UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

GUA EXPERIENCIA N7 DE LABORATORIO DEL CURSO EE441 N

EL TRANSISTOR UNIPOLAR FET - 13 JUNIO
I. OBJETIVO:
Estudiar las caractersticas de polarizacin de los transistores unipolares de efecto de campo
(FET),
Determinar la operacin del FET en seal alterna.
Identificar los terminales, sistema de polarizacin, impedancia de entrada.
Identificar los niveles de seale del FET sin distorsin

II.

COMPETENCIAS
Maneja correctamente el multmetro, generador de funciones, osciloscopio, fuente de alimentacin
configurando y conectndolos apropiadamente.
Selecciona correctamente los componentes a utilizar para la experiencia del Transistor Unipolar o
FET.
Elabora informes tcnicos claros mediante un formato digital establecido.
Usa software de simulacin y compara con los resultados experimentales.
Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma efectiva en
equipos multidisciplinarios de trabajo.

III.

PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:

Realice los clculos empleando un simulador. Ajuste la tensin y frecuencia del generador a los
valores de la experiencia.
Simule el circuito y anote las tensiones y corrientes que se piden en el experimento para ambos
circuitos considerando todos los valores resistivos dados.
Determine el estado de corte y saturacin para ambos circuitos.

IV.

EQUIPOS Y MATERIALES:

02 FET canal N, NTE 312

01 panel de conexiones

Resistores de 1K, 2K, 10K, 5.6K, 3.3K, 1M

Conductores de conexin

01 Generador de funciones

01 Potencimetro de 10K

Capacitores 2x10uf, 47uf (25v)

01 Multmetro

01 Osciloscopio

02 Fuentes de Alimentacin

V. PROCEDIMIENTO:
1. Con la ayuda del manual o data sheet reconocer los terminales del FET. Dibujar su esquema de
pines y colocar sus datos:
RDS =
RGD =
RGS=
Ing. Virginia Romero
Docente FIEE

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2. Armar el circuito de la figura 1.

V2

R1

12Vdc
2k

C2

Salida
10uf

J1
U312

C1
Entrada

S
10uf

R4
R2

V1
VOFF = 0
VAMPL = 50mV
FREQ = 1KHz

10k
R3

+
Vo
-

C3

1M
1k

47uf

Figura 1
3. Polarizar el circuito y medir los terminales del FET con respecto a tierra, evaluando el punto de
operacin.
VD =

VGS =

VDS =

VG =

VS =

ID =

4. Repetir el paso anterior para los valores de RD y RS indicados.

RD = 1 K
RD = 3.3 K

RD = 5.6K

RS = 3.3 K
RD = 2 K

RD = 5.6 K

RD = 1 K

VD
VS

5. Graficar las curvas de transferencia y las rectas de carga en cada caso. Trazar las rectas de
polarizacin y de carga indicando los puntos de operacin logrados. Evaluar por extrapolacin
IDss (Corriente de Drenaje de Saturacin) y Vpo, asi como la transconductancia gm.
6. Aplicar una seal V1 de 50mV, 1Khz senoidal y medir la seal Vo a fin de determinar la ganancia
del transistor.

Vo =

AV =

V0
Vi

7. Aumentar la amplitud de Vi hasta lograr una deformacin de Vo y determinar la mxima amplitud

de la salida que se puede obtener sin distorsin.
Vo(mx.) sin distorsin =

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE

Vi(mx.) =

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8. Retirar el condensador C3 y evaluar la ganancia, as como la mxima seal obtenible sin

distorsin.
Vo(mx.) =
A =
V

7.33448V

7.33446V

7.33444V

7.33442V
V(D)
50mV

0V

SEL>>
-50mV
0s

0.2ms
V(ENTRADA)

0.4ms

0.6ms

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

2.6ms

2.8ms

3.0ms

Time

Forma de onda en la carga y en la entrada

9. Armar el circuito de la figura mostrada (fig. 2), dando el punto Q y la ganancia de tensin.
Explicando las ventajas y desventajas que se logra.
C1

J1
U312

C2
10uf

0.1uf
R2
R3

V1
VOFF = 0
VAMPL = 50mV
FREQ = 1KHz

10k

R1
V2

3.3k

33k

10Vdc

Fig. 2

Forma de onda en la carga y en la entrada

7.334452V

7.334448V

7.334444V

7.334440V
V(D)
50mV

0V

SEL>>
-50mV
0s

0.2ms
V(ENTRADA)

0.4ms

0.6ms

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

2.6ms

2.8ms

3.0ms

Time

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE

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VI. INFORME FINAL:

1. En una tabla compare los valores tericos con los valores experimentales.
2. Qu porcentaje de error hay entre los valores experimentales y los tericos? Cmo los
explica?
3. Dibuje la forma de onda de entrada ( Vin ) y de la carga ( V L ). Qu relacin de fases hay entre
ellas?
4. Qu impedancia de entrada tiene el FET?
5. Qu impedancia de salida tiene el FET?

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE