visto a tenso de sada deve
ser o mais contnua possvel, o que se consegue com uma tenso de Ripple o mais baixo
possvel. A soluo passa por reduzir tenso de Ripple usar um rectificador de onda
completa, em vez de meia onda. Esta alternativa abordada de seguida.

86

3.4.2 Rectificador de Onda Completa com Filtragem

Os circuitos apresentados na Figura 91 representam dois rectificadores de onda completa
com filtragem. A forma de onda de sada V RL igual em ambos e apresentada na
Figura 92.
D1

D1
Vi

D2

V1

RL

VRL

D 3 D4
C

V2

VR L

RL

D2

b)

a)

Figura 91: Rectificadores de onda completa com filtragem. a) usando ponte de dodos, b) usando
transformador com ponto mdio.

O funcionamento do circuito anlogo ao do rectificador de meia onda, i.e., sempre que a

tenso rectificada seja superior tenso aos terminais do condensador este ir carregar e
quando menor o condensador descarrega. A diferena em relao ao de meia onda que
agora durante um perodo da onda de entrada o condensador vai carregar e descarregar o
dobro das vezes.

VRL

V Ripple

VRLmax

tempo de
descarga

Onda
rectificada

tempo
de carga

Figura 92: Formas de onda num rectificador de onda completa com filtragem.

87

Se considerarmos a carga do condensador instantnea (tempo de carga nulo) a descarga faz-se no durante um perodo como no caso do rectificador de meia onda, mas durante meio
perodo da onda de entrada ( t =

T
). A Figura 93 mostra o efeito da aproximao.
2

VRL

VRipple

VRLmax

Onda
rectificada

Figura 93: Aproximao que considera a carga do condensador instantnea.

Usando esta aproximao, a equao (1.44) para um rectificador de onda completa fica:

VRipple =

T
I DC
2 V
Ripple =
1
C
2 fC
T=

I DC

(1.48)

Verificamos, ento que com este rectificador obtemos uma ondulao que metade da
obtida com um rectificador de meia onda.
V RLDC vem,
VRLDC =

1
T

V ( t ) dt =
T

RL

V Ripple

1
= 2 2
+ T ( VRL max VRipple ) =
T
2

VRipple
=
+ (VRL max VRipple ) =
2
V
= VRL max Ripple
2

(1.49)

88

Ento o valor mdio da tenso de sada num rectificador de onda completa dado pela
mesma expresso que num de meia onda! Como a tenso de ripple neste rectificador
metade que no de meia onda, a tenso mdia na sada deste circuito ser substancialmente
mais elevada que no de meia onda.
Pela equao (1.48) vem que,

VRLDC = VRL max

4 fRL C
4 f RL C + 1

(1.50)

No Quadro 5 feita uma comparao entre os dois tipos de rectificadores com filtragem
abordados.

Rect. Meia Onda

Tenso Mdia de Sada

Tenso de Ripple

VODC = VO max
VRipple =

VRipple

I DC
fC

Rect. Onda Completa

VODC = VO max
VRipple =

VRipple
2

I DC
2 fC

Quadro 5: Comparao entre os dois tipos de rectificadores com filtragem abordados.

A eliminao completa da ondulao possvel usando a seguir filtragem um outro tipo de

circuitos denominados reguladores de tenso. No entanto num grande nmero de aplicaes a
aco da filtragem j satisfatria.

3.5 Reguladores de Tenso com Zener

O circuito da Figura 94 apresenta um regulador de tenso utilizando um dodo zener. O
objectivo manter constante a tenso aos terminais da carga RL. Para tal a tenso aos terminais
do zener ter igualmente de ser estvel o que se consegue mantendo o zener ON inversamente
polarizado para qualquer valor que V S possa tomar.

89

Rs
IS

IZ

IL

Vs

RL

VZ

VL

Figura 94: Regulador de tenso com zener.

A questo passa ento por se calcular um valor para a resistncia RS que garanta a operao
do dodo zener na regio de regulao, mesmo que haja pequenas variaes da tenso de
entrada V S ou da resistncia de carga RL.
O circuito de regulao de tenso completo, usando um rectificador de onda completa
poderia ser o apresentado na Figura 95.
D1
VS

D2
Rs
D 3 D4
C

RL

VZ

VL

Figura 95: Regulador de tenso com zener.

A tenso produzida pelo rectificador de onda completa com filtragem apresenta ainda um
nvel elevado de ondulao e apresentada na Figura 96 a). Na Figura 96 b) apresenta-se a
forma de onda na carga. Como se pode verificar pela figura, o dodo zener garante a
regulao, mantendo a tenso na carga constante com um valor igual ao da sua tenso de
zener.
V Rect

V RL

VRectmax

VZ

t
a)

t
b)

Figura 96: Formas de onda num regulador de tenso. a) tenso na sada do rectificador com filtragem.
b) tenso na carga.

90

Anexo A
Ondas Sinusoidais
Vi(t)
Vmax

10

20

t(ms)

-Vmax
Figura 97: Exemplo de onda sinusoidal.

Um ciclo a menor parte de uma de onda peridica que no se repete. Na Figura 97 esto
representados dois ciclos de onda. O primeiro ocorre de 0 a 10 ms e segundo de 10ms a
20ms.
O tempo necessrio para que seja completado um ciclo denominado perodo (T) e mede -se em segundos, milisegundos, etc. Para a onda representada o perodo de 10ms.
A frequncia (f) o nmero de ciclos completados num intervalo de tempo. No Sistema
Internacional de Unidades, a frequncia tem como unidade o Hertz (Hz), e o inverso do
perodo:
f =

Ento, a frequncia da onda f =

1
T

(1.51)

1
= 100 Hz .
10ms

A onda da Figura 97 tem como valor mximo Vmax e este valor denominado amplitude da
onda. Assim, a expresso que representa a onda da figura Vi (t ) = Vmax sin ( t ) [Volts ] ,
com = 2 f , sendo a frequncia angular da onda.

91

O valor mximo (V max) tambm pode tambm ser chamado de valor de pico e o mesmo
que a amplitude do sinal.
Podemos ainda especificar o valor pico-a-pico (V maxpp) que igual diferena entre o
mximo e o mnimo que a onda atinge V maxpp = Vmax - (-V max ) = 2 Vmax.
O modo mais comum de especificarmos a amplitude da corrente ou tenso alternada
atravs do seu valor eficaz, V RMS, ou RMS (Root Mean Square) que um valor indicado pelo
voltmetro quando este se encontra na escala ac. O valor eficaz de uma tenso ou corrente
com forma de onda sinusoidal calculado por:

VRMS =

Vmax
2

(1.52)

Outra medida associada a ondas sinusoidais o valor mdio, VDC. No caso da onda da
Figura 97 o seu valor mdio nulo uma vez que em termos mdios o valor ao longo de um
ciclo zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de
sinal contrrio na segunda metade do ciclo. O valor mdio de uma onda V dado por:

VDC =

1
T

V ( t ) dt
T

(1.53)

sendo T o perodo da onda.

O valor mdio indicado no voltmetro quando usamos a escala DC.

92

Anexo B
Transformadores
O transformador tem a dupla funo de fornecer no secundrio uma tenso alternada menor
que a tenso de rede e simultaneamente isolar os circuitos da rede. Consiste basicamente de
duas bobinas isoladas electricamente (chamadas de enrolamentos), porm acopladas
magneticamente, pois so montadas em torno de um mesmo ncleo de ferro ou ferrite.
A bobina na qual aplicada a tenso a ser transformada, U1 denominada primrio e a que
fornece a tenso transformada, U2, denominada secundrio (Figura 98).

Figura 98: Enrolamentos do transformador.

A corrente elctrica alternada no enrolamento primrio d origem a um fluxo magntico

alternado, no ncleo. Este fluxo induz uma tenso alternada na bobina do secundrio. Ou
seja, a energia passa de uma bobina para a outra atravs do fluxo magntico.
Os valores referidos de tenso no secundrio de um transformador, so normalmente
valores eficazes.
No transformador ideal,
U 2 N2
=
U1 N1

(1.54)

Sendo:
U1 a tenso no primrio,
U2 tenso no secundrio,
N1 o nmero de espiras no enrolamento primrio e
N2 o nmero de espiras no enrolamento secundrio.

93

Existem ainda transformadores com e sem ponto mdio, como mostra a Figura 99. Num
transformador sem ponto mdio a tenso no secundrio U2, enquanto no transformador
com ponto mdio (tambm chamada derivao central) a amplitude da tenso metade e
dada de acordo com as tenses marcadas na Figura 99. Estas tenses tm amplitude e fase
iguais, mas como esto marcadas em sentido contrrio, quando uma est no semi ciclo
positivo a outra est no negativo e vice-versa.

U2
2

U2

a)

U2
2

b)

Figura 99: Transformadores sem ponto mdio a) e com ponto mdio b).

94

Anexo C
Condensadores
O condensador um componente electrnico, constitudo por duas placas condutoras,
separadas por um material isolante. Ao ser ligado a uma fonte de tenso haver uma
distribuio de cargas at o condensador ter aos seus terminais uma tenso igual da fonte.
Assim, o condensador um elemento que armazena carga elctrica.

Figura 100: Smbolo do Condensador.

Se a fonte for desligada (0 Volts) do condensador este ir descarregar a carga acumulada e

atingir tambm os 0 Volts. Se em algum momento da descarga a fonte voltar a ligar o
condensador no descarregar mais e comear a acumular a carga que perdeu.
No circuito da Figura 101 mostra-se o efeito de carga e descarga de um condensador num
circuito quando na entrada se encontra aplicada uma onda quadrada. O condensador
encontra-se inicialmente descarregado. Assim se a onda de entrada tem um valor de tenso
U o condensador ir carregar at este valor. Um condensador carrega com uma resposta
exponencial que funo da constante de tempo do circuito. Esta constante de tempo
= RC . Assim, a tenso no condensador dada pela equao (1.55).
t

VC = VG 1 e

(1.55)

Como VG = VR + VC medida que VC cresce VR decresce. Quando a onda de entrada passar

a 0 o condensador comear a descarregar, atingindo no caso da Figura 101 o valor de 0
Volts. Caso a tenso de entrada passa-se a U antes de o condensador descarregar totalmente
este no chegaria a tingir o 0 Volts.

95

Figura 101: Exemplo de carga e descarga de um condensador.

A carga elctrica, q ( t ) , acumulada por um condensador dada pela equao (1.56), onde C
a capacidade do condensador e v ( t ) a tenso aos seus terminais.

q ( t ) = Cv ( t )

(1.56)

As variaes na carga acumulada definem a corrente que atravessa o condensador, e so

dadas pela equao (1.57).

i (t ) = C

dv ( t )
dt

(1.57)

Esta expresso vulgarmente designada por caracterstica tenso-corrente do condensador.

96

Exerccios Propostos
1. O nmero de electres livres e de lacunas num semicondutor intrnseco aumenta quando
a temperatura
a) Diminui
b) Aumenta
c) Permanece a mesma
d) Nenhum desses
2. Quantos electres de valncia existem nos tomos tetravalentes?
a) 1
b) 3
c) 4
d) 5
3. Quantos electres de valncia existem num tomo dador?
a) 1
b) 3
c) 4
d) 5
4. Para produzir um semicondutor tipo p, preciso usar:
a) tomos aceitadores
b) tomos dadores
c) Impurezas pentavalentes
d) Silcio
5. Em que tipo de semicondutor as lacunas so portadores minoritrios?
a) Extrnseco
b) Intrnseco
c)

Tipo n

d) Tipo p

97

6. A tenso em que se d a ruptura chamada de

a)

Barreira de potencial

b)

Camada de depleo

c)

Tenso de joelho

d)

Tenso de ruptura

7. Numa juno PN a polarizao directa favorece,

a)

O aumento da zona de depleo.

b)

O fluxo de portadores maioritrios atravs da juno.

c)

O fluxo de portadores minoritrios atravs da juno.

d)

Nenhuma das anteriores.

8. Numa barra de semicondutor tipo N,

a)

Os electres so os portadores maioritrios.

b)

As lacunas so os portadores maioritrios.

c)

Existem tantos electres como lacunas.

d)

Nenhuma das anteriores.

9. O dodo Zener usado,

a)

Polarizado inversamente.

b)

Para gerar tenses de referncia.

c)

Como regulador de tenso.

d)

Todas as anteriores.

10. O que promove o mecanismo das correntes de difuso num semicondutor ,

a)

Uma distribuio no uniforme da concentrao de electres.

b)

Uma distribuio no uniforme da concentrao de lacunas.

c)

A existncia de um gradiente de concentrao de portadores no semicondutor.

d)

Todas as anteriores.

98

11. O semicondutor extrnseco tipo n obtido de um semicondutor intrnseco por,

a)

Adio de lacunas.

b)

Adio de electres.

c)

Adio de impurezas aceitadoras.

d)

Adio de impurezas dadoras.

12. As correntes de deriva num semicondutor so caracterizadas por,

a)

Movimento orientado de portadores de carga sob a influncia de um campo

elctrico aplicado.

b)

Movimento orientado de portadores de carga sob a influncia de um campo

magntico.

c)

Movimento aleatrio de portadores de carga sob a influncia de uma fonte de

calor.

d)

Todas as anteriores.

13. Considere o seguinte circuito rectificador de onda completa,

Se Vi=10sen(wt), ento a sada ter o seguinte aspecto,

(Admita que, V =0,7V e T=2/w)

a)

b)

c)

d)

99

14. Considere o seguinte circuito,

Se v i=5sen(wt), ento vo tem o seguinte aspecto,

(Admita que V=0,7V e T=2/w)

a)

b)

c)

d)

15. Considere o seguinte circuito com dodos,

A caracterstica de transferncia deste circuito ,

(Admita que os dodos so ideais e que 0<V R1<VR2)

VR 1 Vi < V R1
V
a) Vo = i R VR1 Vi VR 2

V R 2 Vi > VR 2

b)

VR1 Vi < VR1

c) Vo = Vi VR 1 Vi VR 2
V V > V
R2
i
R2

d)

100